編輯推薦

數字電子技術作為一門技術基礎課，是計算機信息類、電子類、儀器儀錶類、機電類等專業的必修課。隨著電子科學技術的飛速發展，電子計算機和集成電路獲得瞭廣泛的應用，電子技術的發展對科學技術、國民經濟和國防各個領域的影響日益深入，數字電子技術的知識、理論和方法在相關專業的地位越來越重要。

　　EDA技術、大規模集成電路，特彆是可編程邏輯器件的高速發展，對數字電子技術課程的教學內容提齣瞭更高的要求。為適應科學技術的發展和社會對人纔培養的要求，本書在第1版的基礎上對教學內容進行瞭調整和充實，精簡瞭分立元件部分，增強瞭集成邏輯器件的內容，教學重點也從邏輯電路分析轉嚮邏輯電路設計和集成芯片的應用。本書突齣瞭以下幾個方麵。

　　(1) 將重點放在基本概念和基本方法上。盡管LSI、VLSI已成為數字係統的主體，但中、小規模集成電路仍不失其基礎地位，為此，本書仍以集成電路的基礎理論、基本電路、基本分析方法與設計方法為重點。

　　(2) 突齣方法，適應發展。本書重點介紹通用係列集成電路的基本原理及特性，略去其內部復雜電路及分析，側重器件的邏輯功能及輸入、輸齣電氣特性，使學生能以此為基礎進行實際工程設計與應用。

　　(3) 為適應電子技術的飛速發展，本書引入瞭EDA技術的基礎知識，在介紹VHDL語言和Multisim 10.0軟件的基礎上，對主要章節的電路采用VHDL語言描述並用Multisim軟件仿真，使讀者在微型計算機上能夠對典型電路進行功能驗證，為後續數字係統設計課程的學習打下必要的基礎。考慮到不同學校的需要，這部分作為選學內容，以"*"號標齣。

　　(4) 近年來，集成電路理論與設計、集成工藝、電子技術應用等都有很大的發展與突破，本書突齣瞭CMOS電路，增強瞭CPLD、FPGA等一類新型可編程邏輯器件的內容。

　　(5) 為便於讀者加深理解，本書中針對重點、難點內容都設有相應的例題，每章均安排有小結、思考題、習題，力求做到通俗易懂，便於教學。

　　(6) 書中各部分內容均從基本概念入手，提供學習數字電子技術的基本電路、分析方法、設計方法，通過具體的電路係統加以總結和歸納，從而培養學生分析問題、解決問題的能力。

　　本書可作為高等院校電氣信息類、電子信息類、儀器儀錶及其他相近專業的本科生教材或教學參考書使用，也可供有關工程技術人員參考使用。

內容簡介

　　本書是根據教育部學科專業調整方案和電類各專業人纔培養新模式的需求而編寫的。本書係統地介紹瞭數字電子技術的基礎知識，包括數字電路基礎、門電路、組閤邏輯電路、常用組閤邏輯器件、時序邏輯電路、常用時序邏輯器件、可編程邏輯器件、脈衝波形的産生和整形電路、數-模轉換器和模-數轉換器、數字係統設計基礎等內容。
　　本書概念清楚，內容先進、實用，在係統介紹基礎知識的基礎上，突齣邏輯器件功能及應用，還對EDA的基礎知識作瞭介紹。每章均安排小結、思考題和習題，力求做到通俗易懂，便於使用。
　　本書可作為高等院校電氣信息類、電子信息類、儀器儀錶類及其他相近專業的本科生教材或教學參考書使用，也可供有關工程技術人員參考使用。

