具體描述
基本信息
書名：半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊
定價：230.00元
作者：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料
齣版社：中國標準齣版社
齣版日期：2014-11-01
ISBN：9787506677523
字數：
頁碼：
版次：1
裝幀：平裝
開本：大16開
商品重量：0.4kg
編輯推薦
內容提要
半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。
目錄
GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶嚮測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷麵夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎麯度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹麯度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片錶麵平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片錶麵質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外乾涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑嚮電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考麵長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考麵結晶學取嚮X射綫測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑嚮變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片錶麵顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光緻發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片錶麵Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射綫衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片錶麵的有機汙染物
GB/T 24578-2009 矽片錶麵金屬沾汙的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽錶麵金屬汙染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾汙的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦閤等離子質譜儀測定多晶矽錶麵金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子復閤壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化閤物半導體拋光晶片亞錶麵損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、锡、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦錶麵的錶麵粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料錶麵金屬雜質含量的電感耦閤等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹麯度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片錶麵粗糙度及切割綫痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法
作者介紹
文摘
序言
用戶評價
當我拿到《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》時，一股強烈的“如釋重負”感油然而生。在半導體材料領域摸爬滾打多年，我深知標準化測試方法的重要性，但長期以來，由於缺乏一個統一、權威的參照，我們在實驗操作、結果比對上常常感到力不從心。這本書的齣現，無疑填補瞭這一空白，為我們提供瞭一套詳盡、權威的“遊戲規則”。 書中對各種材料性能，特彆是那些決定器件性能的關鍵參數的測試方法，進行瞭係統性的梳理和規範。例如，在評估半導體材料的摻雜濃度時，書中詳細介紹瞭霍爾效應測量法、四探針法等多種方法的原理、步驟、儀器要求，以及數據處理的公式和注意事項。對於那些需要進行精確摻雜控製的工藝工程師來說，這簡直是福音。它不僅解決瞭“怎麼測”的問題，更重要的是，它通過對誤差來源的細緻分析，指導我們如何最大限度地減少測量不確定度。 我特彆贊賞書中對一些復雜錶徵技術的介紹。比如，對於材料的晶體結構分析，書中收錄瞭X射綫衍射（XRD）以及高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）等方法的標準。它不僅僅是簡單地介紹儀器的使用，而是詳細闡述瞭衍射原理、樣品製備的要求、數據采集的參數設置，以及如何從復雜的衍射譜或圖像中提取齣有用的晶體結構信息。這對於那些需要深入理解材料微觀結構的研發人員來說，具有極大的指導意義。 本書的“方法標準”定位，意味著它更加側重於“如何做”，而不是“是什麼”。這對於一綫操作人員來說，極其友好。書中以圖文並茂的方式，將復雜的實驗操作步驟分解為易於理解的環節，並配以必要的安全提示和操作技巧。這不僅能夠幫助新手快速上手，也能幫助有經驗的工程師鞏固和優化操作流程，減少人為誤差。 我注意到書中還包含瞭關於半導體材料錶麵和界麵特性的錶徵方法。在微電子技術日益發展的今天，錶麵和界麵的質量對器件的性能和可靠性至關重要。本書提供瞭如原子層沉積（ALD）薄膜的厚度與均勻性測量、金屬-半導體接觸電阻的測量等標準方法，為我們進行器件設計和工藝優化提供瞭重要的技術支撐。 更重要的是，本書的“國標”屬性，賦予瞭其無可比擬的權威性。在半導體行業，尤其是在涉及産品質量檢測、技術認證以及國際貿易的環節，遵循國傢標準是基本要求。這本書為我們提供瞭一個堅實、可靠的參考依據，能夠幫助我們確保自己的測試結果與國傢標準保持一緻，從而在國內外市場上獲得更高的認可度。 我認為，這本書的價值在於它不僅提供瞭一套靜態的標準，更傳遞瞭一種動態的、不斷追求卓越的科學精神。它鼓勵我們以嚴謹的態度對待每一個測試環節，以科學的方法分析每一個數據，從而不斷提升我們對半導體材料的認知深度和控製精度。 這本書的齣現，對於整個半導體材料行業的發展，都具有裏程碑式的意義。它不僅統一瞭我們的“語言”，更提升瞭我們的“能力”。對於任何一個希望在半導體材料領域有所建樹的團隊或個人來說，它都是一本不可或缺的“百科全書”。
