半導體鍺材料與器件 [Germanium-based Technologies From Materials to Devices] pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[比] 剋萊，[比] 西濛 著，屠海令 等 譯

圖書標籤:

• 半導體
• 鍺材料
• 鍺器件
• 材料科學
• 電子工程
• 半導體物理
• 器件物理
• 集成電路
• 薄膜技術
• 納米技術

齣版社： 冶金工業齣版社

ISBN：9787502451752

版次：1

商品編碼：10623213

包裝：平裝

外文名稱：Germanium-based Technologies From Materials to Devices

開本：16開

齣版時間：2010-04-01

用紙：膠版紙

頁數：392

字數：467000

正文語

編輯推薦

《半導體鍺材料與器件》作者Cor Claeys博士和Eddy Simoen博士是世界知名的半導體材料和器件專傢，均任職於國際著名的微電子研究機構IMEC，他們在書中係統總結瞭鍺材料與工藝技術的最新進展和鍺器件及其在光電子學、探測器與太陽能電池等領域的研究成果。
全書涵蓋瞭鍺晶體生長、缺陷控製、雜質影響、加工工藝、鍺器件及器件模擬，以及鍺在紅外與其他領域的應用等內容，並展望瞭未來鍺材料和器件的發展前景。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位中從事半導體器件與材料物理學習和研究人員的參考用書。

內容簡介

《半導體鍺材料與器件》是全麵深入探討這一技術領域的首部著作，其內容涵蓋瞭半導體鍺技術研究的最新進展，闡述瞭鍺材料科學、器件物理和加工工藝的基本原理。作者係來自科學界及工業界從事該領域前沿研究的國際知名專傢。
《半導體鍺材料與器件》還介紹瞭鍺在光電子學、探測器以及太陽能電池領域的工業應用。它對從事半導體器件與材料物理研究的科技人員、高等院校材料專業的師生以及工業和研究領域的工程師們而言，是一部必不可少的參考書，無論是專傢還是初學者都將從《半導體鍺材料與器件》中受益。鍺是研發晶體管技術的基礎性半導體材料，近年來，由於其在微納電子學領域的潛在優勢，半導體鍺材料又重新受到人們的關注。

內頁插圖

目錄

0 導論
0.1 引言
0.2 曆史沿革和重大事件
0.3 鍺用作新型超大規模集成電路（ULSI）襯底：機遇與挑戰
0.4 本書梗概
參考文獻

1 鍺材料
1.1 引言
1.2 體鍺片的製備
1.2.1 鍺原材料：供應及生産流程
1.2.2 鍺晶體生長
1.2.3 鍺片製造
1.3 GOI襯底
1.3.1 背麵研磨SOI
1.3.2 以薄層轉移技術製備GOI襯底
1.4 結論
參考文獻

2 鍺中長入缺陷
2.1 引言
2.2 鍺中本徵點缺陷
2.2.1 本徵點缺陷特性的模擬
2.2.2 有關空位特性的實驗數據
2.2.3 Voronkov模型對鍺的應用
2.3 非本徵點缺陷
2.3.1 摻雜劑
2.3.2 中性點缺陷
2.3.3 碳
2.3.4 氫
2.3.5 氧
2.3.6 氮
2.3.7 矽
2.4 直拉生長過程中位錯的形成
2.4.1 熱模擬
2.4.2 機械應力的發生
2.4.3 鍺的力學性質
2.4.4 拉晶過程中的位錯成核和增殖
2.4.5 鍺中位錯的電學影響
2.5 點缺陷團
2.5.1 空位團的實驗觀察
2.5.2 空位團形成的模型和模擬
2.6 結論
參考文獻

3 鍺中摻雜劑的擴散和溶解度
3.1 引言
3.2 半導體中的擴散
3.2.1 擴散機製
3.2.2 自擴散
3.3 鍺中的本徵點缺陷
3.3.1 淬火
3.3.2 輻照
3.4 在鍺和矽中的自擴散和Ⅳ族原子擴散
3.4.1 放射性示蹤實驗
3.4.2 鍺中同位素作用和Ⅳ族元素的擴散
3.4.3 摻雜和壓力的影響
3.4.4 鍺在矽中的擴散
3.5 鍺中雜質的溶解度
3.6 鍺中Ⅲ、Ⅴ族摻雜劑的擴散
3.6.1 Ⅲ族受主的擴散
3.6.2 V族施主的擴散
3.6.3 鍺中摻雜電場對摻雜擴散的作用
3.6.4 小結
3.7 結論
參考文獻

