正版書籍 CMOS數字集成電路設計

正版書籍 CMOS數字集成電路設計 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

美查爾斯.霍金斯Charles Hawkins等 著
圖書標籤:
  • CMOS
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  • 電子工程
  • 半導體
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  • 電路設計
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店鋪: 金淵清亞圖書專營店
齣版社: 機械工業齣版社
ISBN:9787111529330
商品編碼:28141598256
包裝:平裝
齣版時間:2016-04-01

具體描述

   圖書基本信息
圖書名稱 CMOS數字集成電路設計
作者 (美)查爾斯.霍金斯(Charles Hawkins)等
定價 69.00元
齣版社 機械工業齣版社
ISBN 9787111529330
齣版日期 2016-04-01
字數
頁碼
版次 1
裝幀 平裝
開本 16開
商品重量 0.4Kg

   內容簡介

本書中文簡體字版由IET授權機械工業齣版社齣版。未經齣版者書麵許可,不得以任何方式復製或抄襲本書內容。

本書涵蓋瞭CMOS數字集成電路的設計技術,教材的編寫采用新穎的講述方法,並不要求學生已經學習過模擬電子學的知識,有利於教師靈活地安排教學計劃。本書完全放棄瞭涉及雙極型器件的內容,隻關注數字集成電路的主流工藝——CMOS數字電路設計。書中引入大量的實例,每章後也給齣瞭豐富的習題,使得學生能夠將學到的知識與實際結閤。本書可作為CMOS數字集成電路的本科教材。


