晶体管电路设计 上册

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店铺: 学源图书专营店
出版社: 科学出版社
ISBN:9787030133083
商品编码:28960123044

具体描述

本书是“现代半导体电路设计教材系列”之一。书中通过实验简明易懂地介绍放大电路技术。主要内容有放大电路的设计、射极跟随器电路的实验,微功率放大电路设计与制作,频率特性,负反馈放大电路设计、直流稳定电源的设计与制作,差动放大电路设计等等。

第一章 概述

学习晶体管电路或FET电路的必要性
晶体管和FET的工作原理
晶体管和FET的近况
第二章 放大电路的工作
观察放大电路的波形
放大电路的设计
放大电路的性能
共发射极应用电路
第三章 增强输出的电路
观察射极跟随器的波形
电路设计
射极跟随器的性能
射极跟随器的应用电路
第四章 小型功率放大器的设计与制作
功率放大电路的关键问题
小型功率放大器的设计方法
小型功率放大器的性能
小型功率放大器的应用电路
第五章 功率放大器的设计与制作
获得大功率的方法
第六章 拓宽频率特性
第七章 视频选择器的设计和制作
第八章 渥尔曼电路的设计
第九章 负反馈放大电路的设计
第十章 直流稳定电源的设计与制作
第十一章 差动放大电路的设计
第十二章 OP放大器电路的设计与制作
结束语
参考文献