內頁插圖

目錄

緒論 1
第1章 數字電路基礎 5
概述 5
1.1 數製和碼製 5
1.2 邏輯代數基礎 17
*1.3 EDA技術基礎 45
小結 53
思考題 53
習題 54
第2章 門電路 56
概述 56
2.1 邏輯門電路中的開關器件 57
2.2 分立元件門電路 62
2.3 TTL門電路 64
2.4 CMOS門電路 84
*2.5 門電路的VHDL描述及其仿真 96
小結 99
思考題 99
習題 100
第3章 組閤邏輯電路 106
概述 106
3.1 組閤邏輯電路的分析 106
3.2 組閤邏輯電路的設計 109
3.3 組閤邏輯電路中的競爭與冒險 111
*3.4 組閤邏輯電路的VHDL描述
及其仿真 115
小結 117
思考題 118
習題 118
第4章 常用組閤邏輯器件 120
概述 120
4.1 編碼器和譯碼器 121
4.2 數據選擇器和數據分配器 132
4.3 加法器和數值比較器 135
4.4 中規模集成電路實現組閤邏輯
函數 141
小結 145
思考題 145
習題 146
第5章 時序邏輯電路 149
概述 149
5.1 觸發器 151
5.2 時序邏輯電路狀態的描述 163
5.3 時序邏輯電路的分析方法 167
5.4 時序邏輯電路的設計方法 171
5.5 時序邏輯電路的競爭與冒險 179
*5.6 時序邏輯電路的VHDL描述及其
仿真 182
小結 186
思考題 187
習題 187
第6章 常用時序邏輯器件 191
概述 191
6.1 寄存器和移位寄存器 192
6.2 計數器 198
6.3 順序脈衝發生器 215
6.4 常用時序邏輯器件的應用 217
小結 222
思考題 222
習題 223
第7章 可編程邏輯器件 226
概述 226
7.1 可編程邏輯器件的發展 227
7.2 可編程邏輯器件的結構和錶示
方法 228
7.3 存儲器 231
7.4 PLA 236
7.5 GLA 241
7.6 EPLD 245
7.7 CPLD 248
7.8 FPGA 258
7.9 可編程邏輯器件的開發流程 264
小結 266
思考題 267
習題 267
第8章 脈衝波形的産生和整形電路 269
概述 269
8.1 555定時器 270
8.2 施密特觸發器 272
8.3 單穩態觸發器 277
8.4 多諧振蕩器 283
小結 288
思考題 289
習題 289
第9章 數-模轉換器和模-數轉換器 293
概述 293
9.1 D/A轉換器 294
9.2 A/D轉換器 303
小結 312
思考題 312
習題 313
第10章 數字係統設計基礎 317
概述 317
10.1 數字係統設計方法 317
10.2 數字係統設計實例 322
小結 328
思考題 328
習題 329
附錄 330
附錄1 數字係統設計的VHDL文件 330
附錄2 基本邏輯單元圖形符號
對照錶 338
附錄3 常用數字係統名詞中英文
對照錶 340
參考文獻 343

精彩書摘

第2章 門 電 路

【教學目標】

　　通過本章的學習，熟悉數字電路中常用開關器件(二極管、三極管與場效應管)的開關特性，瞭解分立元件邏輯門電路的一般結構和邏輯功能。重點掌握CMOS與TTL集成邏輯門電路的結構、工作原理與性能。在此基礎上全麵掌握集成邏輯門的使用方法，為後續進行數字電路分析與設計打下基礎。

　　本章首先介紹三種器件的開關工作特性以及用三種器件組成的基本邏輯門電路的邏輯功能。2.3節和2.4節分彆介紹目前廣泛使用的TTL門電路和CMOS門電路，重點討論兩種邏輯電路的外部特性，為實際使用這些器件打下必要的基礎。本章係統講述瞭數字電路的基本邏輯單元電路--門電路，包括與門、或門、非門、與非門、或非門、與或非門、異或門、三態門、OC門、OD門等，它們屬於小規模集成電路。

概 述

　　在數字係統中，目前廣泛使用瞭半導體集成電路。數字集成電路是采用外延生長、光刻、氧化物生成及離子注入等技術，將晶體管、電阻、電容等元件和內部電路連綫一起做在一塊半導體基片上構成的完整的電路單元。它通常封裝在外殼內，做成獨立的器件。其中，用以實現基本邏輯運算和復閤運算的單元電路稱為門電路。

　　數字集成電路按其內部有源器件的不同可以分為兩類：一類是絕緣柵場效應管集成電路，或稱金屬-氧化物-半導體(MOS)集成電路；另一類是雙極型晶體管集成電路，又稱晶體管-晶體管(TTL)集成電路。如同樣是與非門，有CMOS與非門和TTL與非門之分，它們的邏輯功能是一樣的，但其特性參數有差異。目前兩類産品在市場上都有大量供應，因此分析這兩類門電路特性參數的目的是在實際使用門電路時，能根據實際要求正確、閤適地選擇和使用它們。MOS集成電路的優點是集成度高、功耗低；TTL集成電路的優點是工作速度快、驅動能力強，缺點是功耗大、集成度較低。

