納米集成電路製造工藝(第2版) pdf epub mobi txt 電子書下載 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

張汝京等著

圖書標籤:

納米技術
集成電路
製造工藝
半導體
微電子學
工藝流程
器件物理
材料科學
電子工程
第二版

下載連結在頁面底部

facebook linkedin mastodon messenger pinterest reddit telegram twitter viber vkontakte whatsapp 複製連結

想要找書就要到靜流書站

book.coffeedeals.club

立刻按 ctrl+D收藏本頁

你會得到大驚喜!!

店鋪：曠氏文豪圖書專營店

齣版社：清華大學齣版社

ISBN：9787302452331

商品編碼：11432386996

包裝：平裝-膠訂

齣版時間：2017-01-01

具體描述

基本信息

書名:納米集成電路製造工藝(第2版)

：89.00元

作者:張汝京等

齣版社：清華大學齣版社

齣版日期：2017-01-01

ISBN：9787302452331

字數：

頁碼：

版次：2

裝幀：平裝-膠訂

開本：32開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

**大規模集成電路的生産工藝，從“微米級”到“納米級”發生瞭許多根本上的變化。甚至，從45nm縮小至28nm（以及更小的綫寬）也必須使用許多新的生産觀念和技術。張汝京先生是隨著半導體産業的發展成長起來的領軍人物，見證瞭幾個技術世代的興起與淘汰。他本人有著深厚的學術根基，以及豐富的産業經驗，其帶領的團隊是多年來在*半導體代工廠一綫工作的科研人員，掌握瞭業界領先的製造工藝。他們處理實際問題的經驗以及從産業齣發的獨特技術視角，相信會給讀者帶來啓發和幫助。

內容提要

本書共19章，涵蓋先進集成電路工藝的發展史，集成電路製造流程、介電薄膜、金屬化、光刻、刻蝕、錶麵清潔與濕法刻蝕、摻雜、化學機械平坦化，器件參數與工藝相關性，DFM（Design for Manufacturing），集成電路檢測與分析、集成電路的可靠性，生産控製，良率提升，芯片測試與芯片封裝等內容。再版時加強瞭半導體器件方麵的內容，增加瞭先進的FinFET、3D NAND存儲器、CMOS圖像傳感器以及無結場效應晶體管器件與工藝等內容。

作者介紹

張汝京(Richard Chang)，1948年齣生於江蘇南京，畢業於颱灣大學機械工程學係，於布法羅紐約州立大學獲得工程科學碩士學位，並在南方衛理公會大學獲得電子工程博士學位。曾在美國德州儀器工作20年。他成功地在美國、日本、新加坡、意大利及中國颱灣地區創建並管理10個集成電路工廠的技術開發及運營。1997年加入世大集成電路（WSMC）並齣任總裁。2000年4月創辦中芯國際集成電路製造（上海）有限公司並擔任總裁。2012年創立昇瑞光電科技（上海）有限公司並齣任總裁，主要經營LED等及其配套産品的開發、設計、製造、測試與封裝等。2014年6月創辦上海新昇半導體科技有限公司並齣任總裁, 承擔國傢科技重大專項（簡稱“02專項”）的核心工程——“40—28納米集成電路製造用300毫米矽片”項目。張博士擁有**過30年的半導體芯片研發和製造經驗。2005年4月，榮獲中華人民共和國國務院頒發國際科學技術閤作奬。2006年獲頒中國半導體業領軍人物稱號。2008年3月，被半導體國際雜誌評為2007年度人物並榮獲SEMI中國産業貢獻奬。2012年成為上海市韆人計劃專傢。2014年於上海成立新昇半導體科技有限公司，從事300毫米高端大矽片的研發、製造與行銷。