4 鍺中氧
4.1 引言
4.2 間隙氧
4.2.1 氧濃度的測量
4.2.2 擴散率和溶解度
4.2.3 振動譜結構和缺陷模型
4.3 TDs和氧二聚物
4.3.1 TDs的電子態
4.3.2 TDs的振動譜
4.3.3 氧二聚物的振動譜
4.4 氧沉澱的紅外吸收
4.5 空位.氧缺陷
4.6 結論
參考文獻

5 鍺中金屬
5.1 引言
5.2 鍺中的銅雜質
5.2.1 分配係數Kd
5.2.2 鍺中銅原子結構
5.2.3 遊離銅的擴散機理
5.2.4 摻雜濃度對銅擴散和溶解度的影響
5.2.5 鍺中銅擴散Kick-0ut機理
5.2.6 鍺中銅的沉澱
5.2.7 替位銅的能級和俘獲截麵
5.2.8 間隙銅原子與Cu-Cui原子對的能級
5.2.9 銅對鍺中載流子壽命的影響
5.3 鍺中的銀、金和鉑
5.3.1 分凝係數、溶解度和擴散係數
5.3.2 能級和俘獲截麵
5.3.3 對載流子壽命的影響
5.4 鍺中的鎳
5.4.1 鎳在鍺中的溶解度和擴散率
5.4.2 鎳在鍺中的能級和俘獲截麵
5.4.3 對載流子壽命的影響
5.5 鍺中的過渡金屬
5.5.1 鐵
5.5.2 鈷
5.5.3 錳
5.5.4 其他金屬
5.6 鍺中金屬性能的化學趨勢
5.6.1 電學性能
5.6.2 鍺中金屬的光學性質
5.6.3 影響鍺中載流子壽命的因素
5.7 結論
參考文獻

6 鍺中缺陷從頭計算的建模
6.1 引言
6.2 量子力學方法
6.3 Kohn-Sham能級和占據能級
6.4 形成能、振動模和能級
6.5 鍺中的缺陷模擬
6.6 鍺中的缺陷
6.6.1 鍺中的空位和雙空位
6.6.2 自間隙
6.6.3 氮缺陷
6.6.4 鍺中的碳
6.6.5 鍺中的氧
6.6.6 熱施主
6.6.7 鍺中的氫
6.7 缺陷的電學能級
……
7 鍺中輻射缺陷及行為
8 鍺器件的電學性能
9 器 件模擬
10 納米尺度鍺MOS柵介質和MOS結
11 先進的鍺MOS器件
12 鍺的其他應用
13 發展趨勢與展望
附錄

精彩書摘

本章討論鍺中輻照和粒子損傷、産生的缺陷以及缺陷損傷的退火消除以避免其對材料和器件性能的影響，重點放在能夠沉積足夠能量並影響鍺晶體晶格點陣移位的輻照上。在這種最簡單的情況下，鍺原子連續從替位位置遷移到間隙位置，從而留下空位。換句話說産生一個弗侖剋爾對。空位和間隙原子在室溫下都有足夠的動能在晶格中移動以及和其他的相發生反應，從而導緻缺陷和缺陷復閤體的産生。高能電子、Y射綫和任一原子的中子和高能離子都可能發生這種遷移和反應。特彆是後者的機製與半導體技術相關，非常重要，因為它是離子注入技術製造器件的基礎。
本章的結構是這樣的：首先是半導體中輻照損傷和注入的一般性問題，緊接著轉嚮介紹與鍺有關的具體內容。在第一部分（7.2 節）中，對形成弗侖剋爾對缺陷的射綫和電子輻照與産生原子簇缺陷的僅粒子、中子和離子注入輻照進行瞭對比。
第二部分（7.3 節）迴顧並分類講述瞭鍺中的缺陷及缺陷間的反應，在本節的部分討論中進行瞭si與siGe的對比。
最後一部分（7.4 節）討論瞭輻照損傷對鍺材料和鍺器件的影響，再次關注瞭産生原子移位的損傷的影響，同時考慮瞭器件的電離輻照，進行這種輻照時器件吸收能量，産生電離現象，從而生成一個空穴.電子對，而不是替位原子。
在後一種情況，我們需要區分瞬間離子化與時間較長的離子化效果的不同。瞬間離子化時，空穴和電子會遷移，一旦在器件的有源區發生瞬間離子化，器件就可能産生錯誤信號或噪聲。而在絕緣體中，如M0s器件上的氧化物門，産生的電子和空穴不能像半導體中的那樣自由遷移，齣現這種情況的區域，性能上可能發生永久性的改變。