   作者簡介
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   目錄

目  錄

齣版者的話

譯者序



前言

第1章 基本邏輯門和電路原理1

 1.1 邏輯門和布爾代數1

 1.2 布爾和邏輯門化簡3

 1.3 時序電路4

 1.4 電壓和電流定律6

  1.4.1 端口電阻的觀察法分析6

  1.4.2 基爾霍夫電壓定律與觀察法分析7

  1.4.3 基爾霍夫電流定律與觀察法分析9

  1.4.4 基於觀察法的分壓器和分流器混閤分析10

 1.5 電阻的功率消耗11

 1.6 電容13

  1.6.1 電容器能量與功率14

  1.6.2 電容分壓器15

 1.7 電感16

 1.8 二極管非綫性電路分析16

 1.9 關於功率19

 1.10 小結20

 習題20

第2章 半導體物理24

 2.1 材料基礎24

  2.1.1 金屬、絕緣體和半導體24

  2.1.2 半導體中的載流子:電子與空穴25

  2.1.3 確定載流子濃度26

 2.2 本徵半導體和非本徵半導體27

  2.2.1 n型半導體28

  2.2.2 p型半導體29

  2.2.3 n型與p型摻雜半導體中的載流子濃度30

 2.3 半導體中的載流子輸運30

  2.3.1 漂移電流31

  2.3.2 擴散電流32

 2.4 pn結34

 2.5 pn結的偏置35

  2.5.1 pn結正偏壓36

  2.5.2 pn結反偏壓36

 2.6 二極管結電容37

 2.7 小結38

 參考文獻38

 習題38

第3章 MOSFET40

 3.1 工作原理40

  3.1.1 作為數字開關的MOSFET40

  3.1.2 MOSFET的物理結構41

  3.1.3 MOS晶體管工作原理:一種描述性方法42

 3.2 MOSFET輸入特性44

 3.3 nMOS晶體管的輸齣特性與電路分析44

 3.4 pMOS晶體管的輸齣特性與電路分析49

 3.5 含有源極和漏極電阻的MOSFET53

 3.6 MOS晶體管的閾值電壓54

 3.7 小結55

 參考文獻56

 習題56

第4章 金屬互連綫性質60

 4.1 金屬互連綫電阻60

  4.1.1 電阻和熱效應62

  4.1.2 薄膜電阻63

  4.1.3 通孔電阻64

 4.2 電容67

  4.2.1 平行闆模型67

  4.2.2 電容功率68

 4.3 電感69

  4.3.1 電感電壓69

  4.3.2 導綫電感70

  4.3.3 電感功率70

 4.4 互連綫RC模型71

  4.4.1 短綫的電容模型71

  4.4.2 長綫的電阻電容模型72

 4.5 小結74

 參考文獻74

 習題74

第5章 CMOS反相器77

 5.1 CMOS反相器概述77

 5.2 電壓轉移麯綫78

 5.3 噪聲容限79

 5.4 對稱電壓轉移麯綫81

 5.5 電流轉移麯綫82

 5.6 VTC圖形分析83

  5.6.1 靜態電壓轉移麯綫83

  5.6.2 動態電壓轉移麯綫85

 5.7 反相器翻轉速度模型86

 5.8 CMOS反相器功耗88

  5.8.1 瞬態功耗88

  5.8.2 短路功耗89

  5.8.3 靜態泄漏功耗91

 5.9 功耗與電源電壓調整91

 5.10 調整反相器緩衝器尺寸以驅動大負載92

 5.11 小結94

 參考文獻94

 習題94

第6章 CMOS“與非”門、“或非”門和傳輸門97

 6.1 “與非”門97

  6.1.1 電路行為98

  6.1.2 “與非”門的非控製邏輯狀態98

 6.2 “與非”門晶體管尺寸調整100

 6.3 “或非”門102

  6.3.1 電路行為102

  6.3.2 “或非”門的非控製邏輯狀態102

 6.4 “或非”門晶體管尺寸調整105

 6.5 通過門與CMOS傳輸門108

  6.5.1 通過門108

  6.5.2 CMOS傳輸門109

  6.5.3 三態邏輯門110

 6.6 小結110

 習題111

第7章 CMOS電路設計風格115

 7.1 布爾代數到晶體管電路圖的轉換115

 7.2 德摩根電路的綜閤118

 7.3 動態CMOS邏輯門120

  7.3.1 動態CMOS邏輯門的特性120

  7.3.2 動態電路中的電荷共享121

 7.4 多米諾CMOS邏輯門123

 7.5 NORA CMOS邏輯門125

 7.6 通過晶體管邏輯門125

 7.7 CMOS傳輸門邏輯設計127

 7.8 功耗及活躍係數128

 7.9 小結132

 參考文獻132

 習題132

第8章 時序邏輯門設計與時序137

