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內容簡介

《電子信息與電氣學科規劃教材（電子科學與技術專業）：集成電路製程設計與工藝仿真》介紹當代集成電路設計的係統級前端、布局布綫後端及工藝實現三大環節所構成的整體技術的發展，重點著眼於集成電路工藝過程的計算機仿真和計算機輔助設計，以及具體的工具軟件和係統的使用。《電子信息與電氣學科規劃教材（電子科學與技術專業）：集成電路製程設計與工藝仿真》共12章，主要內容包括常規集成平麵工藝、集成工藝原理概要、超大規模集成工藝、一維工藝仿真綜述、工藝仿真交互設置、工藝仿真模型設置、工藝仿真模擬精度、一維工藝仿真實例、集成工藝二維仿真、二維工藝仿真實現、現代可製造性設計、可製造性設計理念，並提供電子課件和習題解答。
《電子信息與電氣學科規劃教材（電子科學與技術專業）：集成電路製程設計與工藝仿真》可作為高等學校電子科學與技術、微電子、集成電路設計等專業的教材，也可供集成電路芯片製造領域的工程技術人員學習參考。

目錄

緒論
0-1 半導體及半導體工業的起源
0-2 半導體工業的發展規律
0-3 半導體技術嚮微電子技術的發展
0-4 當代微電子技術的發展特徵
本章小結
習題
第1章 半導體材料及製備
1.1 半導體材料及半導體材料的特性
1.1.1 半導體材料的特徵與屬性
1.1.2 半導體材料矽的結構特徵
1.2 半導體材料的冶煉及單晶製備
1.3 半導體矽材料的提純技術
1.3.1 精餾提純SiCl4技術及其提純裝置
1.3.2 精餾提純SiCl4的基本原理
1.4 半導體單晶材料的製備
1.5 半導體單晶製備過程中的晶體缺陷
本章小結
習題

第2章 集成工藝及原理
2.1 常規集成電路製造技術基礎
2.1.1 常規雙極性晶體管的工藝結構
2.1.2 常規雙極性晶體管平麵工藝流程
2.1.3 常規PN結隔離集成電路平麵工藝流程
2.2 外延生長技術
2.3 常規矽氣相外延生長過程的動力學原理
2.4 氧化介質製備技術
2.5 半導體高溫摻雜技術
2.6 常規高溫熱擴散的數學描述
2.6.1 恒定錶麵源擴散問題的數學分析
2.6.2 有限錶麵源擴散問題的數學分析
2.7 雜質熱擴散及熱遷移工藝模型
2.8 離子注入低溫摻雜技術
本章小結
習題

第3章 超大規模集成工藝
3.1 當代微電子技術的技術進步
3.2 當代超深亞微米級層次的技術特徵
3.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應
3.4 典型超深亞微米CMOS製造工藝
3.5 超深亞微米CMOS工藝技術模塊簡介
本章小結
習題

第4章 一維工藝仿真綜述
4.1 集成電路工藝仿真技術
4.2 一維工藝仿真係統
SUPREM-2
4.3 SUPREM-2的建模
本章小結
習題

第5章 工藝仿真交互設置
5.1 SUPREM-2工藝仿真輸入卡的設置規範
5.2 SUPREM-2工藝模擬卡的卡序設置
5.3 SUPREM-2仿真係統的卡語句設置
5.4 輸齣/輸入類卡語句的設置
5.5 工藝步驟類卡語句的設置
5.6 工藝模型類卡語句的設置
本章小結
習題

第6章 工藝模擬係統模型設置
6.1 係統模型的類型及參數分類
6.1.1 元素模型
6.1.2 氧化模型
6.1.3 外延模型
6.1.4 特殊用途模型
6.2 SUPREM-2工藝模擬係統所設置的默認參數值
本章小結
習題

