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美查尔斯.霍金斯Charles Hawkins等 著

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出版社： 机械工业出版社

ISBN：9787111529330

商品编码：28141598256

包装：平装

出版时间：2016-04-01

图书基本信息
图书名称	CMOS数字集成电路设计
作者	(美)查尔斯.霍金斯(Charles Hawkins)等
定价	69.00元
出版社	机械工业出版社
ISBN	9787111529330
出版日期	2016-04-01
字数
页码
版次	1
装帧	平装
开本	16开
商品重量	0.4Kg

内容简介

本书中文简体字版由IET授权机械工业出版社出版。未经出版者书面许可，不得以任何方式复制或抄袭本书内容。 本书涵盖了CMOS数字集成电路的设计技术，教材的编写采用新颖的讲述方法，并不要求学生已经学习过模拟电子学的知识，有利于教师灵活地安排教学计划。本书完全放弃了涉及双极型器件的内容，只关注数字集成电路的主流工艺——CMOS数字电路设计。书中引入大量的实例，每章后也给出了丰富的习题，使得学生能够将学到的知识与实际结合。本书可作为CMOS数字集成电路的本科教材。

作者简介

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目录

目　　录 出版者的话 译者序 序 前言 第1章　基本逻辑门和电路原理1 　1.1　逻辑门和布尔代数1 　1.2　布尔和逻辑门化简3 　1.3　时序电路4 　1.4　电压和电流定律6 　　1.4.1　端口电阻的观察法分析6 　　1.4.2　基尔霍夫电压定律与观察法分析7 　　1.4.3　基尔霍夫电流定律与观察法分析9 　　1.4.4　基于观察法的分压器和分流器混合分析10 　1.5　电阻的功率消耗11 　1.6　电容13 　　1.6.1　电容器能量与功率14 　　1.6.2　电容分压器15 　1.7　电感16 　1.8　二极管非线性电路分析16 　1.9　关于功率19 　1.10　小结20 　习题20 第2章　半导体物理24 　2.1　材料基础24 　　2.1.1　金属、绝缘体和半导体24 　　2.1.2　半导体中的载流子：电子与空穴25 　　2.1.3　确定载流子浓度26 　2.2　本征半导体和非本征半导体27 　　2.2.1　n型半导体28 　　2.2.2　p型半导体29 　　2.2.3　n型与p型掺杂半导体中的载流子浓度30 　2.3　半导体中的载流子输运30 　　2.3.1　漂移电流31 　　2.3.2　扩散电流32 　2.4　pn结34 　2.5　pn结的偏置35 　　2.5.1　pn结正偏压36 　　2.5.2　pn结反偏压36 　2.6　二极管结电容37 　2.7　小结38 　参考文献38 　习题38 第3章　MOSFET40 　3.1　工作原理40 　　3.1.1　作为数字开关的MOSFET40 　　3.1.2　MOSFET的物理结构41 　　3.1.3　MOS晶体管工作原理：一种描述性方法42 　3.2　MOSFET输入特性44 　3.3　nMOS晶体管的输出特性与电路分析44 　3.4　pMOS晶体管的输出特性与电路分析49 　3.5　含有源极和漏极电阻的MOSFET53 　3.6　MOS晶体管的阈值电压54 　3.7　小结55 　参考文献56 　习题56 第4章　金属互连线性质60 　4.1　金属互连线电阻60 　　4.1.1　电阻和热效应62 　　4.1.2　薄膜电阻63 　　4.1.3　通孔电阻64 　4.2　电容67 　　4.2.1　平行板模型67 　　4.2.2　电容功率68 　4.3　电感69 　　4.3.1　电感电压69 　　4.3.2　导线电感70 　　4.3.3　电感功率70 　4.4　互连线RC模型71 　　4.4.1　短线的电容模型71 　　4.4.2　长线的电阻电容模型72 　4.5　小结74 　参考文献74 　习题74 第5章　CMOS反相器77 　5.1　CMOS反相器概述77 　5.2　电压转移曲线78 　5.3　噪声容限79 　5.4　对称电压转移曲线81 　5.5　电流转移曲线82 　5.6　VTC图形分析83 　　5.6.1　静态电压转移曲线83 　　5.6.2　动态电压转移曲线85 　5.7　反相器翻转速度模型86 　5.8　CMOS反相器功耗88 　　5.8.1　瞬态功耗88 　　5.8.2　短路功耗89 　　5.8.3　静态泄漏功耗91 　5.9　功耗与电源电压调整91 　5.10　调整反相器缓冲器尺寸以驱动大负载92 　5.11　小结94 　参考文献94 　习题94 第6章　CMOS“与非”门、“或非”门和传输门97 　6.1　“与非”门97 　　6.1.1　电路行为98 　　6.1.2　“与非”门的非控制逻辑状态98 　6.2　“与非”门晶体管尺寸调整100 　6.3　“或非”门102 　　6.3.1　电路行为102 　　6.3.2　“或非”门的非控制逻辑状态102 　6.4　“或非”门晶体管尺寸调整105 　6.5　通过门与CMOS传输门108 　　6.5.1　通过门108 　　