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付越 著

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店铺： 布克专营店

出版社： 机械工业出版社

ISBN：9787111592730

商品编码：28281720641

包装：平装-胶订

开本：16

出版时间：2018-05-01

页数：321

字数：393000

商品参数

集成功率器件设计及TCAD仿真
	定价	125.00
	出版社	机械工业出版社
	版次	1
	出版时间	2018年05月
	开本	16开
	作者	付越
	装帧	平装-胶订
	页数	321
	字数	393000
	ISBN编码	9787111592730
	重量	515

内容介绍
本书从电力电子到功率集成电路（PIC）、智能功率技术、器件等方面给电源管理和半导体产业提供了一个完整的描述。本书不仅介绍了集成功率半导体器件，如横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOSFET）、横向绝缘栅双极型晶体管（LIGBT）和超结LDMOSFET的内部物理现象，还对电源管理系统进行了一个简单的介绍。本书运用计算机辅助设计技术（TCAD）仿真实例讲解集成功率半导体器件的设计，代替抽象的理论处理和令人生畏的方程，并且还探讨了下一代功率器件，如氮化镓高电子迁移率功率晶体管（GaN功率HEMT）。本书内容有助于填补功率器件工程和电源管理系统之间的空白。书中包括智能PIC的一个典型的工艺流程以及很难在其他同类书中找到的技术开发组织图，通过对本书的阅读，可以使学生和年轻的工程师在功率半导体器件领域&先一步。

