基本信息

书名：模拟CMOS集成电路设计(国外名校新教材精选)

定价：75.00元

作者：(美)毕查德？拉扎维作 陈贵灿程军张瑞智者

出版社：西安交通大学出版社

出版日期：2014-06-01

ISBN：9787560516066

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.922kg

编辑推荐

内容提要

毕查德·拉扎维编著的这本《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。
《模拟CMOS集成电路设计》是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

目录

作者简介中文版前言译者序序致谢第1章 模拟电路设计绪论第2章 MOS器件物理基础第3章 单级放大器第4章 差动放大器第5章 无源与有源电流镜第6章 放大器的频率特性第7章 噪声第8章 反馈第9章 运算放大器第10章 稳定性与频率补偿第11章 带隙基准第12章 开关电容电路第13章 非线性与不匹配第14章 振荡器第15章 锁相环第16章 短沟道效应与器件模型第17章 CMOS工艺技术第18章 版图与封装英汉词汇对照

作者介绍

毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT＆T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett—Packard实验室，直到1996年为止。1996年9月，他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。 拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员，在其中担任模拟小组委员会的主席。此外，他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。 拉扎维教授于1994年因为的编辑能力获ISSCC的Beatrice奖，1994年在欧洲固体电子会议上获*论文奖，1995年和1997年ISSCC的*专题小组奖，1997年TRw创新教学奖，1998年IEEE定制集成电路会议*论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版，1995)和《RF微电子学》(Prentice Hall出版，1998)的作者，以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版，1996)的编者。

文摘

序言