基本信息

书名：中国军工电子工艺技术体系

定价：198.00元

作者：张为民

出版社：电子工业出版社

出版日期：2017-01-01

ISBN：9787121303883

字数：

页码：968

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

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内容提要

本书针对当前军工电子工艺技术中存在的问题，以科技创新为切入点，按照工艺技术体系框架展开，清晰地论述了军工电子各工艺之间的关系和与武器装备研制的关联。本书涵盖了系统、整机、元器件、信息功能材料工艺及相应的工艺设备，科学总结了军事电子装备研制生产有关的专业工艺技术和工艺管理方法，全面反映了军事电子工业工艺技术的现状、水平和成就。该书图文并茂，数据准确，既有机理方法的描述，又有可操作的工艺技术；既包括了现今应用的工艺技术，又面向了工艺技术的未来发展，实用性很强。该书的发行，正处于“中国制造2025”全面实施的历史进程中，对落实制造强国战略、提高电子信息工艺水平有重要意义。

目录

篇 概 论n
章 军用电子产品及其工艺技术 2n
1．1 军用电子产品 2n
1．1．1 综合电子信息系统 2n
1．1．2 军事电子装备 2n
1．1．3 电子元器件及信息功能材料 3n
1．2 军工电子工艺技术的内涵与特点 5n
1．2．1 军工电子工艺技术的内涵 5n
1．2．2 军工电子工艺技术的特点 5n
1．3 军工电子工艺技术的地位和作用 7n
1．3．1 军工电子工艺技术的地位 7n
1．3．2 军工电子工艺技术的作用 8n
1．4 军工电子工艺技术的发展历程 10n
参考文献 12n
第2章 军工电子工艺技术体系 13n
2．1 概述 13n
2．1．1 军工电子工艺技术体系图 13n
2．1．2 军工电子工艺技术关系 13n
2．2 军工电子工艺技术体系构成 13n
2．2．1 信息功能材料制造工艺技术 16n
2．2．2 电子元器件制造工艺技术 16n
2．2．3 电气互联技术 17n
2．2．4 电子整机制造工艺技术 19n
2．2．5 共用技术 22n
参考文献 22n
第二篇 工艺技术在军事电子典型装备中的应用n
第3章 典型电子装备制造工艺应用 24n
3．1 雷达制造工艺 24n
3．1．1 雷达及其基本组成 24n
3．1．2 雷达装备工艺技术体系 25n
3．1．3 雷达关键工艺 27n
3．2 电子战装备制造工艺 32n
3．2．1 电子战装备及其基本组成 32n
3．2．2 电子战装备工艺技术体系 33n
3．2．3 电子战装备关键工艺 35n
3．3 通信装备制造工艺 43n
3．3．1 通信装备及其基本组成 43n
3．3．2 通信装备工艺技术体系 44n
3．3．3 通信装备关键工艺 44n
3．4 导航装备制造工艺 50n
3．4．1 导航装备及其基本组成 50n
3．4．2 导航装备工艺技术体系 52n
3．4．3 导航装备关键工艺 54n
3．5 数据链装备制造工艺 57n
3．5．1 数据链装备及其基本组成 57n
3．5．2 数据链装备工艺技术体系 58n
3．5．3 数据链装备关键工艺 60n
3．6 综合电子信息系统制造工艺 61n
3．6．1 综合电子信息系统及其基本组成 61n
3．6．2 综合电子信息系统工艺技术体系 62n
3．6．3 综合电子信息系统关键工艺 64n
参考文献 68n
第4章 典型电子元器件制造工艺应用 70n
4．1 微电子器件制造工艺 70n
4．1．1 微电子器件及其特点 70n
4．1．2 微电子器件制造工艺流程 76n
4．1．3 微电子器件制造工艺技术体系 78n
4．1．4 微电子器件制造关键工艺 78n
4．2 光电子器件制造工艺 85n
4．2．1 光电子器件及其特点 85n
4．2．2 光电子器件制造工艺流程 89n
4．2．3 光电子器件制造工艺技术体系 95n
4．2．4 光电子器件制造关键工艺 97n
4．3 真空电子器件制造工艺 100n
4．3．1 真空电子器件及其特点 100n
4．3．2 真空电子器件制造工艺流程 102n
4．3．3 真空电子器件制造工艺技术体系 104n
4．3．4 真空电子器件制造关键工艺 106n
