三維集成電路設計 9787111433514 機械工業齣版社 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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美華斯利斯，美伊比，繆旻，於民，金玉豐 著

圖書標籤:

• 三維集成電路
• 集成電路設計
• VLSI
• 半導體
• 電子工程
• 封裝技術
• 3D IC
• 微電子學
• 電路設計
• 機械工業齣版社

店鋪： 花晨月夕圖書專營店

齣版社： 機械工業齣版社

ISBN：9787111433514

商品編碼：29874770177

包裝：平裝

齣版時間：2013-09-01

基本信息

書名：三維集成電路設計

定價：58.00元

作者：(美)華斯利斯,(美)伊比,繆旻,於民,金玉豐

齣版社：機械工業齣版社

齣版日期：2013-09-01

ISBN：9787111433514

字數：311000

頁碼：209

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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在21世紀的前十年結束時，基於三維集成技術的“摩爾定律”時代就悄然來臨瞭。具備多個有源器件平麵的三維集成電路(3一DIc)，有望提供結構緊湊、布綫靈活、傳輸高速化且通道數多的互連結構，從而為Ic設計者們提供突破“互連瓶頸”的有效手段，而且還能夠有效集成各種異質材料、器件和信號處理形式，成為三維集成技術發展的主要方嚮之一。本書是世界上三維集成電路設計方麵的本專著，既有一定的理論深度，又有較高的可讀性。它係統、嚴謹地闡釋瞭集成電路三維集成的設計技術基礎，包括3一DIC係統的工藝、互連建模、設計與優化、熱管理、3一D電路架構以及相應的案例研究，提齣瞭可以高效率解決特定設計問題的解決方案，並給齣瞭設計方麵的指南。

本書是一本的技術參考書，適用的讀者範圍包括：超大規模集成電路(VLSI)設計工程師，微處理器和係統級芯片的設計者以及相關電子設計自動化(EDA)軟件的開發者，微機電及微係統集成方麵的設計開發者，以及微電子行業中對未來技術走嚮高度敏感的管理者和投資者。本書也可以作為相關專業研究生的教材和教師的教輔參考書籍。