 8.1 CMOS鎖存器138

  8.1.1 時鍾控製的鎖存器138

  8.1.2 門控鎖存器139

 8.2 邊沿觸發的存儲元件140

  8.2.1 D觸發器140

  8.2.2 時鍾的邏輯狀態141

  8.2.3 一種三態D觸發器設計141

 8.3 邊沿觸發器的時序規則142

  8.3.1 時序測量143

  8.3.2 違反時序規則的影響144

 8.4 D觸發器在集成電路中的應用145

 8.5 帶延時元件的tsu和thold145

 8.6 包含置位和復位的邊沿觸發器147

 8.7 時鍾生成電路148

 8.8 金屬互連綫寄生效應151

 8.9 時鍾漂移和抖動151

 8.10 芯片設計中的整體係統時序152

  8.10.1 時鍾周期約束152

  8.10.2 時鍾周期約束與漂移153

  8.10.3 保持時間約束153

  8.10.4 考慮漂移和抖動的時鍾周期約束154

 8.11 時序與環境噪聲156

 8.12 小結157

 參考文獻157

 習題158

第9章 IC存儲器電路163

 9.1 存儲器電路結構164

 9.2 存儲器單元165

 9.3 存儲器譯碼器166

  9.3.1 行譯碼器166

  9.3.2 列譯碼器167

 9.4 讀操作168

 9.5 讀操作的晶體管寬長比調整169

 9.6 存儲器寫操作170

  9.6.1 單元寫操作170

  9.6.2 鎖存器轉移麯綫170

 9.7 寫操作的晶體管寬長比調整171

 9.8 列寫電路173

 9.9 讀操作與靈敏放大器174

 9.10 動態存儲器177

  9.10.1 3晶體管DRAM單元177

  9.10.2 1晶體管DRAM單元178

 9.11 小結179

 參考文獻179

 習題179

第10章 PLA、CPLD與FPGA181

 10.1 一種簡單的可編程電路——PLA181

  10.1.1 可編程邏輯門182

  10.1.2 “與”/“或”門陣列183

 10.2 下一步:實現時序電路——CPLD184

  10.2.1 引入時序模塊——CPLD184

  10.2.2 更先進的CPLD186

 10.3 先進的可編程邏輯電路——FPGA190

  10.3.1 Actel ACT FPGA191

  10.3.2 Xilinx Spartan FPGA192

  10.3.3 Altera Cyclone Ⅲ FPGA194

  10.3.4 如今的FPGA196

  10.3.5 利用FPGA工作——設計工具196

 10.4 理解編程寫入技術196

  10.4.1 反熔絲技術196

  10.4.2 EEPROM技術198

  10.4.3 靜態RAM開關技術199

 參考文獻199

第11章 CMOS電路版圖200

 11.1 版圖和設計規則200

 11.2 版圖設計方法:布爾方程、晶體管原理圖和棒圖201

 11.3 利用PowerPoint進行電路版圖布局202

 11.4 設計規則和小間距203

 11.5 CMOS反相器的版圖布局204

  11.5.1 pMOS晶體管的版圖204

  11.5.2 重溫pMOS晶體管版圖的設計規則205

  11.5.3 nMOS晶體管版圖205

  11.5.4 將晶體管閤並到共同的多晶矽柵下206

 11.6 根據設計規則小間距繪製完整的CMOS反相器207

 11.7 多輸入邏輯門的版圖207

 11.8 閤並邏輯門標準單元版圖209

 11.9 更多關於版圖的內容210

 11.10 版圖CAD工具211

 11.11 小結211

第12章 芯片是如何製作的212

 12.1 集成電路製造概覽212

 12.2 矽晶圓片的製備213

 12.3 生産綫的前端和後端213

 12.4 生産綫前端工藝技術214

  12.4.1 矽的氧化214

  12.4.2 光刻214

  12.4.3 蝕刻216

  12.4.4 沉積和離子注入216

 12.5 清潔和安全性操作217

 12.6 晶體管的製造218

 12.7 生産綫後端工藝技術218

  12.7.1 濺射工藝219

  12.7.2 雙金屬鑲嵌法(大馬士革工藝)219

  12.7.3 層間電介質及終鈍化220

 12.8 CMOS反相器的製造220

  12.8.1 前端工藝操作220

  12.8.2 後端工藝操作221

 12.9 芯片封裝221

 12.10 集成電路測試222

 12.11 小結222

 參考文獻222

章末偶數編號習題參考答案223

索引228


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   序言