6.5.2　CMOS传输门109 　　6.5.3　三态逻辑门110 　6.6　小结110 　习题111 第7章　CMOS电路设计风格115 　7.1　布尔代数到晶体管电路图的转换115 　7.2　德摩根电路的综合118 　7.3　动态CMOS逻辑门120 　　7.3.1　动态CMOS逻辑门的特性120 　　7.3.2　动态电路中的电荷共享121 　7.4　多米诺CMOS逻辑门123 　7.5　NORA CMOS逻辑门125 　7.6　通过晶体管逻辑门125 　7.7　CMOS传输门逻辑设计127 　7.8　功耗及活跃系数128 　7.9　小结132 　参考文献132 　习题132 第8章　时序逻辑门设计与时序137 　8.1　CMOS锁存器138 　　8.1.1　时钟控制的锁存器138 　　8.1.2　门控锁存器139 　8.2　边沿触发的存储元件140 　　8.2.1　D触发器140 　　8.2.2　时钟的逻辑状态141 　　8.2.3　一种三态D触发器设计141 　8.3　边沿触发器的时序规则142 　　8.3.1　时序测量143 　　8.3.2　违反时序规则的影响144 　8.4　D触发器在集成电路中的应用145 　8.5　带延时元件的tsu和thold145 　8.6　包含置位和复位的边沿触发器147 　8.7　时钟生成电路148 　8.8　金属互连线寄生效应151 　8.9　时钟漂移和抖动151 　8.10　芯片设计中的整体系统时序152 　　8.10.1　时钟周期约束152 　　8.10.2　时钟周期约束与漂移153 　　8.10.3　保持时间约束153 　　8.10.4　考虑漂移和抖动的时钟周期约束154 　8.11　时序与环境噪声156 　8.12　小结157 　参考文献157 　习题158 第9章　IC存储器电路163 　9.1　存储器电路结构164 　9.2　存储器单元165 　9.3　存储器译码器166 　　9.3.1　行译码器166 　　9.3.2　列译码器167 　9.4　读操作168 　9.5　读操作的晶体管宽长比调整169 　9.6　存储器写操作170 　　9.6.1　单元写操作170 　　9.6.2　锁存器转移曲线170 　9.7　写操作的晶体管宽长比调整171 　9.8　列写电路173 　9.9　读操作与灵敏放大器174 　9.10　动态存储器177 　　9.10.1　3晶体管DRAM单元177 　　9.10.2　1晶体管DRAM单元178 　9.11　小结179 　参考文献179 　习题179 第10章　PLA、CPLD与FPGA181 　10.1　一种简单的可编程电路——PLA181 　　10.1.1　可编程逻辑门182 　　10.1.2　“与”/“或”门阵列183 　10.2　下一步：实现时序电路——CPLD184 　　10.2.1　引入时序模块——CPLD184 　　10.2.2　更先进的CPLD186 　10.3　先进的可编程逻辑电路——FPGA190 　　10.3.1　Actel ACT FPGA191 　　10.3.2　Xilinx Spartan FPGA192 　　10.3.3　Altera Cyclone Ⅲ FPGA194 　　10.3.4　如今的FPGA196 　　10.3.5　利用FPGA工作——设计工具196 　10.4　理解编程写入技术196 　　10.4.1　反熔丝技术196 　　10.4.2　EEPROM技术198 　　10.4.3　静态RAM开关技术199 　参考文献199 第11章　CMOS电路版图200 　11.1　版图和设计规则200 　11.2　版图设计方法：布尔方程、晶体管原理图和棒图201 　11.3　利用PowerPoint进行电路版图布局202 　11.4　设计规则和小间距203 　11.5　CMOS反相器的版图布局204 　　11.5.1　pMOS晶体管的版图204 　　11.5.2　重温pMOS晶体管版图的设计规则205 　　11.5.3　nMOS晶体管版图205 　　11.5.4　将晶体管合并到共同的多晶硅栅下206 　11.6　根据设计规则小间距绘制完整的CMOS反相器207 　11.7　多输入逻辑门的版图207 　11.8　合并逻辑门标准单元版图209 　11.9　更多关于版图的内容210 　11.10　版图CAD工具211 　11.11　小结211 第12章　芯片是如何制作的212 　12.1　集成电路制造概览212 　12.2　硅晶圆片的制备213 　12.3　生产线的前端和后端213 　12.4　生产线前端工艺技术214 　　12.4.1　硅的氧化214 　　12.4.2　光刻214 　　12.4.3　蚀刻216 　　12.4.4　沉积和离子注入216 　12.5　清洁和安全性操作217 　12.6　晶体管的制造218 　12.7　生产线后端工艺技术218 　　12.7.1　溅射工艺219 　　12.7.2　双金属镶嵌法（大马士革工艺）219 　　12.7.3　层间电介质及终钝化220 　12.8　CMOS反相器的制造220 　　12.8.1　前端工艺操作220 　　12.8.2　后端工艺操作221 　12.9　芯片封装221 　12.10　集成电路测试222 　12.11　小结222 　参考文献222 章末偶数编号习题参考答案223 索引228