　　數字集成電路按其集成度可分為：小規模集成電路(Small Scale Integration，SSI)，集成10～20個元件(10～20個等效門)；中規模集成電路(Medium Scale Integration，MSI)，集成100～1000個元件(20～100個等效門)；大規模集成電路(Large Scale Integration，LSI)，集成1000～10000個元件(100～1000個等效門)；超大規模集成電路(Very Large Scale Integration，VLSI)，集成10000個元件(1000個等效門)以上。目前超大規模集成電路基本上都是MOS集成電路，其工作速度不斷提高，並且已經接近雙極型集成電路的工作速度。

　　數字電路中，用高、低電平分彆錶示二值邏輯的1和0兩種邏輯狀態，這是邏輯電路中的"正邏輯"；如果反過來用高、低電平分彆錶示二值邏輯的0和1兩種邏輯狀態，則稱為邏輯電路的"負邏輯"。如無特殊說明，本書將一直采用正邏輯。如何將連續的電壓量變成分立的兩個值呢？可取定一個分界電平，即門檻電平，大於稱為高電平，小於則稱為低電平。由於在分界處附近電路容易受乾擾信號作用而不穩定，因此應該是一個範圍而不是一個值。在電路實際工作中，隻要能區分齣高、低電平，就可以知道它所錶示的邏輯狀態，故高、低電平都有一個允許的範圍。同時，高、低電平也不是無限高或者無限低的，通常高電平不能高於正的電源電壓，低電平不能低於地電平，如圖2.1所示。正因為如此，數字電路無論是對元器件參數精度的要求還是對供電電源穩定度的要求，都比模擬電路低一些。或者說這是數字電路比模擬電路相對穩定的原因之一。

　　可以用互補開關電路來獲得高、低輸齣電平，如圖2.2所示。圖2.2中，開關S1和S2由半導體三極管組成，隻要能通過輸入信號控製三極管工作在飽和導通和截止兩個狀態，即可以起到開關的作用。在圖2.2所示電路中，兩個開關S1和S2的通斷雖然受同一個輸入信號的控製，但是它們的開關狀態相反。若輸入信號使S1導通，則S2為截止狀態，輸齣信號為高電平；若輸入信號使S1截止，則S2為導通狀態，輸齣信號為低電平。可見，電路中總有一個開關是斷開的，所以電路中始終沒有同時通過S1和S2的電流，電路功耗非常小。因此，這種互補式開關電路在數字集成電路中得到瞭廣泛應用。

圖2.1 高、低電平及正邏輯與負邏輯

圖2.2 獲得高、低電平的開關電路

2.1 邏輯門電路中的開關器件

　　由圖2.1可知，輸入電壓與邏輯值的關係是非綫性的，所以可選擇二極管、三極管及場效應管等非綫性元件實現基本邏輯功能。對於理想開關，當開關閉閤時，開關電阻，開關電壓；當開關斷開時，，經過開關的電流；電路轉換所用時間。本節討論二極管、三極管以及MOS管等電子器件的開關特性。

2.1.1 二極管及其開關特性

1. 二極管的開關狀態

　　半導體二極管相當於一個受外加電壓控製的開關，當外加一定的正嚮電壓時導通，外加反嚮電壓時截止，其伏安特性麯綫如圖2.3所示。二極管處於正嚮導通區時相當於開關的導通狀態，二極管處於反嚮截止區時相當於開關的截止狀態。用二極管代替圖2.2中的開關S1，可以得到如圖2.4所示的二極管開關電路。

圖2.3 二極管的伏安特性麯綫

圖2.4 二極管開關電路

　　假定輸入信號的高電平，低電平，二極管VD導通時的正嚮電阻為，反嚮內阻為無窮大。當時，VD截止，輸齣電平；當時，VD導通，，這裏假設使用瞭矽二極管，取其導通電壓為0.7 V，則V。

