Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊 附光盤1張） [Semiconductors:Data Handbook] pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[德] 馬德朗（Otfried Madelung） 編

圖書標籤:

• 半導體
• 數據手冊
• 電子工程
• 電子技術
• 參考手冊
• Springer
• 原版
• 技術手冊
• 電路設計
• 電子元器件

齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345154

版次：1

商品編碼：11468162

包裝：平裝

叢書名： Springer手冊精選原版係列

外文名稱：Semiconductors:Data Handbook

開本：16開

齣版時間：2014-03-01

用紙：膠版紙

頁數：691

正文語種：中文，英文

內容簡介

　　《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊 ）》是包含瞭幾乎所有的半導體材料實驗數據的參考書，適用對象包括材料、微電子學、電子科學與技術等專業的本科生和研究生，以及從事半導體研究的專業人員。本手冊內容包括：四麵體鍵元素及其化閤物特性的實驗數據（B）;III、V、VI族元素特性的實驗數據（C）;各族元素的二元化閤物特性的實驗數據（D）;各族元素的三元化閤物特性的實驗數據（E）;硼、過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據（F）;以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜質和缺陷等內容。

內頁插圖

目錄

C Further elements
11 Group III elements
11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
12.0 Crystal structure and electronic structure
12.1 Phosphorus (P)
12.2 Arsenic (As)
12.3 Antimony (Sb)
12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
13.0 Crystal structure and electronic structure
13.1 Sulfur (S)
13.2 Selenium (Se)
1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary compounds
14 IAx-IBy compounds
14.0 Crystal structure and electronic structure
14.1 CsAu
14.2 RbAu
15 Ix-Vy compounds
15.0 Crystal structure and electronic structure
15.1 I-V compounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
15.2 I3-Vcompounds
15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
15.2.3 Na3Sb
15.2.4 K3Sb
15.2.5 Rb3Sb
15.2.6 Cs3Sb
15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
15.3 I2-I-V compounds
15.3.1 Na2KSb
15.3.2 K2CsSb
15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy compounds
16.0 Crystal structure and electronic structure
16.1 Cupric oxide (Cu0)
16.2 Cuprous oxide (Cu20)
16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
16.6 Silver oxides (A9xOy)
16.7 Silver sulfide (Ag2S)
16.8 Silver selenide (Ag2Se)
16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy compounds
17.0 Crystal structure and electronic structure
17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy compounds
18.0 Crystal structure and electronic structure
18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
……
19 Ⅱ-Ⅶ2 compounds
20 Ⅲx-Ⅵy compounds
21 Ⅲ-Ⅶ compounds
22 Ⅳ-V compounds
23 Ⅳx-Ⅵv compounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 compounds
25 Ⅴx-Ⅵy compounds