目录

原书前言  
作者简介  
第１章　电力电子，可以实现绿色的技术１  
　１.１　电力电子介绍１  
　１.２　电力电子的发展历程３  
　１.３　ＤＣ／ＤＣ变换器４  
　１.４　线性稳压器４  
　１.５　开关电容ＤＣ／ＤＣ变换器（电荷泵） ５  
　１.６　开关模式ＤＣ／ＤＣ变换器６  
　１.７　线性稳压器、电荷泵和开关调节器的比较８  
　１.８　非隔离ＤＣ／ＤＣ开关变换器的拓扑结构８  
　　１.８.１　Ｂｕｃｋ变换器９  
　　１.８.２　Ｂｏｏｓｔ变换器１１  
　　１.８.３　Ｂｕｃｋ－ｂｏｏｓｔ变换器１２  
　　１.８.４　Ｃｕｋ变换器１４  
　　１.８.５　非隔离式变换器额外的话题１４  
　１.９　隔离的开关变换器拓扑结构１６  
　　１.９.１　反激式变换器１６  
　　１.９.２　正激式变换器１７  
　　１.９.３　全桥变换器１８  
　　１.９.４　半桥变换器１９  
　　１.９.５　推挽变换器２０  
　　１.９.６　隔离ＤＣ／ＤＣ变换器其他话题２０  
　　１.９.７　隔离ＤＣ／ＤＣ变换器拓扑结构的比较２２  
　１.１０　ＳＰＩＣＥ电路仿真２２  
　１.１１　对于电池供电器件的电源管理系统２３  
　１.１２　小结２４  
第２章　功率变换器和电源管理芯片２５  
　２.１　用于ＶＬＳＩ电源管理的动态电压调节２５  
　２.２　集成的ＤＣ／ＤＣ变换器２７  
　　２.２.１　分段的输出级２９  
　　２.２.２　一个辅助级的瞬态抑制３２  
　２.３　小结３６  
第３章　半导体产业和超摩尔定律３７  
　３.１　半导体产业３７  
　３.２　半导体产业的历史３８  
　　３.２.１　一个简要的时间表３８  
　　３.２.２　八叛逆３８  
　　３.２.３　半导体产业的历史路线图３９  
　３.３　半导体产业的食物链金字塔４０  
　　３.３.１　第１层：晶圆和ＥＤＡ工具４１  
　　３.３.２　第２层：器件工程４２  
　　３.３.３　第３层：ＩＣ设计４２  
　　３.３.４　第４层：制造、封装和测试４３  
　　３.３.５　第５层：系统和软件４３  
　　３.３.６　第６层：市场营销４４  
　３.４　半导体公司４５  
　３.５　超摩尔定律４６  
第４章　智能功率ＩＣ技术４９  
　４.１　智能功率ＩＣ技术基础４９  
　４.２　智能功率ＩＣ技术：历史展望５０  
　４.３　智能功率ＩＣ技术：产业展望５２  
　　４.３.１　智能功率ＩＣ技术的工程组５２  
　　４.３.２　智能功率ＩＣ技术开发流程５５  
　　４.３.３　计划阶段５６  
　　４.３.４　工艺集成和器件设计５７  
　　４.３.５　布图、投片、制造和测试５８  
　　４.３.６　可靠性和标准５９  
　　４.３.７　目前智能功率技术的概述６０  
　４.４　智能功率ＩＣ技术：技术展望６１  
　　４.４.１　智能功率技术中的器件６２  
　　４.４.２　智能功率ＩＣ技术的设计考虑６２  
　　４.４.３　隔离方法６５  
第５章　ＴＣＡＤ工艺仿真介绍６７  
　５.１　概述６７  
　５.２　网格设置和初始化６７  
　５.３　离子注入６９  
　　５.３.１分析模型７０  
　　５.３.２　多层注入７１  
目　　录Ⅸ　  
　　５.３.３　ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟７１  
　５.４　淀积７２  
　５.５　氧化７３  
　　５.５.１　干氧氧化７３  
　　５.５.２　湿氧氧化７４  
　　５.５.３　氧化模型７４  
　５.６　刻蚀７６  
　５.７　扩散７７  
　　５.７.１　扩散机制７８  
　　５.７.２　扩散模型７９  
　５.８　分凝８０  
　５.９　工艺模拟器模型的校准８３  
　５.１０　３Ｄ ＴＣＡＤ工艺仿真介绍８４  
　５.１１　ＧＰＵ仿真８５  
第６章　ＴＣＡＤ器件仿真介绍８７  
　６.１　概述８７  
　６.２　器件仿真基础８７  
　　６.２.１　漂移－扩散模型８７  