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《數字邏輯與電路基礎:原理、實現與優化》 內容簡介: 本書旨在為讀者係統地講解數字邏輯和數字集成電路設計的基礎理論、核心原理、關鍵技術及其實現方法。內容涵蓋從最基本的邏輯門電路到復雜的時序邏輯、存儲器、時鍾係統,再到實際的集成電路設計流程和優化策略,力求為讀者構建紮實而全麵的數字電路設計知識體係。本書強調理論與實踐相結閤,通過深入淺齣的講解,輔以豐富的圖示和實例,幫助讀者理解抽象的電路概念,掌握實際的電路設計與分析能力。 第一篇:數字邏輯基礎 本篇將帶領讀者進入數字邏輯的世界,理解數字信號的本質及其運算規則。 第一章:數字信號與邏輯門 數字信號的定義與優勢: 詳細闡述數字信號與模擬信號的區彆,重點介紹數字信號在抗乾擾、精度保持、信息存儲和處理等方麵的顯著優勢,為後續數字電路的設計奠定理論基礎。 二進製數製與運算: 深入講解二進製數的錶示方法、編碼(如ASCII碼、BCD碼)、以及二進製的加、減、乘、除運算,為計算機和數字係統的邏輯處理提供基礎。 基本邏輯門電路: 係統介紹AND、OR、NOT、NAND、NOR、XOR、XNOR等基本邏輯門的功能、邏輯符號、真值錶和布爾錶達式。通過直觀的圖示和簡明的文字,幫助讀者理解這些最基礎的數字處理單元。 布爾代數及其定律: 詳細介紹布爾代數的基本公理(如交換律、結閤律、分配律、德摩根定律、吸收律等)和常用定理。通過推導和實例,展示如何利用布爾代數對邏輯錶達式進行化簡和優化,為電路設計提供簡化和高效的工具。 邏輯函數的最小項與最大項: 講解如何通過真值錶列齣邏輯函數的最小項之和(SOP)和最大項之積(POS)錶達式,以及它們在卡諾圖化簡和硬件實現中的應用。 卡諾圖化簡法: 詳細介紹卡諾圖(Karnaugh Map)的繪製方法和化簡技巧,包括圈選相鄰為1(或0)的區域,以及如何通過卡諾圖獲得最簡和或最簡積形式的邏輯錶達式。本書將涵蓋兩位、三位、四位乃至五位變量的卡諾圖化簡。 組閤邏輯電路的分析與設計: 講解如何根據邏輯功能需求,設計組閤邏輯電路,包括譯碼器、編碼器、多路選擇器(Multiplexer)、數據分配器(Demultiplexer)等。同時,也介紹如何分析已有的組閤邏輯電路的功能。 第二章:時序邏輯電路 觸發器(Flip-Flop): 重點介紹各種類型的觸發器,包括SR觸發器、D觸發器、JK觸發器、T觸發器。詳細分析它們的結構、工作原理、狀態轉移圖、時序圖和激勵錶,以及它們在存儲狀態中的作用。 寄存器(Register): 講解寄存器的構成(由多個觸發器組成),以及移位寄存器(左移、右移、雙嚮移位)和並行加載寄存器的功能與應用。 時鍾(Clock): 闡述時鍾信號在時序邏輯電路中的核心作用,包括時鍾的周期、頻率、占空比、上升沿和下降沿觸發。介紹時鍾信號的産生和分配,以及時鍾抖動(Jitter)和毛刺(Glitches)的影響。 時序電路的狀態圖與狀態錶: 講解如何用狀態圖和狀態錶來描述和設計同步時序電路。通過具體示例,展示如何從狀態圖導齣狀態錶,進而設計電路。 異步時序電路與同步時序電路: 區分異步時序電路和同步時序電路的工作方式,並分析它們各自的優缺點。重點介紹同步時序電路在實際設計中的普遍性及原因。 有限狀態機(FSM): 深入講解Moore型和Mealy型有限狀態機的設計方法。包括狀態的最小化、狀態分配、狀態轉移邏輯和輸齣邏輯的設計。 計數器(Counter): 詳細介紹各種類型的計數器,包括同步計數器、異步計數器、二進製計數器、十進製計數器、環形計數器、扭環計數器等。分析它們的結構、工作原理和應用場景。 第二篇:數字集成電路設計基礎 本篇將進入集成電路設計的範疇,介紹集成電路的基本構成、設計流程以及關鍵的技術考量。 第三章:集成電路基礎 半導體基礎知識: 簡要迴顧半導體材料(如矽)的性質,PN結的形成與特性,以及二極管和三極管(BJT和MOSFET)的基本工作原理。雖然不深入,但提供必要的物理基礎。 MOSFET器件: 重點介紹MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的結構、工作模式(截止、綫性、飽和)、閾值電壓、跨導等關鍵參數。詳細講解NMOS和PMOS管的特性,以及它們作為數字開關的原理。 CMOS反相器: 詳細分析CMOS反相器的結構、工作過程、傳播延遲、功耗特性(動態功耗和靜態功耗)。通過其工作原理,引齣CMOS邏輯電路的優勢。 CMOS基本邏輯門: 講解如何使用NMOS和PMOS管構建CMOS格式的AND、OR、NAND、NOR、XOR等基本邏輯門。分析它們的邏輯功能、電路結構、延遲特性和功耗。 CMOS組閤邏輯電路: 介紹如何設計復雜的CMOS組閤邏輯電路,如多路選擇器、譯碼器、加法器等。關注電路的麵積、功耗和速度優化。 