半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

圖書標籤:

• 半導體材料
• 標準
• 匯編
• 2014
• 方法標準
• 國標
• 分冊
• 工業標準
• 技術標準
• 材料科學

店鋪： 悅讀時代圖書專營店

齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677523

商品編碼：29567536630

包裝：平裝

齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名：半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊

定價：230.00元

作者：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

---

內容提要

---

半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

---

GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶嚮測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷麵夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎麯度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹麯度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片錶麵平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片錶麵質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外乾涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑嚮電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考麵長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考麵結晶學取嚮X射綫測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑嚮變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片錶麵顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光緻發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片錶麵Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射綫衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片錶麵的有機汙染物
GB/T 24578-2009 矽片錶麵金屬沾汙的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽錶麵金屬汙染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾汙的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦閤等離子質譜儀測定多晶矽錶麵金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子復閤壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化閤物半導體拋光晶片亞錶麵損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、锡、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦錶麵的錶麵粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料錶麵金屬雜質含量的電感耦閤等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹麯度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片錶麵粗糙度及切割綫痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法

作者介紹

---

文摘

---

序言

---

《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 國標分冊》 內容概要 本書匯集瞭2014年我國在半導體材料領域發布的與方法標準相關的國傢標準，特彆側重於國傢標準分冊的部分。旨在為半導體材料的研究、生産、檢測和應用提供權威、規範的技術指導和依據。本匯編涵蓋瞭半導體材料的諸多關鍵方麵，包括但不限於純度檢測、結構分析、電學性能測量、光學特性錶徵、以及可靠性評估等多個維度的方法標準。 詳細內容 本書內容嚴謹，結構清晰，分類明確，覆蓋瞭半導體材料方法標準中的重要組成部分。具體而言，其內容可以劃分為以下幾個主要部分： 第一部分：半導體材料通用檢測方法 純度與雜質分析： 光譜分析法： 詳細介紹瞭感應耦閤等離子體原子發射光譜法（ICP-AES）、感應耦閤等離子體質譜法（ICP-MS）等用於檢測半導體材料中痕量金屬雜質的標準方法。這些方法能夠對不同基底的半導體材料，如矽、鍺、砷化鎵等，進行高靈敏度的定量分析，確保材料的純度滿足器件製造的要求。標準中會明確采樣要求、儀器校準、數據處理和結果報告的規範。 化學分析法： 包含瞭滴定分析、重量分析等經典化學分析方法在特定雜質元素分析中的應用。雖然現代儀器分析更為普遍，但對於某些特定元素或特定基體，化學分析法仍然是不可或缺的補充。 色譜分析法： 介紹瞭氣相色譜法（GC）、液相色譜法（LC）等在分析半導體材料中有機雜質或揮發性雜質方麵的應用。例如，在聚閤物封裝材料或有機半導體材料的檢測中，色譜法能夠有效分離和測定各種有機化閤物。 錶麵分析技術： 涵蓋瞭X射綫光電子能譜（XPS）、俄歇電子能譜（AES）等錶麵敏感分析技術在檢測材料錶麵汙染、錶麵成分及化學態的標準方法。這些技術對於評估材料錶麵清潔度、界麵特性至關重要。 晶體結構與形貌分析： X射綫衍射（XRD）： 詳細闡述瞭XRD在測定半導體材料晶體結構、晶格常數、晶粒尺寸、織構以及相組成的標準方法。涵蓋瞭不同衍射儀器的操作規程、樣品製備要求、數據采集參數設置以及衍射峰的標定和解析方法。 透射電子顯微鏡（TEM）與掃描電子顯微鏡（SEM）： 提供瞭使用TEM和SEM對半導體材料進行微觀形貌觀察、尺寸測量、相界麵分析、晶缺陷識彆等標準操作規程。包括樣品製備（如聚焦離子束FIB製備）、成像參數優化、元素成分分析（EDS/WDS）等。 原子力顯微鏡（AFM）： 介紹瞭AFM在測量材料錶麵形貌、錶麵粗糙度、三維形貌以及局部電學和磁學性質的標準方法。 第二部分：特定半導體材料的檢測方法 矽材料標準： 晶圓尺寸與形貌檢測： 規定瞭矽晶圓的直徑、厚度、翹麯度、邊緣形貌等物理尺寸的測量方法和允差標準。 電阻率測量： 詳細介紹瞭四點探針法、範德堡法等用於測量矽材料電阻率的標準方法，包括樣品製備、儀器校準、測量步驟和計算公式。 載流子濃度與遷移率測量： 提供瞭霍爾效應測量等用於測定矽材料載流子濃度和遷移率的標準方法。 晶體缺陷檢測： 涵蓋瞭對矽材料中的位錯、空洞、夾雜物等晶體缺陷的檢測方法，如化學腐蝕法、光學顯微鏡法。 化閤物半導體材料標準（如GaAs, GaN, InP等）： 晶體生長與質量評價： 涉及對單晶坩堝法、液封坩堝法、垂直 Bridgman 法等晶體生長技術的質量評價方法，包括晶體完整性、多形性、宏觀缺陷的檢測。 錶麵質量檢測： 針對化閤物半導體襯底（如GaAs片、GaN片），標準詳細規定瞭錶麵平整度、錶麵粗糙度、錶麵缺陷（如橘皮、針孔、劃痕）的檢測方法。 電學性能測試： 介紹瞭針對化閤物半導體材料的載流子濃度、遷移率、導電類型等電學參數的標準測量方法。 成分分析與均勻性： 包含瞭對化閤物半導體材料中各元素比例、成分均勻性進行檢測的標準方法，例如能量色散X射綫光譜（EDS）或波長色散X射綫光譜（WDS）。 寬禁帶半導體材料標準（如SiC, GaN等）： 晶圓尺寸與錶麵缺陷： 重點關注SiC和GaN等寬禁帶半導體材料襯底的尺寸精度、錶麵形貌以及錶麵缺陷（如微管、颱階、多形性）的檢測標準。 電學性能： 規定瞭測量高電阻率、高載流子濃度材料的電學性能的標準方法。 光學特性： 介紹瞭部分寬禁帶半導體材料（如GaN）的光學特性（如發光性能）的錶徵方法。 第三部分：半導體材料的可靠性與環境適應性測試方法 熱穩定性測試： 高溫老化試驗： 規定瞭半導體材料在高溫環境下進行老化試驗的標準方法，用於評估材料的熱降解特性。 熱循環試驗： 介紹瞭在不同溫度之間循環進行試驗的標準方法，用於評估材料在溫度變化下的穩定性。 濕度和腐蝕性環境測試： 高濕高熱試驗： 詳細規定瞭在高溫高濕環境下對半導體材料進行試驗的標準方法，用於評估材料的耐潮濕性。 鹽霧試驗： 介紹瞭在鹽霧環境中進行試驗的標準方法，用於評估材料的耐腐蝕性。 機械性能測試： 拉伸、彎麯、壓縮試驗： 提供瞭對半導體材料進行機械性能測試的標準方法，以評估其強度、剛度和韌性。 硬度測試： 規定瞭維氏硬度、洛氏硬度等用於測量半導體材料硬度的標準方法。 輻射效應測試： 電離輻射敏感性測試： 針對一些特殊應用場景，可能包含半導體材料對電離輻射抵抗能力的評估方法。 第四部分：半導體材料錶徵儀器校準與測量不確定度 儀器校準規程： 詳細說明瞭各類半導體材料錶徵儀器（如光譜儀、顯微鏡、測試設備）的校準方法、校準周期和校準報告要求，確保測量結果的準確性和可比性。 測量不確定度評估： 提供瞭半導體材料測量過程中不確定度的評估方法和計算指南，幫助用戶理解和量化測量結果的可靠性。 本書的價值與適用範圍 《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 國標分冊》是半導體材料領域從業人員、研究人員、質量檢測人員以及相關管理人員的必備參考書。它為半導體材料的生産商提供瞭統一的質量控製標準，為器件製造商提供瞭可靠的材料選擇依據，為科研機構提供瞭先進的材料錶徵技術指引。通過遵循這些國傢標準，可以有效地提高半導體材料的整體質量水平，推動我國半導體産業的健康發展。 本書內容覆蓋廣泛，技術性強，語言規範，是理解和掌握半導體材料方法標準的權威工具。對於任何需要進行半導體材料研發、生産、采購、質量檢驗的單位和個人而言，本書都具有極高的參考價值和實踐指導意義。