　　６.２.２　离散化８８  
　　６.２.３　Ｎｅｗｔｏｎ方法８９  
　　６.２.４　初始猜测和自适应偏置步长８９  
　　６.２.５　收敛问题９０  
　　６.２.６　边界条件９１  
　　６.２.７　瞬态仿真９３  
　　６.２.８　网格问题９３  
　６.３　物理模型９３  
　　６.３.１　载流子统计９４  
　　６.３.２　杂质的不wan全电离９４  
　　６.３.３　重掺杂效应９４  
　　６.３.４　ＳＲＨ和Ａｕｇｅｒ复合９４  
　　６.３.５　雪崩击穿和碰撞电离９５  
　　６.３.６　载流子迁移率１０１  
　　６.３.７　热和自加热１０６  
　　６.３.８　带隙变窄效应１０７  
　６.４　ＡＣ分析１０７  
　　６.４.１　引言１０７  
　　６.４.２　基本的公式１０８  
　　６.４.３　在ＴＣＡＤ中的ＡＣ分析１１０  
　Ⅹ 集成功率器件设计及ＴＣＡＤ仿真  
　６.５　在ＴＣＡＤ仿真中的陷阱模型１１１  
　　６.５.１　陷阱电荷的状态１１１  
　　６.５.２　陷阱动力学１１２  
　６.６　量子隧穿１１５  
　　６.６.１　功率器件中量子隧穿的重要性１１５  
　　６.６.２　ＴＣＡＤ仿真的基本隧穿理论１１６  
　　６.６.３　隧穿的非平衡Ｇｒｅｅｎ函数的介绍１１８  
　６.７　器件仿真器模型的校准１１９  
第７章　功率ＩＣ工艺流程的ＴＣＡＤ仿真１２０  
　７.１　概述１２０  
　７.２　一个模拟的功率ＩＣ工艺流程１２０  
　　７.２.１　工艺流程步骤１２０  
　　７.２.２　模拟的工艺流程的结构视图１２１  
　７.３　智能功率ＩＣ工艺流程模拟１２２  
　　７.３.１　Ｐ＋衬底１２２  
　　７.３.２　Ｎ型掩埋层１２３  
　　７.３.３　外延层生长和深Ｎ连接１２５  
　　７.３.４　高压双阱１２７  
　　７.３.５　Ｎ－ＬＤＭＯＳ的Ｐ型体注入１２８  
　　７.３.６　有源区面积／浅沟槽隔离（ＳＴＩ） １２９  
　　７.３.７　Ｎ阱和Ｐ阱１３４  
　　７.３.８　低压双阱１３５  
　　７.３.９　厚栅氧层和薄栅氧层１３６  
　　７.３.１０　多晶栅１３９  
　　７.３.１１　ＮＬＤＤ和ＰＬＤＤ １３９  
　　７.３.１２　侧墙１４１  
　　７.３.１３　ＮＳＤ和ＰＳＤ １４２  
　　７.３.１４　后端工序１４４  
第８章　集成功率半导体器件的ＴＣＡＤ仿真１５０  
　８.１　ＰＮ结二极管１５０  
　　８.１.１　ＰＮ结基础１５０  
　　８.１.２　在平衡时的横向ＰＮ结二极管１５１  
　　８.１.３　正向导通（导通态） １５３  
　　８.１.４　一个ＰＮ结二极管的反向偏置１５６  
　　８.１.５　具有ＮＢＬ的横向ＰＮ结二极管１５６  
　　８.１.６　ＰＮ结二极管的击穿电压增强１５８  
　　８.１.７　反向恢复１６６  
　　８.１.８　Ｓｃｈｏｔｔｋｙ二极管１６９  
目　　录Ⅺ　  
　　８.１.９　Ｚｅｎｅｒ二极管１７０  
　　８.１.１０　ＰＮ结二极管的小信号模型１７３  
　８.２　双极结型晶体管１７４  
　　８.２.１　ＮＰＮ型ＢＪＴ的基本工作原理１７５  
　　８.２.２　ＮＰＮ型ＢＪＴ的击穿１７８  
　　８.２.３　ＢＪＴ的Ｉ－Ｖ曲线族１８２  
　　８.２.４　Ｋｉｒｋ效应１８２  
　　８.２.５　ＢＪＴ热失控和二次击穿的仿真１８６  
　　８.２.６　ＢＪＴ的小信号模型和截止频率的仿真１８８  
　８.３　ＬＤＭＯＳ １９１  
　　８.３.１　击穿电压的提高１９１  
　　８.３.２　ＬＤＭＯＳ中的寄生ＮＰＮＢＪＴ ２２０  
　　８.３.３　ＬＤＭＯＳ的导通电阻２２２  
　　８.３.４　ＬＤＭＯＳ的阈值电压２２６  
　　８.３.５　ＬＤＭＯＳ的辐照加固设计２２７  
　　８.３.６　ＬＤＭＯＳ的Ｉ－Ｖ曲线族２２８  
　　８.３.７　ＬＤＭＯＳ的自加热２３０  
　　８.３.８　ＬＤＭＯＳ的寄生电容２３１  
　　８.３.９　ＬＤＭＯＳ的栅电荷２３４  
　　８.３.１０　ＬＤＭＯＳ非钳位感应开关（ＵＩＳ） ２３５  
