章LED材料外延與檢測技術
1.1LED外延基礎知識
1.1.1LED的外延結構
1.1.2LED的外延生長基本知識
1.2MOCVD技術基本背景
1.2.1MOCVD技術的背景知識
1.2.2MOCVD外延生長中的基本機製和原理
1.3MOCVD設備簡介
1.3.1原材料氣源供應係統
1.3.2MOCVD反應室分係統
1.3.3MOCVD設備的其他功能子係統
1.4MOCVD源材料
1.4.1金屬有機化閤物源（MO源）
1.4.2氣體源（氫化物、載氣）
1.4.3襯底
1.5氮化物LED材料的檢測技術
1.5.1高分辨X射綫檢測技術
1.5.2光緻發光測試技術
1.5.3霍爾測試技術
1.5.4電容電壓測試技術
1.5.5AFM和TEM檢測技術
參考文獻

第2章藍綠光LED外延結構設計與製備
2.1氮化物半導體材料的性質
2.1.1氮化物材料的基本性質
2.1.2氮化物材料中的極化電場
2.2氮化物LED的能帶結構
2.2.1pn結的能帶結構
2.2.2量子阱能帶結構
2.3氮化物LED多量子阱的設計及生長
2.3.1極化電場對量子阱能帶的影響
2.3.2量子壘設計及其對載流子輸運的影響
2.3.3量子阱設計及其對載流子分布的影響
2.3.4多量子阱界麵的優化生長
2.4氮化物LED電子阻擋層及p型層的設計
2.4.1電子阻擋層的電子限製作用
2.4.2電子阻擋層對空注入的影響
2.4.3p-GaN層的優化生長
參考文獻

第3章紅黃光LED外延生長技術
3.1紅光LED材料及LED基本結構
3.1.1LED外延材料選取的原則
3.1.2紅光LED外延材料--AlGaInP的性質
3.1.3紅光LED基本外延結構
3.2紅光LED的材料外延
3.2.1紅光LED材料外延的工藝設計
3.2.2有源區材料的外延
3.2.3限製層材料的外延
3.2.4窗口層材料的外延
3.3共振腔LED結構與外延
3.3.1共振腔LED結構及設計
3.3.2650nm共振腔LED外延
3.3.3650nm共振腔LED芯片工藝
參考文獻

第4章LED芯片結構及製備工藝
4.1芯片製造基礎工藝
4.1.1蒸鍍工藝
4.1.2光刻工藝
4.1.3刻蝕工藝
4.1.4沉積工藝
4.1.5退火工藝
4.1.6研磨拋光工藝
4.1.7點測工藝
4.1.8檢驗工藝
4.2藍綠光LED芯片結構及製備工藝
4.2.1正裝結構設計及製備工藝
4.2.2倒裝結構芯片及製備工藝
4.3垂直結構設計及製備工藝
4.3.1垂直結構芯片的優勢
4.3.2垂直結構芯片的製備工藝
4.4高壓LED芯片設計及製備工藝
4.4.1高壓LED芯片的優點
4.4.2GaN基高壓LED結構設計
4.4.3GaN基高壓LED製備工藝
參考文獻

第5章藍綠光LED高光提取技術
5.1電流阻擋層（CurrentBlockingLayer，CBL）
5.2隱形切割（StealthDicing，SD）
5.3粗化（Rough）
5.4反射電極（ReflectedPad）
5.5側腐蝕（SidewallEtching，SWE）
5.6錶麵紋理化（SurfaceTexture）
5.6.1在LED外延層上直接引入紋理化圖形
5.6.2在透明導電層上引入紋理化圖形
5.6.3在傳統透明導電層上引入其他透明導電層
5.7分布布拉格反射鏡（DistributionBlaggReflector）
5.8圖形藍寶石襯底（PatternSapphireSubstrate，PSS）
參考文獻

第6章黃紅光LED芯片結構與製備工藝
6.1紅、黃色LED基本結構和製備工藝流程
6.1.1正裝AlGaInPLED芯片結構及製備工藝
6.1.2倒裝芯片結構及工藝流程
6.2紅、黃光LED電極結構及電流擴展技術
6.2.1芯片電極形狀變化
6.2.2電流擴展層技術及透明電極
6.2.3電流阻擋層
6.3GaAs基LED高光提取技術
6.3.1透明光學窗口層技術
6.3.2倒梯形等外形結構
6.3.3錶麵粗化
6.3.4光子晶體LED
6.4轉移襯底器件的反射鏡
6.4.1金屬反射鏡結構
6.4.2全方嚮反射鏡結構（ODR）
6.5高亮度和大功率AlGaInPLED技術
參考文獻

第7章LED封裝基礎知識
7.1LED器件封裝的主要功能
7.1.1光電器件封裝的機電連接與保護特性
7.1.2發光器件的光譜轉換與實現
7.2LED器件封裝的光學設計
7.2.1LED器件的光提取效率
7.2.2LED封裝後的光學特性
7.2.3熒光粉光學特性的計算與分析
7.3LED器件封裝的熱學設計
7.3.1LED的熱特性
7.3.2LED封裝的熱阻模型
7.3.3熱場分布的計算機輔助分析
參考文獻