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文摘

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序言

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《数字逻辑与电路基础：原理、实现与优化》 内容简介： 本书旨在为读者系统地讲解数字逻辑和数字集成电路设计的基础理论、核心原理、关键技术及其实现方法。内容涵盖从最基本的逻辑门电路到复杂的时序逻辑、存储器、时钟系统，再到实际的集成电路设计流程和优化策略，力求为读者构建扎实而全面的数字电路设计知识体系。本书强调理论与实践相结合，通过深入浅出的讲解，辅以丰富的图示和实例，帮助读者理解抽象的电路概念，掌握实际的电路设计与分析能力。 第一篇：数字逻辑基础 本篇将带领读者进入数字逻辑的世界，理解数字信号的本质及其运算规则。 第一章：数字信号与逻辑门 数字信号的定义与优势： 详细阐述数字信号与模拟信号的区别，重点介绍数字信号在抗干扰、精度保持、信息存储和处理等方面的显著优势，为后续数字电路的设计奠定理论基础。 二进制数制与运算： 深入讲解二进制数的表示方法、编码（如ASCII码、BCD码）、以及二进制的加、减、乘、除运算，为计算机和数字系统的逻辑处理提供基础。 基本逻辑门电路： 系统介绍AND、OR、NOT、NAND、NOR、XOR、XNOR等基本逻辑门的功能、逻辑符号、真值表和布尔表达式。通过直观的图示和简明的文字，帮助读者理解这些最基础的数字处理单元。 布尔代数及其定律： 详细介绍布尔代数的基本公理（如交换律、结合律、分配律、德摩根定律、吸收律等）和常用定理。通过推导和实例，展示如何利用布尔代数对逻辑表达式进行化简和优化，为电路设计提供简化和高效的工具。 逻辑函数的最小项与最大项： 讲解如何通过真值表列出逻辑函数的最小项之和（SOP）和最大项之积（POS）表达式，以及它们在卡诺图化简和硬件实现中的应用。 卡诺图化简法： 详细介绍卡诺图（Karnaugh Map）的绘制方法和化简技巧，包括圈选相邻为1（或0）的区域，以及如何通过卡诺图获得最简和或最简积形式的逻辑表达式。本书将涵盖两位、三位、四位乃至五位变量的卡诺图化简。 组合逻辑电路的分析与设计： 讲解如何根据逻辑功能需求，设计组合逻辑电路，包括译码器、编码器、多路选择器（Multiplexer）、数据分配器（Demultiplexer）等。同时，也介绍如何分析已有的组合逻辑电路的功能。 第二章：时序逻辑电路 触发器（Flip-Flop）： 重点介绍各种类型的触发器，包括SR触发器、D触发器、JK触发器、T触发器。详细分析它们的结构、工作原理、状态转移图、时序图和激励表，以及它们在存储状态中的作用。 寄存器（Register）： 讲解寄存器的构成（由多个触发器组成），以及移位寄存器（左移、右移、双向移位）和并行加载寄存器的功能与应用。 时钟（Clock）： 阐述时钟信号在时序逻辑电路中的核心作用，包括时钟的周期、频率、占空比、上升沿和下降沿触发。介绍时钟信号的产生和分配，以及时钟抖动（Jitter）和毛刺（Glitches）的影响。 时序电路的状态图与状态表： 讲解如何用状态图和状态表来描述和设计同步时序电路。通过具体示例，展示如何从状态图导出状态表，进而设计电路。 异步时序电路与同步时序电路： 区分异步时序电路和同步时序电路的工作方式，并分析它们各自的优缺点。重点介绍同步时序电路在实际设计中的普遍性及原因。 有限状态机（FSM）： 深入讲解Moore型和Mealy型有限状态机的设计方法。包括状态的最小化、状态分配、状态转移逻辑和输出逻辑的设计。 计数器（Counter）： 详细介绍各种类型的计数器，包括同步计数器、异步计数器、二进制计数器、十进制计数器、环形计数器、扭环计数器等。分析它们的结构、工作原理和应用场景。 第二篇：数字集成电路设计基础 本篇将进入集成电路设计的范畴，介绍集成电路的基本构成、设计流程以及关键的技术考量。 第三章：集成电路基础 半导体基础知识： 简要回顾半导体材料（如硅）的性质，PN结的形成与特性，以及二极管和三极管（BJT和MOSFET）的基本工作原理。虽然不深入，但提供必要的物理基础。 MOSFET器件： 重点介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的结构、工作模式（截止、线性、饱和）、阈值电压、跨导等关键参数。详细讲解NMOS和PMOS管的特性，以及它们作为数字开关的原理。 CMOS反相器： 详细分析CMOS反相器的结构、工作过程、传播延迟、功耗特性（动态功耗和静态功耗）。通过其工作原理，引出CMOS逻辑电路的优势。 CMOS基本逻辑门： 讲解如何使用NMOS和PMOS管构建CMOS格式的AND、OR、NAND、NOR、XOR等基本逻辑门。分析它们的逻辑功能、电路结构、延迟特性和功耗。 