《晶体管电路设计 上册》是一本深度剖析晶体管在模拟电路中应用的专业技术书籍,旨在为电子工程领域的学习者、工程师以及研发人员提供全面、扎实的理论基础和实用的设计指导。本书专注于晶体管作为核心元器件,如何在各种模拟电路中发挥关键作用,并详细阐述了相关的设计原理、分析方法以及实际应用技巧。 核心内容概览: 本书的上册主要涵盖了晶体管的基础理论、特性分析、基本放大电路的设计与分析,以及一些初级的多级放大电路和信号处理电路。全书结构严谨,逻辑清晰,从浅入深,确保读者能够循序渐进地掌握晶体管电路设计的精髓。 第一部分:晶体管基础与特性 半导体基础回顾: 本章将简要回顾半导体的基本概念,包括本征半导体、杂质半导体(N型和P型)、PN结的形成及其单向导电性。这部分内容是理解晶体管工作原理的基石,将以简洁、清晰的方式呈现,避免过于冗长的理论推导,侧重于其对晶体管的影响。 双极型晶体管(BJT)详解: 结构与工作原理: 详细介绍NPN和PNP型双极型晶体管的内部结构、材料特性以及其放大作用的物理机制。将深入剖析载流子的注入、扩散、复合等过程,并结合能带图进行可视化解释,帮助读者直观理解BJT的工作原理。 BJT的输出特性曲线和输入特性曲线: 详尽绘制并分析BJT在不同偏置区域(截止区、放大区、饱和区)下的输出特性曲线(Ic-Vce)和输入特性曲线(Ib-Vbe)。重点讲解三条特性曲线的划分依据、各个区域的含义以及它们与晶体管工作状态的关系,为后续电路分析奠定基础。 BJT的电小信号模型: 引入混合π模型(Hybrid-π Model)和T模型(T-Model),推导模型的参数(gm、rπ、ro、Cμ、Cπ等)与BJT直流参数(Ic、β、Vbe)之间的关系。通过电小信号模型,可以方便地对AC信号下的BJT放大电路进行线性分析,预测电路的电压增益、电流增益、输入阻抗和输出阻抗。 BJT的各种等效模型: 除了混合π模型,还会介绍其他常用的等效模型,并讨论它们各自的适用范围和优缺点,帮助读者根据实际需求选择最合适的分析工具。 场效应晶体管(FET)详解: 结型场效应晶体管(JFET): 介绍JFET的结构、工作原理(耗尽层调制),以及其输出特性曲线(Id-Vds)和转移特性曲线(Id-Vgs)。重点讲解N沟道和P沟道JFET的差异,以及其“夹断”现象。 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET): 详细介绍增强型和耗尽型MOSFET的结构、工作原理(栅极电场控制沟道电导)。深入分析MOSFET的输出特性曲线(Id-Vds)和转移特性曲线(Id-Vgs),重点阐述其“阈值电压”(Vt)和“跨导”(gm)的概念。 MOSFET的电小信号模型: 建立MOSFET的电小信号模型,推导模型的参数(gm、rd、Cgs、Cgd、Cds等)与MOSFET直流参数(Id、Vgs、Vds)之间的关系。与BJT模型类比,帮助读者掌握MOSFET放大电路的AC分析方法。 BJT与FET的性能比较: 对BJT和FET在输入阻抗、输出阻抗、工作电压、开关速度、功耗、温度特性等方面进行全面的比较分析,帮助读者根据具体的应用场景选择最合适的晶体管类型。 第二部分:基本放大电路设计与分析 共射极放大电路(Common-Emitter Amplifier): 基本结构与偏置: 介绍不同类型的共射极放大电路,包括固定偏置、分压偏置、集电极反馈偏置、发射极反馈偏置等。重点讲解各种偏置方式的原理、优缺点,以及如何选择合适的偏置电阻来设定合适的静态工作点(Q点),确保晶体管工作在放大区,实现稳定的电流和电压放大。 直流分析(Q点确定): 详细阐述如何根据电路参数和晶体管特性参数(如β)计算Q点,并分析Q点在输出特性曲线上的位置。强调Q点稳定性的重要性,以及不同偏置方式对Q点稳定性的影响。 交流分析(小信号分析): 利用电小信号模型,推导共射极放大电路的电压增益(Av)、电流增益(Ai)、输入阻抗(Rin)和输出阻抗(Rout)。讲解旁路电容、耦合电容等无源元件对交流特性的影响。 频率响应分析: 引入晶体管内部寄生电容(Cπ、Cμ等)以及外接耦合电容、旁路电容在不同频率下的容抗特性。分析这些电容对放大器在高频和低频段的幅频响应和相频响应的影响,讲解“高频滚降”和“低频滚降”的概念。 共集电极放大电路(Common-Collector Amplifier / 射极输出器): 结构与原理: 介绍共集电极放大电路的结构特点,并分析其工作原理。 特性分析: 推导其电压增益(Av ≈ 1)、电流增益(Ai >> 1)、高输入阻抗(Rin >> Rin_load)和低输出阻抗(Rout << Rin_load)。重点解释其为何常被用作缓冲器(Buffer Amplifier)或阻抗匹配器。 应用场合: 介绍其在驱动低阻抗负载、连接高阻抗信号源时的应用。 共基极放大电路(Common-Base Amplifier): 结构与原理: 介绍共基极放大电路的结构特点,并分析其工作原理。 特性分析: 推导其电压增益(Av >> 1)、电流增益(Ai ≈ 1)、低输入阻抗(Rin << Rin_source)和高输出阻抗(Rout)。 应用场合: 介绍其在需要高频特性(如高速度、低输入阻抗)的场合,如射频放大器中的应用。 场效应管基本放大电路: 共源极放大电路(Common-Source Amplifier): 参照BJT共射极放大电路的分析方法,介绍JFET和MOSFET共源极放大电路的偏置、直流分析(Q点)、交流小信号分析,推导其电压增益、输入阻抗和输出阻抗。 共漏极放大电路(Common-Drain Amplifier / 源极输出器): 参照BJT共集电极放大电路,分析其特性(高输入阻抗、低输出阻抗、电压增益接近1)和应用。 共栅极放大电路(Common-Gate Amplifier): 参照BJT共基极放大电路,分析其特性(低输入阻抗、高输出阻抗、电压增益)和应用。 第三部分:多级放大电路与级联 级联放大电路的概念与优势: 解释为何需要级联放大电路(如提高总增益、改善输入输出阻抗匹配、扩展频率响应等)。 多级放大电路的类型: 直接耦合放大电路: 介绍其优点(无需耦合元件,低频特性好)和缺点(容易受到零点漂移的影响),以及偏置的集成设计。 RC耦合放大电路: 介绍其结构、工作原理,分析耦合电容和旁路电容对频率响应的影响,以及其在中低频段的广泛应用。 变压器耦合放大电路: 介绍其结构、阻抗匹配能力,以及在功率放大器中的应用,并分析其频率响应的限制。 不同晶体管类型的多级级联: 重点分析BJT与BJT级联、FET与FET级联、以及BJT与FET混合级联的电路结构、分析方法和性能特点。例如,如何利用FET的高输入阻抗作为前置级,驱动BJT进行信号放大。 反馈在多级放大电路中的作用: (此部分为过渡,可能在下册有更深入探讨)简要介绍正反馈和负反馈的基本概念,以及负反馈对放大器性能(如增益稳定性、线性度、带宽)的影响,为后续章节奠定基础。 本书特色: 理论与实践并重: 不仅提供深入的理论分析,更注重将理论知识转化为实际的设计思路。每种电路的讲解都结合了其典型应用场景,并通过计算实例来加深理解。 图文并茂: 大量运用清晰的电路图、特性曲线图、波形图以及内部结构图,直观地展示电路的工作过程和性能表现。 循序渐进的难度: 从最基础的晶体管特性讲起,逐步过渡到各种基本放大电路,再到多级放大电路的设计,确保不同基础的读者都能有所收获。 严谨的数学分析: 采用准确的电路分析方法和数学工具,对电路的各项性能参数进行精确推导,培养读者严谨的工程思维。 覆盖面广: 涵盖了BJT和FET两大类核心晶体管,以及它们在各种基本和初级多级模拟电路中的应用,为读者构建起一个扎实的模拟电路设计框架。 适用读者: 电子工程、通信工程、自动化等专业的本科生和研究生。 从事模拟电路设计、嵌入式系统开发、硬件工程师。 对晶体管工作原理和电路设计感兴趣的业余爱好者。 《晶体管电路设计 上册》将作为您掌握模拟电路设计核心技术的有力工具,助您在复杂的电子世界中,设计出稳定、高效、可靠的电路系统。

