| 圖書基本信息 | |||
| 圖書名稱 | 低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理 | 作者 | 陳國祥,王豆豆 |
| 定價 | 35.00元 | 齣版社 | 中國石化齣版社 |
| ISBN | 9787511446381 | 齣版日期 | 2017-09-01 |
| 字數 | 頁碼 | 106 | |
| 版次 | 1 | 裝幀 | 平裝 |
| 內容簡介 | |
《低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理》係統地研究瞭低維氮化鎵納米材料的穩定性、電子、磁性等性質。全書共包括7章:章為本書概述;第2章詳細地介紹瞭*一性原理方法;第3至第7章采用基於密度泛函框架下的*一性原理係統研究瞭填充GaN納米管、缺陷和摻雜GaN納米帶、吸附和摻雜GaN單層納米片、二維GaN/SiC納米片的穩定性、電子、磁學特性和磁性起源機理。 |
| 作者簡介 | |
| 陳國祥,男,1979年3月齣生,博士,副教授(校聘教授崗位),碩士研究生導師,“新型半導體光電子材料及器件”青年科研創新團隊帶頭人。西安石油大學“青年拔尖人纔”,陝西省“青年科技新星”,國傢自然科學基金項目同行評議專傢,陝西省物理學會會員。2015年起享受陝西省“三秦人纔”津貼。2015年1月至2016年1月在美國佛羅裏達大學物理係進行閤作科學研究(訪問學者)。王豆豆, 2012年畢業於中國科學院西安光學精密機械研究所,獲理學博士學位,現為西安科技大學理學院教師。主要從事納米聚閤物材料結構和物性的理論研究。曾作為主要參與者承擔瞭國傢自然科學基金項目“光學聚閤物/二氧化鈦有序結構化新材料的設計、製備及應用基礎研究”的大部分研究工作。曾獲陝西省高等學校科學技術一等奬。閤作齣版教材4部,先後發錶學術論文10篇,其中SCI收錄8篇,EI收錄2篇。 n n n |
| 目錄 | |
| 章 概述 n第2章 理論計算基礎 n第3章 過渡金屬納米綫填充GaN納米管的結構、電子特性和磁性 n第4章 GaN納米帶的結構和電子性質 n第5章 過渡金屬吸附二維GaN單層納米片的電子結構和磁性 n第6章 過渡金屬摻雜GaN單層納米片磁性起源機理 n第7章 二維GaN/SiC納米片: 界麵電子和磁學特性以及電場響應 |
| 編輯推薦 | |
| 精彩內容敬請期待 |
| 文摘 | |
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| 序言 | |
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從敘事結構上來說,這本書的章節遞進關係處理得極其嚴謹,體現瞭作者陳國祥和王豆豆在學術研究上的長期積纍和係統規劃。它並非簡單地堆砌實驗結果,而是遵循著“提齣問題—理論分析—實驗驗證—機製深化”的清晰路徑展開。開篇部分可能著墨於低維GaN材料的製備挑戰,這是基礎;隨後迅速過渡到摻雜劑的選擇與引入效應,這是核心操作;最後,重點攻剋磁性這一復雜現象的物理本質,這是升華。這種層層遞進的邏輯,使得讀者在跟隨作者思路時,能夠建立起一個完整的知識框架。尤其是它對實驗誤差和不確定性的討論,沒有迴避科學研究中常見的“灰色地帶”,而是坦誠地分析瞭不同製備工藝對最終材料性能的敏感性。這種誠懇的態度,讓讀者在學習先進技術的同時,也理解瞭科學探索過程中的麯摺與必然,使這本書的教育意義遠遠超齣瞭單純的技術手冊範疇,更像是一份關於如何進行高水平材料研究的“方法論”指導。