CMOS组合逻辑电路： 介绍如何设计复杂的CMOS组合逻辑电路，如多路选择器、译码器、加法器等。关注电路的面积、功耗和速度优化。 CMOS时序逻辑电路： 讲解CMOS触发器（如静态D触发器、动态触发器）和寄存器的设计，以及时钟信号在CMOS电路中的传输和影响。 CMOS电路的静态与动态功耗： 深入分析CMOS电路中的静态功耗（漏电流引起）和动态功耗（开关切换和电容充放电引起）。介绍降低功耗的技术，如时钟门控、电源门控、低功耗设计技术等。 CMOS电路的延迟分析： 讲解影响CMOS电路延迟的因素，包括负载电容、驱动能力、互连线电阻和电容等。介绍延迟计算的基本方法和优化延迟的策略。 第四章：大规模集成电路（LSI）设计流程 设计层次： 介绍数字集成电路设计的层次化方法，从系统级到逻辑级，再到物理级。 硬件描述语言（HDL）： 重点介绍Verilog或VHDL等HDL的基本语法和建模风格。演示如何使用HDL描述组合逻辑和时序逻辑，以及如何进行行为级仿真。 逻辑综合（Logic Synthesis）： 阐述逻辑综合工具的作用，如何将HDL代码映射到标准单元库（Standard Cell Library），并进行逻辑优化以满足面积、速度和功耗约束。 静态时序分析（STA）： 讲解STA的重要性，如何通过STA工具检查设计的时序裕度（Setup Time, Hold Time），发现和修复时序违例。 物理设计： 布局（Placement）： 介绍如何将逻辑单元放置在芯片区域上，并考虑连线长度和拥塞。 布线（Routing）： 讲解如何连接这些单元的引脚，形成完整的电路互连。 版图设计（Layout Design）： 介绍集成电路的物理版图表示，以及如何生成符合工艺规则的版图。 物理验证（Physical Verification）： 讲解设计规则检查（DRC）和设计间互连规则检查（LVS），确保物理版图符合制造要求，且电路功能与原理图一致。 仿真与验证： 强调仿真在设计流程中的各个阶段的作用，包括功能仿真、门级仿真、时序仿真。介绍形式验证等高级验证技术。 第五章：存储器与接口电路 基本存储单元： 介绍存储器的基本概念，如位（bit）、字节（byte）、字（word）。 随机存取存储器（RAM）： SRAM（静态随机存取存储器）： 讲解SRAM的基本结构（如6T SRAM单元），工作原理，读写操作的时序。介绍SRAM的读出电路和写入电路。 DRAM（动态随机存取存储器）： 讲解DRAM的基本结构（如1T1C DRAM单元），工作原理，以及其刷新（Refresh）机制。分析DRAM与SRAM在性能、密度和功耗上的差异。 只读存储器（ROM）： 介绍ROM的类型，如掩膜ROM（MROM）、可编程ROM（PROM）、可擦写可编程ROM（EPROM）、电可擦可编程ROM（EEPROM）以及闪存（Flash Memory）的基本原理和应用。 接口电路： 介绍常用的输入输出（I/O）接口电路，包括通用输入输出（GPIO）口、总线接口（如SPI、I2C）、以及串行通信接口（如UART）。 第六章：时钟和时序优化 时钟树综合（CTS）： 深入讲解时钟信号在芯片中的分配问题，包括时钟歪斜（Clock Skew）和时钟抖动（Clock Jitter）的产生与影响。介绍时钟树的构建原则和技术，以减小时钟歪斜。 时序约束（Timing Constraints）： 讲解如何在HDL代码或专门的时序约束文件中定义输入输出端口的时序要求，为时序分析和优化提供依据。 时序优化技术： 介绍多种时序优化方法，包括逻辑优化（如改变逻辑结构）、寄存器复制（Register Duplication）、管线化（Pipelining）、数据路径重定时（Retiming）等。 时序违例的诊断与修复： 讲解如何使用时序分析工具来定位时序违例（Setup Time Violation, Hold Time Violation），并提供有效的修复建议。 第七章：低功耗设计 低功耗设计的重要性： 阐述在移动设备、物联网和高性能计算等领域，低功耗设计越来越关键的原因。 功耗分析与建模： 介绍用于功耗分析的工具和方法，以及不同功耗成分的来源。 常用的低功耗技术： 时钟门控（Clock Gating）： 讲解如何选择性地关闭不工作的模块的时钟，以减少动态功耗。 电源门控（Power Gating）： 介绍如何关闭空闲功能模块的电源，以大幅降低静态功耗。 电压频率调整（DVFS）： 讲解如何根据工作负载动态调整芯片的工作电压和频率，以平衡性能和功耗。 低功耗逻辑单元： 介绍使用低功耗标准单元库的设计方法。 多电压域设计： 讲解如何在一个芯片内设置不同的电压域，以实现更精细的功耗控制。 附录： 集成电路设计工具简介 常用逻辑符号与术语表 常见布尔代数公式汇总 本书适合于电子工程、微电子学、计算机科学等专业的本科生、研究生，以及从事集成电路设计、FPGA设计、嵌入式系统开发的工程师。通过学习本书，读者将能够深入理解数字集成电路的设计原理，掌握现代集成电路设计流程，并为进一步深入研究高级数字电路和系统打下坚实基础。