文摘

序言

《微電子器件設計與工藝集成》內容簡介本書旨在全麵深入地探討微電子器件的設計原理、關鍵製造工藝以及不同工藝流程之間的集成策略。它將帶領讀者跨越從基礎的半導體物理到先進的集成電路製造技術，為從事微電子領域的研究、開發與工程化工作的專業人士提供一份詳實而前沿的參考。第一部分：微電子器件的基礎理論與設計本部分將首先迴顧半導體物理的基礎知識，包括能帶理論、載流子輸運、PN結特性等，為理解後續器件的運行機製奠定堅實基礎。在此基礎上，我們將重點剖析各類微電子器件的物理模型和設計方法。 MOSFET器件：詳細闡述MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）的工作原理，包括其三種工作模式（截止區、綫性區、飽和區）的物理過程。我們將深入探討短溝道效應、量子效應等在現代CMOS器件中的錶現及對設計的影響。設計部分將涵蓋閾值電壓的調控、亞閾值擺幅的優化、漏電電流的抑製等關鍵設計參數。此外，還將介紹不同類型的MOSFET，如SOI（絕緣體上矽）MOSFET、FinFET、Gated-diode FET等，及其在高性能和低功耗應用中的優勢。 Bipolar器件：對BJT（雙極結型晶體管）進行深入分析，闡述其電流放大機製，包括載流子注入、擴散、復閤等過程。我們將討論BJT的設計考量，例如電流增益（β）、結電容、開關速度等。同時，也會介紹IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等功率型雙極器件，及其在電力電子領域的應用。新型器件與未來方嚮：探討一些新興的微電子器件，例如憶阻器（Memristor）、碳納米管場效應晶體管（CNTFET）、二維材料（如石墨烯、MoS2）器件等，以及它們在存儲、計算和傳感器領域的潛力。還將簡要展望未來微電子器件的發展趨勢，如量子計算器件、神經形態計算器件等。第二部分：微電子器件的關鍵製造工藝本部分將詳細介紹微電子製造中的核心工藝步驟，這些步驟的精確執行是實現高性能、高可靠性集成電路的關鍵。晶圓製備與錶麵處理：介紹矽晶圓的生長、切割、拋光等過程，以及晶圓錶麵需要進行的清潔、鈍化、蝕刻等預處理步驟，確保後續工藝的可靠性。薄膜沉積技術：詳細闡述各種薄膜沉積技術，包括：化學氣相沉積（CVD）：介紹低壓CVD（LPCVD）、等離子體增強CVD（PECVD）、高密度等離子體CVD（HDPCVD）等，以及它們在製備多晶矽、二氧化矽、氮化矽、金屬矽化物等關鍵薄膜中的應用。物理氣相沉積（PVD）：講解濺射（Sputtering）和蒸發（Evaporation）技術，以及它們在製備金屬互連層、阻擋層等材料中的作用。原子層沉積（ALD）：重點介紹ALD的自限性反應機製，以及其在製備超薄、高均勻性、高緻密性薄膜（如高k介質、柵極材料）中的優勢。光刻技術（Photolithography）：作為微電子製造中最關鍵的圖形轉移技術，我們將對其進行詳盡的介紹：光刻原理：講解光刻膠（Photoresist）的感光機理，正性膠和負性膠的區彆，以及曝光、顯影等步驟。曝光光源：介紹不同波長的曝光光源，如g-line, i-line, KrF（248nm），ArF（193nm），EUV（13.5nm）等，以及其對分辨率的影響。先進光刻技術：深入探討多重曝光（Multi-patterning）、浸沒式光刻（Immersion Lithography）和極紫外光刻（EUV Lithography）等技術，以及它們如何剋服衍射極限，實現納米級器件的製造。掩模版（Mask）：介紹掩模版的結構、製造和質量控製。刻蝕技術（Etching）：講解圖形化過程中去除不需要材料的關鍵工藝：濕法刻蝕（Wet Etching）：介紹酸、堿等化學試劑的刻蝕機理，以及其優缺點。乾法刻蝕（Dry Etching）：重點介紹等離子體刻蝕（Plasma Etching），包括反應離子刻蝕（RIE）、感應耦閤等離子體刻蝕（ICP-RIE）等。詳細分析刻蝕過程中反應機理、選擇性、各嚮異性、側壁保護等關鍵參數的控製。三維刻蝕：介紹深矽刻蝕（Bosch process）等，用於製造MEMS器件和先進3D器件結構。摻雜技術（Doping）：介紹改變半導體導電類型的工藝：離子注入（Ion Implantation）：詳細講解離子源、加速器、掃描係統、退火等過程，以及能量、劑量、角度等參數對摻雜分布的影響。擴散（Diffusion）：介紹固態擴散和氣相擴散，以及其在不同工藝階段的應用。退火（Annealing）：講解快速熱退火（RTA）、爐管退火等，用於激活注入的雜質、修復損傷、形成金屬矽化物等。互連技術（Interconnection）：介紹如何在芯片內部連接各個器件：金屬化工藝：講解鋁、銅等金屬的濺射、電鍍、化學機械拋光（CMP）等工藝。介質層沉積與圖案化：介紹低k介質（Low-k Dielectric）的材料選擇與沉積，以及介質層的刻蝕。多層互連：介紹如何通過堆疊多層金屬和介質層來構建復雜的互連網絡，包括通孔（Via）和接觸孔（Contact）的製作。第三部分：工藝集成與良率控製本部分將重點討論如何在復雜的製造流程中將上述各種工藝步驟有機地集成起來，以及如何保證最終産品的良率。工藝流程設計與優化：介紹不同類型的集成電路（如CMOS、BiCMOS、SoI）的典型工藝流程，以及如何在給定設計需求下選擇和優化工藝參數，以達到性能、功耗和成本的最佳平衡。關鍵工藝集成挑戰：分析在集成過程中可能遇到的技術難點，例如：材料兼容性：不同材料在高溫、化學環境下的相互作用。界麵控製：半導體-氧化物、金屬-半導體等界麵特性的精確控製。應力管理：各種薄膜在製造過程中産生的應力及其對器件性能的影響。熱預算（Thermal Budget）：限製總的熱處理時間，以避免晶體結構的變化和雜質的遷移。先進製造技術與集成：探討如何將FinFET、GAAFET（Gate-All-Around FET）等先進器件結構與現有工藝平颱進行集成，以及對相關工藝的改進要求。良率分析與控製：缺陷的産生與分類：介紹在製造過程中可能齣現的各種缺陷（如粒子、劃痕、曝光缺陷、刻蝕缺陷等）及其來源。工藝變異與器件性能：分析工藝參數的微小變化如何導緻器件性能的離散性。計量與檢測技術：介紹光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）、電阻率測量、電學參數測試等檢測手段。統計過程控製（SPC）：應用統計學方法對生産過程進行監控和管理，以預防和減少缺陷。故障分析（FA）：講解如何通過故障分析來定位和解決産品中的缺陷問題。可靠性工程：討論在設計和製造過程中如何考慮器件的可靠性，包括電遷移（Electromigration）、柵氧化擊穿（Gate Oxide Breakdown）、熱載流子效應（Hot Carrier Effect）、ESD（Electrostatic Discharge）防護等。綠色製造與可持續性：簡要探討微電子製造過程中的環保問題，如化學品的使用、能源消耗、廢棄物處理等，以及如何朝著更環保、可持續的方嚮發展。結論《微電子器件設計與工藝集成》將通過理論講解、工藝細節分析、案例研究和前沿技術展望，係統地梳理微電子器件從設計到製造再到集成的全過程。本書力求做到內容嚴謹、邏輯清晰、圖文並茂，旨在成為微電子工程專業學生、研發工程師和相關領域技術人員的寶貴參考資料，助力他們在日新月異的微電子技術領域不斷探索與創新。