評分當我拿到這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》時，我 immediately felt a sense of relief and empowerment. For years, in the fast-paced world of semiconductor materials research and development, having a consistent and reliable set of testing methodologies has been a constant challenge. This book, however, acts as a comprehensive and authoritative guide, providing standardized procedures that bring order to what can often feel like a chaotic scientific landscape. The depth of coverage within this compilation is truly remarkable. It doesn't just broadly outline testing categories; it meticulously details the specific protocols for measuring a wide array of critical material properties. For instance, when it comes to evaluating the electrical characteristics of semiconductor wafers, the book offers precise instructions for techniques like Hall effect measurements, four-point probe resistivity measurements, and carrier concentration profiling. What sets these descriptions apart is the inclusion of critical parameters such as sample preparation requirements, optimal measurement conditions, data acquisition settings, and crucially, methods for error analysis and correction. This level of detail is invaluable for ensuring the accuracy and reproducibility of our experimental results. Beyond the fundamental electrical properties, I was particularly impressed by the inclusion of standards for characterizing optical and structural aspects of semiconductor materials. Whether it's measuring optical reflectance and transmittance, or analyzing crystal structure through X-ray diffraction (XRD) and electron microscopy techniques, the book provides clear, step-by-step guidance. This holistic approach ensures that we can comprehensively understand a material's behavior from various perspectives, which is essential for developing advanced semiconductor devices. The "method standard" designation is, in my opinion, the most significant aspect of this publication. It signifies a shift from simply knowing what to measure to understanding precisely how to measure it effectively. For many researchers and technicians, the practical execution of complex testing procedures can be a steep learning curve. This book serves as an invaluable mentor, breaking down intricate processes into manageable steps, highlighting potential pitfalls, and offering practical solutions. This not only accelerates the learning curve but also significantly reduces the likelihood of experimental errors, saving precious time and resources. Furthermore, the inclusion of standards related to surface and interface characterization is highly relevant in modern semiconductor technology. The book provides guidelines for techniques like Atomic Force Microscopy (AFM) for surface topography analysis and Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) for depth profiling elemental composition. Understanding and quantifying these surface and interface properties are paramount for controlling device performance and ensuring long-term reliability. The "national standard" classification lends this compilation an undeniable aura of authority and universality. In an industry that thrives on global collaboration and technological exchange, adherence to national and international standards is paramount. This book provides a solid foundation for our testing methodologies, ensuring that our data is not only accurate but also readily accepted and understood by peers and partners worldwide. It bridges potential communication gaps and fosters a shared understanding of material quality. In essence, this compilation is more than just a technical manual; it's a testament to the rigorous pursuit of scientific accuracy. It empowers us with the knowledge and tools to conduct precise, reliable, and internationally recognized semiconductor material testing, thereby accelerating innovation and solidifying our position in the global semiconductor landscape.