前言/序言

　　眾所周知，半導體矽材料是推動人類社會進入信息化時代的關鍵材料。然而，在晶體管和集成電路發展的初期階段，鍺是至關重要的半導體材料。正如本書封麵顯示的那樣，世界上第一隻點接觸三極管的誕生采用的就是鍺襯底材料。20世紀60年代，隨著矽技術的不斷發展，鍺作為微電子工業主要材料的地位逐步被替代。近來，鍺及鍺基半導體材料在微納電子器件發展中又重新得到瞭半導體工業界的重視。
　　本書作者Cor Claeys博士和Eddy Simoen博士是世界知名的半導體材料和器件專傢，均任職於國際著名的微電子研究機構IME，他們在書中係統總結瞭鍺材料與工藝技術的最新進展和鍺器件及其在光電子學、探測器與太陽能電池等領域的研究成果。我和Cor Claeys博士多次在國際會議上交流，他十分支持本書的翻譯工作，並欣然在書的扉頁上題詞；在徵得齣版機構同意後，特邀鄧誌傑、硃悟新、米緒軍、餘懷之、黎建明、張峰賧、肖清華等人一起將該書譯成中文，以饗讀者。
　　全書涵蓋瞭鍺晶體生長、缺陷控製、雜質影響、加工工藝、鍺器件及器件模擬，以及鍺在紅外與其他領域的應用等內容，並展望瞭未來鍺材料和器件的發展前景。其內容廣泛，數據詳實，可作為高等院校、科研院所和相關單位中從事半導體器件與材料物理學習和研究人員的參考用書。
　　在翻譯齣版本書的過程中，得到瞭冶金工業齣版社和：Elseviel齣版社的大力閤作；北京有色金屬研究總院黃倬同誌、肖芳同誌參加瞭部分組織工作，在此一並錶示衷心感謝！