用戶評價

評分☆☆☆☆☆

這本書給我帶來瞭一種前所未有的學習體驗。我是一名電子工程專業的本科生，在學習課程的時候，很多關於芯片製造的知識都覺得很零散，不成體係。這本書就像一個強大的連接器，將我所學的零散知識串聯瞭起來，形成瞭一個完整的知識網絡。《納米集成電路製造工藝(第2版)》的結構安排非常閤理，它從最基礎的工藝步驟開始，逐步深入到更復雜的製程。書中對於各種工藝的描述，都有明確的步驟、關鍵的控製點以及可能齣現的問題。例如，在講述晶圓鍵閤工藝時，書中詳細介紹瞭不同鍵閤方式（如直接鍵閤、瞬時鍵閤）的原理、優缺點以及在3D IC製造中的應用。對於薄膜沉積，書中不僅介紹瞭物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）的不同技術，還探討瞭它們的適用範圍和工藝控製策略。我特彆喜歡書中關於良率和可靠性工程的章節，這讓我瞭解到在實際生産中，如何保證製造齣的芯片能夠穩定運行。這本書讓我對集成電路製造工藝有瞭全新的認識，也讓我對這個行業的嚴謹和精細有瞭更深的體會。

評分☆☆☆☆☆

作為一名大學物理專業的研究生，我一直對半導體器件的微觀世界充滿興趣，但苦於難以找到一本能夠將理論與實際製造工藝緊密結閤的教材。偶然間，我發現瞭《納米集成電路製造工藝(第2版)》。這本書真的顛覆瞭我對教材的認知。作者在講解原理時，並沒有迴避復雜的物理和化學概念，而是用一種非常直觀和易於接受的方式呈現齣來。例如，在介紹原子層沉積（ALD）時，書中詳細闡述瞭其自限性反應機理，並通過生動的示意圖解釋瞭如何通過精確控製反應物脈衝和惰性氣體吹掃來實現亞埃級彆的薄膜生長。對於等離子體刻蝕，書中不僅講解瞭反應機理，還分析瞭不同刻蝕氣體的選擇、電極結構、射頻功率等因素對刻蝕速率、選擇比和側壁形貌的影響。最讓我驚喜的是，書中還穿插瞭一些曆史發展脈絡和未來發展趨勢的討論，讓我能夠更好地理解納米集成電路製造技術是如何一步步發展至今，以及未來可能走嚮何方。這本書極大地激發瞭我進一步深入研究的動力，也為我未來的職業發展指明瞭方嚮。我非常感謝作者能夠寫齣如此優秀的書籍。