目錄

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作者介紹

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文摘

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序言

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《晶體管的微觀世界：半導體器件原理與製造工藝》 概述 本書深入探討瞭現代電子工業的基石——半導體器件的奧秘。從量子力學的基礎原理齣發，逐步揭示瞭晶體管這一微小卻功能強大的元件是如何運作的。全書不僅聚焦於理論的嚴謹性，更強調瞭實踐的重要性，詳細闡述瞭晶體管從矽片原材料到最終成品所需的復雜製造工藝流程。本書旨在為電子工程、微電子學、材料科學等相關領域的學生、研究人員及工程師提供一個全麵、深入的理論指導和工藝認知框架，幫助讀者理解信息時代底層技術的支撐，為未來創新奠定堅實基礎。 第一部分：半導體物理基礎 第一章：量子力學與固態物理導論 1.1 量子力學基本概念迴顧 薛定諤方程與波函數：引入描述電子運動的概率波概念，強調其在微觀世界中的核心地位。 能量量子化與原子能級：闡述電子在原子核外束縛時，其能量隻能取離散值的現象，這是理解半導體導電性的關鍵。 泡利不相容原理：解釋瞭為何電子在原子軌道中以特定方式排列，直接關聯到能帶結構。 電子自鏇：介紹電子的內稟屬性，及其對材料磁性和導電特性的影響。 1.2 晶體結構與晶格振動 晶體周期性與布拉維晶格：定義晶體的基本幾何結構，描述原子如何規則地排列成周期性網絡。 倒格子與布裏淵區：引入更高級的數學工具，用於分析晶體中的衍射和輸運現象。 聲子與晶格振動：解釋原子在晶格中的熱運動，即聲子的概念，以及它如何影響電子的散射和材料的熱學性質。 1.3 自由電子模型與帶隙的産生 德魯德模型：簡述早期用於描述金屬導電性的經典模型，為理解電子的自由運動打下基礎。 能帶理論的引入：從緊束縛近似齣發，解釋瞭原子軌道如何相互作用形成連續的能帶。 能量帶隙：核心概念，闡述瞭導帶、價帶以及它們之間的禁帶寬度，這是區分導體、絕緣體和半導體的根本依據。 周期性勢場中的電子波：布洛赫定理的直觀解釋，說明電子波在周期性勢場中的特性。 第二章：半導體中的載流子 2.1 本徵半導體的載流子特性 本徵載流子濃度：推導在純淨半導體中，電子和空穴的濃度相等，並隨溫度升高而增加的公式。 費米-狄拉剋統計：解釋瞭在半導體中，電子填充能級的概率分布，引齣費米能級概念。 本徵載流子濃度的溫度依賴性：詳細分析溫度對費米能級和載流子濃度的影響。 2.2 外延半導體的導電性 N型半導體：引入施主雜質，解釋瞭其在能帶中提供多餘電子，形成電子為多數載流子的特性。 P型半導體：引入受主雜質，解釋瞭其在能帶中吸引電子，形成空穴為多數載流子的特性。 雜質能級：描述瞭施主和受主雜質原子在能帶結構中引入的特定能級。 載流子濃度與雜質濃度的關係：推導在不同摻雜濃度下，多數和少數載流子濃度的計算方法。 2.3 載流子的輸運現象 擴散與漂移：詳細闡述載流子在濃度梯度驅動下的擴散運動，以及在外加電場作用下的漂移運動。 遷移率：定義電子和空穴的遷移率，解釋其與散射機製（如晶格散射、雜質散射）的關係，以及溫度和摻雜濃度對遷移率的影響。 霍爾效應：介紹霍爾效應的原理，如何通過測量霍爾電壓來確定載流子類型、濃度和遷移率。 復閤與産生：描述電子-空穴對的産生（如光激發）和復閤（如輻射復閤、俄歇復閤）過程，以及它們對載流子壽命的影響。 第三章：PN結及其特性 3.1 PN結的形成與內建電場 PN結的構建：描述P型和N型半導體接觸形成PN結的過程。 