《量子糾纏的奧秘：從理論基石到前沿應用》 內容梗概： 本書旨在深入淺齣地探討量子糾纏這一迷人且至關重要的量子力學現象。我們將從其理論的起源和發展脈絡齣發，逐步剖析其核心概念、數學描述以及與經典物理學的根本性差異。隨後，我們將詳細闡述量子糾纏在各個前沿科學技術領域中的獨特作用與革命性潛力，包括但不限於量子計算、量子通信、量子傳感以及基礎物理學研究等方麵。本書的目標讀者群體廣泛，包括對量子力學懷有濃厚興趣的本科生、研究生，以及希望瞭解量子糾纏最新進展的科研人員、工程師和科普愛好者。 第一章：量子糾纏的理論基石 1.1 量子力學簡史與疊加態的引入： 從黑體輻射、光電效應的解釋引入量子概念，介紹普朗剋和愛因斯坦的貢獻。 詳細闡述波粒二象性，並以此引齣量子態的描述——波函數。 深入解釋量子疊加態的概念：一個量子係統可以同時處於多個可能狀態的組閤之中。通過薛定諤的貓思想實驗，形象地說明疊加態的非經典特性。 討論疊加態的測量問題：測量行為如何導緻波函數坍縮，係統選擇一個確定的狀態。 1.2 量子糾纏的誕生：EPR佯謬與貝爾不等式： 詳細介紹愛因斯坦、波多爾斯基和羅森（EPR）在1935年提齣的EPR佯謬，他們試圖通過“隱變量”理論來解釋量子力學的不完備性，並引入瞭“定域實在論”的思想。 清晰解釋EPR佯謬的核心論證：如果量子力學是完備的，那麼對一個粒子進行測量，會瞬時地影響到與其糾纏的另一個粒子，無論它們相距多遠，這似乎違反瞭定域性原理。 引齣貝爾不等式：約翰·斯圖爾特·貝爾在1964年提齣的貝爾定理，為檢驗量子力學的非定域性提供瞭實驗上的途徑。詳細闡述貝爾不等式的數學形式及其推導過程。 解釋貝爾定理的含義：如果量子力學是正確的，那麼在某些實驗條件下，測量結果會違反貝爾不等式，這將直接否定定域隱變量理論。 1.3 量子糾纏的數學描述：密度矩陣與張量積： 介紹量子態的錶示方法：狄拉剋符號（bra-ket notation）及其在描述單粒子和多粒子係統中的應用。 詳細闡述張量積（Tensor Product）在描述多粒子係統中的作用。說明如何通過兩個子係統的態嚮量的張量積來構建復閤係統的態嚮量。 引入密度矩陣（Density Matrix）：解釋其在描述混閤態（Mixed State）中的重要性，並對比純態（Pure State）與混閤態的區彆。 給齣判斷一個多粒子係統是否糾纏的數學判據：通過對密度矩陣進行部分跡（Partial Trace）操作，並分析其特徵值來判斷是否存在糾纏。重點介紹PPT（Peres-Horodecki criterion）判據等。 舉例說明如何用密度矩陣和張量積來錶示和分析常見的糾纏態，如貝爾態（Bell states）。 第二章：量子糾纏的實驗驗證與錶徵 2.1 糾纏的産生機製： 2.1.1 光學方法： 詳細介紹通過非綫性光學過程産生糾纏光子的技術，如參量下轉換（Spontaneous Parametric Down-Conversion, SPDC）和參量熒光（Spontaneous Parametric Up-Conversion, SPUC）。闡述其基本原理、實驗裝置以及産生糾纏態的類型（如偏振糾纏、能量時間糾纏等）。 2.1.2 原子、離子和超導量子比特： 介紹利用囚禁離子、中性原子以及超導電路中的約瑟夫森結等物理係統産生和操控糾纏態的方法。描述相關的實驗技術，例如激光冷卻、射頻脈衝操控、微波驅動等。 2.1.3 其他平颱： 簡要提及量子點、金剛石NV色心等其他正在研究中的糾纏産生平颱。 2.2 糾纏的測量與錶徵： 2.2.1 貝爾實驗： 詳細迴顧阿斯佩剋特（Alain Aspect）等人的開創性實驗，他們首次在宏觀尺度上驗證瞭貝爾不等式的違反，為量子糾纏的非定域性提供瞭確鑿證據。介紹實驗的挑戰和解決方案，例如如何確保探測器的效率和符閤性。 2.2.2 量子態層析（Quantum State Tomography）： 詳細解釋量子態層析技術，說明如何通過進行一係列投影測量來重構係統的密度矩陣，從而全麵瞭解糾纏態的性質。 2.2.3 糾纏度量（Measures of Entanglement）： 介紹用於量化糾纏程度的各種指標，例如糾纏熵（Entanglement Entropy）、糾纏保真度（Entanglement Fidelity）、糾纏數量（Entanglement Amount）等。解釋不同度量方式的適用場景和優缺點。 2.3 實驗中的挑戰與進展： 討論在實驗中實現高保真度糾纏態的難度，包括退相乾（Decoherence）的影響、量子比特的操控精度、探測器的效率等。 介紹近些年糾纏實驗在糾纏粒子數、糾纏距離、糾纏持續時間等方麵取得的突破性進展，例如多粒子糾纏的製備、長距離量子通信中的糾纏分發等。 第三章：量子糾纏的前沿應用 3.1 量子計算： 3.1.1 量子比特與量子門： 介紹量子計算的基本單元——量子比特（qubit），及其與經典比特的區彆。詳細闡述量子門（Quantum Gate）的概念，以及如何利用酉變換（Unitary Transformation）來操控量子比特的狀態。 3.1.2 量子算法： 深入分析利用量子糾纏實現某些經典算法無法比擬的優勢的量子算法。重點講解Shor算法（用於因子分解）和Grover算法（用於無序數據庫搜索），解釋它們在算法設計中如何巧妙地利用量子疊加和量子糾纏的特性。 3.1.3 容錯量子計算： 探討量子計算麵臨的最大挑戰之一——錯誤糾正。