　　８.３.１１　ＬＤＭＯＳ的简洁模型２３６  
第９章　集成的功率半导体器件的３ＤＴＣＡＤ模拟２３８  
　９.１　３Ｄ器件的布局效应２３８  
　９.２　ＬＩＧＢＴ的３Ｄ仿真２４１  
　　９.２.１　关于ＬＩＧＢＴ ２４１  
　　９.２.２　分段阳极ＬＩＧＢＴ ２４１  
　　９.２.３　分段阳极ＬＩＧＢＴ３Ｄ工艺仿真２４４  
　　９.２.４　分段阳极ＬＩＧＢＴ的３Ｄ器件仿真２４６  
　９.３　超结ＬＤＭＯＳ ２５４  
　　９.３.１　基本概念２５４  
　　９.３.２　超结ＬＤＭＯＳ的结构２６１  
　　９.３.３　超结ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６１  
　　９.３.４　超结ＬＤＭＯＳ的３Ｄ器件仿真２６４  
　　９.３.５　一个具有相同的Ｎ漂移区掺杂的标准ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５  
　　９.３.６　一个Ｎ漂移区掺杂降低的标准ＬＤＭＯＳ的３Ｄ仿真２６５  
　　９.３.７　超结ＬＤＭＯＳ和标准ＬＤＭＯＳ的比较２６６  
　９.４　超结功率ＦｉｎＦＥＴ ２６７  
　　９.４.１　超结功率ＦｉｎＦＥＴ的工艺流程２６９  
　Ⅻ 集成功率器件设计及ＴＣＡＤ仿真  
　　９.４.２　超结功率ＦｉｎＦＥＴ的测量结果２７０  
　　９.４.３　超结功率ＦｉｎＦＥＴ的３Ｄ仿真２７１  
　９.５　大的互连仿真２７３  
　　９.５.１　大的互连的３Ｄ工艺仿真２７５  
　　９.５.２　大的互连的３Ｄ器件仿真２７９  
第１０章　ＧａＮ器件介绍２８１  
　１０.１　化合物材料与硅２８１  
　１０.２　ＧａＮ器件的衬底材料２８２  
　１０.３　Ⅲ －氮族纤锌矿结构的极化特性２８３  
　　１０.３.１　微观偶极子与极化矢量２８３  
　　１０.３.２　晶体结构与极化２８４  
　　１０.３.３　零净极化的理想ｃ０／ａ０比２８４  
　１０.４　ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结２８７  
　　１０.４.１　具有固定铝摩尔分数的能带图２８８  
　　１０.４.２　具有一个固定的ＡｌＧａＮ层厚度的能带图２８９  
　　１０.４.３　具有掺杂的ＡｌＧａＮ或ＧａＮ层的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ结构２９１  
　　１０.４.４　具有金属接触的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ结构２９２  
　１０.５　在ＡｌＧａＮ／ＧａＮ结构中的陷阱２９３  
　１０.６　一个简单的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴ ２９４  
　　１０.６.１　器件结构２９４  
　　１０.６.２　ＧａＮ ＨＥＭＴ的ＩＤ －ＶＧ曲线２９６  
　　１０.６.３　小结２９７  
　１０.７　ＧａＮ功率ＨＥＭＴ例子Ⅰ ２９８  
　　１０.７.１　器件结构２９８  
　　１０.７.２　ＧａＮ材料的碰撞电离系数３００  
　　１０.７.３　ＧａＮＨＥＭＴ器件的击穿仿真３００  
　１０.８　ＧａＮ功率ＨＥＭＴ范例Ⅱ ３０１  
　１０.９　ＧａＮ ＨＥＭＴ器件的栅极漏电流的仿真３０２  
　　１０.９.１　器件结构３０２  
　　１０.９.２　模型和仿真设置３０３  
　　１０.９.３　栅极泄漏电流仿真３０５  
　１０.１０　化合物半导体电力应用的市场前景３０６  
附录Ａ　载流子统计３０８  
附录Ｂ　载流子统计３０９  
附录Ｃ　陷阱动力学和ＡＣ分析３２０  