耗盡層（空間電荷區）：解釋在PN結界麵，載流子擴散導緻電子和空穴復閤，形成帶正電的施主離子和帶負電的受主離子區域。 內建電勢（接觸電勢）：分析耗盡層中電荷産生的電場，以及由此形成的電勢差，它阻止瞭進一步的載流子擴散。 費米能級的平坦化：解釋在PN結達到熱平衡時，整個材料的費米能級趨於一緻。 3.2 PN結的偏置特性 零偏置：描述PN結在沒有外加電壓時的平衡狀態。 正偏置：分析當外加正電壓時，如何降低內建電勢，使少數載流子也能擴散越過結區，導緻正嚮電流的産生。 反嚮偏置：分析當外加反電壓時，如何增大內建電勢，拓寬耗盡層，抑製多數載流子，僅有微弱的反嚮飽和電流（少數載流子漂移電流）。 擊穿現象：介紹PN結在強反嚮電壓下的兩種擊穿機製：齊納擊穿（隧道效應）和雪崩擊穿（載流子倍增）。 3.3 PN結的伏安特性麯綫 正嚮導通區：描述PN結在正偏置下電流隨電壓指數級增長的規律。 反嚮截止區：描述PN結在反偏置下電流極小且基本恒定的現象。 擊穿區：描述PN結在反嚮電壓達到一定值時電流急劇增大的現象。 理想PN結模型與實際器件的差異：討論理想PN結模型忽略的因素，如串聯電阻、並聯漏電阻等。 第二部分：晶體管器件原理 第四章：BJT（雙極結型晶體管） 4.1 BJT的結構與工作原理 NPN型和PNP型BJT：介紹BJT的兩種基本結構，由兩個PN結組成。 基區、發射區和集電區：定義BJT的三個區域，並描述它們的摻雜濃度和厚度特點。 載流子的注入與輸運：詳細闡述在外加偏置下，發射區如何將多數載流子（電子或空穴）注入基區，以及這些載流子如何在基區擴散並被集電區收集的過程。 電流放大作用：解釋BJT的核心功能——小的基極電流控製大的集電極電流，以及電流增益（β）的定義。 4.2 BJT的輸齣特性與輸入特性 輸齣特性麯綫：描繪集電極電流（Ic）隨集電極-發射極電壓（Vce）的變化，在不同基極電流（Ib）下的麯綫族。 輸入特性麯綫：描繪基極電流（Ib）隨基極-發射極電壓（Vbe）的變化。 BJT的工作區域：飽和區、放大區、截止區，並分析各區域的特點。 4.3 BJT的等效電路模型 混閤π模型（Hybrid-π Model）：詳細介紹在小信號分析中，BJT的等效電路模型，包括電阻、電容等參數的物理意義。 T模型（Gummel-Poon Model）：介紹另一種更全麵的BJT模型，尤其適用於分析大信號和寄生效應。 BJT的寄生效應：如基極電阻、集電極電阻、寄生電容等對BJT工作特性的影響。 第五章：MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管） 5.1 MOSFET的基本結構與類型 NMOS和PMOS：介紹兩種基本類型的MOSFET，區彆在於溝道載流子的類型。 增強型和耗盡型：解釋MOSFET根據柵電壓是否必須施加纔能形成溝道而分為增強型和耗盡型。 源極、漏極、柵極和襯底：定義MOSFET的四個終端，並描述其功能。 氧化層：強調柵氧化層（通常是SiO2）在MOSFET工作中的絕緣和場控作用。 5.2 MOSFET的工作原理 溝道形成：詳細解釋在柵極電壓作用下，如何在半導體錶麵形成導電溝道（通過積纍、反型或耗盡）。 閾值電壓（Vt）：定義使MOSFET導通所需的最小柵極電壓。 電場效應：闡述柵極電場如何控製溝道中的載流子濃度，從而調節漏極電流。 三極管區（綫性區）與飽和區：分析MOSFET在不同柵極電壓和漏極電壓下的工作模式。 5.3 MOSFET的輸齣特性與轉移特性 輸齣特性麯綫：描繪漏極電流（Id）隨漏極-源極電壓（Vds）的變化，在不同柵極-源極電壓（Vgs）下的麯綫族。 轉移特性麯綫：描繪漏極電流（Id）隨柵極-源極電壓（Vgs）的變化。 MOSFET的跨導（gm）：定義MOSFET的跨導，錶示柵極電壓變化引起的漏極電流變化率。 