評分這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》的齣版，對於長期奮戰在半導體研發和生産一綫，尤其是專注於材料錶徵和測試方法領域的工程師和研究人員來說，無疑是一份及時且寶貴的禮物。我之所以這麼說，是因為翻閱這本書，我立刻就能感受到其中蘊含的嚴謹性和實用性。它並非一本簡單的理論堆砌，而是將國傢層麵的、經過無數次實驗驗證和行業內廣泛討論纔能形成的標準，係統地匯集起來，並且以一種清晰、易懂的結構呈現。 這本書讓我印象深刻的首先是其內容的廣度和深度。它涵蓋瞭半導體材料諸如矽、砷化鎵、氮化鎵等多種核心材料的各種關鍵性能指標的測試方法。例如，在矽材料部分，我找到瞭關於電阻率、載流子濃度、摻雜均勻性、晶體缺陷密度等一係列重要參數的測量標準。這些標準不僅詳細規定瞭實驗步驟，還對所使用的儀器設備、校準要求、數據處理和報告格式都做瞭明確的規定。這對於確保不同實驗室、不同批次測試結果的可比性和可靠性至關重要。 此外，書中對各種先進錶徵技術的標準也進行瞭收錄，這對於掌握行業前沿技術的研究人員來說尤為重要。例如，我注意到其中包含瞭關於高分辨透射電子顯微鏡（HRTEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）、X射綫衍射（XRD）、二次離子質譜（SIMS）等錶徵方法的標準。這些標準不僅指導我們如何正確地操作這些復雜的儀器，更重要的是，它們提供瞭分析和解讀錶徵數據的框架，幫助我們從紛繁復雜的形貌、結構和成分信息中提煉齣真正有價值的材料特性。 本書的另一個亮點在於其“方法標準”的定位。這意味著它不僅僅是告訴我們“要測什麼”，更重要的是“如何測”。對於許多經驗不足的新手來說，這是一份絕佳的入門指南。它將那些可能看似復雜、晦澀的測試方法，分解成一步步可操作的流程，配以必要的理論背景和注意事項。這不僅可以大大縮短學習周期，還能有效避免因操作不當而導緻的數據偏差，從而節省寶貴的時間和實驗資源。 我想特彆強調這本書的“國標分冊”屬性。這意味著其內容是國傢層麵的權威性標準，經過瞭嚴格的評審和批準。在半導體行業，特彆是在涉及産品質量控製、技術認證和國際貿易等領域，遵循國傢標準是基礎也是強製要求。這本書為我們提供瞭一個統一的、權威的參考依據，使得我們的實驗結果在國內外都能夠得到廣泛的認可和接受，避免瞭因標準不一而産生的溝通障礙和技術壁壘。 作為一名長期從事半導體材料研究的從業者，我深知數據質量的重要性。而數據質量的基石，就在於測試方法的標準化和規範化。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》正是這樣一本為我們夯實數據基礎而存在的寶藏。它詳細闡述瞭各種測試方法背後的原理，並對實驗條件、樣品製備、數據采集和分析過程進行瞭細緻的規定。這不僅僅是提供瞭一個操作手冊，更是提供瞭一種嚴謹的科學思維方式。 我非常欣賞書中在描述每個方法時，不僅僅是羅列步驟，而是會穿插相關的背景知識、潛在的誤差來源以及如何規避這些誤差的建議。例如，在講解某些光學性能的測試時，書中會詳細說明光源的穩定性、探測器的靈敏度、樣品錶麵的潔淨度以及環境光乾擾對結果的影響，並提齣相應的解決方案。這種“知其然，知其所以然”的講解方式，能夠幫助讀者更深入地理解方法的內在邏輯，從而更好地掌握和應用這些方法。 對於那些希望建立或完善自身實驗室質量管理體係的機構而言，這本書無疑是不可或缺的指導文件。它提供瞭一套完整的、國傢認可的測試方法體係，可以幫助我們對照和評估現有流程的閤規性和科學性，識彆潛在的改進空間。通過參照書中的標準，我們可以有效地提升實驗室的整體運行效率和數據輸齣的質量，為企業的研發創新和産品競爭力提供堅實的技術支撐。 總而言之，這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》不僅是一本工具書，更是一份寶貴的知識財富。它為我們提供瞭一個標準化的框架，讓我們在復雜的半導體材料錶徵領域能夠有章可循，事半功倍。我相信，無論是經驗豐富的專傢，還是初入行的新手，都能從中受益匪淺。
評分拿到這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》，我第一感覺就是厚重，但這種厚重感並非來自紙張的堆砌，而是源於其內容的紮實和權威。作為一名在半導體行業摸爬滾打瞭多年的工程師，我深知標準的重要性，尤其是在材料這一基礎而又關鍵的領域。這本書就像一本武林秘籍，將那些看似高深莫測的材料測試方法，一一破解，以最清晰、最係統的方式呈現給讀者。 我尤其喜歡書中對各種測試方法細節的深入剖析。比如，在涉及電學性能的測試章節，它並沒有簡單地羅列齣“測量電阻率”這樣的字眼，而是詳細闡述瞭四探針法、範德堡法等不同測量方法的原理、適用範圍、儀器配置要求，甚至連電極的接觸電阻、樣品邊緣效應等可能影響測試精度的細節都一一說明，並給齣瞭相應的校正方法。這對於保證測試結果的準確性，避免“假陽性”或“假陰性”的齣現，具有至關重要的意義。 除瞭基礎的電學性能，本書在其他方麵的標準覆蓋也相當全麵。例如，在光學性能的錶徵方麵，它包含瞭反射率、透射率、吸收光譜等多種方法的標準。對於我們這些需要評估材料光學特性的研發人員來說，能夠獲得一套統一、規範的測量流程，能夠極大地簡化實驗設計和數據分析的工作。書中對於光源的選擇、樣品製備時的錶麵處理要求，以及如何對光譜數據進行擬閤和解釋，都進行瞭詳細的指導。 讓我感到驚喜的是，本書在對一些新興的半導體材料，如化閤物半導體（如GaAs、GaN）和寬禁帶半導體（如SiC）的錶徵方法上也做瞭收錄。這錶明該匯編並不是陳舊的，而是緊跟行業發展步伐的。對於我們這些需要研究和開發新型半導體材料的團隊來說，這本標準匯編提供瞭一個重要的參考依據，能夠幫助我們快速建立起對這些新材料的性能評估體係。 書中關於錶麵和界麵分析的方法標準也同樣齣色。例如，對於半導體器件的可靠性至關重要的錶麵形貌和成分分析，書中詳細介紹瞭SEM、EDX、XPS等技術的應用規範。它不僅指導瞭如何操作儀器，更重要的是，它提供瞭數據解釋的框架，幫助我們理解錶麵雜質、缺陷以及元素分布對器件性能的影響。這對於我們進行失效分析和工藝優化非常有幫助。 另外，這本書的“方法標準”定位，也讓我看到瞭它在實際操作層麵的價值。很多時候，我們可能知道需要測量某個參數，但卻不知道如何精準地測量。這本書就像一位經驗豐富的導師，手把手地教你如何操作，如何規避陷阱。它詳細列齣瞭實驗步驟、注意事項，甚至包括瞭實驗數據的處理和報告的撰寫規範。這使得即便是經驗稍顯不足的工程師，也能夠依據這些標準，完成高質量的測試。 值得一提的是，本書作為“國標分冊”，其權威性毋庸置疑。在半導體行業，標準的統一和規範是推動産業協同發展的重要因素。有瞭這樣一本權威的參考書，我們可以確保自己的測試方法與國傢標準保持一緻，這對於産品進入市場、參與國際競爭都具有深遠的意義。它減少瞭因標準不統一而産生的溝通成本和技術壁壘。 總而言之，《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》並非一本簡單的技術手冊，它更像是一個行業內的“規章製度”匯集，為我們提供瞭一個統一的語言和操作框架。它的實用性、權威性和前瞻性，使其成為每一個從事半導體材料研究、開發和生産的專業人士都應該擁有的重要參考資料。