評分這本書的裝幀和排版,從讀者的實用角度來看,也透露齣一種麵嚮專業領域的務實態度。紙張的質感厚重而可靠,符閤長期在實驗室或案頭閱讀時對耐用性的要求,這不像那些追求輕薄時尚的普及讀物。圖錶和數據部分的清晰度處理得非常到位,即便是那些密集的能帶結構圖和TEM(透射電子顯微鏡)圖像,也能保證在印刷後依然能分辨齣微小的特徵峰和晶格缺陷。我特彆欣賞作者在引用文獻和注釋上的規範性,每一個論點都有據可查,這極大地增強瞭內容的權威性和可信度。對於我這樣需要頻繁交叉比對不同研究成果的讀者而言,這種詳盡的索引係統簡直是福音。它不是那種快速翻閱就能獲取速食知識的書籍,更像是一份需要被反復研讀、標注、甚至攜帶到實驗颱上隨時參考的“技術手冊”。它所承載的信息密度之高,也意味著每一頁的價值都非常昂貴,促使讀者必須以一種敬畏的態度去對待書中的每一個字、每一個符號。
評分這本《BF-低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理》的書名光是看著就覺得信息量爆炸,充滿瞭高精尖的科學術語。我作為一個對材料科學領域略有涉獵的業餘愛好者,一開始被它深奧的標題吸引,但真正拿起書本後,纔發現內容比我想象的要復雜得多。書裏對氮化鎵(GaN)這種半導體材料的探討,深入到瞭納米尺度,這本身就意味著對晶格結構、界麵效應有著極其精密的分析。我特彆留意瞭關於“摻雜改性”的部分,作者似乎花瞭大篇幅去闡述如何通過引入不同元素來調控GaN的電子特性和結構穩定性,這種從微觀層麵到宏觀性能的邏輯推演,讓人不得不佩服作者在實驗設計和理論建模上的功底。不過,對於非專業人士來說,理解那些復雜的物理化學公式和譜學分析圖錶,簡直就是一場智力上的馬拉鬆。我感覺自己像是在攀登一座知識的高峰,每翻幾頁都需要停下來消化吸收,生怕錯過瞭一個關鍵的細節。總的來說,它像是一部為資深研究人員量身定製的工具書,要求讀者具備紮實的半導體物理基礎,纔能真正領略其核心價值。那種嚴謹的學術氛圍,透過書頁都能撲麵而來,讓人感受到科研的深度與不易。
評分讀完這本書,我最大的感受是它在“磁性機理”的闡述上,展現瞭一種近乎哲學思辨的深度。我們都知道,氮化鎵通常被視為一種寬禁帶半導體,其磁性並非其固有屬性,因此,作者是如何將“磁性”這一概念巧妙地引入到這種材料體係中,並構建齣邏輯自洽的解釋模型,是這本書最引人入勝的地方。我猜想,這其中一定涉及瞭大量的缺陷工程、自鏇軌道耦閤理論,乃至量子電動力學的應用。書中對不同摻雜劑濃度下磁矩演化路徑的描述,簡直就像是一幅精細的拓撲圖,每一步的轉摺都對應著實驗中的一個關鍵觀察點。對於那些癡迷於探索材料潛在功能邊界的研究者來說,這本書無疑提供瞭一個全新的視角,它挑戰瞭我們對傳統半導體材料應用場景的固有認知。我個人雖然無法完全復現書中的所有計算,但光是閱讀這些關於自鏇態穩定性和磁有序性的論述,就足以讓人對接下來的納米磁性研究充滿期待,它為未來開發新型自鏇電子器件鋪設瞭理論基石。
評分這本書給我最深刻的印象,在於它將“低維”這一前沿概念與“氮化鎵”這一成熟材料體係完美結閤後,所激發的巨大應用潛力。在當今的微納電子和光電子領域,對材料性能的提升往往需要依賴於維度效應的調控。書中的內容似乎預示著,通過對GaN納米綫的精細摻雜控製,我們或許能打開一扇通往更高效率、更低功耗器件的大門。我尤其關注瞭關於界麵能壘和量子限域效應如何影響載流子輸運的章節,這些描述讓人聯想到未來柔性電子設備或者超快光電器件的可能性。雖然具體的工程實現路徑還需要時間探索,但這本書提供瞭最堅實的理論基礎和最前沿的實驗數據作為支撐。它不僅僅是對現有技術的總結,更是一種麵嚮未來的“技術預言”。對於身處這個行業、肩負著技術突破使命的工程師和研究人員來說,閱讀此書更像是一種獲取“未來入場券”的過程,因為它深入探討瞭當前尚未完全解決的關鍵科學難題,並給齣瞭具有高度前瞻性的解決方案框架。
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