基本信息

• 商品名称：纳米集成电路制造工艺(第2版)
• 作者：编者:张汝京
• 定价：89
• 出版社：清华大学
• ISBN号：9787302452331

其他参考信息（以实物为准）

• 出版时间：2017-01-01
• 印刷时间：2017-01-01
• 版次：2
• 印次：1
• 开本：16开
• 包装：平装
• 页数：471
• 字数：744千字

内容提要

张汝京等编著的《纳米集成电路制造工艺(第2版 )》共分19章，涵盖**集成电路工艺的发展史，集 成电路制造流程、介电薄膜、金属化、光刻、刻蚀、 表面清洁与湿法刻蚀、掺杂、化学机械平坦化，器件 参数与工艺相关性，DFM(Design for Manufacturing)，集成电路检测与分析、集成电路的 可靠性，生产控制，良率提升，芯片测试与芯片封装 等项目和课题。
     **从事半导体产业的科研工作者、技术工作者 和研究生可使用本书作为教科书或参考资料。
    

目录

**章 半导体器件
1.1 N型半导体和P型半导体
1.2 PN结二极管
1.2.1 PN结自建电压
1.2.2 理想PN结二极管方程
1.3 双极型晶体管
1.4 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.4.1 线性模型
1.4.2 非线性模型
1.4.3 阈值电压
1.4.4 衬底偏置效应
1.4.5 亚阈值电流
1.4.6 亚阈值理想因子的推导
1.5 CMOS器件面临的挑战
1.6 结型场效应晶体管
1.7 肖特基势垒栅场效应晶体管
1.8 高电子迁移率晶体管
1.9 无结场效应晶体管
1.9.1 圆柱体全包围栅无结场效应晶体管突变耗尽层近似器件模型
1.9.2 圆柱体全包围栅无结场效应晶体管完整器件模型
1.9.3 无结场效应晶体管器件制作
1.10 量子阱场效应晶体管
1.11 小结
参考文献
第2章 集成电路制造工艺发展趋势
2.1 引言
2.2 横向微缩所推动的工艺发展趋势
2.2.1 光刻技术
2.2.2 沟槽填充技术
2.2.3 互连层RC延迟的降低
2.3 纵向微缩所推动的工艺发展趋势
2.3.1 等效栅氧厚度的微缩
2.3.2 源漏工程
2.3.3 自对准硅化物工艺
2.4 弥补几何微缩的等效扩充
2.4.1 高k金属栅
2.4.2 载流子迁移率提高技术
2.5 展望
参考文献
第3章 CMOS逻辑电路及存储器制造流程
3.1 逻辑技术及工艺流程
3.1.1 引言
3.1.2 CMOS工艺流程
3.1.3 适用于高k栅介质和金属栅的栅*后形成或置换金属栅CMOS工艺流程
3.1.4 CMOS与鳍式MOSFET(FinFET)
3.2 存储器技术和制造工艺
3.2.1 概述
3.2.2 DRAM和eDRAM
3.2.3 闪存
3.2.4 FeRAM
3.2.5 PCRAM
3.2.6 RRAM
3.2.7 MRAM
3.2.8 3D NAND
3.2.9 CMOS图像传感器
3.3 无结场效应晶体管器件结构与工艺
参考文献
第4章 电介质薄膜沉积工艺
4.1 前言
4.2 氧化膜/氮化膜工艺
4.3 栅极电介质薄膜
4.3.1 栅极氧化介电层-氮氧化硅(SiOxNy)
4.3.2 高k栅极介质
4.4 半导体*缘介质的填充
4.4.1 高密度等离子体化学气相沉积工艺
4.4.2 O3-TEOS的亚常压化学气相沉积工艺
4.5 超低介电常数薄膜
4.5.1 前言
4.5.2 RC delay对器件运算速度的影响
4.5.3 k为2.7～3.0的低介电常数材料
4.5.4 k为2.5的超低介电常数材料
4.5.5 刻蚀停止层与铜阻挡层介电常数材料
参考文献
第5章 应力工程
第6章 金属薄膜沉积工艺及金属化
第7章 光刻技术
第8章 干法刻蚀
第9章 集成电路制造中的污染和清洗技术
**0章 超浅结技术
**1章 化学机械平坦化
**2章 器件参数和工艺相关性
**3章 可制造性设计
**4章 半导体器件失效分析
**5章 集成电路可靠性介绍
**6章 集成电路测量
**7章 良率改善
**8章 测试工程
**9章 芯片封装