用户评价

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评价一 初次翻开这本《晶体管电路设计 上册》,就有一种豁然开朗的感觉。它不像我之前看过的那些枯燥乏味的教科书,而是更像一位经验丰富的工程师在娓娓道来。书中的内容循序渐进,从最基础的晶体管原理讲起,逐步深入到各种经典电路的分析和设计。让我印象深刻的是,作者并非仅仅罗列公式和图表,而是非常注重对电路工作原理的直观解释。举个例子,在讲解放大电路的偏置时,作者花了很大的篇幅来描述不同偏置方式的优缺点,以及它们对电路性能的影响,还穿插了一些实际应用中的案例,让我在理解概念的同时,也能体会到理论与实践的结合。而且,书中提供的图示都非常清晰,很多地方还配有生动的比喻,帮助我这个初学者能快速抓住核心要点。对于那些希望系统性地学习晶体管电路,并且希望真正理解“为什么”而不是仅仅记住“怎么做”的读者来说,这本书无疑是一本宝藏。它为我打下了坚实的基础,也点燃了我进一步探索更复杂电路设计的热情。

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评价二 说实话,我之前对晶体管电路一直抱有一种敬畏感,总觉得它深奥难懂,充满了各种晦涩的公式。但《晶体管电路设计 上册》的出现,彻底改变了我的看法。这本书的魅力在于它的“温度”。它并没有高高在上地讲述理论,而是像一位耐心的老师,用最朴实易懂的语言,引导我一步步走进晶体管的世界。书中的例题设计得非常巧妙,每一个例题都紧密联系着前面的讲解,让我能够学以致用地去解决实际问题。我尤其喜欢书中对一些“疑难杂症”的分析,比如一些常见的电路故障是如何产生的,以及如何通过分析波形来定位问题。这些内容在其他书中很少见,但对于实际工程应用却至关重要。每一次读完一个章节,我都会感觉自己的知识储备又增加了一大块,也对整个电路系统有了更宏观的认识。这本书不只是理论的堆砌,它更像是一本“行动指南”,让我充满了信心去动手实践,去尝试设计属于自己的电路。

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评价三 作为一名业余爱好者,我一直希望能找到一本能够真正指导我动手实践的晶体管电路书籍。《晶体管电路设计 上册》完全符合我的期待。它的内容编写非常有条理,从最基本的PN结原理讲起,到单管放大器、多级放大器,再到各种反馈电路的分析,层层递进,丝毫不觉得突兀。最让我惊喜的是,书中很多电路的推导过程都给出了详细的步骤,并且对每一步的意义都做了清晰的解释,这对于理解复杂的数学推导非常有帮助。我特别欣赏书中关于“工程思维”的强调,它不仅仅教会我们如何设计出电路,更重要的是教会我们如何在有限的资源下,设计出最优的电路。书中还分享了一些作者在实际工作中的经验和教训,这些“干货”对于初学者来说是无价的。通过这本书,我不仅掌握了晶体管电路的设计方法,更重要的是培养了一种严谨的设计态度和解决问题的能力。

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评价四 我拿到《晶体管电路设计 上册》的时候,其实并没有抱太大的期望,毕竟市面上关于晶体管的书籍太多了,大多数都大同小异。《晶体管电路设计 上册》却给了我很大的惊喜。它的语言风格非常独特,充满了个人色彩,读起来一点也不枯燥,反而像是在听一位资深工程师分享他的经验。书中对一些经典电路的讲解,比如差分放大器和达林顿管电路,都做了非常深入的剖析,并且引用了大量的图表和仿真结果来佐证,让我对这些电路的工作原理有了非常清晰的认识。我特别赞赏作者在书中强调的“实验验证”的重要性,他鼓励读者通过实际动手来验证理论,并提供了很多实验指导。这本书让我明白,学习电路设计不仅仅是学习理论知识,更重要的是培养一种实践能力和创新精神。

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评价五 这本书简直是为我量身定做的!《晶体管电路设计 上册》的内容涵盖非常广泛,从最基础的器件特性到复杂的集成电路应用,都进行了详尽的阐述。我之前在学校里学过一些相关的知识,但总感觉知识点零散,缺乏系统性。这本书就像一个粘合剂,把那些分散的知识点串联了起来,形成了一个完整的知识体系。我尤其喜欢书中对各种晶体管型号的介绍,以及它们在不同电路中的具体应用。这让我对实际选型有了更清晰的认识。而且,书中还提供了大量的实例,这些实例都非常贴近实际工程应用,让我在学习理论的同时,也能感受到设计的乐趣。这本书不仅仅是一本技术书籍,它更像是一位良师益友,在我学习和探索晶体管电路的道路上,给予了我无尽的启发和帮助。

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