基本信息

書名：功率半導體器件基礎-英文版

定價：150.00元

作者： B.Jayant Baliga

齣版社：科學齣版社

齣版日期：2012-06-01

ISBN：9787030343406

字數：

頁碼：1065

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：1.503kg

編輯推薦

《國外信息科學與技術圖書係列：功率半導體器件基礎（英文版）》深入討論瞭半導體功率器件的物理模型、工作原理、設計原則和應用特性，不僅詳細介紹瞭矽基器件，還討論瞭碳化矽器件的特性與設計要求。本書可作為微電子、電力電子等相關領域科研人員、工程技術人員的參考書，也可作為相關專業高年級本科生、研究生的教材。

內容提要

《國外信息科學與技術圖書係列：功率半導體器件基礎（英文版）》作者B.Jayant Baliga是功率半導體器件領域的專傢，IGBT器件發明人之一。本書結閤作者多年的實踐經驗，深入討論瞭半導體功率器件的物理模型、工作原理、設計原則和應用特性，不僅詳細介紹瞭矽基器件，還討論瞭碳化矽器件的特性與設計要求。主要內容包括材料特性與輸運物理、擊穿電壓、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、雙極型晶體管、晶閘管、IGBT器件等。
　　《國外信息科學與技術圖書係列：功率半導體器件基礎（英文版）》可作為微電子、電力電子等相關領域科研人員、工程技術人員的參考書，也可作為相關專業高年級本科生、研究生的教材。

目錄

Preface
Chapter 1 Introduction
1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
1.3 Unipolar Power Devices
1.4 Bipolar Power Devices
1.5 MOS-Bipolar Power Devices
1.6 Ideal Drift Regiofor Unipolar Power Devices
1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
1.8 Summary
Problems
References

Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
2.1 Fundamental Properties
2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
2.1.2 Bandgap Narrowing
2.1.3 Built-iPotential
2.1.4 Zero-Bias DepletioWidth
2.1.5 Impact IonizatioCoefficients
2.1.6 Carrier Mobility
2.2 Resistivity
2.2.1 Intrinsic Resistivity
2.2.2 Extrinsic Resistivity
2.2.3 NeutroTransmutatioDoping
2.3 RebinatioLifetime

Chapter 3 BreakdowVoltage
Chapter 4 Schottky Rectifiers
Chapter 5 P-i-N Rectifiers
Chapter 6 Power Mosfets
Chapter 7 Bipolar JunctioTransistors
Chapter 8 Thyristors
Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
Chapter 10 Synopsis
Index

作者介紹

文摘

序言

Preface
Chapter 1 Introduction
1.1 Ideal and Typical Power Switching Waveforms
1.2 Ideal and Typical Power Device Characteristics
1.3 Unipolar Power Devices
1.4 Bipolar Power Devices
1.5 MOS-Bipolar Power Devices
1.6 Ideal Drift Regiofor Unipolar Power Devices
1.7 Charge-Coupled Structures: Ideal Specific On-Resistance
1.8 Summary
Problems
References

Chapter 2 Material Properties and Transport Physics
2.1 Fundamental Properties
2.1.1 Intrinsic Carrier Concentration
2.1.2 Bandgap Narrowing
2.1.3 Built-iPotential
2.1.4 Zero-Bias DepletioWidth
2.1.5 Impact IonizatioCoefficients
2.1.6 Carrier Mobility
2.2 Resistivity
2.2.1 Intrinsic Resistivity
2.2.2 Extrinsic Resistivity
2.2.3 NeutroTransmutatioDoping
2.3 RebinatioLifetime

Chapter 3 BreakdowVoltage
Chapter 4 Schottky Rectifiers
Chapter 5 P-i-N Rectifiers
Chapter 6 Power Mosfets
Chapter 7 Bipolar JunctioTransistors
Chapter 8 Thyristors
Chapter 9 Insulated Gate Bipolar Transistors
Chapter 10 Synopsis
Index