5.4 MOSFET的等效電路模型 小信號模型：介紹MOSFET的等效電路模型，包括跨導、輸齣電阻、寄生電容等。 溝道長度調製效應：解釋在飽和區，溝道長度變化對漏極電流的影響。 亞閾值導電：分析當柵極電壓低於閾值電壓時，MOSFET仍然存在的微弱導電現象。 第六章：新興的晶體管器件 6.1 FinFET（鰭式場效應晶體管） 結構特點：介紹FinFET的三維柵極結構，可以更好地控製溝道。 優勢：分析FinFET在短溝道效應抑製、漏電流控製方麵的優點，以及在高密度集成電路中的應用。 6.2 GAAFET（柵極 all-around 場效應晶體管） 結構特點：介紹GAAFET更極緻的三維柵極結構，實現全方位的柵極控製。 未來發展：探討GAAFET在突破CMOS技術縮放極限中的潛力。 6.3 碳納米管晶體管與二維材料晶體管 碳納米管的導電特性：介紹碳納米管作為一種新型半導體材料的潛力。 二維材料（如石墨烯、MoS2）的製備與應用：探討這些材料在構建超薄、高效晶體管方麵的優勢。 挑戰與機遇：分析這些新興技術在材料製備、可靠性、集成方麵的挑戰，以及它們可能帶來的革命性機遇。 第三部分：半導體製造工藝 第七章：半導體材料與晶圓製備 7.1 矽作為半導體材料 矽的優勢：討論矽在地球上的豐富性、良好的半導體特性（帶隙、載流子遷移率）、成熟的氧化工藝以及可靠的穩定性。 矽的晶體結構：強調單晶矽在製造高性能器件中的必要性。 7.2 單晶矽的生長（Czochralski法） 生長原理：詳細描述如何從熔融的矽中拉齣單晶棒。 籽晶的作用：解釋籽晶在誘導晶體生長方嚮和保持晶格完整性中的關鍵作用。 生長過程中的控製參數：溫度梯度、拉速、鏇轉速度等如何影響晶體質量。 矽錠的切割與研磨：描述如何將矽錠切割成圓片（Wafer），並進行高精度的研磨和拋光，以獲得平整光滑的錶麵。 7.3 矽片（Wafer）的質量控製 缺陷的種類：晶體缺陷（位錯、堆積層錯）、錶麵缺陷（劃痕、顆粒）、雜質等。 檢測方法：光學顯微鏡、電子顯微鏡（SEM, TEM）、拉曼光譜、X射綫衍射（XRD）等。 對器件性能的影響：強調晶圓質量是製造高性能、高可靠性半導體器件的基礎。 第八章：光刻技術 8.1 光刻的原理與分類 光學成像原理：利用掩模版（Mask）上的圖形，通過光刻機將圖形轉移到塗覆光刻膠的矽片上。 接觸式光刻、接近式光刻、投影式光刻：介紹不同光刻方式的特點和應用。 紫外光刻（DUV）與深紫外光刻（DUV）的演進：討論不同波長光源（如KrF, ArF）在提高分辨率方麵的作用。 8.2 光刻膠 正性光刻膠與負性光刻膠：解釋其在曝光後顯影行為上的差異。 光刻膠的敏感性與分辨率：討論影響曝光效果的關鍵參數。 顯影過程：描述如何去除曝光或未曝光的光刻膠，從而在矽片上形成圖形。 8.3 光刻工藝流程 塗覆光刻膠（Spin Coating）：介紹如何均勻地將光刻膠塗布在矽片上。 曝光（Exposure）：詳細闡述光刻機的工作原理，包括對準、曝光時間和曝光劑量。 顯影（Developing）：描述如何通過化學方法去除光刻膠。 刻蝕（Etching）前的準備：描述光刻膠硬化（Baking）等步驟。 第九章：刻蝕工藝 9.1 刻蝕的原理與目的 選擇性刻蝕：關鍵概念，要求刻蝕劑能夠選擇性地去除特定材料，而不影響其他材料（如光刻膠或晶圓基底）。 圖形轉移：刻蝕是光刻圖案在矽片上形成三維結構的關鍵步驟。 9.2 乾法刻蝕（等離子體刻蝕） 原理：利用等離子體中的活性粒子（自由基、離子）與材料發生化學反應或物理濺射，從而實現刻蝕。 RIE（反應離子刻蝕）：介紹RIE技術，它結閤瞭物理濺射和化學反應，可以實現高方嚮性和高選擇性。 CD（Critical Dimension）控製：強調乾法刻蝕在控製納米尺度圖形尺寸精確性方麵的重要性。 刻蝕速率與均勻性：討論影響刻蝕效率和均勻性的因素。 9.3 濕法刻蝕 原理：利用化學溶液（酸、堿）對特定材料進行腐蝕。 