評分As a professional deeply immersed in the intricacies of semiconductor materials, the arrival of the 《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》 felt like receiving a meticulously crafted roadmap for navigating the often-complex terrain of material characterization. This isn't just a collection of procedures; it's a foundational document that imbues our research and development with a much-needed sense of rigor and standardization. The sheer detail and the focus on practical, actionable methods make it an indispensable resource. What immediately struck me was the comprehensive treatment of various material properties crucial for semiconductor performance. For instance, the section on electrical characterization delves deep into methods like Hall effect measurements for determining carrier type, concentration, and mobility. It meticulously outlines the experimental setup, including the geometry of the sample, the placement of electrical contacts, the choice of current and magnetic field strengths, and the precise equations for calculating these parameters. Crucially, it also addresses potential sources of error, such as contact resistance and thermoelectric effects, and provides practical strategies for their mitigation. This thoroughness is critical for obtaining accurate and repeatable results. Beyond electrical properties, the book's coverage extends to optical and structural characterization with equal precision. I found the detailed standards for optical measurements, such as those for determining material bandgap through optical absorption or photoluminescence spectroscopy, to be particularly valuable. The book doesn't just list the techniques; it provides guidelines on selecting appropriate light sources, detectors, and sample preparation methods to ensure reliable spectral data. Similarly, for structural analysis, it standardizes the application of techniques like X-ray Diffraction (XRD) for phase identification and crystallographic orientation, and Transmission Electron Microscopy (TEM) for visualizing microstructures and defects. The emphasis on "method standards" is what truly elevates this compilation. It means that the book is not merely a theoretical exposition, but a practical guide designed for laboratory implementation. For many technicians and junior researchers, translating theoretical knowledge into successful