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内容简介

　　《微电子器件与IC设计基础（第二版）/普通高等教育“十一五”国家级规划教材》主要讲述微电子器件和集成电路的基础理论。内容包括：微电子器件物理基础；PN结；双极晶体管及MOSFET结构、工作原理和特性；JFET及MES—FET概要；集成电路基本概念及集成电路设计方法。共计7章。
　　《微电子器件与IC设计基础（第二版）/普通高等教育“十一五”国家级规划教材》可作为高等院校通信、计算机、自动化、光电等专业本科生学习微电子及IC方面知识的技术基础课教材。由于采用“积木式”结构，也可作为电子科学与技术及相关专业的本、专科高年级学生及研究生的专业课教材，又可作为从事微电子科学、电子器件、集成电路等工程研究和应用的有关人员的自学教材与参考书。

内页插图

目录

第二版前言
第一版前言
符号表
第1章 半导体物理基础
1.1 半导体材料
1.1.1 半导体材料的原子构成
1.1.2 半导体材料的晶体结构
1.2 半导体中的电子
1.2.1 量子力学简介
1.2.2 半导体中电子的特性与能带
1.2.3 载流子
1.3 热平衡状态下载流子的浓度
1.3.1 电子的统计分布规律
1.3.2 载流子浓度与费米能级的关系
1.3.3 本征半导体与杂质半导体
1.4 载流子的输运
1.4.1 载流子的散射
1.4.2 载流子的漂移运动与迁移率
1.4.3 漂移电流与电导率
1.4.4 扩散运动与扩散系数
1.4.5 电流密度方程与爱因斯坦关系式
1.5 非平衡载流子
1.5.1 非平衡载流子的复合与寿命
1.5.2 准费米能级
1.6 连续性方程与扩散方程
1.6.1 连续性方程
1.6.2 扩散方程
思考题1
习题1

第2章 PN结
2.1 平衡PN结能带图及空间电荷区
2.1.1 平衡PN结能带图
2.1.2 PN结的形成过程
2.1.3 平衡PN结的载流子浓度分布
2.2 理想PN结的伏安特性
2.2.1 PN结的正向特性
2.2.2 PN结的反向特性
2.2.3 理想PN结的伏安特性
2.3 实际PN结的特性
2.3.1 PN结空间电荷区中的复合电流
2.3.2 PN结空间电荷区中的产生电流
2.3.3 PN结表面漏电流与表面复合、产生电流
2.3.4 PN结的温度特性
2.4 PN结的击穿
2.4.1 PN结空间电荷区中的电场
2.4.2 PN结的雪崩击穿和隧道击穿
2.5 PN结的电容
2.5.1 PN结的势垒电容
2.5.2 PN结的扩散电容
思考题2
习题2

第3章 双极晶体管
3.1 双极晶体管的结构
3.1.1 基本结构
3.1.2 晶体管的杂质分布
3.1.3 晶体管的实际结构
3.1.4 晶体管的结构特点
3.1.5 集成电路中的晶体管
3.2 双极晶体管的放大原理
3.2.1 晶体管直流短路电流放大系数
3.2.2 晶体管内载流子的传输
3.2.3 发射效率和基区输运系数
3.2.4 共基极直流电流放大系数
3.2.5 共射极直流电流放大系数岛
3.3 双极晶体管电流增益
3.3.1 均匀基区晶体管直流电流增益
3.3.2 缓变基区晶体管直流电流增益
3.3.3 影响电流放大系数的因素
3.3.4 大电流下晶体管放大系数的下降
3.4 双极晶体管常用直流参数
3.4.1 反向截止电流
3.4.2 击穿电压
3.4.3 集电极最大电流
3.4.4 基极电阻
3.5 双极晶体管直流伏安特性
……
第4章 结型场效应晶体管
第5章 MOSFET
第6章 集成电路概论
第7章 集成电路设计基础
参考文献
附录

前言/序言

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