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出版社： 化学工业出版社
ISBN：9787122303592
商品编码：27313805635
出版时间：2018-02-01
具体描述
作 者:(德)迈克尔·尼塞尔(Michael Kneissl),延斯·拉斯(Jens Rass) 主编；段瑞飞,王军喜,李晋闽 译 定 价:198 出 版 社:化学工业出版社 出版日期:2018年02月01日 页 数:399 装 帧:平装 ISBN:9787122303592 ●第1章氮化物紫外光电子器件技术及应用概述/001
●摘要001
●1．1背景002
●1．2UV发光器件及其应用003
●1．3UV-LED的技术和未来挑战004
●1．4UV-LED的主要参数和器件性能007
●1．5缺陷对UV-LED IQE的作用008
●1．6UV-LED的电注入效率和工作电压010
●1．7UV-LED的光提取011
●1．8UV-LED的热管理与退化012
●1．9展望013
●1．10小结014
●致谢015
●参考文献015
●第2章AlN体衬底的生长与性能/025
●摘要025
●2．1AlN晶体的特性与历史026
●2．2PVT法生长AlN体单晶：理论027
●2．3PVT法生长AlN体单晶：技术029
●2．4籽晶生长与晶体长大031
●部分目录
王军喜，研究员，博导，中国科学半导体照明研发中心副主任，带领团队在靠前首先制备出深紫外LED专用设备，开拓性实现靠前300nm以下毫瓦级LED器件，填补了靠前在该领域的空白。
李晋闽，原中国科学院半导体研究所所长，科技部“半导体照明联合创新国家重点实验室”主任，“国家半导体照明研发及产业联盟”研发兼“联盟标准化委员会”主任。半导体照明外延、芯片及应用集成技术团队的发起人和。 无
●摘要001
●1．1背景002
●1．2UV发光器件及其应用003
●1．3UV-LED的技术和未来挑战004
●1．4UV-LED的主要参数和器件性能007
●1．5缺陷对UV-LED IQE的作用008
●1．6UV-LED的电注入效率和工作电压010
●1．7UV-LED的光提取011
●1．8UV-LED的热管理与退化012
●1．9展望013
●1．10小结014
●致谢015
●参考文献015
●第2章AlN体衬底的生长与性能/025
●摘要025
●2．1AlN晶体的特性与历史026
●2．2PVT法生长AlN体单晶：理论027
●2．3PVT法生长AlN体单晶：技术029
●2．4籽晶生长与晶体长大031
●部分目录
内容简介
本书全面介绍了基于Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探测器的近期新技术，涵盖不同的衬底及外延方法，InAlGaN材料的光学、电学和结构特性以及各种光电子器件，如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探测器。此外，综述了紫外发光器件和探测的一些关键应用领域，包括水净化、光疗、气敏、荧光激发、植物生长照明和UV固化。本书含有大量翔实的图表和参考文献，可供读者进一步了解和认识氮化物紫外光电器件及其应用。本书由德国、美国、日本、爱尔兰等国的知名专家共同执笔，各章的作者都在相关领域有着丰富的经验，其对技术发展的独到见解，能够开拓读者思路，为靠前氮化物紫外光电子器件的发展提供借鉴和参考。本书可供电气工程、材料科学、物理学研究生层次的学生、研究人员和科学家，以及将紫外发光器件和探测器用到各种领域的开发人员参考。 (德)迈克尔·尼塞尔(Michael Kneissl),延斯·拉斯(Jens Rass) 主编；段瑞飞,王军喜,李晋闽 译 段瑞飞，中国科学院半导体研究所博士，北京中科优唯科技有限公司副总经理，氮化物半导体物理、材料、器件以及应用十多年研究经验，致力于氮化物深紫外LED的产业化。王军喜，研究员，博导，中国科学半导体照明研发中心副主任，带领团队在靠前首先制备出深紫外LED专用设备，开拓性实现靠前300nm以下毫瓦级LED器件，填补了靠前在该领域的空白。
李晋闽，原中国科学院半导体研究所所长，科技部“半导体照明联合创新国家重点实验室”主任，“国家半导体照明研发及产业联盟”研发兼“联盟标准化委员会”主任。半导体照明外延、芯片及应用集成技术团队的发起人和。 无
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