CMOS時序邏輯電路: 講解CMOS觸發器(如靜態D觸發器、動態觸發器)和寄存器的設計,以及時鍾信號在CMOS電路中的傳輸和影響。 CMOS電路的靜態與動態功耗: 深入分析CMOS電路中的靜態功耗(漏電流引起)和動態功耗(開關切換和電容充放電引起)。介紹降低功耗的技術,如時鍾門控、電源門控、低功耗設計技術等。 CMOS電路的延遲分析: 講解影響CMOS電路延遲的因素,包括負載電容、驅動能力、互連綫電阻和電容等。介紹延遲計算的基本方法和優化延遲的策略。 第四章:大規模集成電路(LSI)設計流程 設計層次: 介紹數字集成電路設計的層次化方法,從係統級到邏輯級,再到物理級。 硬件描述語言(HDL): 重點介紹Verilog或VHDL等HDL的基本語法和建模風格。演示如何使用HDL描述組閤邏輯和時序邏輯,以及如何進行行為級仿真。 邏輯綜閤(Logic Synthesis): 闡述邏輯綜閤工具的作用,如何將HDL代碼映射到標準單元庫(Standard Cell Library),並進行邏輯優化以滿足麵積、速度和功耗約束。 靜態時序分析(STA): 講解STA的重要性,如何通過STA工具檢查設計的時序裕度(Setup Time, Hold Time),發現和修復時序違例。 物理設計: 布局(Placement): 介紹如何將邏輯單元放置在芯片區域上,並考慮連綫長度和擁塞。 布綫(Routing): 講解如何連接這些單元的引腳,形成完整的電路互連。 版圖設計(Layout Design): 介紹集成電路的物理版圖錶示,以及如何生成符閤工藝規則的版圖。 物理驗證(Physical Verification): 講解設計規則檢查(DRC)和設計間互連規則檢查(LVS),確保物理版圖符閤製造要求,且電路功能與原理圖一緻。 仿真與驗證: 強調仿真在設計流程中的各個階段的作用,包括功能仿真、門級仿真、時序仿真。介紹形式驗證等高級驗證技術。 第五章:存儲器與接口電路 基本存儲單元: 介紹存儲器的基本概念,如位(bit)、字節(byte)、字(word)。 隨機存取存儲器(RAM): SRAM(靜態隨機存取存儲器): 講解SRAM的基本結構(如6T SRAM單元),工作原理,讀寫操作的時序。介紹SRAM的讀齣電路和寫入電路。 DRAM(動態隨機存取存儲器): 講解DRAM的基本結構(如1T1C DRAM單元),工作原理,以及其刷新(Refresh)機製。分析DRAM與SRAM在性能、密度和功耗上的差異。 隻讀存儲器(ROM): 介紹ROM的類型,如掩膜ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦寫可編程ROM(EPROM)、電可擦可編程ROM(EEPROM)以及閃存(Flash Memory)的基本原理和應用。 接口電路: 介紹常用的輸入輸齣(I/O)接口電路,包括通用輸入輸齣(GPIO)口、總綫接口(如SPI、I2C)、以及串行通信接口(如UART)。 第六章:時鍾和時序優化 時鍾樹綜閤(CTS): 深入講解時鍾信號在芯片中的分配問題,包括時鍾歪斜(Clock Skew)和時鍾抖動(Clock Jitter)的産生與影響。介紹時鍾樹的構建原則和技術,以減小時鍾歪斜。 時序約束(Timing Constraints): 講解如何在HDL代碼或專門的時序約束文件中定義輸入輸齣端口的時序要求,為時序分析和優化提供依據。 時序優化技術: 介紹多種時序優化方法,包括邏輯優化(如改變邏輯結構)、寄存器復製(Register Duplication)、管綫化(Pipelining)、數據路徑重定時(Retiming)等。 時序違例的診斷與修復: 講解如何使用時序分析工具來定位時序違例(Setup Time Violation, Hold Time Violation),並提供有效的修復建議。 第七章:低功耗設計 低功耗設計的重要性: 闡述在移動設備、物聯網和高性能計算等領域,低功耗設計越來越關鍵的原因。 功耗分析與建模: 介紹用於功耗分析的工具和方法,以及不同功耗成分的來源。 常用的低功耗技術: 時鍾門控(Clock Gating): 講解如何選擇性地關閉不工作的模塊的時鍾,以減少動態功耗。 電源門控(Power Gating): 介紹如何關閉空閑功能模塊的電源,以大幅降低靜態功耗。 電壓頻率調整(DVFS): 講解如何根據工作負載動態調整芯片的工作電壓和頻率,以平衡性能和功耗。 低功耗邏輯單元: 介紹使用低功耗標準單元庫的設計方法。 多電壓域設計: 講解如何在一個芯片內設置不同的電壓域,以實現更精細的功耗控製。 附錄: 集成電路設計工具簡介 常用邏輯符號與術語錶 常見布爾代數公式匯總 本書適閤於電子工程、微電子學、計算機科學等專業的本科生、研究生,以及從事集成電路設計、FPGA設計、嵌入式係統開發的工程師。通過學習本書,讀者將能夠深入理解數字集成電路的設計原理,掌握現代集成電路設計流程,並為進一步深入研究高級數字電路和係統打下堅實基礎。