4．4 MEMS器件制造工艺 107n
4．4．1 MEMS器件及其特点 107n
4．4．2 MEMS器件制造工艺流程 110n
4．4．3 MEMS器件制造工艺技术体系 113n
4．4．4 MEMS器件制造关键工艺 114n
4．5 物理电源制造工艺 115n
4．5．1 物理电源及其特点 115n
4．5．2 物理电源制造工艺流程 116n
4．5．3 物理电源制造工艺技术体系 117n
4．5．4 物理电源制造关键工艺 118n
4．6 传感器制造工艺 118n
4．6．1 传感器及其特点 118n
4．6．2 传感器制造工艺流程 121n
4．6．3 传感器制造工艺技术体系 123n
4．6．4 传感器制造关键工艺 123n
4．7 微系统集成制造工艺 124n
4．7．1 微系统集成制造及其特点 124n
4．7．2 微系统集成制造工艺流程 127n
4．7．3 微系统集成制造工艺技术体系 129n
4．7．4 微系统集成制造关键工艺 130n
参考文献 132n
第三篇 信息功能材料制造工艺技术n
第5章 信息功能材料制造工艺技术概述 134n
5．1 信息功能材料的内涵及特点 134n
5．2 信息功能材料制造工艺的地位及作用 134n
5．3 信息功能材料工艺体系框架 135n
第6章 晶体材料生长技术 136n
6．1 概述 136n
6．1．1 晶体材料生长技术体系 136n
6．1．2 晶体材料生长技术的应用现状 137n
6．2 熔体法晶体生长工艺 137n
6．2．1 直拉法晶体生长工艺 137n
6．2．2 区熔法晶体生长工艺 140n
6．2．3 LEC晶体生长工艺 142n
6．2．4 VB/VGF法晶体生长工艺 144n
6．3 气相法晶体生长工艺 146n
6．3．1 PVT法晶体生长工艺 146n
6．3．2 HVPE法晶体生长工艺 148n
6．4 晶体生长设备 149n
6．4．1 直拉单晶生长炉 150n
6．4．2 区熔单晶生长炉 150n
6．4．3 LEC单晶生长炉 150n
6．4．4 VB/VGF单晶生长炉 151n
6．4．5 PVT法单晶生长炉 152n
6．4．6 HVPE法单晶生长炉 153n
6．5 晶体材料生长技术发展趋势 154n
参考文献 154n
第7章 晶体材料加工技术 155n
7．1 概述 155n
7．1．1 晶体材料加工技术体系 155n
7．1．2 晶体材料加工技术的应用现状 156n
7．2 晶体材料加工技术 156n
7．2．1 断棒 156n
7．2．2 单晶棒外圆滚磨和定位面的制作 156n
7．2．3 切片 159n
7．2．4 倒角 160n
7．2．5 倒角后晶圆的厚度分选 160n
7．2．6 晶圆的双面研磨或表面磨削 161n
7．2．7 化学腐蚀 162n
7．2．8 腐蚀后晶圆的厚度分选 163n
7．2．9 抛光 163n
7．2．10 晶圆清洗 165n
7．2．11 晶圆测量与包装 165n
7．3 晶体加工设备 166n
7．3．1 切片机 166n
7．3．2 倒角机 166n
7．3．3 磨抛设备 167n
7．3．4 清洗设备 168n
7．4 晶体材料加工技术发展趋势 168n
参考文献 169n
第8章 粉体材料制备技术 170n
8．1 概述 170n
8．1．1 粉体材料制备技术体系 170n
8．1．2 粉体材料制备技术的应用现状 170n
8．2 固相法粉体制备工艺 170n
8．2．1 配料、混料 171n
8．2．2 预烧 171n
8．2．3 磨料 172n
8．3 液相法粉体制备工艺 172n
8．3．1 溶胶凝胶法 172n
8．3．2 水热合成法 173n
8．3．3 共沉淀法 173n
8．4 粉体制备工艺设备 174n
8．4．1 固相法粉体制备工艺设备 174n
8．4．2 液相法粉体制备工艺设备 176n
8．5 粉体材料制备技术发展趋势 176n
参考文献 176n
第9章 粉体材料成型技术 177n
9．1 概述 177n
9．1．1 粉体材料成型技术体系 177n
9．1．2 粉体材料成型技术的应用现状 177n
9．2 粉体材料成型工艺 177n
9．2．1 成型工艺 177n
9．2．2 烧结工艺 179n
9．2．3 磨加工工艺 180n
9．2．4 清洗检验 181n