優缺點：濕法刻蝕設備簡單，成本較低，但分辨率和方嚮性不如乾法刻蝕。 應用場景：常用於大尺寸圖形的刻蝕或特定材料的去除。 第十章：薄膜沉積與摻雜 10.1 薄膜沉積技術 化學氣相沉積（CVD）： 原理：通過氣相化學反應在基底錶麵生成薄膜。 APCVD, LPCVD, PECVD：介紹不同CVD方法的特點和應用。 沉積材料：如SiO2, Si3N4, 多晶矽, 金屬等。 物理氣相沉積（PVD）： 濺射（Sputtering）：利用離子轟擊靶材，使其原子濺射到基底錶麵形成薄膜。 蒸發（Evaporation）：將材料加熱至氣化，然後在基底錶麵凝結成膜。 原子層沉積（ALD）：高精度、原子級控製的薄膜沉積技術，適用於超薄、高均勻性薄膜的製備。 10.2 摻雜技術 擴散（Diffusion）： 原理：在高溫下，將雜質原子從高濃度區域擴散到低濃度區域。 盒式擴散與外延擴散：介紹不同的擴散工藝。 缺點：擴散深度控製不精確，可能導緻橫嚮擴散。 離子注入（Ion Implantation）： 原理：將雜質離子加速到高能，直接注入到矽晶格中。 優點：精確控製摻雜濃度和深度。 退火（Annealing）：注入後需要進行高溫退火，以修復晶格損傷並激活雜質。 摻雜濃度與均勻性：強調精確控製摻雜濃度對器件性能至關重要。 第十一章：金屬化與互連 11.1 金屬化工藝 接觸孔（Contact Hole）的形成：刻蝕掉絕緣層，露齣下方半導體材料。 金屬填充：利用PVD（如濺射）或電化學沉積（ECD）將金屬（如鋁、銅、鎢）填充到接觸孔中。 金屬互連綫（Interconnect Line）：在錶麵形成導綫，連接不同的器件。 11.2 多層金屬互連 介質層：沉積絕緣層（如SiO2, Low-k介質）以隔離金屬層。 通孔（Via）：在介質層中刻蝕小孔，連接不同金屬層。 布綫密度與信號延遲：討論多層互連技術如何支持高密度集成，以及信號延遲的挑戰。 11.3 銅互連技術 阻擋層與籽晶層：在銅沉積前需要沉積TiN等阻擋層，以及Cu籽晶層。 電化學沉積（ECD）：主流的銅填充技術，可以在接觸孔和通孔中實現“圖案化填充”。 化學機械拋光（CMP）：用於去除多餘的銅，實現金屬層的平坦化。 11.4 阻擋層與擴散阻擋層 目的：防止金屬原子擴散到半導體材料中，引起器件劣化。 常見材料：TiN, TaN等。 第十二章：器件測試與封裝 12.1 器件測試 晶圓測試（Wafer Sort/Probe）：在製造完成後，對單個芯片進行電學性能測試。 參數測試：如電流、電壓、電阻、電容、頻率響應等。 故障分析：找齣不閤格芯片的原因。 12.2 封裝（Packaging） 封裝的目的：保護芯片免受物理損傷、環境影響，並提供與外部電路連接的接口。 封裝的類型： 引綫框架封裝（DIP, SOP） 芯片載體封裝（QFP, BGA） 倒裝芯片（Flip Chip） 晶圓級封裝（WLP） 鍵閤技術：引綫鍵閤（Wire Bonding）、倒裝芯片（Flip Chip Bonding）。 封裝材料：塑封料、陶瓷、金屬等。 12.3 可靠性測試 高溫高濕測試、溫度循環測試、加速壽命測試等。 確保芯片在各種工作條件下都能穩定可靠地工作。 總結 《晶體管的微觀世界：半導體器件原理與製造工藝》全麵而深入地梳理瞭半導體器件的理論基礎、核心器件的設計原理以及支撐這些器件運作的精密製造工藝。本書從最基礎的量子力學概念齣發，逐步構建起對載流子、PN結、BJT和MOSFET等關鍵器件的理解。隨後，它詳細剖析瞭從矽片製備到光刻、刻蝕、薄膜沉積、摻雜、金屬化以及最終封裝的每一個關鍵工藝步驟，揭示瞭現代集成電路製造的復雜性與精妙性。本書旨在為讀者提供一個清晰的知識脈絡，幫助他們理解信息技術的核心驅動力，並為相關領域的學習與研究提供堅實的理論和實踐指導。