评分☆☆☆☆☆

我一直对集成电路的“幕后故事”充满好奇，特别是那些让芯片能够如此高效、低功耗运行的精巧设计。《CMOS数字集成电路设计》这本书，从书名来看，就触及了这一核心领域。我希望它不仅仅是罗列各种电路原理，更能深入剖析设计过程中所面临的权衡与取舍。比如，在设计一个高性能的处理器核心时，是优先考虑速度，还是功耗？或者是在设计一个低功耗的物联网芯片时，如何平衡功能的实现与电池寿命？我希望书中能够引导读者思考这些问题，并提供实际的设计案例来佐证。我特别感兴趣的是那些能够显著提升芯片性能或降低功耗的“黑科技”。这本书是否会介绍一些高级的时钟树综合技术？或者是一些创新的功耗管理方法？我希望作者能够用一种引人入胜的方式，将这些复杂的技术讲解得生动有趣，而不是枯燥的公式堆砌。毕竟，真正的设计智慧往往体现在那些解决实际问题的巧妙思路和方法上。如果这本书能够让我感受到设计的“艺术性”和“科学性”完美结合的魅力，那将是一次非常值得的阅读体验。

评分☆☆☆☆☆

作为一个对集成电路行业充满向往的在校学生，我一直在寻找一本能够系统性介绍CMOS数字集成电路设计流程的书籍。《CMOS数字集成电路设计》这本书以其“正版书籍”的身份，让我对其内容的权威性和准确性有了初步的信任。我关注的重点在于，这本书是否能够清晰地描绘出从需求分析到最终芯片流片的全过程。我希望作者能够详细阐述在设计流程的各个阶段，需要用到哪些工具，遵循哪些规范，以及如何进行验证。例如，在前端设计阶段，如何进行逻辑综合，如何使用Verilog或VHDL进行行为级和寄存器传输级（RTL）建模；在后端设计阶段，如何进行物理布局布线，如何进行时序收敛和功耗分析。更重要的是，我希望书中能够强调设计中的各种约束和优化策略，以及如何应对设计中可能出现的各种错误和挑战。我渴望了解一个真实的芯片设计项目是如何从概念走向现实的，以及在这个过程中，设计工程师需要具备哪些关键技能和知识。如果这本书能够提供一些行业内的最佳实践和经验分享，那将极大地帮助我建立起对整个设计流程的宏观认识，为我未来的学习和职业发展指明方向。

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这本书的装帧设计给我留下了深刻的第一印象。厚实的纸张，清晰的字体，以及精美的封面设计，都透露出一种专业与品质。我一直认为，一本好的技术书籍，除了内容的深度和广度，其本身的质感和阅读体验也至关重要。《CMOS数字集成电路设计》在这方面做得非常出色，让人在翻阅时就能感受到出版方的用心。我非常欣赏作者在内容编排上的条理性，从基础概念的引入，到复杂设计的讲解，层层递进，逻辑清晰。我尤其对书中关于时序分析和功耗优化的章节充满了期待。在当今高速发展的电子信息时代，集成电路的性能和功耗是衡量其优劣的关键指标。