基本信息
书名:光电集成电路设计与器件建模(英文版)
定价:59.00元
作者:高建军
出版社:高等教育出版社
出版日期:2011-01-01
ISBN:9787040313260
字数:
页码:262
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.740kg
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内容提要
《光电集成电路设计与器件建模(英文版)》主要介绍微波技术在光电子集成电路设计领域的应用,内容涵盖先进的半导体光电子器件建模技术、高速光发射和接收电路设计技术,器件涉及半导体激光器、半导体探测器以及多种高速半导体器件,特别是对于双极晶体管和场效应晶体管在超高速光电子集成电路中的应用进行了详细的讨论。
n 《光电集成电路设计与器件建模(英文版)》在微波器件建模技术和光电子集成电路设计之间架起了一座学科贯通的桥梁,非常适合微波射频领域和光电子领域的高年级本科生、研究生和科研工作人员入门学习。
目录
Preface
nAbout the Author
n1 Nomenclature
nIntroduction
n1.1 Optical CommunicatioSystem
n1.2 Optoelectronic Integrated Circuit Computer-Aided Design
n1.3 Organizatioof This Book
nReferences
n2 Basic Concept of Semiconductor Laser Diodes
n2.1 Introduction
n2.2 Basic Concept
n2.2.1 Atom Energy
n2.2.2 Emissioand Absorption
n2.2.3 PopulatioInversion
n2.3 Structures and Types
n2.3.1 Homojunctioand Heterojunction
n2.3.2 Index Guiding and GaiGuiding
n2.3.3 Fabry-Perot Cavity Lasers
n2.3.4 Quantum-Well Lasers
n2.3.5 Distributed Feedback Lasers
n2.3.6 Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
n2.4 Laser Characteristics
n2.4.1 Single-Mode Rate Equations
n2.4.2 Multimode Rate Equations
n2.4.3 Small-Signal Intensity Modulation
n2.4.4 Small-Signal Frequency Modulation
n2.4.5 Large-Signal Transit Response
n2.4.6 Second Harmonic Distortion
n2.4.7 Relative Intensity Noise
n2.4.8 Measurement Technique
n2.5 Summary
nReferences
n3 Modeling and Parameter ExtractioTechniques of Lasers
n3.1 Introduction
n3.2 Standard Double HeterojunctioSemiconductor Lasers
n3.2.1 Large-Signal Model
n3.2.2 Small-Signal Model
n3.2.3 Noise Model
n3.3 Quantum-Well Lasers
n3.3.1 One-Level Equivalent Circuit Model
n3.3.2 Two-Level Equivalent Circuit Model
n3.3.3 Three-Level Equivalent Circuit Model
n3.4 Parameter ExtractioMethods
n3.4.1 Direct-ExtractioMethod
n3.4.2 Semi-Analytical Method
n3.5 Summary
nReferences
n4 Microwave Modeling Techniques of Photodiodes
n4.1 Introduction
n4.2 Physical Principles
n4.3 Figures of Merit
n4.3.1 Responsivity
n4.3.2 Quantum Efficiency
n4.3.3 AbsorptioCoefficient
n4.3.4 Dark Current
n4.3.5 Rise Time and Bandwidth
n4.3.6 Noise Currents
n4.4 Microwave Modeling Techniques
n4.4.1 PIN PD
n4.4.2 APD
n4.5 Summary
nReferences
n5 High-Speed Electronic Semiconductor Devices
n5.1 Overview of Microwave Transistors
n5.2 FET Modeling Technique
n5.2.1 FET Small-Signal Modeling
n5.2.2 FET Large-Signal Modeling
n5.2.3 FET Noise Modeling
n5.3 GaAs/InP HBT Modeling Technique
n5.3.1 GaAs/InP HBT Nonlinear Model
n5.3.2 GaAs/InP HBT Linear Model
n5.3.3 GaAs/InP HBT Noise Model
n5.3.4 Parameter ExtractioMethods
n5.4 SiGe HBT Modeling Technique
n5.5 MOSFET Modeling Technique
n5.5.1 MOSFET Small-Signal Model
n5.5.2 MOSFET Noise Model
n5.5.3 Parameter ExtractioMethods
n5.6 Summary
nReferences
n6 Semiconductor Laser and Modulator Driver Circuit Design
n6.1 Basic Concepts
n6.1.1 NRZ and RZ Data
n6.1.2 Optical Modulation
n6.1.3 Optical External Modulator
n6.2 Optoelectronic IntegratioTechnology
n6.2.1 Monofithic Optoelectronic Integrated Circuits
n6.2.2 Hybrid Optoelectronic Integrated Circuits
n6.3 Laser Driver Circuit Design
n6.4 Modulator Driver Circuit Design