評分☆☆☆☆☆

The design of this book’s cover is both understated and professional, conveying a sense of intellectual depth. The title, “三維集成電路設計” (3D Integrated Circuit Design), along with the ISBN and publisher details, suggests a reliable and authoritative source of information. My decision to acquire this book is driven by a long-standing curiosity about the evolution of electronic miniaturization. I’ve observed how integrated circuits have consistently pushed the boundaries of what’s possible, and the concept of designing in three dimensions feels like the natural next frontier. I am particularly keen to understand the fundamental shifts in design philosophy that accompany the move to 3D. How does the spatial arrangement of components influence signal routing and latency? What are the primary challenges in manufacturing and testing these complex multi-layered structures? I hope the book will provide a comprehensive overview of these aspects, perhaps including comparative analyses of different 3D integration techniques and their respective advantages and disadvantages. Ultimately, I am seeking to gain a deeper appreciation for the intricate engineering that underpins the creation of these advanced silicon architectures.

評分☆☆☆☆☆

這本書的裝幀設計非常講究，封麵的材質觸感很好，而且不易留下指紋，這在實際使用中是一個很貼心的小細節。我之所以會被這本書吸引，很大程度上是因為“三維集成電路”這個詞匯本身所蘊含的突破性意義。我們都知道，在信息時代，摩爾定律一直在驅動著集成電路的進步，而當二維空間的極限逐漸逼近時，嚮三維空間發展無疑是自然而然的趨勢。我特彆好奇，從二維到三維，這種設計理念上的轉變，會對整個芯片的架構産生多麼顛覆性的影響？比如，數據的傳輸路徑是否會變得更短，從而提高響應速度？芯片的整體體積是否能夠進一步縮小，為更小型化的電子設備提供可能？我對書中關於“堆疊技術”、“垂直互連”等方麵的內容充滿瞭期待。如果書中能夠提供一些不同三維集成電路結構方案的對比分析，說明它們各自的優缺點以及適用場景，那就更好瞭。畢竟，瞭解技術的演進方嚮和背後的驅動力，能夠幫助我更好地理解當前和未來的電子産品發展。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計簡約大氣，色調偏冷，給人一種專業、嚴謹的科技感。書名“三維集成電路設計”幾個大字醒目而清晰，下方標注的ISBN號和齣版社信息也顯得十分正規，讓人對內容的權威性産生瞭初步的信任。我當初購買這本書，純粹是齣於對前沿電子技術的好奇心。雖然我並非該領域的專業人士，但在日常接觸電子産品時，常常會對其內部精密的構造産生疑問，特彆是那些越來越小巧、功能卻越來越強大的設備，總是讓人好奇它們是如何實現的。關於“三維集成電路”，這個概念本身就充滿瞭未來感，仿佛是科幻電影中的場景走進瞭現實。我期待這本書能像一個引路人，為我揭開這層神秘的麵紗，讓我瞭解這項技術是如何從概念走嚮實際應用的。我希望它不僅僅是枯燥的技術手冊，更能夠包含一些行業發展曆程的介紹，甚至是一些令人振奮的成功案例，讓我感受到科技進步的魅力。畢竟，瞭解一項新技術的起源和發展，往往比直接學習技術細節更能激發學習的興趣和動力。這本書能否做到這一點，是我非常關注的。

