半導體集成電路的可靠性及評價方法章曉文著 pdf epub mobi txt 電子書下載 2024

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章曉文著著

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發表於2024-12-14

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店鋪：荒漠甘霖圖書專營店

齣版社：電子工業齣版社

ISBN：9787121271601

商品編碼：28591511600

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具體描述

內容簡介
本書共11章，以矽集成電路為中心，重點介紹瞭半導體集成電路及其可靠性的發展演變過程、集成電路製造的基本工藝、半導體集成電路的主要失效機理、可靠性數學、可靠性測試結構的設計、MOS場效應管的特性、失效機理的可靠性仿真和評價。隨著集成電路設計規模越來越大，設計可靠性越來越重要，在設計階段藉助可靠性仿真技術，評價設計齣的集成電路可靠性能力，針對電路設計中的可靠性薄弱環節，通過設計加固，可以有效提高産品的可靠性水平，提高産品的競爭力。
作者簡介
章曉文，工業和信息化部電子第五研究所高級工程師，長期從事電子元器件可靠性工作，在電子元器件可靠性物理、評價及試驗方法等方麵取得顯著研究成果，先後獲省部級科技奬勵3項，發錶學術論文40餘篇，實用新型專利授權一項，申請國傢發明專利4項。
目錄
第1章緒論（1）
1．1 半導體集成電路的發展過程（1）
1．2 半導體集成電路的分類（4）
1．2．1 按半導體集成電路規模分類（4）
1．2．2 按電路功能分類（5）
1．2．3 按有源器件的類型分類（6）
1．2．4 按應用性質分類（6）
1．3 半導體集成電路的發展特點（6）
1．3．1 集成度不斷提高（7）
1．3．2 器件的特徵尺寸不斷縮小（7）
1．3．3 專業化分工發展成熟（8）
1．3．4 係統集成芯片的發展（9）
1．3．5 半導體集成電路帶動其他學科的發展（9）
1．4 半導體集成電路可靠性評估體係（10）
1．4．1 工藝可靠性評估（10）
1．4．2 集成電路的主要失效模式（11）
1．4．3 集成電路的主要失效機理（15）
1．4．4 集成電路可靠性麵臨的挑戰（16）
參考文獻（20）
第2章半導體集成電路的基本工藝（21）
2．1 氧化工藝（23）
2．1．1 SiO2的性質（23）
2．1．2 SiO2的作用（24）
2．1．3 SiO2膜的製備（25）
2．1．4 SiO2膜的檢測（27）
2．1．5 SiO2膜的主要缺陷（29）
2．2 化學氣相沉積法製備薄膜（30）
2．2．1 化學氣相沉積概述（30）
2．2．2 化學氣相沉積的主要反應類型（31）
2．2．3 CVD製備薄膜（33）
2．2．4 CVD摻雜SiO2（36）
2．3 擴散摻雜工藝（38）
2．3．1 擴散形式（39）
2．3．2 常用雜質的擴散方法（40）
2．3．3 擴散分布的分析（41）
2．4 離子注入工藝（45）
2．4．1 離子注入技術概述（45）
2．4．2 離子注入的濃度分布與退火（47）
2．5 光刻工藝（49）
2．5．1 光刻工藝流程（49）
2．5．2 光刻膠的曝光（51）
2．5．3 光刻膠的曝光方式（53）
2．5．4 32nm和22nm的光刻（54）
2．5．5 光刻工藝産生的微缺陷（55）
2．6 金屬化工藝（57）
2．6．1 金屬化概述（57）
2．6．2 金屬膜的沉積方法（58）
2．6．3 金屬化工藝（59）
2．6．4 Al/Si接觸及其改進（62）
2．6．5 阻擋層金屬（63）
2．6．6 Al膜的電遷移（65）
2．6．7 金屬矽化物（65）
2．6．8 金屬鎢（70）
2．6．9 銅互連工藝（71）
參考文獻（75）
第3章缺陷的來源和控製（76）
3．1 缺陷的基本概念（76）
3．1．1 缺陷的分類（76）
3．1．2 前端和後端引入的缺陷（78）
3．2 引起缺陷的汙染物（80）
3．2．1 顆粒汙染物（81）
3．2．2 金屬離子（82）
3．2．3 有機物沾汙（82）
3．2．4 細菌（83）
3．2．5 自然氧化層（83）
3．2．6 汙染物引起的問題（83）
3．3 引起缺陷的汙染源（83）
3．3．1 空氣（84）
3．3．2 溫度、濕度及煙霧控製（85）
3．4 缺陷管理（85）
3．4．1 超淨間的汙染控製（86）
3．4．2 工作人員防護措施（87）
3．4．3 工藝製造過程管理（88）
3．4．4 超淨間的等級劃分（91）
3．4．5 超淨間的維護（92）
3．5 降低外來汙染物的措施（94）
3．5．1 顆粒去除（95）
3．5．2 化學清洗方案（97）
3．5．3 氧化層的去除（98）
3．5．4 水的衝洗（101）
3．6 工藝成品率（101）
3．6．1 纍積晶圓生産成品率（101）
3．6．2 晶圓生産成品率的製約因素（102）
3．6．3 晶圓電測成品率要素（105）
..................

精彩書摘
　　《半導體集成電路的可靠性及評價方法》：
　　（3）工藝過程變異。在晶圓通過生産的各個工藝過程時，會有多次的摻雜及光刻工藝，每一步都必須達到極其嚴格的物理特性和潔淨度的要求。但是，即使是成熟的工藝過程也存在不同晶圓之間，不同工藝之間，以及不同天之間的變化。偶爾某個工藝過程還會超齣它的工藝界限並生産齣不符閤工藝標準的晶圓。工藝過程的自動化所帶來的大好處就是將這種工藝過程變異減至小。
　　工藝過程和工藝控製程序的目標不僅僅是保持每一個工藝操作在控製界限範圍之內，更重要的是維持相應的工藝參數穩定不變的分布。大多數的工藝過程都呈現為數學上稱為正態分布（Normal distribution）的參數分布，也稱為中心極限分布（Central theorem distribution）。它的特點是大部分的數據點處於均值附近，距離均值越遠，數據點越少。有時一個工藝過程的數據點都落在指定的界限內，但是大部分的數據都偏嚮一端。錶麵上看這個工藝還是符閤工藝界限的，但是數據分布已經改變瞭，很可能會導緻終形成的電路在性能上發生變化，導緻達不到標準要求。晶圓生産的挑戰性也就在於要保持各道工藝過程數據分布的持續穩定。
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