前言/序言

Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊） 內容梗概 《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊）》是一部麵嚮專業工程師、研究人員和高年級學生的權威參考工具書，它深入剖析瞭半導體領域的關鍵技術和器件，為讀者提供瞭豐富、準確且前沿的數據和分析。本書聚焦於半導體技術的下半部分，涵蓋瞭復雜器件的特性、應用以及相關的材料科學和製造工藝。 第一部分：先進半導體器件及其應用 本部分將詳細介紹一係列在現代電子技術中扮演核心角色的先進半導體器件。 功率半導體器件： IGBT（絕緣柵雙極晶體管）： 深入探討IGBT的結構、工作原理、門極驅動特性、通態損耗、關斷損耗等關鍵參數。分析其在電力電子變換器（如逆變器、變流器）、電機驅動、開關電源等領域的廣泛應用。詳細介紹不同類型的IGBT，如FS-IGBT、PT-IGBT等，以及它們在特定應用場景下的優勢。 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）： 涵蓋高壓MOSFET、低壓MOSFET、以及SiC（碳化矽）和GaN（氮化鎵）等寬禁帶半導體材料製備的MOSFET。深入研究柵氧化層特性、溝道傳輸機製、漏源擊穿特性、開關速度以及寄生參數的影響。重點分析其在DC-DC變換器、AC-DC轉換器、以及車載電子、數據中心電源等高效率、高頻率應用中的性能錶現。 二極管： 除瞭傳統的pn結二極管，還將詳細介紹肖特基二極管、快速恢復二極管、瞬態電壓抑製（TVS）二極管等。分析其正嚮導通壓降、反嚮恢復時間、擊穿電壓、功率耗散等關鍵指標。闡述它們在整流、續流、保護電路等方麵的應用。 Thyristor（晶閘管）： 介紹SCR（單嚮晶閘管）、TRIAC（雙嚮晶閘管）、GTO（門極關斷晶閘管）等器件。分析其觸發特性、維持電流、阻斷特性、以及關斷機製。詳細闡述它們在電力控製、調壓、電機調速等高功率應用中的原理和實踐。 存儲器器件： DRAM（動態隨機存取存儲器）： 深入剖析DRAM的單元結構（電容-晶體管結構），讀寫操作原理，刷新機製，以及其在提高密度和速度方麵所麵臨的挑戰。介紹不同代際的DRAM技術（如DDR3, DDR4, DDR5）在速度、帶寬、功耗方麵的演進。 SRAM（靜態隨機存取存儲器）： 詳細介紹SRAM的存儲單元（通常為6T結構），其讀寫操作的穩定性，以及與DRAM在速度、功耗、成本上的權衡。分析其在緩存（Cache）和寄存器等需要快速訪問的應用中的優勢。 NAND Flash和NOR Flash： 深入探討兩種主要非易失性存儲器的結構和工作原理。分析NAND Flash的高密度和低成本優勢，其頁/塊擦寫機製，以及在固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器等領域的應用。介紹NOR Flash的直接尋址特性，以及其在嵌入式係統、BIOS等需要快速執行代碼的應用中的優勢。 新型存儲器技術： 簡要介紹MRAM（磁阻隨機存取存儲器）、ReRAM（阻變存儲器）、PCM（相變存儲器）等新興存儲技術，探討它們在非易失性、讀寫速度、能耗等方麵的潛在優勢和應用前景。 光電器件： LED（發光二極管）： 詳細介紹不同類型的LED，包括GaN基藍光LED、InGaN基綠光LED、AlGaAs基紅光LED等。分析其發光機製（如帶間輻射復閤）、量子效率、光通量、色溫、以及驅動電路設計。重點介紹其在照明、顯示屏、指示燈等領域的應用，並探討高亮度、高效率LED的發展趨勢。 OLED（有機發光二極管）： 深入探討OLED的材料特性（有機半導體材料），發光層、傳輸層、注入層的結構與功能。分析其自發光、高對比度、寬視角、快速響應等優勢。詳細介紹其在智能手機、電視、可穿戴設備等顯示領域的應用，並關注其壽命、色彩飽和度、功耗等方麵的技術挑戰。 光電二極管和光電晶體管： 介紹光電二極管（如PIN光電二極管、雪崩光電二極管APDs）的光電轉換原理、響應速度、靈敏度、暗電流等參數。分析其在光通信、光傳感器、條形碼掃描儀等領域的應用。介紹光電晶體管（光敏三極管）的光電流放大特性，以及其在光開關、光耦閤器等應用中的作用。 激光二極管： 闡述激光二極管的工作原理，如激勵發射、諧振腔、閾值電流等。介紹不同波長的激光二極管（如可見光、近紅外），以及其在光縴通信、激光打印機、條形碼掃描儀、工業加工等領域的應用。 傳感器件： MEMS（微機電係統）傳感器： 詳細介紹MEMS技術的原理，包括微加工工藝、壓阻效應、電容效應、壓電效應等。重點介紹MEMS加速度計、陀螺儀、壓力傳感器、麥剋風等。分析其在智能手機、汽車安全係統、工業自動化、醫療設備等領域的廣泛應用。 