評分☆☆☆☆☆

這本書拿在手裏非常有分量，無論是從視覺還是觸覺上，都給人一種厚重、專業的感覺。我購買這本書是因為我在工作中偶爾會接觸到一些與電子元器件相關的項目，雖然我的主要工作並非直接參與集成電路的設計，但對於提升芯片性能、縮小芯片體積等話題一直保持著濃厚的興趣。而“三維集成電路設計”這個主題，正是我一直在關注的未來發展方嚮。我希望這本書能夠深入淺齣地介紹三維集成電路設計的關鍵技術和方法，比如如何進行三維建模、如何優化三維堆疊的結構、如何處理三維層之間的通信等。我也希望書中能包含一些實際案例分析，介紹一些成功的三維集成電路産品是如何設計齣來的，它們在性能、功耗、成本等方麵帶來瞭哪些優勢。如果書中能夠提供一些關於三維集成電路設計的工具鏈和軟件方麵的介紹，那就更好瞭，能夠讓我對實際的設計流程有一個更直觀的瞭解。

評分☆☆☆☆☆

Book’s cover presents a clean and professional aesthetic, with the title “3D Integrated Circuit Design” clearly visible, along with its ISBN and publisher information, all contributing to an image of scholarly authority. My interest in this book stems from a deep-seated fascination with the relentless progress in electronic technology, particularly in the realm of integrated circuits. I’ve always been intrigued by how engineers manage to miniaturize complex functionalities to such astonishing degrees. The notion of “3D Integrated Circuit Design” strikes me as a significant leap forward, a potential paradigm shift in how we conceive and construct the electronic devices that permeate our lives. I am eager to learn about the specific technical hurdles that arise when transitioning from 2D to 3D design. For instance, how are thermal management issues addressed in these densely stacked architectures? What innovative approaches are employed for inter-layer communication and signal integrity? I hope the book delves into these technicalities, offering insights into the cutting-edge methodologies and tools that enable such sophisticated designs. Understanding the practical implications, such as performance enhancements, power efficiency gains, and avenues for further miniaturization, is a key motivation behind my acquisition of this volume.

評分☆☆☆☆☆

This book's cover is characterized by a clean and professional presentation, with the title "三維集成電路設計" (3D Integrated Circuit Design) clearly displayed, alongside its identifying ISBN and publisher details, projecting an image of academic rigor. My acquisition of this book is primarily motivated by an enduring fascination with the relentless innovation in electronic engineering, especially concerning the continuous miniaturization and performance enhancement of integrated circuits. The notion of designing circuits in three dimensions, rather than solely on a two-dimensional plane, represents a profound conceptual shift, one that I believe will shape the future of electronics. I am particularly eager to understand the fundamental principles behind 3D integration. How does the vertical stacking of components impact signal integrity and power delivery? What are the key considerations for managing thermal issues in such complex architectures? I hope this book provides a detailed and accessible explanation of these critical aspects, perhaps illustrating them with clear diagrams and real-world examples, allowing me to grasp the practical implications of this advanced design methodology.

評分☆☆☆☆☆

我拿到這本書的時候，首先就被它厚實的紙張和精美的排版所吸引。內頁的印刷質量很高，即使是復雜的電路圖和示意圖，也顯得清晰銳利，色彩還原度也不錯，這對於需要仔細辨認細節的技術書籍來說至關重要。我一直對集成電路的微縮世界充滿敬畏，想象著上麵那些微小的元器件是如何協同工作，完成各種復雜功能的。這本書的書名直接點明瞭主題“三維集成電路設計”，這讓我立刻聯想到傳統的平麵電路與立體的堆疊結構之間可能存在的巨大差異。我非常好奇，在三維空間中進行設計，會帶來哪些全新的挑戰和機遇？是能夠大幅度提升芯片的集成度和性能，還是會帶來散熱、功耗等方麵的新問題？我希望這本書能夠詳細解答這些問題，並且用通俗易懂的語言來解釋那些可能非常復雜的概念。例如，書中對於“堆疊”、“互連”等關鍵技術的闡述，是否能夠輔以形象的比喻或者詳細的圖解，讓一個非專業人士也能大緻理解其原理？我期望這本書能夠在我心中種下一顆對集成電路設計的種子，即使我無法成為一名設計工程師，也能對這個領域有更深刻的認識。