9．3 粉体材料加工工艺设备 181n
9．3．1 成型设备 181n
9．3．2 烧结设备 182n
9．3．3 磨加工设备 183n
9．4 粉体材料加工工艺发展趋势 183n
参考文献 184n
第四篇 电子元器件制造工艺技术n
0章 外延工艺 186n
10．1 概述 186n
10．1．1 外延工艺技术体系 186n
10．1．2 外延工艺的应用现状 187n
10．2 气相外延（VPE）工艺 187n
10．2．1 Si气相外延 188n
10．2．2 SiGe气相外延 189n
10．2．3 GaAs气相外延 190n
10．2．4 SiC气相外延 192n
10．3 液相外延（LPE）工艺 192n
10．3．1 GaAs系液相外延 193n
10．3．2 InP系液相外延 194n
10．3．3 HgCdTe系液相外延 194n
10．4 分子束外延（MBE）工艺 195n
10．4．1 固态源分子束外延（SSMBE） 195n
10．4．2 气态源分子束外延（GSMBE） 197n
10．4．3 有机源分子束外延（MOMBE） 197n
10．5 金属有机物化学气相淀积外延（MOCVD）工艺 198n
10．5．1 GaAs/InP系MOCVD 198n
10．5．2 GaN系MOCVD 200n
10．6 外延设备 201n
10．6．1 气相外延（VPE）炉 201n
10．6．2 液相外延炉 201n
10．6．3 分子束外延设备 202n
10．6．4 金属有机物化学气相淀积外延设备 202n
10．7 外延工艺发展趋势 204n
参考文献 204n
1章 掩模制造与光刻工艺 205n
11．1 概述 205n
11．1．1 掩模制造与光刻工艺技术体系 205n
11．1．2 掩模制造与光刻工艺的应用现状 206n
11．2 掩模制造工艺 206n
11．2．1 数据处理 206n
11．2．2 曝光 207n
11．2．3 掩模的基板 207n
11．2．4 掩模制造工艺分类 207n
11．2．5 掩模质量控制 208n
11．3 光刻工艺 209n
11．3．1 预处理 209n
11．3．2 涂胶 210n
11．3．3 曝光 210n
11．3．4 显影 214n
11．3．5 光刻质量控制 215n
11．4 掩模和光刻设备 217n
11．4．1 涂胶显影轨道 217n
11．4．2 光刻机 217n
11．4．3 电子束曝光系统 217n
11．5 掩模制造与光刻工艺发展趋势 218n
参考文献 219n
2章 掺杂工艺 220n
12．1 概述 220n
12．1．1 掺杂工艺技术体系 220n
12．1．2 掺杂工艺的应用现状 220n
12．2 扩散工艺 221n
12．2．1 扩散 221n
12．2．2 常用扩散工艺 223n
12．2．3 扩散层质量的检验 227n
12．3 离子注入工艺 229n
12．3．1 离子注入 229n
12．3．2 离子注入系统 231n
12．3．3 离子注入参数 233n
12．3．4 离子注入工艺与应用 233n
12．4 掺杂设备 235n
12．4．1 扩散氧化炉 235n
12．4．2 离子注入机 236n
12．4．3 退火炉 236n
12．5 掺杂工艺发展趋势 236n
参考文献 237n
3章 刻蚀工艺 238n
13．1 概述 238n
13．1．1 刻蚀工艺技术体系 238n
13．1．2 刻蚀工艺的应用现状 239n
13．2 湿法刻蚀工艺 239n
13．2．1 硅的刻蚀 239n
13．2．2 GaAs和InP的各向异性刻蚀 242n
13．2．3 非半导体薄膜材料的刻蚀 244n
13．3 干法刻蚀工艺 246n
13．3．1 干法刻蚀 246n
13．3．2 等离子刻蚀的工艺参数 247n
13．3．3 等离子体刻蚀方法 249n
13．4 刻蚀设备 252n
13．4．1 等离子刻蚀设备 253n
13．4．2 离子束刻蚀设备 253n
13．4．3 反应离子刻蚀机 253n
13．5 刻蚀工艺发展趋势 254n
参考文献 254n
4章 薄膜生长工艺 255n
14．1 概述 255n
14．1．1 薄膜生长工艺技术体系 255n
14．1．2 薄膜淀积工艺应用现状 256n
14．2 金属薄膜生长工艺 256n