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《精微之艺：集成电路设计与制造的关键技术》 前言 在信息时代飞速发展的浪潮中，集成电路（Integrated Circuit, IC）作为现代电子产品的“心脏”和“大脑”，其重要性不言而喻。从智能手机到超级计算机，从汽车电子到航空航天，无处不见集成电路的身影。而集成电路的诞生和演进，离不开其背后精妙的设计理论和严谨的制造工艺。本书旨在深入剖析集成电路设计的核心要素，聚焦于其关键技术的实践应用，为有志于投身于这一高科技领域的工程师、研究人员以及相关专业的学生提供一份详实而有益的参考。 本书并非一本包罗万象的百科全书，而是聚焦于集成电路设计和制造过程中至关重要的几个环节，力求在有限的篇幅内，将复杂的技术概念清晰地呈现出来。我们不追求面面俱到，而是希望通过对核心问题的深入探讨，帮助读者建立起对集成电路设计与制造技术的整体认知和关键技能的掌握。 第一章：集成电路设计的基石——器件模型与参数提取 集成电路设计的起点，是对构成电路的基本单元——半导体器件的深入理解。无论是MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）还是BJT（双极结型晶体管），它们的电气特性都受到其物理结构、掺杂浓度、几何尺寸等诸多因素的影响。准确的器件模型是进行电路仿真和设计的基石。 本章将首先回顾半导体器件的基本工作原理，重点介绍几种主流的晶体管模型，如SPICE模型中的BSIM（Berkeley Short-channel IGFET Model）系列，以及其在描述短沟道效应、漏致场效应（DIBL）、亚阈值摆幅（Subthreshold Swing）等非理想现象方面的优势。随后，我们将深入探讨器件模型参数的提取过程。参数提取是一个至关重要且极具挑战性的环节，它直接决定了仿真结果的准确性。我们将介绍多种参数提取的方法，包括基于测量数据拟合、基于物理模型推导以及结合机器学习等先进技术。重点讲解如何通过设计实验（Design of Experiments, DOE）来系统地采集器件特性数据，并利用优化算法（如最小二乘法、遗传算法等）来求解模型参数，从而获得能够精确反映器件实际行为的模型。此外，我们将讨论不同工艺节点下器件模型的变化趋势，以及模型更新和维护的重要性。 第二章：精密控制的艺术——集成电路制造工艺概览 集成电路的设计成果最终需要通过一系列复杂的物理和化学过程才能转化为实际的芯片。制造工艺是连接设计与产品的桥梁，其精度和可靠性直接影响着芯片的性能、良率和成本。 本章将对现代集成电路制造工艺进行宏观的介绍，重点关注几个关键的工艺步骤。我们将从硅片制备（wafer fabrication）开始，介绍单晶硅的生长、抛光等过程，为后续工艺奠定基础。接着，我们将详细阐述光刻（lithography）技术，这是决定芯片特征尺寸的关键技术，将掩模版上的电路图形转移到硅片上的过程。我们将讨论不同类型的光刻技术，如深紫外（DUV）光刻和极紫外（EUV）光刻，以及它们在分辨率和工艺挑战上的差异。然后，我们将深入介绍刻蚀（etching）技术，包括干法刻蚀（如反应离子刻蚀RIE）和湿法刻蚀，以及它们在去除不需要的材料、形成三维结构方面的作用。此外，我们还将讨论薄膜沉积（thin-film deposition）技术，如化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD），用于形成各种导电、绝缘和半导体薄膜。最后，我们将概述互连（interconnect）工艺，即在芯片内部连接各个器件的金属导线网络的形成过程，以及其对信号传输速度和功耗的影响。本章将强调不同工艺步骤之间的相互依赖性和协同作用，以及工艺演进对芯片设计能力的影响。 第三章：逻辑电路设计的逻辑——组合逻辑与时序逻辑 在理解了构成电路的基本单元和制造过程之后，我们将转向集成电路设计的核心——逻辑电路设计。逻辑电路是实现特定功能的电子系统，其基础是逻辑门电路。 本章将系统介绍组合逻辑和时序逻辑的设计。组合逻辑电路由逻辑门组成，其输出仅取决于当前的输入，不包含记忆功能。我们将介绍基本的逻辑门（AND, OR, NOT, XOR等）以及如何利用它们构建更复杂的组合逻辑电路，如加法器、多路选择器、译码器等。