experimental execution can be a significant hurdle. This compilation acts as a bridge, offering step-by-step instructions, clear diagrams, and essential safety precautions. This practical focus significantly accelerates the learning process and fosters a culture of standardized, high-quality testing within any laboratory. Moreover, the inclusion of standards for characterizing material surfaces and interfaces is highly pertinent to contemporary semiconductor device fabrication. The book provides methodologies for assessing surface roughness, elemental composition at the surface, and the properties of thin films deposited on substrates. Techniques like Auger Electron Spectroscopy (AES) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) are detailed, offering insights into surface chemistry and electronic states, which are vital for optimizing device performance and reliability. The "national standard" designation is, of course, a cornerstone of this publication's value. In an industry where consistency and comparability of data are paramount for product qualification, international trade, and technological advancement, having a unified national standard is essential. This compilation ensures that our internal testing procedures align with the highest national benchmarks, thereby enhancing the credibility and marketability of our materials and devices. It fosters trust and facilitates smoother collaborations across the industry. In summary, the 《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》 is an exceptional resource that provides a robust and standardized framework for semiconductor material characterization. Its meticulous attention to detail, practical applicability, and national authority make it an indispensable tool for anyone engaged in the research, development, or manufacturing of semiconductor materials. It is a document that not only guides measurement but also elevates the entire scientific endeavor in this critical field.
評分手捧著這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》，我仿佛看到瞭一幅半導體材料測試方法的全景圖，清晰、係統、且充滿力量。作為一名長期在材料領域深耕的工程師，我深知標準化對於行業發展的驅動作用，而這本書正是這種驅動力的具體體現。它不僅僅是一本書，更像是我們手中的一份“操作指南”，指導我們在紛繁復雜的材料世界裏，找到最精準的測量之道。 我首先被書中對各種材料物理性能測試方法的詳盡闡述所吸引。比如，在分析半導體材料的導電性能時，書中不僅僅是簡單地提及瞭電阻率和遷移率，而是細緻地分解瞭霍爾效應測試、四點探針測試等多種方法的具體操作流程，包括樣品製備的要求、電極的放置方式、電流和電壓的測量範圍，以及如何校正儀器誤差等。這種細緻入微的講解，使得即使是初學者，也能依葫蘆畫瓢，完成高質量的測試。 更讓我感到驚喜的是，本書在對一些非傳統但日益重要的材料特性錶徵方法上也做瞭深入的介紹。例如，對於材料的光學性能，它詳細收錄瞭反射光譜、透射光譜、熒光光譜等多種測量方法的標準。在信息時代，光學性能在許多半導體器件中扮演著越來越重要的角色，擁有一套科學、統一的測量方法，對於我們進行材料篩選和器件優化至關重要。 書中關於“方法標準”的清晰界定，更是讓我看到瞭它在實際應用中的巨大價值。很多時候，我們可能在理論上知道某個參數很重要，但如何在實驗室裏穩定、可靠地測量它，卻往往需要大量的試錯和經驗積纍。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》恰恰彌補瞭這一鴻溝。它提供瞭一套成熟、經過驗證的測量流程，能夠幫助我們最大限度地避免操作失誤，確保測試結果的準確性和可重復性。 我特彆注意到書中對數據處理和結果解釋部分的規範。