基本信息
書名:矽通孔3D集成技術
定價:150.00元
作者:(美)JOHN H.Lau
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2014-01-01
ISBN:9787030393302
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:32開
商品重量:0.4kg
編輯推薦
《矽通孔3D集成技術=Through Silicon Vias for 3D Integration:導讀版:英文》適閤從事電子、光電子、MEMS等器件三維集成研究工作的工程師、技術研發人員、技術管理人員和科研人員閱讀,也可以作為相關專業大學高年級本科生和研究生的教材。
內容提要
《信息科學技術學術著作叢書:矽通孔3D集成技術》係統討論用於電子、光電子和MEMS器件的三維集成矽通孔(TSV)技術的*進展和未來可能的演變趨勢,同時詳盡討論三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導體工業中的納米技術和三維集成技術的起源和演變曆史,結閤當前三維集成關鍵技術的發展重點討論TSV製程技術、晶圓減薄與薄晶圓在封裝組裝過程中的拿持技術、三維堆疊的微凸點製作與組裝技術、芯片/芯片鍵閤技術、芯片/晶圓鍵閤技術、晶圓/晶圓鍵閤技術、三維器件集成的熱管理技術以及三維集成中的可靠性等關鍵技術問題,後討論可實現産業化規模量産的三維封裝技術以及TSV技術的未來發展趨勢。
《信息科學技術學術著作叢書:矽通孔3D集成技術》適閤從事電子、光電子、MEMS等器件三維集成研究工作的工程師、技術研發人員、技術管理人員和科研人員閱讀,也可以作為相關專業大學高年級本科生和研究生的教材。
目錄
序
前言
緻謝
導讀
章半導體工業的納米技術和三維(3D)集成技術
1.1引言
1.2納米技術
1.2.1納米技術起源
1.2.2納米技術重要的裏程碑
1.2.3石墨烯與電子工業
1.2.4納米技術的展望
1.2.5摩爾定律:電子工業的納米技術
1.3三維集成技術
1.3.1矽通孔(TSV)技術
1.3.2三維集成技術的起源
1.4三維矽集成技術的挑戰和展望
1.4.1三維矽集成技術
1.4.2三維矽集成鍵閤組裝技術
1.4.3三維矽集成技術麵臨的挑戰
1.4.4三維矽集成技術的展望
1.5三維集成電路(3DIC)集成技術的潛在應用和挑戰
1.5.13DIC集成技術的定義
1.5.2移動電子産品的未來需求
1.5.3帶寬和wideI/O的定義
1.5.4儲存器的帶寬
1.5.5存儲器芯片堆疊
1.5.6wideI/O存儲器
1.5.7wideI/O動態存儲器(DRAM)
1.5.8wideI/O接口
1.5.92.5D和3DIC集成(有源和無源轉接闆)技術
1.62.5DIC新進展(轉接闆)技術的新進展
1.6.1用作中間基闆的轉接闆
1.6.2用作應力釋放(可靠性)緩衝層的轉接闆
1.6.3用作載闆的轉接闆
1.6.4用作熱管理的轉接闆
1.7三維集成TSV無源轉接闆技術發展的新趨勢
1.7.1雙麵貼裝空腔式轉接闆技術
1.7.2有機基闆開孔式轉接闆技術
1.7.3設計案例
1.7.4帶有熱塞或散熱器的有機基闆開孔式轉接闆技術
1.7.5超低成本轉接闆技術
1.7.6用於熱管理的轉接闆技術
1.7.7對於三維光發射二極管(LED)和SiP有埋入式微流道的轉接闆
1.8埋人式3DIC集成
1.8.1帶應力釋放間隙的半埋入式轉接闆
1.8.2用於光電互連的埋入式三維混閤IC集成技術
1.9總結與建議
1.10TSV
1.11參考文獻
1.12其他閱讀材料
1.12.1TSV、3D集成和可靠性
1.12.23DMEMS和IC集成
1.12.3半導體IC封裝
第2章矽通紮(TSV)技術
2.1引言
2.2TSV的發明
2.3可采用TSV技術的量産産品
2.4TSV孔的製作
2.4.1DRIE與激光鑽孔
2.4.2製作椎形孔的DRIE工藝
……
第3章矽通孔(BV):機械、熱和電學行為
第4章薄晶圓強度測量
第5章薄晶圓拿持技術
第6章微凸點製作、組裝和可靠性
第7章微凸點的電遷移
第8章瞬態液相鍵閤:芯片到芯片(C2C),芯片到晶圓(C2W),晶圓到晶圓(W2W)
第9章三維集成電路集成的熱管理
0章三維集成電路封裝
1章三維集成的發展趨勢
索引
作者介紹
曹立強,1974年9月齣生。工學博士,現為中國科學院微電子研究所研究員,博士生導師,中國科學院“百人計劃”學者。1997年畢業於中國科學技術大學,2003年在瑞典Chalmers大學微電子及納米技術研究中心獲得博士學位。曾在瑞典國傢工業産品研究所、北歐微係統集成技術中心、美國Intel技術開發有限公司從事係統級封裝技術的研發和管理工作。主要從事先進封裝的研究工作,承擔瞭國傢科技重大專項、國傢自然科學基金重點項目、國傢創新團隊國際閤作計劃等項目,在電子封裝材料、品圓級係統封裝、三維矽通孔互連技術等方麵取得多項成果,授權發明10餘項,SCI/EI收錄論文50餘篇。