　　可見，用輸入電平信號的高、低電平可以控製二極管的開關狀態，從而在輸齣端得到相應的高、低電平信號。在上麵的分析中，假定VD的反嚮內阻為無窮大，但是從二極管伏安特性麯綫中可以看齣，加反嚮電壓時會有微弱的漏電流流過二極管，因此開關截止時的電阻不是無限大。另外，正嚮導通時的電阻往往也不能忽略。

2. 二極管的反嚮恢復時間

　　電路狀態發生轉換時，即加到二極管兩端的電壓突然反嚮時，電路狀態不能瞬間改變。如圖2.5所示，外加輸入反嚮電壓突然變成正嚮時，要等到PN結內建立起足夠的電荷梯度後纔開始有擴散電流形成，所以正嚮導通電流的建立要滯後一些。而當輸入正嚮電壓突然變成反嚮時，由於PN結中還有一定數量的存儲電荷，所以有較大的瞬態反嚮電流，隨著存儲電荷的消散，反嚮電流迅速衰減並趨近於穩態時的反嚮漏電流。圖2.5中的反嚮電流脈衝反映瞭這一特性。瞬態反嚮電流的大小和持續時間的長短與正嚮導通時電流的大小、反嚮電壓的大小、外電路電阻的阻值大小以及二極管本身的特性有關。

　　反嚮電流持續的時間用反嚮恢復時間錶示，同時也是二極管作為開關使用時的開關時間。定義為反嚮電流從其峰值衰減到峰值的十分之一所經過的時間，通常在幾納秒以內。

2.1.2 三極管及其開關特性

　　三極管有三種工作狀態：截止、放大和飽和。在數字電路中常常使三極管處在截止或者飽和導通狀態。

1. 三極管的開關狀態

　　NPN型雙極型晶體三極管的共射極接法如圖2.6(a)所示，其輸齣特性麯綫如圖2.6(b)所示。作為開關使用時，三極管往往工作在截止區和飽和區。

　　　　　　　　　　　　(a) 共射極接法 (b) 三極管輸齣特性麯綫

圖2.6 三極管電路及輸齣特性

　　當輸入信號足夠大使得三極管處於飽和導通狀態時，集射極之間的電壓非常小，按矽管計算，一般不超過0.3 V，此時輸齣端電壓=V，即輸齣低電平。當輸入信號比較小使得三極管處於截止狀態時，c、e間截止，集電極電流為零，所以=V，即輸齣高電平。

　　在電路中選取適當的電壓、電阻參數，使三極管處於開關狀態。三極管的截止狀態是指基極和射極之間的電壓小於PN結導通電壓0.7 V(以矽管為例)，集電結和發射結都反嚮偏置的狀態，此時，；三極管的飽和導通狀態是指V，而且集電結和發射結都處於正嚮偏置的狀態，此時(是三極管的放大倍數)；放大狀態是介於截止和飽和狀態之間的第三種狀態，當V，即發射結正嚮偏置，但集電結反嚮偏置時，，，數字電路中往往不使用此狀態。除此之外，在某種特殊的情況下，可能齣現發射結反嚮偏置、集電結正嚮偏置的狀態，稱為三極管的"倒置"狀態，相當於c、e端互換，此時(是倒置狀態的放大倍數，通常為0.01～0.02)，。

2. 三極管的開關時間

　　當三極管處於截止區時，b端和c端、c端和e端間沒有電流，相當於兩個斷開的開關；當三極管處於飽和導通區時，b端和c端經過一個PN結導通，c端和e端之間電壓很小，相當於短路，因此可以看作一個閉閤開關。

　　三極管可以看作兩個背對背的PN結，當圖2.6(a)中的電路的狀態發生瞬間變化時，由於PN結內電荷的建立和消散都需要一定的時間，所以集電極電流的變化將滯後於的變化，，因此的變化滯後於的變化，如圖2.7所示。

　　定義從輸入正脈衝作用的瞬間開始到集電極電流上升到0.9所需的時間為開關的開啓時間。這裏為集電極電流的最大值，若三極管導通後處於飽和區，則就是集電極飽和電流。定義從輸入正脈衝結束的時刻到下降到0.1所需的時間為開關的關閉時間。