這部分內容往往是決定測試結果是否具有科學價值的關鍵。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》詳細地給齣瞭各種參數的計算公式、誤差分析的方法，以及數據報告的格式要求。這不僅能夠幫助我們進行準確的計算，更能引導我們深入理解測試結果的物理意義，從而做齣更明智的決策。 這本書的“國標”屬性，更是為其增添瞭一份沉甸甸的權威性。在半導體行業，標準化是技術交流、産品互認、以及國際貿易的基礎。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》的齣現，為我國半導體材料測試方法提供瞭一個統一的、國傢層麵的參照，這將極大地促進我國半導體材料技術的規範化發展，並提升其在國際上的競爭力。 可以說，這本匯編並非一本簡單的技術手冊，它更像是一本指引我們走嚮科學嚴謹的“行動指南”。它以最紮實的科學態度，最係統的梳理，為半導體材料領域的研究者和工程師們提供瞭一套寶貴的“利器”，能夠幫助我們在瞬息萬變的半導體技術浪潮中，穩健前行，不斷突破。
評分我之所以對這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》如此推崇，是因為它所蘊含的嚴謹性和實用性，直接切中瞭半導體材料領域研發和生産中的痛點。這本書仿佛是一把鑰匙，為我們打開瞭通往精確測量和可靠數據的大門，讓我這個在實驗室摸爬滾打多年的工程師，感受到瞭前所未有的踏實。 書中對各種半導體材料，如矽、砷化鎵、氮化鎵等，其關鍵性能指標的測試方法進行瞭詳盡的闡述。例如，在評估材料的摻雜均勻性時，書中不僅介紹瞭電阻率測量法，還細緻地講解瞭如何通過二維電阻率映射來分析其空間分布，並對數據處理中的平滑算法、邊緣效應校正等細節進行瞭詳細說明。這種對細枝末節的關注，恰恰是成就高精度測量的關鍵。 讓我尤為印象深刻的是，書中對各種測試方法潛在的誤差來源及其規避策略進行瞭深入的分析。例如，在進行光電性能測量時，書中會詳細說明光源的穩定性、探測器的響應非綫性、樣品錶麵反射和散射等因素對測試結果的影響，並給齣相應的校正方法和實驗條件建議。這種“知其然，更知其所以然”的講解方式，不僅幫助我們理解瞭方法的內在邏輯，更能指導我們在實際操作中做齣更明智的決策，避免低級錯誤。 本書的“方法標準”定位，意味著它不僅僅是提供瞭一個理論框架，更是給齣瞭一套可執行的“操作手冊”。對於許多實驗室來說，建立一套完善的測試流程是至關重要的。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》就為我們提供瞭一個非常好的起點，它詳細列齣瞭每種方法的實驗步驟、儀器配置要求、校準規範，以及數據記錄和報告的格式。這極大地提高瞭我們建立和優化實驗流程的效率。 我注意到書中還包含瞭一些關於材料可靠性相關的測試方法標準。在半導體器件的應用過程中，材料的可靠性是至關重要的。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》在這方麵提供瞭重要的指導，例如關於熱退火、濕熱試驗、電遷移試驗等方法的標準，這些都是評估材料長期穩定性的關鍵。 這本書的“國標”屬性，更是為其增添瞭不可替代的價值。在半導體行業，統一的標準是技術交流、産品互認、以及國際貿易的基礎。擁有這樣一本權威的國傢標準匯編，我們能夠確保自己的測試結果與國際接軌，大大提升瞭我們在全球市場上的競爭力。 總而言之，這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》不僅僅是一本技術參考書，它更像是一個行業內的“質量保證宣言”。它以嚴謹的科學態度、係統性的梳理，為半導體材料的研究者和工程師們提供瞭一套寶貴的“工具箱”，能夠幫助我們在瞬息萬變的半導體技術浪潮中，穩健前行，不斷突破。
評分當我第一次翻閱這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》時，我被它所呈現齣的專業性和係統性深深吸引。這不僅僅是一本技術書籍，更像是半導體材料測試領域的一本“寶典”，為我們提供瞭清晰、權威的測量指導。對於我這樣常年在一綫從事材料研發和質量控製的工程師來說，它所帶來的價值，遠超乎想象。 書中對各種半導體材料，如矽、鍺、化閤物半導體等的關鍵性能參數，如電阻率、載流子遷移率、摻雜濃度、晶體缺陷密度等的測量方法，進行瞭詳盡的闡述。我尤其欣賞它對每一種方法的原理、儀器要求、操作步驟、數據處理以及誤差分析的細緻說明。例如，在講解霍爾效應測量法時，書中不僅給齣瞭計算公式，還詳細闡述瞭溫度、磁場強度、電極接觸質量等因素對測量結果的影響，並提供瞭相應的校正方法。 讓我印象深刻的是，本書對一些先進的錶徵技術，如原子力顯微鏡（AFM）、掃描隧道顯微鏡（STM）、二次離子質譜（SIMS）等，也進行瞭標準化的介紹。這些技術對於分析材料的錶麵形貌、原子級結構、以及深度元素分布至關重要。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》為我們提供瞭一個使用這些復雜儀器的規範指導，使得我們的實驗結果更具可比性和可信度。 這本書的“方法標準”定位，使其在實踐應用中尤為突齣。很多時候，理論知識的掌握隻是第一步，如何在實驗室裏將這些理論轉化為精確、可靠的測量結果，纔是真正的挑戰。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》就提供瞭這樣一套“操作手冊”，它將復雜的實驗流程分解為易於理解的步驟，並配以圖示和注意事項，大大降低瞭操作門檻，提高瞭工作效率。 我注意到書中還包含瞭對半導體材料界麵特性的錶徵方法。在微電子器件的製造過程中，材料界麵往往是影響器件性能和可靠性的關鍵因素。本書提供瞭關於界麵能帶對齊、界麵態密度測量、以及界麵形貌分析等標準方法，為我們進行器件設計和工藝優化提供瞭重要的技術支撐。 更重要的是，本書的“國標”屬性，賦予瞭其無可比擬的權威性和通用性。在半導體産業日益全球化的今天，統一的標準是技術交流、産品互認、以及國際貿易的基礎。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》的齣現，為我國半導體材料測試方法提供瞭一個統一的、國傢層麵的參照，這將極大地促進我國半導體材料技術的規範化發展，並提升其在國際上的競爭力。 總而言之，這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》是一部集科學性、係統性、實用性和權威性於一體的寶貴文獻。它為半導體材料的研究者和工程師們提供瞭一個堅實的測量基礎，能夠幫助我們在追求技術突破的道路上，行穩緻遠。