圖像傳感器： 深入研究CCD（電荷耦閤器件）和CMOS（金屬氧化物半導體）圖像傳感器的結構和工作原理。分析它們的感光能力、像素密度、動態範圍、讀齣速度、功耗等參數。重點介紹其在數碼相機、安防監控、醫療成像等領域的應用。 化學和生物傳感器： 探討基於半導體技術的化學和生物傳感器，例如氣體傳感器、pH傳感器、葡萄糖傳感器等。分析其傳感機製、靈敏度、選擇性、響應時間和穩定性。關注其在環境監測、食品安全、醫療診斷等領域的應用潛力。 第二部分：半導體材料與製造工藝 本部分將深入探討支撐半導體器件製造的基石——半導體材料以及先進的製造工藝。 半導體材料基礎： 矽（Si）： 詳細介紹高純度矽的製備（如西門子法、改進的柴可拉斯基法）、單晶矽的生長（晶體取嚮、缺陷控製）、晶圓製備（切片、拋光）等工藝。分析矽作為主流半導體材料的優勢（成本低、技術成熟、可靠性高）和局限性（帶隙相對較小，在高頻、高溫應用中受限）。 化閤物半導體： 深入介紹GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（氮化鎵）、SiC（碳化矽）等化閤物半導體材料的特性。分析它們的禁帶寬度、電子遷移率、擊穿電場等關鍵參數，以及它們在高頻、高功率、光電子領域的優勢。介紹它們的製備方法（如MOCVD、MBE）以及在射頻器件、功率器件、LED、激光器等領域的應用。 其他半導體材料： 簡要介紹Ge（鍺）、CdTe（碲化鎘）、PbS（硫化鉛）等半導體材料的特性及其在特定應用（如紅外探測、太陽能電池）中的作用。 先進半導體製造工藝： 光刻（Photolithography）： 詳細闡述光刻技術是製造集成電路的核心工藝。深入分析光刻機的光源（如深紫外光DUV、極紫外光EUV）、掩模版（mask/reticle）製作、光刻膠（photoresist）的塗覆、曝光、顯影過程。重點介紹光學放大、衍射、乾涉等原理在提高分辨率中的作用。討論浸沒式光刻、多重曝光等技術。 刻蝕（Etching）： 介紹乾法刻蝕（如反應離子刻蝕RIE）和濕法刻蝕（化學腐蝕）的原理和應用。分析乾法刻蝕在精細圖形轉移、高選擇性、各嚮異性刻蝕方麵的優勢，以及其在溝道、接觸孔、金屬綫等結構形成中的作用。 薄膜沉積（Thin Film Deposition）： 詳細介紹多種薄膜沉積技術，包括化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD，如濺射、蒸發）、原子層沉積（ALD）等。分析不同技術的原理、適用材料、薄膜質量控製（厚度均勻性、緻密性、附著力）。介紹其在介質層、導電層、半導體層等材料沉積中的應用。 離子注入（Ion Implantation）： 闡述離子注入作為摻雜關鍵工藝的原理。介紹離子源、加速器、掃描係統、退火過程。分析不同摻雜元素（如P, As, B）的注入能量、劑量對半導體材料電學特性的影響。討論注入工藝的精確控製和工藝窗口。 化學機械拋光（CMP）： 介紹CMP技術在實現晶圓錶麵平坦化方麵的作用。分析其研磨顆粒、化學劑、拋光墊等關鍵要素。闡述CMP在多層布綫、金屬化等工藝中的重要性，以及其對器件性能和良率的影響。 集成電路封裝（Packaging）： 介紹不同類型的集成電路封裝技術，如DIP、SOP、QFP、BGA、WLCSP等。分析它們的結構、散熱性能、電學性能、可靠性以及在不同應用場景下的選擇依據。關注先進封裝技術，如3D封裝、SiP（System in Package）的發展趨勢。 附錄：光盤內容說明 本書附帶的光盤包含瞭一係列寶貴的數據資源和工具，旨在進一步支持讀者在實際工作和研究中的應用。光盤內容可能包括： 器件模型和參數庫： 包含常用半導體器件（如MOSFET、IGBT、二極管）的Spice模型參數，方便讀者在電路仿真軟件中進行電路設計和性能分析。 材料特性數據庫： 提供各種半導體材料（如Si, GaAs, GaN）在不同溫度、摻雜濃度下的電學、熱學、光學特性參數。 應用案例和仿真實例： 一些典型的半導體器件在電力電子、通信、消費電子等領域的應用實例的詳細電路圖和仿真結果，幫助讀者理解理論與實踐的結閤。 相關軟件工具（試用版或評估版）： 可能包含一些常用的半導體設計、仿真或數據分析軟件的試用版或評估版，方便讀者進行進一步的學習和探索。 參考資料和論文索引： 提供與書中內容相關的經典文獻、研究論文的鏈接或索引，引導讀者深入瞭解特定技術領域。 結論 《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊）》憑藉其內容的深度、廣度和實用性，將成為半導體工程師、研究人員和學生不可或缺的參考資料。通過本書，讀者不僅能掌握先進半導體器件的工作原理和應用，更能深入理解支撐這些器件的材料科學和精密的製造工藝，從而在快速發展的半導體領域中保持技術前沿，推動創新。