介紹量子糾錯碼（Quantum Error Correction Codes）的基本原理，以及如何通過編碼和解碼來保護量子信息免受退相乾的影響。 3.1.4 量子計算架構： 簡要介紹目前主流的量子計算硬件實現路綫，包括超導量子比特、囚禁離子、光量子計算、拓撲量子計算等，分析它們各自的優缺點和發展前景。 3.2 量子通信： 3.2.1 量子密鑰分發（Quantum Key Distribution, QKD）： 詳細介紹基於量子糾纏的QKD協議，例如E91協議。解釋如何利用量子糾纏的性質來生成共享的、不可竊聽的密鑰，以及其安全性原理——任何竊聽行為都會破壞量子糾纏，從而被通信雙方發現。 3.2.2 量子隱形傳態（Quantum Teleportation）： 詳細闡述量子隱形傳態的原理。解釋如何利用一對預先共享的糾纏粒子，以及經典的通信信道，將一個未知量子態從一個地點傳輸到另一個地點，而無需物理上的信息傳遞。強調量子隱形傳態並非物質的傳輸，而是量子態的復製（基於No-Cloning Theorem，量子態不可復製）。 3.2.3 量子網絡： 展望構建大規模量子網絡的可能性，包括量子中繼器（Quantum Repeater）的設計和實現，以及如何在分布式量子係統中利用糾纏進行信息交換和資源共享。 3.3 量子傳感與計量： 3.3.1 提高測量精度： 解釋量子糾纏如何突破經典測量的海森堡極限（Heisenberg Limit），實現更高的測量精度。例如，利用糾纏態作為量子探針，可以更精確地測量磁場、電場、引力場等物理量。 3.3.2 量子成像： 介紹基於糾纏光子的量子成像技術，例如“鬼成像”（Ghost Imaging）和“安全成像”（Quantum Imaging for Security）。說明如何利用糾纏光子的關聯性來剋服傳統成像的限製，例如在低光照或復雜環境下成像。 3.3.3 量子時鍾與導航： 探討利用糾纏原子鍾來提高時間測量的精度，以及其在基礎物理學研究和下一代導航係統中的潛在應用。 3.4 基礎物理學研究： 3.4.1 探索量子引力： 討論量子糾纏在探索量子引力理論，以及理解黑洞信息佯謬等宇宙學問題中的作用。 3.4.2 模擬復雜量子係統： 介紹量子模擬（Quantum Simulation）的概念，利用可控的量子係統來模擬其他更復雜、難以直接研究的量子係統，例如凝聚態物理中的多體問題。 3.4.3 檢驗量子力學基本原理： 強調量子糾纏作為量子力學最非經典的特徵之一，其持續的實驗研究也在不斷地深化我們對量子世界基本規律的理解。 第四章：展望與挑戰 4.1 量子技術集成： 探討如何將不同的量子技術（計算、通信、傳感）有效地集成起來，構建一個統一的量子信息基礎設施。 4.2 量子軟件與算法開發： 討論量子編程語言、開發工具以及新的量子算法的研究方嚮。 4.3 宏觀量子現象的研究： 探索在宏觀尺度上實現和觀測量子糾纏的可能性，以及這可能帶來的新的科學發現。 4.4 麵臨的理論與工程挑戰： 總結當前量子糾纏領域在理論建模、實驗實現、工程放大、成本控製等方麵存在的關鍵挑戰，並提齣可能的解決方案和未來的研究方嚮。 4.5 量子技術的社會與倫理影響： 簡要探討量子技術發展可能帶來的社會變革、經濟影響以及相關的倫理和安全問題。 本書力求為讀者構建一個從理論基礎到實際應用，從經典視角到未來展望的全麵認知框架，激發對量子世界更深層次的探索和思考。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對前沿科技充滿熱情的研究生，一直以來對高性能半導體材料和下一代電子器件抱有濃厚的興趣。“半導體鍺材料與器件”這個書名，正好擊中瞭我的興趣點。我預想這本書的寫作風格會偏嚮學術化，內容詳實且嚴謹，適閤有一定專業基礎的讀者。我希望書中能夠提供最新的研究進展和技術動態，比如在當前摩爾定律逐漸觸及物理極限的背景下，鍺材料在超越矽基技術方麵可能扮演的角色，例如其更高的載流子遷移率在高速器件方麵的優勢。我尤其期待書中能對異質集成（heterogeneous integration）和三維堆疊（3D stacking）等先進的器件製造技術進行深入的闡述，以及鍺在其中如何發揮關鍵作用。同時，我也希望書中能涉及到一些更具前瞻性的內容，例如量子點、納米綫等納米尺度的鍺材料在新型電子器件和量子計算領域的潛在應用。這本書，對我而言，不僅是一次知識的補充，更可能是一次靈感的啓迪，幫助我找到新的研究方嚮，並為我未來的學術研究奠定堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我是一名資深的電子産品愛好者，雖然不是專業人士，但對科技的發展和産品背後的技術原理總是充滿好奇。“半導體鍺材料與器件”這個名字聽起來就非常硬核，我猜測這本書的內容可能涉及一些高深的物理和工程知識。我希望這本書能夠用一種相對易於理解的方式，讓我明白為什麼鍺在曾經的電子工業中扮演瞭如此重要的角色，以及後來又是如何被矽所取代，但現在又在某些領域重新煥發活力的。書中或許會介紹一些曆史性的故事，比如鍺晶體管的發明，以及它如何開啓瞭半導體時代。同時，我也好奇書中會講述鍺材料在現代一些特定領域的應用，比如在紅外探測器、高效太陽能電池，甚至是在某些高端的射頻器件中。我希望通過這本書，能夠瞭解到半導體材料發展的一個縮影，理解技術演進的規律，以及不同材料在特定曆史時期和應用場景下所展現齣的獨特價值。這本書，對我來說，更像是一次科技曆史的溯源之旅，讓我能從更宏觀的視角去理解“半導體”這個概念的演變和發展。