評分當我第一次翻開這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》，我立刻被它所呈現齣的專業性和係統性所震撼。這不僅僅是一本技術書籍，更像是一部半導體材料領域“質量手冊”的精華濃縮。對於我這樣長期在半導體材料研發一綫摸索的工程師來說，它所提供的不僅僅是操作指南，更是一種科學嚴謹的方法論。 書中對於各種材料特性測試方法的闡述，可以用“庖丁解牛”來形容。例如，對於矽晶圓的晶體缺陷檢測，書中不僅僅提及瞭要檢測位錯、夾雜物等，而是詳細列齣瞭各種檢測方法，如Dislocation etching method, Sirtl etching method, Secco etching method等，並對每種方法的原理、試劑配比、腐蝕時間、顯微鏡觀察條件等都做瞭極其詳盡的規定。這種對細節的極緻追求，恰恰是保證測試結果可靠性的關鍵。 我尤其欣賞書中對各種分析手段的組閤應用給齣的建議。在評估一種新型半導體材料的性能時，往往需要綜閤運用多種錶徵技術。本書就針對不同的材料類型和應用場景，推薦瞭閤適的錶徵組閤，並給齣瞭各個錶徵方法之間的關聯性和互補性。比如，在評估一個薄膜材料的界麵質量時，書中會建議先用SEM觀察錶麵形貌，再用TEM分析晶格結構，最後用SIMS進行深度剖析。這種係統性的指導，大大提高瞭我們研究的效率。 本書對“方法標準”的強調，也讓我看到瞭它在實際應用中的巨大價值。很多時候，我們可能知道某個參數很重要，但如何在實驗室裏準確、穩定地測量它，卻是知之甚少的。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》就像一位經驗豐富的老師，將那些復雜的、需要反復摸索纔能掌握的實驗技巧，用最清晰的語言和圖示呈現齣來，大大降低瞭學習門檻，加速瞭技術成果的轉化。 我注意到書中對數據處理和結果報告的規範要求也相當到位。這對於確保不同研究團隊之間數據交流的順暢性，以及産品質量的溯源管理，都至關重要。書中提供瞭詳細的計算公式、誤差分析方法，以及報告的模闆，這使得我們的實驗數據更具說服力，也更容易被同行接受。 這本書的“國標”屬性，更是為我們提供瞭一份堅實的後盾。在半導體産業日益全球化的今天，統一的標準是消除貿易壁壘、促進技術交流的基石。《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》的權威性，保證瞭我們依照其進行的測試，能夠獲得國際認可，為産品的推廣和閤作打下瞭堅實的基礎。 可以說，這本匯編不僅僅是提供瞭“怎麼做”，更重要的是，它提供瞭“為什麼這麼做”的理論依據和實踐經驗。書中對每一種測試方法的背景原理、潛在影響因素的闡述，都能夠幫助我們更深入地理解測試過程，從而在實際操作中做齣更明智的判斷。 對於那些正在構建或優化實驗室質量管理體係的團隊來說，這本書無疑是一部不可或缺的“聖經”。它提供瞭一套完整的、國傢認可的標準體係，能夠幫助我們全麵審視和改進現有的測試流程，確保實驗室的各項工作都符閤最高行業標準。 總而言之，《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》以其深厚的專業性、嚴謹的科學態度和前瞻性的行業視野，為半導體材料的研究者和工程師們提供瞭一套寶貴的知識體係。它不僅指導我們如何進行精確的測量，更培養我們嚴謹的科學思維，是推動半導體行業高質量發展的重要文獻。
評分The moment I held this 《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》 in my hands, I felt a profound sense of appreciation for the meticulous work that went into its creation. It's not just a book; it's a testament to the collective wisdom and experience of the semiconductor materials community, distilled into a set of authoritative and practical testing methodologies. For someone like me, who spends countless hours in the lab striving for accurate and reproducible measurements, this compilation is nothing short of a lifesaver. The book's strength lies in its granular approach to defining testing standards. Take, for instance, the characterization of optical properties of semiconductor materials. It doesn't just mention measuring absorption or emission; it details the specific protocols for spectrophotometry, photoluminescence spectroscopy, and even more specialized techniques like ellipsometry. For each method, it meticulously outlines the required instrumentation, sample preparation, experimental parameters (such as wavelength range, excitation power, and measurement temperature), and the methodology for data processing and interpretation. This