n6.4.1 FET-Based Driver Circuit
n6.4.2 Bipolar Transistor-Based Driver Integrated Circuit
n6.4.3 MOSFET-Based Driver Integrated Circuit
n6.5 Distributed Driver Circuit Design
n6.6 Passive Peaking Techniques
n6.6.1 Capacitive Peaking Techniques
n6.6.2 Inductive Peaking Techniques
n6.7 Summary
nReferences
n7 Optical Receiver Front-End, Integrated Circuit Design
n7.1 Basic Concepts of the Optical Receiver
n7.1.1 Signal-to-Noise Ratio
n7.1.2 Bit Error Ratio
n7.1.3 Sensitivity
n7.1.4 Eye Diagram
n7.1.5 Signal Bandwidth
n7.1.6 Dynamic Range
n7.2 Front-End Circuit Design
n7.2.1 Hybrid and Monolithic OEIC
n7.2.2 High-Impedance Front-End
n7.2.3 Transimpedance Front-End
n7.3 Transi-mpedance Gaiand Equivalent Input Noise Current
n7.3.1 S Parameters of a Two-Port Network
n7.3.2 Noise Figure of a Two-Port Network
n7.3.3 Transimpedance Gain
n7.3.4 Equivalent Input Noise Current
n7.3.5 Simulatioand Measurement of Transimpedance Gaiand Equivalent Input Noise Current
n7.4 Transimpedance Amplifier Circuit Design
n7.4.1 BJT-Based Circuit Design
n7.4.2 HBT-Based Circuit Design
n7.4.3 FET-Based Circuit Design
n7.4.4 MOSFET-Based Circuit Design
n7.4.5 Distributed Circuit Design
n7.5 Passive Peaking Techniques
n7.5.1 Inductive Peaking Techniques
n7.5.2 Capacitive Peaking Techniques
n7.6 Matching Techniques
n7.7 Summary
nReferences
nIndex
作者介绍
文摘
序言
拿到这本《光电集成电路设计与器件建模》后,我最直观的感受是它的内容非常“硬核”。从目录来看,它并没有回避那些核心的物理学和电子学原理,而是直接切入了光电集成电路的核心问题。我已经迫不及待地翻阅了其中关于半导体物理和器件特性的章节,发现作者在解释这些概念时,既有严谨的数学推导,又不乏形象的比喻,使得原本枯燥的理论变得生动起来。我尤其看重的是“器件建模”部分,我一直认为,理解器件的“内心世界”,才能更好地驾驭它们进行电路设计。我期待书中能提供一些经典的器件模型,以及在不同应用场景下的建模思路和方法。这本书的版式设计也相当考究,字迹清晰,图表精美,没有多余的装饰,一切都以服务内容为核心,这让我觉得非常专业。我相信,通过学习这本书,我能够更深刻地理解光电器件的工作机制,并将其巧妙地运用到实际的集成电路设计中。
评分作为一名对光电集成电路领域充满好奇的学习者,我一直希望能找到一本能够系统性介绍这一学科的著作。这本书的出现,可以说是恰逢其时。从初步的翻阅来看,它不仅仅停留在理论的层面,而是将理论与实践紧密结合。书中关于光电探测器、发光器件、以及调制器等关键器件的设计原理和建模方法,都有详尽的介绍。我尤其关注了其在实际电路设计中的应用,例如如何将这些器件集成到复杂的系统中,以及如何优化电路性能。书中的案例分析让我对理论知识有了更直观的认识,也为我今后的实际操作提供了宝贵的参考。纸张的触感和油墨的质感都给人一种厚重感,阅读起来非常舒适。我期待这本书能够帮助我建立起对光电集成电路的全面认知,并为我未来的学习和工作打下坚实的基础,我相信这将是一段充满启发性的阅读旅程。
评分我购买这本书的初衷,是因为最近在工作中遇到了一个关于光电耦合器的设计问题,希望能找到一些深入的理论指导和实际的设计方法。翻阅此书,我被其严谨的学术风格和详实的论述所吸引。书中关于各种光电器件的物理机制和工作原理的讲解,深入浅出,条理清晰,即便是一些比较晦涩的概念,通过作者的阐释也变得易于理解。尤其让我惊喜的是,书中还涉及到了许多前沿的光电器件,如量子点、微纳光子器件等,这些都是我一直以来非常感兴趣但缺乏系统学习的领域。书中的图表非常丰富,而且标注清晰,有效地辅助了文字的理解,让我能直观地感受到光电信号的转换过程和器件的工作状态。虽然我还未深入到每一个章节,但从整体的篇章结构和内容深度来看,这本书无疑是一本非常有价值的参考书,能够为我的科研和工程实践提供强大的理论支持和技术指导。
评分这本书的封面设计给我留下了深刻的印象,简洁而专业,配色沉稳,符合一本技术类书籍的气质。拿到书的那一刻,纸张的质感也相当不错,翻阅时没有廉价感。虽然我还没有深入阅读,但从目录结构来看,它涵盖了光电集成电路设计的方方面面,从理论基础到具体的器件建模,逻辑清晰,层次分明。书中的插图和图表也预示着将会有大量的技术细节和可视化解释,这对于理解复杂的光电原理至关重要。我尤其期待书中关于新型光电器件的部分,因为当前光电技术正处于飞速发展的阶段,了解最新的技术动态和设计思路对于我从事相关研究非常有帮助。此外,书的装帧也体现了出版方的严谨态度,书页粘贴牢固,排版整齐,整体给人一种高质量的学术专著的感觉,让我对即将展开的阅读之旅充满了期待,相信这本书能成为我在光电领域学习道路上的有力助手。
评分这次购买的这本书,虽然封面看起来略显朴实,但打开扉页,一股浓厚的学术气息扑面而来。作者的名字,高建军,虽然对我来说是新名字,但从书的出版机构和书号来看,这是一本经过严格审校的专业书籍。我初步浏览了一下章节标题,内容覆盖面非常广,从基础的光学原理和电子学理论,到具体的半导体器件物理,再到复杂的集成电路设计流程,逻辑线索非常清晰。我特别关注了其中关于“器件建模”的部分,因为在实际的仿真和设计过程中,准确的器件模型是至关重要的。我期待书中能有详细的数学模型推导和实际的建模案例,能够帮助我理解不同光电器件的特性及其在电路中的行为。这本书的厚度也适中,既不会过于浅显,也不会过于冗长,给人一种循序渐进的学习体验。我相信,这本书将会为我提供一个坚实的光电集成电路设计基础,帮助我解决在实际工作中遇到的技术难题。
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