| 图书基本信息,请以下列介绍为准 | |||
| 书名 | 化合物半导体加工中的表征 | ||
| 作者 | (美)布伦德尔 等 | ||
| 定价 | 68.00元 | ||
| ISBN号 | 9787560342818 | ||
| 出版社 | 哈尔滨工业大学出版社 | ||
| 出版日期 | 2014-01-01 | ||
| 版次 | 1 | ||
| 其他参考信息(以实物为准) | |||
| 装帧:平装 | 开本:16开 | 重量:0.4 | |
| 版次:1 | 字数: | 页码: | |
| 插图 | |
| 目录 | |
| 内容提要 | |
| 化合物半导体加工中的表征一书是为使用化合物半导体材料与设备的科学与工程师准备的,他们并不是表征专。在研发与GaAs、GaA1As、LnP及HgCdTe基设备的制造中通常使用的材料与工艺提供常见的分析问题实例。这本布伦德尔、埃文斯、麦克盖尔编著的《化合物半导体加工中的表征》讨论了各种表征技术,深入了解每种技术是如何单独或结合使用来解决与材料相关的问题。这本书有助于选择并应用适当的分析技术在材料与设备加工的各个阶段,如:基体处理、外延生长、绝缘膜沉积、接触组、掺杂剂的引入。 |
| 编辑推荐 | |
| 作者介绍 | |
| 序言 | |
这本书在讨论可靠性表征方面,也给予了我不少启发。化合物半导体器件往往工作在苛刻的环境下,例如高温、高功率密度、高场强等,因此,理解其失效机制并进行可靠性评估至关重要。书中在介绍各种加速寿命试验(ALT)时,例如高低温循环、恒定应力试验等,并结合了相应的表征手段,来分析器件在这些试验过程中的变化。比如,在高功率工作一段时间后,GaN基HEMT器件的栅极漏电流可能会增加,阈值电压漂移,这往往与栅氧化层中的陷阱、界面态的变化有关。作者们就详细介绍了如何通过电学参数的监测、表面分析技术的应用,来追踪这些失效过程。这种将加速寿命试验与深入的失效机理分析相结合的思路,对于我们建立更可靠的器件设计和制造流程非常有帮助。
评分阅读这本书的过程中,我最大的感受是作者们对于“实践出真知”的深刻体会。他们并非闭门造车,而是将大量的实验经验和工程实践巧妙地融入了理论讲解之中。很多时候,我们在实验室里会遇到各种奇奇怪怪的表征结果,一时难以理解其根源。比如,在测试一个氮化镓(GaN)HEMT器件的饱和漏极电流时,有时候会发现实际值与理论计算值存在较大的偏差,这往往与沟道中的电荷陷阱效应有关。而这本书在讨论电学表征技术时,就非常详尽地解释了如何通过瞬态测量、痕量电流谱(TSC)等方法来识别和量化这些陷阱,并进一步分析它们对器件性能的负面影响。书中给出的案例分析,充满了实际操作的指导意义,读来仿佛身临其境,能够帮助我们更快地定位问题,并找到解决问题的思路。这种接地气的写作风格,让这本书在众多理论书籍中脱颖而出,成为了我们解决实际工程难题的得力助手。
评分这本书在结构组织上,也做得相当出色。作者们将繁杂的表征技术,按照不同的物理量或研究对象进行了系统性的梳理。例如,有专门的章节讨论晶体结构与形貌的表征,有专门的章节讨论电学性质的表征,也有专门的章节讨论光学性质的表征。这种清晰的分类,使得读者在遇到具体问题时,能够快速定位到相关的章节,并找到适合的表征方法。而且,各章节之间并非孤立存在,而是相互关联,作者们会适时地引用其他章节的知识,强调不同表征技术之间的协同作用。这种条理清晰、逻辑严谨的组织方式,极大地提高了本书的可读性和实用性,让我在学习过程中能够循序渐进,逐步深入。