我们将深入讨论逻辑函数的化简方法，如卡诺图（Karnaugh map）和奎因-麦克拉斯基（Quine-McCluskey）算法，以设计出更高效、更简洁的电路。 时序逻辑电路则包含记忆元件（触发器、锁存器），其输出不仅取决于当前输入，还取决于过去的输入序列。我们将详细讲解D触发器、JK触发器、SR触发器等基本时序元件的构成和工作原理。在此基础上，我们将介绍状态机（state machine）的设计，包括有限状态机（FSM）的状态转移图（state transition diagram）和状态表（state table）的绘制，以及如何将其转化为实际的时序逻辑电路。我们将讨论同步时序逻辑和异步时序逻辑的区别，以及在实际设计中如何选择和应用。本章旨在为读者打下坚实的逻辑设计基础，为后续的复杂系统设计做好准备。 第四章：功能实现的蓝图——寄存器传输级（RTL）设计 在数字集成电路设计领域，寄存器传输级（Register Transfer Level, RTL）设计是实现复杂逻辑功能的主要手段。RTL设计描述了数据在寄存器之间的传输和转换过程，是一种更高级别的抽象，比门级描述更易于理解和维护。 本章将聚焦于RTL设计的方法论和实践。我们将介绍常用的硬件描述语言（HDL），如Verilog和VHDL，并重点阐述它们的语法和语义。我们将讲解如何利用HDL来描述组合逻辑和时序逻辑，包括如何实例化模块、如何定义端口、如何使用行为级语句（如always块、assign语句）来描述电路功能。我们将深入探讨RTL设计的原则，如模块化设计、层次化设计、可复用性设计以及代码的可读性和可维护性。我们将展示如何将逻辑设计分解为更小的、可管理的模块，并通过接口连接它们。此外，我们将讨论RTL代码的仿真和验证的重要性，包括单元仿真、集成仿真以及如何编写测试平台（testbench）来验证RTL设计的正确性。本章还将触及一些高级RTL设计技巧，如状态机的优化、数据路径的设计以及如何处理时序约束。 第五章：性能与可靠性的保障——时序分析与验证 集成电路的设计不仅仅是实现功能，更重要的是确保其在预期的时钟频率下稳定可靠地运行。时序分析（timing analysis）是验证设计是否满足时序要求的过程，而形式验证（formal verification）则是以数学方法保证设计的正确性。 本章将深入探讨时序分析的关键概念和方法。我们将介绍建立时间（setup time）和保持时间（hold time）的概念，以及它们对触发器工作的影响。我们将讲解时钟周期（clock period）、时钟歪斜（clock skew）以及时钟抖动（clock jitter）等时钟相关参数。我们将重点介绍静态时序分析（Static Timing Analysis, STA）工具的工作原理，以及如何利用STA工具来识别和修复时序违例（timing violations）。我们将讨论时序报告的解读，以及如何根据时序分析结果来优化设计，例如通过调整寄存器位置、改变逻辑结构或优化时钟网络。 在验证方面，除了功能仿真，形式验证也日益受到重视。我们将介绍形式验证的基本原理，包括模型检查（model checking）和等价性检查（equivalence checking）。我们将讨论如何利用形式验证来证明电路设计在某些属性上的正确性，例如不存在死锁（deadlock）、所有状态都可以达到等。本章将强调在设计流程中，时序分析和验证的重要性，以及它们如何与RTL设计紧密结合，共同确保最终芯片的质量。 结语 集成电路设计与制造是一个不断发展和演进的领域，其深度和广度远超本书的探讨范围。本书旨在为读者提供一个扎实的起点，引导他们理解这一复杂而迷人的技术体系的核心要素。我们希望通过对器件模型、制造工艺、逻辑设计、RTL设计以及时序分析与验证等关键环节的深入阐述，帮助读者建立起清晰的认知框架，激发他们对这一领域的兴趣和探索热情。未来的集成电路技术将面临更多挑战，例如更先进的制程技术、更复杂的芯片架构、以及对能源效率和功耗的更高要求。但无论技术如何变迁，对基本原理的深刻理解和对精细工艺的持续追求，始终是推动集成电路产业不断前进的永恒动力。愿本书能成为您在集成电路探索之旅中的有益伙伴。

