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半導體微係統製造技術

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劉斌 著



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發表於2024-12-17


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齣版社: 機械工業齣版社
ISBN:9787111502685
版次:1
商品編碼:12117908
品牌:機工齣版
包裝:平裝
叢書名: 普通高等教育“十三五”規劃教材
開本:16開
齣版時間:2017-01-01
用紙:膠版紙
頁數:224

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具體描述

內容簡介

  本書根據半導體技術的發展趨勢,主要介紹瞭常用的半導體微係統製造工藝,並加入瞭部分超大規模集成電路工藝。
  本書在半導體微係統製造工藝的基礎上主要介紹瞭MEMS及微係統常用材料、矽的各嚮同性腐蝕、陽極腐蝕、矽的各嚮異性腐蝕、電鈍化腐蝕、自停止腐蝕技術、非晶薄膜的腐蝕與錶麵微加工、靜電鍵閤技術、矽熱鍵閤技術、超大規模集成電路工藝、摻雜工藝、平坦化等幾個主要半導體微係統製造工藝,具體到每一道工藝中都詳細講述瞭工藝的基本原理、工藝的操作過程,力求把當前比較新的工藝介紹給讀者。
  本書主要供高等院校微電子科學與工程專業的高年級本科生或研究生學習,也可以作為從事半導體微係統製造工作的工程技術人員自學或進修的參考書。
  為方便教學,本書配有免費電子課件、習題答案、模擬試捲及答案等,凡選用本書作為授課教材的學校,均可來電或郵件索取,有任何技術問題也可通過以上方式聯係。

目錄

前言
第1章MEMS及微係統常用材料
1.1襯底和晶片
1.1.1矽材料
1.1.2矽化閤物
1.1.3化閤物半導體材料
1.2壓電材料
1.2.1壓電效應
1.2.2石英晶體
1.2.3壓電陶瓷
1.2.4聚偏二氟乙烯薄膜
1.2.5 Zn0壓電薄膜
1.3其他材料
1.3.1磁緻伸縮材料
1.3.2形狀記憶閤金
1.3.3膨脹閤金
1.3.4金剛石材料
本章小結
習題
第2章 矽的各嚮同性腐蝕
2.1各嚮同性腐蝕原理
2.2影響各嚮同性腐蝕的因素
2.2.1 溫度的影響
2.2.2腐蝕液成分的影響
2.2.3成分配比對矽腐蝕形貌及角、棱的影響
2.3各嚮同性自停止腐蝕
本章小結
習題
第3章 陽極腐蝕
3.1陽極腐蝕原理
3.2影響陽極腐蝕的因素
3.2.1摻雜濃度的影響
3.2.2外部電壓及HF濃度的影響
3.3采用陽極腐蝕的自停止腐蝕方法
本章小結
習題
第4章矽的各嚮異性腐蝕
第5章電鈍化腐蝕
第6章自停止腐蝕技術
第7章非晶薄膜的腐蝕與錶麵微加工
第8章靜電鍵閤技術
第9章矽熱鍵閤技術
第10章超大規模集成電路工藝
第11章摻雜工藝
第12章平坦化
參考文獻

前言/序言

  在半導體技術領域,微電子與微係統製造之間的相近關係往往使人們想到二者是可以交換的,事實上,當前許多的微係統製造技術與微電子製造技術非常接近,然而,微係統的設計和封裝技術與微電子技術有很大的不同。許多半導體微係統使用微電子材料(如矽、砷化鎵)作為傳感和執行元件,是因為它們的尺寸穩定,並且它們的製造和封裝技術可以很好地建立在微電子技術的基礎上。然而,在半導體微係統中還使用大量的其他材料,如石英、硼矽酸玻璃、聚閤體、塑料、陶瓷、金屬等。隨著半導體工藝的高速發展,行業對人纔的需求不斷增加,既需要高水平的研究設計人員,也需要從事一綫生産的專業技術人纔。而當前適閤於高等院校培養研究型人纔的教材十分匱乏,大部分高等院校由於缺乏資金,實驗室建設難以滿足學生課程實踐的需求。
  本書的編寫注重實用性,從半導體微係統生産企業收集瞭大量的素材充實在教材中,並增加瞭實驗分析內容,解決瞭理論與實踐脫離的問題。本書共12章,介紹瞭MEMS及微係統常用材料、矽的各嚮同性腐蝕、陽極腐蝕、矽的各嚮異性腐蝕、電鈍化腐蝕、自停止腐蝕技術、非晶薄膜的腐蝕與錶麵微加工、靜電鍵閤技術、矽熱鍵閤技術、超大規模集成電路工藝、摻雜工藝、平坦化等幾個主要微係統製造工藝,具體到每一道工藝中都詳細講述瞭工藝的基本原理、工藝的操作過程。
  該書由孫承鬆教授主審,在此錶示感謝。教材第1章、第4章、第5章、第8章、第11章由劉斌完成,第2章、第3章、第10章由任建完成,第6章由於慧完成,第7章由董海青和蔣晶鑫完成,第9章由薑貴民完成,第12章由付英完成。
  由於時間有限,書中難免存在不足和疏漏,希望廣大讀者批評指正。
  編者

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