評分☆☆☆☆☆

這本書簡直是我的救星！作為一名剛入行的半導體工程師，麵對市麵上琳琅滿目的器件和參數，常常感到無從下手。這套《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊）》的到來，就像一盞明燈，照亮瞭我前進的道路。我尤其欣賞它內容的深度和廣度，雖然是“下冊”，但涵蓋的知識點依然非常豐富，從功率半導體到特種半導體，再到一些新興的器件類型，幾乎無所不包。手冊的排版也十分清晰，圖錶豐富，這對於我這種需要快速查找信息的讀者來說，簡直太友好瞭。每次遇到一個陌生的器件型號，我都會習慣性地翻開這本書，總能找到我需要的基本參數、典型應用電路以及一些關鍵的性能指標。更令人驚喜的是，附帶的光盤，雖然我還沒有完全探索完畢，但初步嘗試瞭一下，裏麵的仿真模型和測試數據，對於理解器件特性和進行初步設計驗證非常有幫助，這無疑大大節省瞭我自己搭建測試環境的時間和精力。這本書的齣版，對於國內半導體行業的研究者和工程師來說，絕對是一筆寶貴的財富。它提供的權威、準確的數據，將有助於我們更快地掌握前沿技術，提升設計效率，並最終推動行業的整體進步。我強烈推薦給所有在半導體領域摸爬滾打的同行們，無論是初學者還是資深專傢，都能從中獲益匪淺。

評分☆☆☆☆☆

我長期以來一直在尋找一本能夠係統性地梳理半導體器件數據的手冊，終於在這裏找到瞭！這本書的權威性毋庸置疑， Springer 齣版的質量本身就是一種保障。我拿到這本書的時候，就被它厚重的分量和精美的印刷所摺服。翻開來，裏麵的內容更是讓我驚嘆。我主要關注的是其中的模擬器件部分，這部分內容詳盡得超乎我的想象，從基本的二極管、三極管，到復雜的運放、濾波器，幾乎涵蓋瞭我工作中可能遇到的所有模擬芯片。每一個器件的介紹都包含瞭詳細的電氣特性麯綫、絕對最大額定值、以及重要的推薦工作條件。更重要的是，它還提供瞭一些典型應用電路的講解，這對於我理解器件的工作原理和實際應用提供瞭非常直觀的幫助。我最喜歡的是它能夠將不同廠商、不同係列的同類器件進行對比，這讓我能夠更清楚地認識到不同器件之間的優劣，從而在實際設計中做齣更明智的選擇。光盤的價值同樣不容忽視，裏麵的工具和數據庫，雖然需要一些時間去熟悉，但其潛在的價值是巨大的。我相信，隨著我對其內容的深入研究，這本書必將成為我案頭不可或缺的參考資料，引領我在復雜的半導體世界裏披荊斬棘。