評分☆☆☆☆☆

這本書的深度和廣度都超乎我的想象，完全是一部集大成之作。作為一個對高端技術充滿好奇的業餘愛好者，我一直想瞭解集成電路是如何製造齣來的，但市麵上很多書籍要麼過於科普，要麼過於專業，很難找到一個恰到好處的平衡點。《納米集成電路製造工藝(第2版)》恰好滿足瞭我的需求。它在保持一定專業性的同時，也努力讓非專業人士能夠理解。書中對於每一項工藝的介紹，都力求做到詳盡而準確。例如，在闡述離子注入工藝時，書中詳細講解瞭不同注入能量、劑量、角度對摻雜分布和器件特性的影響，並討論瞭退火工藝在激活摻雜原子中的作用。對於金屬互連的製造，書中深入分析瞭銅互連的電化學沉積（ECD）技術、阻擋層和擴散阻擋層的選擇，以及如何實現低電阻率和高可靠性的互連。書中還對清潔工藝、檢測技術以及封裝技術進行瞭詳細的介紹，讓我對整個芯片製造流程有瞭全麵的瞭解。這本書讓我感受到科技的魅力，也讓我對這個高度復雜且精密的過程有瞭更深的敬畏。

評分☆☆☆☆☆

我是一名資深的半導體工程師，在行業內摸爬滾打多年，閱書無數。拿到《納米集成電路製造工藝(第2版)》這本書時，起初並沒有抱太大的期待，畢竟這類書籍往往流於錶麵，缺乏深度。然而，這本書卻給瞭我很大的驚喜。作者在內容的組織上非常有條理，從宏觀的工藝流程概覽，到微觀的原子層級控製，邏輯清晰，層層遞進。最令我印象深刻的是，作者對每一個工藝步驟的分析都非常深入，不僅僅停留在“是什麼”，而是深入探討瞭“為什麼”和“如何做到最好”。例如，在描述光刻工藝時，作者詳細分析瞭不同光源、掩模類型、光刻膠特性以及它們對分辨率和套刻精度的影響，並給齣瞭優化參數的思路。對於化學機械拋光（CMP）這一關鍵步驟，書中更是細緻地講解瞭研磨液、拋光墊、壓力、速度等因素如何協同作用，以及如何控製拋光速率和錶麵形貌。書中還涵蓋瞭許多前沿技術，如3D NAND、FinFET等，並對它們的製造挑戰和解決方案進行瞭深入的探討。雖然我已經是經驗豐富的工程師，但通過閱讀這本書，我依然學到瞭很多新的知識和技術細節，對一些睏擾我多年的工藝問題也豁然開朗。這本書絕對是值得反復研讀的經典之作。

評分☆☆☆☆☆

這本書實在是太棒瞭，從我拿到它開始，就愛不釋手。作為一個半導體行業的新人，我一直對納米集成電路這個領域充滿瞭好奇，但又苦於缺乏係統的知識。這本書的齣現，簡直是及時雨。它以一種非常易於理解的方式，係統地介紹瞭納米集成電路製造工藝的方方麵麵。從最基礎的材料科學，到復雜的工藝流程，再到最新的技術發展趨勢，書中都有詳盡的闡述。特彆是書中對各種工藝步驟的原理、設備、參數控製以及潛在問題的分析，都寫得非常透徹。我尤其欣賞作者在描述每一個環節時，都能夠結閤實際的生産經驗，給齣很多實用的建議和技巧，這對於我這種需要快速上手的人來說，簡直是寶貴的財富。書中大量的圖示和錶格，也極大地幫助我理解那些抽象的概念。我常常會在工作之餘，反復翻閱這本書，每次閱讀都有新的收獲。這本書不僅拓寬瞭我的知識麵，更重要的是，它讓我對這個行業有瞭更深的理解和更堅定的信心。我強烈推薦這本書給所有對納米集成電路製造工藝感興趣的讀者，無論是初學者還是有一定經驗的工程師，都能從中受益匪淺。

評分☆☆☆☆☆

很好的一本書，值得拜讀

評分☆☆☆☆☆

好

評分☆☆☆☆☆

好

評分☆☆☆☆☆

很好的一本書，值得拜讀

評分☆☆☆☆☆

書寫的不錯，很多比較新的內容都有

評分☆☆☆☆☆

很好的一本書，值得拜讀