评分☆☆☆☆☆

这本书的深度和广度都令我印象深刻。它不仅涵盖了集成电路设计的核心技术，还涉及到了许多前沿的工艺和材料。在阅读过程中，我感觉自己仿佛置身于一个充满活力的电子工业技术的世界，与无数优秀的工程师一同探索着创新的边界。这种沉浸式的学习体验，让我对整个行业有了更宏观和深刻的认识。

评分☆☆☆☆☆

我是一名电子信息工程专业的学生，即将面临毕业设计和找工作。在选择毕业设计方向和为面试做准备的过程中，这本书给了我非常大的帮助。它不仅让我对集成电路设计有了更系统的了解，还让我认识到了TCAD仿真在现代芯片设计中的重要作用。书中关于设计流程和注意事项的讲解，也让我对未来的职业生涯有了更清晰的规划。

评分☆☆☆☆☆

市面上有很多关于集成电路的书籍，但真正能够做到理论与实践相结合，并且内容详实、紧跟行业发展的，却屈屈可数。这本书就是其中的佼佼者。它不仅仅是一本教科书，更像是一位经验丰富的前辈，在默默地指导着你，让你少走弯路。我特别欣赏书中对于一些复杂概念的讲解方式，用比喻和类比来帮助读者理解，非常巧妙。

评分☆☆☆☆☆

作为一名刚刚入行不久的工程师，我对TCAD仿真这个概念一直很感兴趣，但一直觉得门槛很高，不好入门。这本书的出现，无疑为我打开了一扇新的大门。作者用非常清晰易懂的语言，从最基础的概念讲起，循序渐进地引导读者深入了解TCAD仿真的原理和应用。而且，书中还提供了大量的实例，让我能够边学边练，很快就掌握了基本的操作技巧。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计就透着一股专业和科技感，书中的内容更是如此。它深入浅出地讲解了集成电路设计中的关键技术，并着重介绍了TCAD仿真在其中的应用。我尤其喜欢书中对于一些经典设计案例的剖析，让我能够看到这些先进技术是如何一步步演进和成熟的。这是一本值得反复阅读的宝藏。

评分☆☆☆☆☆

我是一名半导体行业的从业者，平时的工作涉及到器件的物理模型和仿真。这本书的内容非常贴合我的工作需求，特别是关于TCAD仿真部分的讲解，我从中学习到了不少新的技术和方法，也对一些我之前不太理解的现象有了更深入的认识。这本书的价值，对于我来说是无可估量的。

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这本书我早就想入手了，一直听说它在业界评价很高，但苦于种种原因迟迟未下决心。这次终于有机会把它捧在手里，感觉就像收到了一份期待已久的礼物。翻开扉页，精美的排版和印刷质量就足以让人眼前一亮，纸张的手感也相当不错，读起来不会觉得刺眼。书的整体设计风格很现代，但又不失专业书籍应有的严谨。

评分☆☆☆☆☆

这本书的语言风格非常务实，没有过多的华丽辞藻，但字字珠玑，直击核心。作者以一种非常接地气的方式，将复杂的集成电路设计和TCAD仿真技术娓娓道来。在阅读过程中，我经常会停下来思考，然后翻回到前面章节的内容进行回顾，因为书中蕴含的知识点太多了，需要反复咀嚼才能真正消化吸收。

评分☆☆☆☆☆

我是一名对微电子学和集成电路设计充满好奇的爱好者，虽然不是专业人士，但一直渴望能够深入了解这个领域。这本书的内容虽然专业性很强，但作者在讲解时，非常注重逻辑性和条理性，让我在阅读过程中能够跟得上思路。即使遇到一些陌生的术语，也能通过上下文和作者的解释找到理解的方向。

评分☆☆☆☆☆

我之前看过不少关于集成电路设计方面的书籍，很多都过于偏重理论，读起来非常枯燥，学到的东西也难以付诸实践。这本书的独特之处在于，它在理论讲解的同时，非常注重实际应用和工业界的最新动态，这对我这种希望将理论知识转化为实际技能的读者来说，简直是福音。书中穿插了大量的案例分析和工程师经验分享，这些都是在其他地方难以获得的宝贵信息。