14．2．1 真空镀膜 256n
14．2．2 电镀法 261n
14．2．3 CVD法 262n
14．3 介质薄膜生长工艺 262n
14．3．1 化学气相淀积 262n
14．3．2 射频溅射 270n
14．3．3 热氧化生长介质膜 270n
14．4 薄膜生长设备 270n
14．4．1 等离子体增强化学气相淀积设备（PECVD） 270n
14．4．2 低压化学气相淀积设备（LPCVD） 271n
14．4．3 氧化炉 272n
14．5 薄膜生长工艺发展趋势 272n
参考文献 272n
5章 清洗工艺 273n
15．1 概述 273n
15．1．1 半导体清洗工艺技术体系 273n
15．1．2 半导体清洗工艺的应用现状 273n
15．2 微粒清洗工艺 274n
15．2．1 清洗的一般流程 274n
15．2．2 各类杂质的清洗方法 274n
15．2．3 清洗后的处理 278n
15．2．4 其他清洗方式 279n
15．3 膜层清洗工艺 280n
15．4 清洗设备 282n
15．4．1 槽式清洗设备 282n
15．4．2 旋转冲洗甩干设备 283n
15．4．3 单片腐蚀清洗设备 283n
15．5 清洗工艺发展趋势 283n
参考文献 284n
6章 电子元器件封装工艺 285n
16．1 概述 285n
16．1．1 电子元器件封装工艺技术体系 285n
16．1．2 电子元器件封装工艺的应用现状 286n
16．2 电子元器件封装陶瓷外壳 286n
16．3 IC封装工艺 299n
16．3．1 工艺流程 299n
16．3．2 封装工艺可靠性控制 310n
16．4 红外探测器封装工艺 311n
16．4．1 红外探测器封装 311n
16．4．2 红外焦平面探测器封装结构 311n
16．4．3 红外焦平面探测器封装工艺 312n
16．5 MEMS封装工艺 317n
16．5．1 MEMS 封装 317n
16．5．2 MEMS常规封装形式 317n
16．5．3 MEMS封装密封要求 318n
16．5．4 晶圆级封装和芯片级MEMS封装 319n
16．5．5 MEMS与系统集成 320n
16．6 封装工艺发展趋势 320n
参考文献 322n
7章 微波真空电子器件制造工艺 323n
17．1 概述 323n
17．1．1 微波真空电子器件制造工艺技术体系 323n
17．1．2 微波真空电子器件制造工艺的应用现状 324n
17．2 微波真空电子器件制造工艺 324n
17．2．1 阴极制造工艺 324n
17．2．2 陶瓷金属化与封接工艺 328n
17．2．3 先进连接工艺 328n
17．2．4 排气工艺 331n
17．2．5 在线检漏工艺 332n
17．2．6 老炼工艺 332n
17．3 微波真空电子器件制造工艺发展趋势 333n
17．3．1 毫米波亚毫米波微细加工工艺 333n
17．3．2 未来功能陶瓷 333n
17．3．3 新型微波吸收、衰减陶瓷 333n
参考文献 334n
8章 物理与化学电源制造工艺 335n
18．1 概述 335n
18．1．1 物理与化学电源制造工艺技术体系 335n
18．1．2 物理与化学电源制造工艺技术应用现状 336n
18．2 电极制备工艺 336n
18．2．1 涂布工艺 337n
18．2．2 极板压制工艺 338n
18．2．3 烧结与浸渍工艺 338n
18．3 隔膜制备与处理工艺 339n
18．4 单体电池极组装配工艺 340n
18．4．1 卷绕工艺 340n
18．4．2 叠片工艺 341n
18．5 电池装配工艺 342n
18．5．1 焊接工艺 342n
18．5．2 铆接工艺 342n
18．5．3 注液工艺 342n
18．6 化成工艺 343n
18．6．1 极板化成工艺 343n
18．6．2 单体电池化成工艺 343n
18．7 电池组合装配工艺 344n
18．7．1 储液器装配工艺 344n
18．7．2 化学加热器装配工艺 345n
18．8 电池封装工艺 345n
18．8．1 陶瓷金属密封极柱制造工艺 345n
18．8．2 焊接封装工艺 346n
18．9 物理与化学电源工艺发展趋势 346n
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