如果这本书能够提供深入浅出的讲解，并且附带实际的设计案例，那将是莫大的收获。我希望能看到作者如何在理论上解释时序违例的产生原因，以及如何在实际设计中通过各种手段来规避它。同样，对于功耗优化，我希望能学到各种低功耗设计技术，比如时钟门控、电源门控、以及动态电压和频率调节（DVFS）等。这些都是提升芯片性能和延长电池寿命的关键技术。我相信，通过这本书的学习，我将能够更全面地理解CMOS数字集成电路设计的核心挑战，并掌握解决这些挑战的有效方法。

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在选购技术书籍时，我总是倾向于那些能够提供深刻见解、并且能够激发我独立思考的书籍。《CMOS数字集成电路设计》这本书，从其扎实的标题来看，便给我留下了这样的印象。我期待的不仅仅是学习到现成的设计方法，更希望能够理解这些方法背后的逻辑和原理。例如，在讲解CMOS逻辑门的设计时，我希望作者能够深入分析不同结构（如静态CMOS、动态CMOS）的优缺点，以及它们在实际应用中的适用场景。我希望能够理解为什么在某些情况下需要选择特定的电路结构，而不是盲目套用。此外，我特别关注书中关于设计验证的部分。一个完善的验证流程是确保芯片功能正确、性能达标的关键。我希望书中能够涵盖从功能验证到形式验证，再到物理验证等各个层面的内容，并且能够提供一些实用的调试技巧和方法。我希望这本书能够帮助我培养一种“批判性思维”，在学习知识的同时，也能形成自己独立判断和解决问题的能力。最终，我希望通过阅读这本书，我能够真正理解CMOS数字集成电路设计的精髓，并能够运用这些知识去创造和创新。

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刚拿到这本《CMOS数字集成电路设计》，迫不及待地翻阅起来。第一眼就被其厚重的篇幅和严谨的排版所吸引，感觉这是一本需要沉下心来慢慢啃的“硬菜”。封面上“正版书籍”的字样更是让我吃了一颗定心丸，毕竟在这个信息爆炸的时代，买到一本内容权威、印刷精良的书籍是多么重要。我一直对集成电路设计领域充满好奇，特别是CMOS技术作为当前主流的工艺，其背后蕴含的精妙设计原理和复杂的实现流程，总让我觉得神秘又充满挑战。这本书的出现，无疑为我打开了一扇深入了解的窗口。我特别期待书中能够详细讲解CMOS器件的工作原理，从最基本的MOS管特性出发，逐步过渡到各种逻辑门、触发器等基本电路单元的设计。而且，我希望作者能够用清晰易懂的语言，配合丰富的图示和实例，将那些抽象的概念具象化，让像我这样的初学者也能逐步掌握。虽然我目前对集成电路设计的了解还比较浅显，但我坚信，通过对这本书的学习，我能够建立起扎实的理论基础，为我日后深入研究打下坚实的基础。这本书的价值，不仅仅在于知识的传递，更在于它能够点燃我对这个领域的学习热情，引导我一步步走向更广阔的天地。