評分☆☆☆☆☆

對於一個剛從高校步入工業界的新人來說，理解行業規範是成長的關鍵一步。在學校裏，我們學習的是最前沿的理論，但工業生産更看重的是“可製造性”和“可重復性”，而標準就是連接理論與實踐的橋梁。這本2014版的標準匯編，以其權威性和係統性，成功地將我從純理論的思維模式中拉瞭齣來。我用它來學習如何將一個理想化的材料性能參數，轉化為一個可以在工廠裏每天穩定測量的指標。它不僅僅是一堆規範的堆砌，更像是一本行業“行為準則”。例如，關於半導體材料的“批次閤格判定原則”，書中給齣的統計學方法和風險評估，比教科書上的討論要實際得多。通過研讀這些方法標準，我學會瞭如何科學地解讀數據中的波動，而不是被每一個小小的異常值所睏擾。這本書教會瞭我如何像一個閤格的工程師一樣思考問題——用最嚴謹的方法，去量化一個不斷變化的物理世界，確保我們生産的每一片芯片都建立在一個堅實可靠的材料基礎之上。

評分☆☆☆☆☆

這本《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 國標分冊》簡直是我的救星！我最近在做一個關於先進封裝材料的課題，手頭上的參考資料總感覺缺瞭點“官方”的權威性。網上零散的標準文件找起來費時費力，而且真僞難辨，讓人心力交瘁。直到我拿到瞭這本匯編，簡直是如獲至寶。裏麵的內容組織得極為清晰，不僅涵蓋瞭2014年主要的國傢標準，更重要的是，它把方法標準單獨成冊，這對於我們實驗人員來說太方便瞭。我立刻翻到瞭測試方法的部分，關於矽片錶麵粗糙度、雜質濃度的檢測流程，寫得那叫一個詳盡和嚴謹。每一個步驟、每一個參數的選取都有據可依，讓我對實驗結果的可靠性瞬間有瞭信心。以前我們團隊為瞭確定某個測試流程的“最佳實踐”，內部討論瞭好幾天，現在對照這些國標，直接對標，效率提升瞭好幾個量級。尤其是一些針對特定材料（比如SOI襯底）的性能評價標準，以前總覺得模棱兩可，現在有瞭明確的量化指標，為我們後續的工藝優化指明瞭方嚮。這本書的印刷質量也很好，紙張厚實，圖錶清晰，即使在實驗室這種環境下頻繁翻閱也不會輕易損壞。對於任何從事半導體研發、質量控製或者生産管理的人來說，這本書絕對是案頭必備的“武功秘籍”，少瞭它，工作效率和規範性都會大打摺扣。

評分☆☆☆☆☆

我所在的部門主要負責對采購進來的特種功能薄膜進行入廠檢驗。這是一個對細節要求極其苛刻的環節。過去，我們主要依賴供應商提供的規格書，但時間久瞭，總覺得少瞭點“話語權”，一旦齣現爭議，我們很難拿齣足夠有力的技術文件來支撐我們的檢驗結果。這本《半導體材料標準匯編》的齣現，極大地增強瞭我們的談判籌碼。特彆是其中關於薄膜厚度均勻性、光學特性測量的方法標準，描述得極其細緻入微，包括探針的接觸力度、掃描速度的控製要求等等。我印象最深的是其中關於“薄膜應力”測量的章節，它詳盡地列齣瞭幾種不同的測量原理及其適用範圍，並指齣瞭每種方法的局限性。這讓我能夠根據我們所采購材料的特性，選擇最閤適的標準進行檢驗，而不是盲目套用最容易操作的那個。這本書的價值在於，它將行業內最頂尖的經驗和共識以法律文件般的形式固定瞭下來，讓我們的檢驗工作不再是“憑感覺”，而是真正做到瞭“有據可查，有理可依”。

評分☆☆☆☆☆

說實話，我剛開始接觸這套標準匯編時，內心是有些許抗拒的。畢竟，技術標準這東西，讀起來往往枯燥乏味，充滿瞭各種技術術語和晦澀的條文。我更傾嚮於閱讀前沿的學術論文或者行業分析報告，那些東西讀起來更有“人情味”。然而，當我開始嘗試用它來指導我們新生産綫的調試工作時，我纔深刻體會到它的價值所在。它不是那種“高屋建瓴”的理論指導，而是實打實的“操作手冊”。舉個例子，我們引入瞭一批新的光刻膠，按照供應商給的建議參數進行測試，結果總是有微小的缺陷。抱著試試看的心態，我查閱瞭匯編中與光刻工藝相關的標準。結果發現，標準中對“關鍵尺寸測量”的預處理和校準環節有著比供應商更嚴格的要求。當我們嚴格按照國標進行校準後，缺陷率立刻下降到瞭可接受的範圍。這種感覺就像是，你一直在用一把沒校準過的尺子量東西，而這本書告訴你，真正的“一米”到底有多長。它提供的是一個全國統一的基準綫，讓不同工廠、不同批次的産品能夠放在同一個天平上進行公正的比較。所以，彆被它標題的嚴肅性嚇到，它其實是保障你最終産品質量的“隱形衛士”。

評分☆☆☆☆☆

作為一名材料學的研究生，我的導師要求我必須精通至少兩個核心材料（比如矽和砷化鎵）的檢測標準。坦白講，去國傢標準網上把所有相關文件下載下來，然後自己整理成冊，那工作量簡直是噩夢——版本更新、文件格式不統一、相互引用經常導緻斷鏈。這本2014版的匯編，至少在那個時間點上，提供瞭一個高度集成和標準化的解決方案。我個人最欣賞的是它對“檢測環境”的規定。很多時候，實驗結果的差異並非齣在測試本身，而是環境因素造成的——溫度、濕度、氣壓，甚至是振動隔離。這本書對這些環境參數的控製範圍給齣瞭明確的界限，這對於保證跨地域、跨實驗室的測試結果可重復性至關重要。我記得有一次我們與外部閤作機構進行數據比對，雙方數據偏差較大，我們一度懷疑是對方的設備有問題。對照這本匯編中關於環境控製的標準，我們發現對方的實驗室溫濕度控製略微超齣瞭標準要求的閾值，這直接解釋瞭數據偏差的根源。所以，這本書不僅是測試方法的集閤，更是解決團隊間乃至企業間“數據口徑不一”問題的“終極裁決者”。