評分☆☆☆☆☆

我對半導體行業的熱情由來已久，一直希望能夠找到一本能夠係統性地梳理這個龐大知識體係的書籍。這本《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊）》恰好滿足瞭我的需求。雖然我目前還不是專業的半導體工程師，但從我淺顯的瞭解來看，這本書的內容質量非常高。我被其中關於數字邏輯器件的部分所吸引，它清晰地解釋瞭不同邏輯門、觸發器、移位寄存器等的工作原理和應用場景。書中的圖示非常生動，幫助我這個初學者也能快速理解復雜的概念。手冊中還提到瞭許多關於器件封裝、引腳定義以及可靠性測試的內容，這些對於理解一個器件的實際應用非常有幫助。我特彆喜歡的是，它不僅僅是簡單地羅列數據，而是通過一些案例分析，展示瞭這些數據在實際設計中的重要性。光盤的加入，為我提供瞭一個更深入學習的途徑，我期待著通過裏麵的資源，能夠更全麵地掌握半導體器件的知識，為我未來的學習和工作打下堅實的基礎。這本書的齣版，對於所有對半導體技術感興趣的人來說，都是一次難得的學習機會。

評分☆☆☆☆☆

作為一個有著十幾年從業經驗的資深電子工程師，我對技術資料的挑剔程度可以說相當高。以往閱讀過的許多數據手冊，要麼過於淺顯，要麼過於晦澀，總感覺差那麼點意思。然而，這本《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊）》卻給我帶來瞭全新的體驗。它最大的優點在於其內容的“恰到好處”。既沒有流於錶麵，也沒有過於理論化，而是恰好處於理論與實踐的黃金分割點。我尤其對其中關於功率半導體器件的部分印象深刻。它不僅列齣瞭器件的詳細規格，更深入地分析瞭器件在不同工作條件下的損耗模型和熱特性，這對於設計高效率、高可靠性的電源係統至關重要。手冊中提供的測量數據和仿真參數，都經過瞭嚴格的校核，可以直接應用於我的設計流程中，大大縮短瞭研發周期。另外，光盤中的內容更是錦上添花，許多實用的計算工具和器件模型，都為我的設計提供瞭極大的便利。我曾花瞭大量時間去尋找類似的數據，但都未能找到如此全麵和權威的資源。這本書的齣現，無疑是為我這樣追求極緻的工程師提供瞭一個強大的武器，讓我能夠在技術競爭日益激烈的今天，保持領先地位。

評分☆☆☆☆☆

這本手冊的齣現，對於我們這些長期在研發一綫工作的工程師來說，無疑是雪中送炭。我主要負責射頻和微波器件的開發，而這本書恰好在這一領域提供瞭極其寶貴的信息。手冊中關於高頻晶體管、二極管、場效應管等器件的參數，都非常精確和詳細，包括 S 參數、噪聲係數、功率增益等關鍵指標，這些都是進行射頻電路設計的核心要素。我尤其欣賞的是，手冊中還包含瞭一些特定應用場景下的器件選型指南，這為我節省瞭大量的時間和精力。不用再翻閱大量的器件數據手冊，尋找最適閤的器件，這本書提供瞭一個非常好的起點。光盤中提供的仿真模型，對於我進行電路仿真和性能預測非常有幫助，能夠有效降低設計風險。我曾經在項目開發中遇到過一個棘手的器件選型問題，通過查閱這本書，我很快找到瞭閤適的解決方案，極大地推動瞭項目的進展。總而言之，這本手冊不僅是一本數據字典，更是一位值得信賴的工程師助手，它將成為我未來工作中不可或缺的參考工具，幫助我不斷突破技術瓶頸，取得更大的成就。