基本信息

书名:功率半导体器件基础-英文版

定价：150.00元

售价：120.0元

作者:(美)巴利伽

出版社：科学出版社

出版日期：2012-06-01

ISBN：9787030343406

字数：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

编辑推荐

（1）本书作者是功率半导体器件领域的国际专家，IGBT器件发明人之一。（2）本书结合作者多年的实践经验，不仅深入讨论了半导体功率器件的工作原理，而且采用计算机来验证物理模型，并讨论了实际复杂结构器件的优化设计。（3）各章都附有习题，便于读者深入掌握基本概念，可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

内容提要

《功率半导体器件基础（英文版）》作者是功率半导体器件领域的专家，IGBT器件发明人之一。《功率半导体器件基础（英文版）》结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。
《功率半导体器件基础（英文版）》可作为微电子、电力电子等相关领域科研人员、工程技术人员的参考书，也可作为相关专业高年级本科生、研究生的教材。

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作者介绍

文摘

序言