基本信息
书名:纳米半导体器件与技术
定价:95.00元
作者:(加)印纽斯基,刘明,吕杭炳
出版社:国防工业出版社
出版日期:2013-12-01
ISBN:9787118090789
字数:
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.4kg
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内容提要
《纳米半导体器件与技术》(作者印纽斯基)这本 书由来自工业界和学术界的国际*专家参与撰写, 是 一本对未来纳米制造技术有浓厚兴趣的人必读的书。
《纳米半导体器件与技术》介绍了半导体工艺从 标准的CMOS硅工艺到新型器件结构的演变,包括碳纳 米管、 石墨烯、量子点、III-V族材料。本书涉及纳米电子 器件的研究现状,提供了包罗万象的关 于材料和器件结构的资源.包括从微电子到纳电子的 革命。
本书分三个部分: 半导体材料(例如,碳纳米管,忆阻器及自旋有 机器件); 硅器件与技术(如BICMOS,SOI,各种三维集成和 RAM技术.以及太阳能电池); 复合半导体器件与技术。
本书探索了能够在微电子系统性能上传统 CMOS的新兴材料。讨论的主题涉及碳纳 米管的电子输运GAN HEMTS技术及应用。针对万亿美 元纳米技术产业的真实市场需求和技 术壁垒,本书提供了新型元器件结构的重要信息.而 这将使其向未来的发展迈出一大步。
目录
作者介绍
文摘
序言
从一个更宏观的视角来看待这本《纳米半导体器件与技术》,它展现出了一种极强的洞察力,即半导体技术的未来不再是单纯追求更小的尺寸,而是在异质结集成和功能多样性上寻求突破。书中对“超越摩尔”的各种前沿探索,比如自旋电子学在逻辑运算中的潜力,以及新型光电器件在高速通信中的应用,都有着非常前瞻性的论述。它没有把这些新奇的概念束之高阁,而是用非常严谨的半导体物理基础来支撑这些“未来畅想”,让读者能够基于坚实的理论去评估这些技术的成熟度和商业化前景。我特别欣赏作者对“系统级集成”的关注,他们清楚地认识到,单个器件的突破不足以推动整个产业的进步,必须考虑如何将这些新器件无缝地整合到现有的或未来的芯片架构中。这本书提供了一个绝佳的平台,让读者能够跳出单一器件的思维定式,以一个系统架构师的视角去审视半导体技术的未来走向,这份战略眼光,是任何一个想走在技术前沿的研究人员或工程师都需要的。
评分说实话,我对那些充斥着过多数学公式和复杂推导的专业书籍敬而远之。我更偏爱那种能将复杂概念用清晰的物理图像来解释的书。这本《纳米半导体器件与技术》在这方面做得堪称典范。它最吸引我的地方是,它似乎有一种魔力,能把那些原本冰冷、抽象的半导体物理,变得触手可及。举个例子,书中对量子限制效应的讲解,不是仅仅抛出一个能量公式,而是通过一个生动的“电子被困在小盒子里”的比喻,配上精美的三维能级图,让你瞬间明白为什么尺寸缩小到纳米级别后,材料的属性会发生根本性的改变。这种叙事风格非常符合我这种偏向直觉理解的工程师的口味。而且,它的结构安排也极其合理,从宏观的器件结构到微观的电荷输运,再到应用层面的集成挑战,层层递进,逻辑性极强。我甚至发现,它在讨论新概念时,总会巧妙地穿插一些历史上经典器件的演进作为铺垫,让你在理解新技术的同时,也对整个半导体技术的发展脉络有了更清晰的认识。
评分这书的编排风格非常现代,它似乎完全没有老式教材那种沉闷感。我注意到书中大量的彩色插图和实物照片,这些视觉辅助材料极大地提高了我的学习效率。特别是关于新兴存储器技术(如MRAM和RRAM)的章节,书中不仅有详细的原理图,还有最新的扫描隧道显微镜(STM)拍摄的原子级形貌图。阅读体验就像是跟着一位经验丰富的教授在参观一个顶级的国家实验室。更让我惊喜的是,它对“可靠性”和“制造容差”的探讨,这一点往往是其他理论书籍会忽略的。书中花了相当的篇幅讨论纳米器件在实际工作环境(高温、高湿、电迁移)下的寿命预测模型,以及如何通过设计冗余来提高整体系统的鲁棒性。这对我从事航空电子系统的朋友来说,简直是如获至宝。这本书没有沉溺于展示技术能做到多精细,而是更关注技术如何才能“可靠地”工作,这种务实精神,是衡量一本优秀工程技术书籍的关键标准。
评分作为一个刚踏入微纳加工领域的新手,我深知理论知识与实际操作之间的鸿沟有多么巨大。我之前接触的材料大多是教科书上标准的硅基CMOS工艺,对于更精细、更前沿的材料体系,比如二维材料或者高迁移率金属氧化物,一直感到力不从心。这本《纳米半导体器件与技术》就像是给我提供了一张精密的“地图”。它详尽地阐述了原子层沉积(ALD)和分子束外延(MBE)等关键工艺对器件性能的微观影响。书中对界面态密度控制的分析尤其到位,它没有停留在“要控制”的层面,而是深入到温度、腔室压力乃至前驱体选择如何影响最终的缺陷结构。我记得书中有一张图,对比了不同刻蚀方法对侧壁粗糙度的影响,那细致入微的对比,让我立刻明白为什么我们实验室的那个高频器件总是达不到预期的噪声水平——原来是刻蚀工艺的“微小瑕疵”在作祟。这本书的强项在于它的深度和广度兼备,它既能让你理解“为什么会这样”,又能指导你思考“应该怎么做”,对于想要从“操作员”升级为“工艺工程师”的人来说,绝对是不可多得的宝典。
评分这本书,哎呀,简直是为我们这些在电子工程领域摸爬滚打的老兵量身定做的!我原本以为,像我这样在模拟电路设计里泡了二十年的“老古董”,对新技术的了解可能跟不上趟了。但是这本《纳米半导体器件与技术》彻底颠覆了我的看法。它不仅仅是罗列了一堆晦涩难懂的理论,而是将那些我们听起来就头疼的量子效应、超快载流子输运机制,用一种非常直观、甚至有些诗意的方式呈现了出来。特别是关于新一代隧穿晶体管(TFET)的章节,作者竟然能把复杂的能带结构图解说得像讲故事一样引人入胜。我记得有一段描述了载流子在极小尺度下行为的随机性,那感觉就像是走进了一个微观世界的迷宫,作者就是那个拿着火把的向导,每一步都走得稳健而清晰。读完这部分,我立刻想起了手头那个功耗居高不下的低速芯片项目,脑子里立刻闪现出用TFET来优化能效的思路。这本书的价值就在于,它能将最前沿的理论转化为实际可操作的设计灵感,而不是仅仅停留在学术的象牙塔里空谈。它让我这个自诩经验丰富的设计师,重新燃起了对探索未知领域的激情。那种醍醐灌顶的感觉,真的不是随便一本教科书能给予的。
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