　　和時間的長短與三極管本身的特性有關，也與三極管的使用情況有關，正嚮基極電流越大，越短，但同時將使三極管飽和程度加深，加長。

2.1.3 MOS管及其開關特性

　　三極管中參與導電的載流子有兩種。少數載流子的漂移運動受到光照、溫度及輻射的影響較大，故其溫度特性較差。MOS管是一種單極型半導體器件，內部隻有一種載流子，即多子進行導電。多子受光照、溫度及輻射等外部因素的影響較小，故其溫度特性較好。本節介紹MOS管及其開關特性。

1. MOS管的分類

　　MOS管按其溝道和工作類型可分成四種：N溝道增強型、N溝道耗盡型、P溝道增強型、P溝道耗盡型。

　　1) N溝道增強型

　　圖2.8(a)所示為N溝道增強型場效應管的結構圖。在一個P型材料製成的襯底上，做兩個高摻雜的N型擴散區，並引齣兩個端子，分彆叫作源極(S)和漏極(D)。襯底的上錶麵做一層SiO2絕緣層，其上引齣一個端子，叫作柵極(G)。由於柵極和其他極之間都是絕緣的，因此又叫作絕緣柵型場效應管。沒有外加電壓時源極和漏極之間沒有導電溝道，因此沒有電流存在。當在柵極和源極之間加上一定大小的電壓時，開始在漏極和源極之間産生導電溝道，隨著正柵極電壓的增加，導電溝道擴大(增強)，故稱為N溝道增強型場效應管。導電溝道剛剛形成時對應的柵極電壓稱為開啓電壓。由於N溝道增強型管溝道中的載流子是電子，遷移率較高，工作速度較快，所以目前其應用十分廣泛。

　　2) N溝道耗盡型

　　圖2.8(b)所示為N溝道耗盡型場效應管的結構圖。與上述增強型NMOS管相同，N溝道耗盡型MOS管的襯底也是P型，漏區和源區是N型，不同的是，在沒有外加電壓時就有導電溝道存在。當在柵極和源極之間加上負嚮電壓時，N型導電溝道變淺；當柵極負嚮電壓達到一定數值時，能夠將電子導電溝道全部耗盡，此時MOS管不再導通，故稱為N溝道耗盡型MOS管。導電溝道剛剛耗盡時的柵極電壓稱為夾斷電壓。

圖2.8 NMOS管的結構圖及邏輯符號

3) P溝道增強型

　　圖2.9(a)所示為P溝道增強型場效應管的結構圖。在N型襯底上擴散兩個P型的漏區和源區，在柵壓低於一定的負壓，即開啓電壓時，形成P型空穴導電溝道；柵極電壓的絕對值越大，導電溝道越深。由於空穴載流子的遷移率約為電子遷移率的一半，因此相對於NMOS管來說，PMOS管的工作速度較低。

　　4) P溝道耗盡型

　　圖2.9(b)所示為P溝道耗盡型場效應管的結構圖。與上述耗盡型NMOS管相同，P溝道耗盡型場效應管在柵極電壓為0時就存在P型溝道。當柵極加上足夠大的正嚮電壓時，溝道被耗盡，MOS管截止。由於製造工藝上的睏難，在數字集成電路中很少使用PMOS管。

圖2.9 PMOS管的結構圖

2. MOS管的輸入、輸齣特性

　　從MOS管的製作過程可以看齣其結構是對稱的，因此源極和漏極之間可以互換，通常NMOS管的源極接地，PMOS管的源極接高電平；而柵極與源極、漏極之間是絕緣的，不存在電流，柵極電壓控製著MOS管的導通或截止，因此屬於壓控器件。下麵以N溝道增強型場效應管為例說明MOS管的輸入、輸齣特性。

　　在增強型NMOS管的漏極和源極加上電壓，當柵極電壓為0時，漏極和源極之間沒有電流，當柵極加上大於開啓電壓的正嚮電壓時，有電流通過漏極和源極。其關係麯綫如圖2.10所示。

圖2.10 NMOS管 數字電子技術·第2版/高等學校應用型特色規劃教材 下載 mobi epub pdf txt 電子書