評分☆☆☆☆☆

這本書的名字聽起來就充滿瞭科技感和深度，我對它充滿瞭好奇，想象著它會是一本深入淺齣的科普讀物，帶領我走進半導體鍺材料的神秘世界。我期待它能用通俗易懂的語言，為我揭示鍺這種元素為何如此重要，以及它在現代科技中扮演著怎樣的角色。書中會不會描繪齣鍺從原始礦石經過復雜的提煉、純化過程，最終變成高純度半導體材料的艱辛旅程？我腦海中浮現齣各種顯微鏡下的晶體結構圖，以及科學傢們在實驗室裏孜孜不倦探索的畫麵。同時，我也好奇書中會如何介紹鍺在電子器件中的具體應用，比如它如何構成晶體管，又如何影響著芯片的性能和功耗。我想象著書中可能會穿插一些生動的故事，講述鍺材料發展過程中的關鍵性突破，以及那些為之奉獻的傑齣科學傢。讀完這本書，我希望自己能對“半導體”這個詞有瞭更具象的理解，不再隻是一個抽象的科技概念，而是能夠感受到它背後蘊藏的智慧和力量。這本書就像一扇窗，透過它，我希望能窺見科技的脈絡，理解我們生活中的許多便利是如何誕生的。

評分☆☆☆☆☆

我是在一個偶然的機會看到瞭這本書的封麵，那簡約而富有力量的設計一下子吸引瞭我。我猜這本書的作者一定是一位在該領域深耕多年的專傢，他（她）用自己畢生的知識和經驗，將“半導體鍺材料與器件”這個專業而龐大的主題，凝聚成瞭一部引人入勝的作品。我期待書中能夠詳細介紹鍺材料的物理特性，比如它的導電性、能帶結構、熱導率等等，並且能夠用清晰的圖錶和數據來輔助說明。更重要的是，我希望書中能夠深入探討不同生長技術（如CVD、MBE等）對鍺材料質量的影響，以及各種摻雜技術如何調控其電學性能。對於器件部分，我熱切希望書中能詳細講解基於鍺材料製造的各類晶體管（如MOSFET、BJT），以及光電器件（如光電二極管、光電探測器）的工作原理和性能優勢。這本書，在我看來，應該是一本集理論深度與實踐指導於一體的寶典，它不僅能為我提供紮實的理論基礎，還能讓我對實際的半導體器件設計和製造過程有一個全麵的認識，從而激發我在這個領域進一步學習和探索的興趣。

評分☆☆☆☆☆

我是一個電子工程專業的本科生，最近剛接觸到半導體器件這部分課程，覺得內容非常吸引人。“半導體鍺材料與器件”這本教材（或者參考書）對我來說，就像是一把解鎖復雜知識的鑰匙。我希望它能像一位循循善誘的老師，用清晰的邏輯和生動的比喻，來解釋鍺這種材料的基本概念，比如它與矽在電子特性上的異同，以及為什麼在某些特定的應用場景下，鍺會比矽更具優勢。我期待書中能有大量的插圖和實物照片，展示不同類型的鍺晶體管和集成電路，讓我能夠直觀地理解它們的外形和內部結構。更重要的是，我希望書中能詳細解析這些器件的工作原理，包括載流子的運動、電流的控製等等，並且能夠提供一些基礎的計算公式和設計方法，讓我能夠嘗試著去分析和設計簡單的鍺基電路。通過閱讀這本書，我希望能對半導體器件有一個係統、全麵的認識，為我未來的學習打下堅實的基礎，也為我理解更復雜的現代電子産品提供一個清晰的視角。