評分☆☆☆☆☆

這本圖書的封麵設計風格 oldukça minimalistyczny, ale jednocześnie wzbudza poczucie profesjonalizmu i powagi. Tytuł „Projektowanie trójwymiarowych układów scalonych” oraz numer ISBN i informacje o wydawcy sprawiają wrażenie solidnego źródła wiedzy. Moja decyzja o zakupie tej książki wynikała z mojej fascynacji postępem w dziedzinie technologii elektronicznych, szczególnie w kontekście rozwoju układów scalonych. Zawsze byłem zaintrygowany tym, jak inżynierowie są w stanie w coraz mniejszych rozmiarach upakować coraz większą liczbę funkcji. Koncepcja „trójwymiarowego projektowania układów scalonych” jawi mi się jako kolejny przełom w tej dziedzinie, potencjalnie rewolucjonizujący sposób budowy nowoczesnych urządzeń elektronicznych. Mam nadzieję, że książka szczegółowo wyjaśni, jakie są kluczowe wyzwania związane z projektowaniem w trzech wymiarach. Interesuje mnie przede wszystkim, w jaki sposób rozwiązuje się problemy związane z chłodzeniem tak gęsto upakowanych struktur, jak efektywnie zarządza się komunikacją między różnymi warstwami układu, oraz jakie nowe metody projektowania i symulacji są w tym celu wykorzystywane. Chciałbym zrozumieć, jakie korzyści praktyczne płyną z zastosowania tej technologii, na przykład w kontekście wydajności, zużycia energii czy też możliwości miniaturyzacji.

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計采用瞭一種較為內斂的風格，但其專業性卻不容忽視。書名“三維集成電路設計”以及配套的ISBN號和齣版社信息，都顯得十分嚴謹。我購買這本書的初衷，源於我對電子技術快速發展的驚嘆，特彆是集成電路在不斷突破尺寸和性能的極限。我總覺得，隨著技術的進步，芯片的結構必然會從二維平麵走嚮三維立體，以實現更高的集成度和更優越的性能。“三維集成電路設計”這個概念，對我而言充滿瞭無限的可能性。我非常好奇，在三維空間中進行設計，會帶來哪些前所未有的技術挑戰？比如，如何有效地解決三維堆疊帶來的散熱問題？如何設計更高效的層間互連技術？書中是否會詳細闡述這些技術細節，並提供相關的解決方案？我希望這本書能夠為我打開一扇窗，讓我窺見集成電路設計的未來圖景，瞭解這項技術如何重塑我們對電子設備的認知，甚至影響到整個科技産業的發展方嚮。

評分☆☆☆☆☆

The book's cover features a sophisticated design, hinting at the complex subject matter within. The prominent title, "三維集成電路設計" (3D Integrated Circuit Design), along with the ISBN and publisher information, reinforces its academic and technical nature. My interest in this particular volume is fueled by a desire to understand the cutting edge of semiconductor technology. I've been following the advancements in chip design for some time, and the concept of three-dimensional integration represents a significant paradigm shift, moving beyond the limitations of planar layouts. I am eager to explore how engineers are overcoming the inherent complexities of building structures in multiple dimensions. Specifically, I'm interested in the strategies employed for managing heat dissipation in densely packed 3D stacks, the intricate interconnect schemes required to link different layers, and the novel fabrication processes that enable such sophisticated designs. I hope the book offers a thorough examination of these technical challenges, alongside potential solutions and future outlooks for 3D integrated circuit technology.