第7章 工藝模擬精度的調試
7.1 工藝模擬輸入卡模型修改語句
7.2 工藝模擬精度的調試實驗
7.2.1 工藝模擬精度調試實驗的設置
7.2.2 工藝模擬精度調試實驗舉例
本章小結
習題

第8章 一維工藝仿真實例
8.1 縱嚮NPN管芯工序全工藝模擬
8.1.1 工藝製程與模擬卡段的對應描述
8.1.2 縱嚮NPN工藝製程的標準模擬卡文件
8.1.3 縱嚮NPN工藝製程模擬的標準輸齣
8.2 PMOS結構柵氧工藝模擬實例
8.3 典型的NPN分立三極管工藝模擬
8.4 PMOS場效應器件源漏擴散模擬
8.5 可製造性設計實例一
8.6 可製造性設計實例二
8.7 可製造性設計實例三
8.8 可製造性設計實例四
本章小結
習題

第9章 集成電路工藝二維仿真
9.1 集成電路工藝二維仿真係統
9.1.1 TSUPREM-4係統概述
9.1.2 TSUPREM-4仿真係統剖析
9.1.3 TSUPREM-4采用的數值算法
9.2 TSUPREM-4仿真係統的運行
9.3 TSUPREM-4仿真係統的
人機交互語言
本章小結
習題

第10章 二維工藝仿真實例
10.1 二維選擇性定域刻蝕的實現
本章小結
習題

第11章 可製造性設計工具
11.1 新一代集成工藝仿真
係統Sentaurus Process
11.1.1 Sentaurus Process簡介
11.1.2 Sentaurus Process的安裝及啓動
11.1.3 創建Sentaurus Process批處理卡命令文件
11.1.4 Sentaurus Process批處理文件執行的主要命令語句
11.1.5 Sentaurus Process所設置的文件類型
11.2 Sentaurus Process的仿真功能及交互工具
11.2.1 Sentaurus Process的仿真領域
11.2.2 Sentaurus Process提供的數據庫瀏覽器
11.2.3 Sentaurus Process圖形輸齣結果調閱工具
11.3 Sentaurus Process所收入的近代模型
11.3.1 Sentaurus Process中的離子注入模型
11.3.2 Sentaurus Process中的小尺寸擴散模型
11.3.3 Sentaurus Process對局部微機械應力變化描述的建模
11.3.4 Sentaurus Process中基於原子動力學的濛特卡羅擴散模型
11.3.5 Sentaurus Process中的氧化模型
11.4 Sentaurus Process工藝仿真實例
11.4.1 工藝製程設計方案
11.4.2 工藝仿真卡命令文件的編寫
11.4.3 仿真實例卡命令文件範本
11.4.4 工藝製程仿真結果
11.4.5 工藝仿真結果的分析
11.5 關於Sentaurus StructureEditor器件結構生成器
11.5.1 Sentaurus Structure Editor概述
11.5.2 使用SDE完成由Process到Device的接口過渡
11.5.3 使用Sentaurus StructureEditor創建新的器件結構
本章小結
習題

第12章 可製造性設計理念
12.1 納米級IC可製造性設計理念
12.1.1 DFM 技術的實現流程
12.1.2 DFM與工藝可變性、光刻之間的關係
12.1.3 DFM工具的發展
12.2 提高可製造性良品率的OPC技術
12.2.1 光刻技術的現狀與發展概況
12.2.2 關於光學鄰近效應
12.2.3 光學鄰近效應校正技術
12.2.4 用於實現光刻校正的工具軟件
12.3 Synopsys可製造性設計解決方案
12.3.1 良品率設計分析工具套裝
12.3.2 掩膜綜閤工具
12.3.3 掩膜數據準備工具CATSTM
12.3.4 光刻驗證及光刻規則檢查係統
12.3.5 虛擬光掩膜步進曝光模擬係統
12.3.6 TCAD可製造性設計工具
12.3.7 製造良品率的管理工具
本章小結
習題
參考文獻
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