用戶評價

評分

在選購技術書籍時,我總是傾嚮於那些能夠提供深刻見解、並且能夠激發我獨立思考的書籍。《CMOS數字集成電路設計》這本書,從其紮實的標題來看,便給我留下瞭這樣的印象。我期待的不僅僅是學習到現成的設計方法,更希望能夠理解這些方法背後的邏輯和原理。例如,在講解CMOS邏輯門的設計時,我希望作者能夠深入分析不同結構(如靜態CMOS、動態CMOS)的優缺點,以及它們在實際應用中的適用場景。我希望能夠理解為什麼在某些情況下需要選擇特定的電路結構,而不是盲目套用。此外,我特彆關注書中關於設計驗證的部分。一個完善的驗證流程是確保芯片功能正確、性能達標的關鍵。我希望書中能夠涵蓋從功能驗證到形式驗證,再到物理驗證等各個層麵的內容,並且能夠提供一些實用的調試技巧和方法。我希望這本書能夠幫助我培養一種“批判性思維”,在學習知識的同時,也能形成自己獨立判斷和解決問題的能力。最終,我希望通過閱讀這本書,我能夠真正理解CMOS數字集成電路設計的精髓,並能夠運用這些知識去創造和創新。

評分

我一直對集成電路的“幕後故事”充滿好奇,特彆是那些讓芯片能夠如此高效、低功耗運行的精巧設計。《CMOS數字集成電路設計》這本書,從書名來看,就觸及瞭這一核心領域。我希望它不僅僅是羅列各種電路原理,更能深入剖析設計過程中所麵臨的權衡與取捨。比如,在設計一個高性能的處理器核心時,是優先考慮速度,還是功耗?或者是在設計一個低功耗的物聯網芯片時,如何平衡功能的實現與電池壽命?我希望書中能夠引導讀者思考這些問題,並提供實際的設計案例來佐證。我特彆感興趣的是那些能夠顯著提升芯片性能或降低功耗的“黑科技”。這本書是否會介紹一些高級的時鍾樹綜閤技術?或者是一些創新的功耗管理方法?我希望作者能夠用一種引人入勝的方式,將這些復雜的技術講解得生動有趣,而不是枯燥的公式堆砌。畢竟,真正的設計智慧往往體現在那些解決實際問題的巧妙思路和方法上。如果這本書能夠讓我感受到設計的“藝術性”和“科學性”完美結閤的魅力,那將是一次非常值得的閱讀體驗。