文摘
序言
這本《矽通孔3D集成技術》的作者,約翰·勞(JOHN H.LAU),真是個行傢。光看書名,我就知道這絕對不是一本泛泛而談的入門讀物。我首先被它在微電子封裝領域的深度和廣度所吸引。在我看來,要真正理解矽通孔(TSV)技術,必須對整個半導體製造流程有清晰的認知,而這本書恰恰在這方麵做得非常紮實。它沒有滿足於僅僅介紹TSV是什麼,而是深入探討瞭從晶圓的背麵處理(Back-End-of-Line)到最終封裝的每一個關鍵環節。特彆是對於如何解決TSV在深寬比、均勻性以及對晶圓機械強度影響這些行業痛點,書中提供瞭非常具體的工程案例和解決方案的思路。閱讀過程中,我深刻體會到作者不僅僅是理論的闡述者,更是一位經驗豐富的實踐者,他清晰地勾勒齣瞭3D集成技術從概念走嚮大規模商業化所必須跨越的技術壁壘。對於我們這些在芯片設計或製造一綫摸爬滾打的人來說,這種既有理論深度又有實戰指導的材料,簡直是如虎添翼。書中對材料科學在TSV中的作用的論述也極具啓發性,比如不同介質材料的選擇如何影響最終的電學性能和熱管理,這直接關係到係統級的可靠性。
評分當我翻開這本書時,最讓我感到驚喜的是它對“係統級封裝”(System-in-Package, SiP)哲學觀的闡述。這本書明顯超越瞭單純的“技術手冊”範疇,它將TSV置於整個電子係統性能提升的大背景下進行審視。作者非常強調,3D集成不是孤立的技術突破,而是實現更高密度、更低功耗、更快互連速率的必由之路。書中對異構集成(Heterogeneous Integration)的討論尤其精彩,它展示瞭如何將不同功能模塊——比如邏輯芯片、存儲芯片、甚至MEMS傳感器——通過TSV緊密地堆疊和連接起來,從而創造齣性能遠超傳統平麵架構的“超級芯片”。這種宏觀的視角讓我這個硬件工程師受益匪淺,它迫使我重新思考設計流程,不再局限於單一芯片的設計,而是要站在整個模組甚至係統的角度去優化TSV的布局和繞綫。對熱管理和良率控製的章節,作者處理得極為謹慎和細緻,充分反映瞭將這些復雜組件集成在一起時所麵臨的巨大挑戰,以及相應的先進工藝控製策略。
評分這本書給我留下的最深刻印象,是它對未來技術趨勢的敏銳洞察力。作者在討論完現有的TSV技術後,並沒有止步不前,而是展望瞭下一代互連技術,比如混閤鍵閤(Hybrid Bonding)的潛力,以及對未來Chiplet(小芯片)架構的支撐作用。他清晰地指齣,TSV技術是實現“摩爾定律”在三維空間延續的關鍵驅動力。這種前瞻性使這本書不僅對當前項目具有指導意義,更能幫助我們規劃未來三到五年的技術路綫圖。它促使我思考,我們現在所做的TSV設計,是否已經為下一代內存-邏輯堆疊做好瞭準備。書中對於不同TSV技術路徑(如單通道、多通道、單次鍵閤、多次鍵閤)的優劣勢對比分析得非常中立和深入,幫助讀者在眾多技術選項中找到最適閤自己産品需求的平衡點。總而言之,這是一本麵嚮行業資深人士、內容厚重、結構嚴謹且富有前瞻性的專業著作。
評分從語言風格上來說,這本書帶有濃厚的美國工程學著作的嚴謹和務實色彩。作者的敘述直接、清晰,極少使用晦澀的修辭,所有的論述都建立在紮實的物理模型和實驗數據之上。這一點對於追求效率和精確度的技術人員來說,是極大的福音。你不會在書中浪費時間去解讀模棱兩可的描述,每一句話似乎都精確地指嚮一個技術要點或一個工程限製。例如,在討論深亞微米級彆的TSV互連延遲時,作者直接引用瞭電磁場理論和傳輸綫模型來量化損耗,這使得我們能夠基於這些模型去預測和優化我們自己的設計。這種毫不拖泥帶水的敘事方式,極大地提高瞭閱讀效率。在我看來,這本書更像是一份經過時間檢驗的“工程寶典”,它記錄瞭行業內幾代工程師在攻剋TSV難題時積纍的“非賣品”經驗,而不是一篇篇最新的學術論文的簡單匯編。
評分這本書的結構安排邏輯性極強,仿佛一位經驗豐富的導師在引導學生逐步攀登技術高峰。從基礎的TSV結構定義、側壁隔離技術,到核心的對準與鍵閤(Alignment and Bonding),每一步都銜接得天衣無縫。尤其值得稱贊的是,作者對於“超薄晶圓處理”這一高難度工序的講解,簡直是教科書級彆的。他沒有迴避這個過程中極易發生的翹麯(Warping)和破裂(Cracking)問題,反而詳細分析瞭應對這些問題的關鍵工藝窗口和參數控製。對於我們這些需要與代工廠密切閤作的研發人員而言,這種對工藝細節的把控能力至關重要。此外,書中對測試和診斷環節的關注也體現瞭作者的全麵性。畢竟,製造齣精密的TSV結構隻是第一步,如何高效、準確地驗證堆疊結構的電學完整性,是決定最終産品能否成功上市的關鍵。閱讀後,我感覺自己對TSV的整個生命周期都有瞭更清晰的認識,不再是零散的技術點的拼湊。
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