level of detail ensures that experiments are conducted consistently, regardless of who is performing them or in which laboratory. What also impressed me greatly is the book's foresight in covering standards for emerging and advanced materials. While foundational materials like silicon are thoroughly addressed, the compilation also includes methodologies for characterizing newer semiconductors such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC), as well as complex layered structures. This forward-looking perspective ensures that the standards remain relevant and useful for cutting-edge research and development. The "method standard" aspect is truly the cornerstone of this publication's practical utility. In the fast-evolving field of semiconductor materials, it's easy for testing protocols to become fragmented and inconsistent. This compilation provides a unified set of guidelines, essentially democratizing access to reliable testing procedures. It means that regardless of one's experience level, they can refer to these standards and execute tests with a high degree of confidence, minimizing guesswork and maximizing efficiency. Furthermore, the inclusion of standards for characterizing surface and interface properties is exceptionally valuable. In modern semiconductor devices, the behavior at material interfaces can often dictate overall performance and reliability. The book offers clear protocols for techniques like Scanning Electron Microscopy (SEM) for surface morphology, Energy Dispersive X-ray Spectroscopy (EDX) for elemental analysis, and Auger Electron Spectroscopy (AES) for surface composition. This allows for a comprehensive understanding of interfacial phenomena, which is crucial for device optimization. The "national standard" designation imbues this compilation with immense authority and credibility. In the globalized semiconductor industry, having a universally recognized set of standards is crucial for interoperability, quality assurance, and international trade. By adhering to these national standards, researchers and manufacturers can ensure that their material data is comparable and trustworthy on a global scale, fostering smoother collaborations and accelerating technological progress. In conclusion, the 《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》 is an indispensable resource that provides a rigorous and standardized approach to semiconductor material characterization. Its comprehensive scope, practical methodology, and national authority make it a cornerstone document for any professional operating within this critical field, empowering them to achieve greater accuracy, consistency, and ultimately, innovation.
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