評分

剛拿到這本《CMOS數字集成電路設計》,迫不及待地翻閱起來。第一眼就被其厚重的篇幅和嚴謹的排版所吸引,感覺這是一本需要沉下心來慢慢啃的“硬菜”。封麵上“正版書籍”的字樣更是讓我吃瞭一顆定心丸,畢竟在這個信息爆炸的時代,買到一本內容權威、印刷精良的書籍是多麼重要。我一直對集成電路設計領域充滿好奇,特彆是CMOS技術作為當前主流的工藝,其背後蘊含的精妙設計原理和復雜的實現流程,總讓我覺得神秘又充滿挑戰。這本書的齣現,無疑為我打開瞭一扇深入瞭解的窗口。我特彆期待書中能夠詳細講解CMOS器件的工作原理,從最基本的MOS管特性齣發,逐步過渡到各種邏輯門、觸發器等基本電路單元的設計。而且,我希望作者能夠用清晰易懂的語言,配閤豐富的圖示和實例,將那些抽象的概念具象化,讓像我這樣的初學者也能逐步掌握。雖然我目前對集成電路設計的瞭解還比較淺顯,但我堅信,通過對這本書的學習,我能夠建立起紮實的理論基礎,為我日後深入研究打下堅實的基礎。這本書的價值,不僅僅在於知識的傳遞,更在於它能夠點燃我對這個領域的學習熱情,引導我一步步走嚮更廣闊的天地。

評分

作為一個對集成電路行業充滿嚮往的在校學生,我一直在尋找一本能夠係統性介紹CMOS數字集成電路設計流程的書籍。《CMOS數字集成電路設計》這本書以其“正版書籍”的身份,讓我對其內容的權威性和準確性有瞭初步的信任。我關注的重點在於,這本書是否能夠清晰地描繪齣從需求分析到最終芯片流片的全過程。我希望作者能夠詳細闡述在設計流程的各個階段,需要用到哪些工具,遵循哪些規範,以及如何進行驗證。例如,在前端設計階段,如何進行邏輯綜閤,如何使用Verilog或VHDL進行行為級和寄存器傳輸級(RTL)建模;在後端設計階段,如何進行物理布局布綫,如何進行時序收斂和功耗分析。更重要的是,我希望書中能夠強調設計中的各種約束和優化策略,以及如何應對設計中可能齣現的各種錯誤和挑戰。我渴望瞭解一個真實的芯片設計項目是如何從概念走嚮現實的,以及在這個過程中,設計工程師需要具備哪些關鍵技能和知識。如果這本書能夠提供一些行業內的最佳實踐和經驗分享,那將極大地幫助我建立起對整個設計流程的宏觀認識,為我未來的學習和職業發展指明方嚮。

評分

這本書的裝幀設計給我留下瞭深刻的第一印象。厚實的紙張,清晰的字體,以及精美的封麵設計,都透露齣一種專業與品質。我一直認為,一本好的技術書籍,除瞭內容的深度和廣度,其本身的質感和閱讀體驗也至關重要。《CMOS數字集成電路設計》在這方麵做得非常齣色,讓人在翻閱時就能感受到齣版方的用心。我非常欣賞作者在內容編排上的條理性,從基礎概念的引入,到復雜設計的講解,層層遞進,邏輯清晰。我尤其對書中關於時序分析和功耗優化的章節充滿瞭期待。在當今高速發展的電子信息時代,集成電路的性能和功耗是衡量其優劣的關鍵指標。如果這本書能夠提供深入淺齣的講解,並且附帶實際的設計案例,那將是莫大的收獲。我希望能看到作者如何在理論上解釋時序違例的産生原因,以及如何在實際設計中通過各種手段來規避它。同樣,對於功耗優化,我希望能學到各種低功耗設計技術,比如時鍾門控、電源門控、以及動態電壓和頻率調節(DVFS)等。這些都是提升芯片性能和延長電池壽命的關鍵技術。我相信,通過這本書的學習,我將能夠更全麵地理解CMOS數字集成電路設計的核心挑戰,並掌握解決這些挑戰的有效方法。

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