评分书中关于表面与界面表征的详尽论述,也让我受益匪浅。在化合物半导体器件的制造过程中,表面和界面起着决定性的作用。一个微小的表面缺陷,一个不完美的界面,都可能导致器件性能的大幅下降甚至失效。这本书在介绍一系列表面敏感技术时,例如X射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等,详细阐述了它们如何能够提供表面元素的组成、化学态以及电子结构信息。对于理解合金的表面偏析、界面氧化、以及不同材料体系的界面能带匹配,这些技术都至关重要。特别是在涉及异质外延生长时,界面处的应力、缺陷、以及化学键合状态,直接影响着后续材料层的生长和器件的性能。书中给出的案例分析,帮助我更深刻地理解了这些技术的实际应用价值。
评分总而言之,这本书为我提供了一个全面而深入的视角来理解化合物半导体加工中的表征技术。它不仅详细介绍了各种表征方法的原理和操作,更重要的是,它强调了这些技术在解决实际工程问题中的应用价值,以及不同技术之间的协同作用。这本书的深度和广度,远远超出了我之前接触过的许多同类书籍。我尤其喜欢书中通过大量实例来阐述理论的方法,这使得抽象的物理概念变得更加具体和易于理解。对于任何希望在化合物半导体领域有所建树的研究者和工程师来说,这本书都绝对是不可或缺的工具书。它不仅仅是一本技术手册,更是一本能够激发思考、指引方向的智慧之作,它的存在,无疑会加速我们在这个充满挑战和机遇的领域中的前进步伐。
评分对于从事光电子器件研发的同行来说,这本书在光学表征方面的论述简直是一场及时雨。化合物半导体在光通信、光传感等领域扮演着核心角色,而光学性质的精确掌握是器件设计和优化的基础。书中关于光致发光(PL)和电致发光(EL)的详细讲解,让我了解到如何通过这些技术来评估材料的发光效率、发射波长、线宽,以及掺杂对发光特性的影响。更重要的是,作者们还深入探讨了如何利用这些技术来分析器件内部的激子行为、陷阱发光以及非辐射复合过程。例如,在设计InP基的探测器时,我们需要精确了解其吸收光谱和载流子寿命,而PL和EL技术能够提供关键的实验数据。此外,书中关于傅里叶变换红外光谱(FTIR)在分析材料中的杂质和缺陷,以及在测量载流子浓度方面的应用,也提供了非常实用的信息。
评分这本书的出现,无疑为我们这些在化合物半导体领域摸爬滚打的研究者和工程师提供了一份宝贵的参考。我尤其欣赏它在“表征”这个核心环节上所投入的细致篇幅。众所周知,化合物半导体材料的复杂性远超传统硅基材料,其能带结构、缺陷态、载流子输运特性等都充满了挑战。而要实现高性能、高可靠性的器件,精确的表征手段就如同导航仪,指引我们走向正确的方向。这本书的作者们,显然对这一点有着深刻的理解。他们并没有仅仅停留在罗列各种表征技术的层面,而是深入探讨了每种技术背后的物理原理,以及在化合物半导体特定应用场景下的优势与局限。例如,在介绍X射线衍射(XRD)时,作者们不仅仅讲解了如何测量晶格常数和取向,更详细地阐述了如何利用高分辨XRD(HRXRD)来分析外延层的应力、位错密度,甚至是在极薄异质结中的界面质量。对于那些经常与III-V族化合物(如GaAs, GaN, InP)打交道的同仁来说,能够理解在不同生长条件下,材料内部存在的微小应力变化是如何影响器件性能的,并能通过HRXRD这一强大工具进行量化分析,这是多么重要的一项技能!
评分我特别赞赏作者们在处理复杂材料体系时的严谨态度。化合物半导体,特别是那些多元素合金,其材料性质的复杂性和多样性是出了名的。例如,InGaAsP合金,其组分的变化会带来能带结构、晶格常数等一系列参数的显著改变,这直接影响到光电器件(如激光器、探测器)的工作波长和效率。这本书在讨论针对这类复杂材料的表征方法时,并没有采取“一刀切”的方式,而是针对不同组分比例、不同生长工艺下的材料,给出了具体的表征策略和注意事项。书中对于表面敏感的表征技术,如扫描隧道显微镜(STM)和原子力显微镜(AFM),在处理III-V族化合物表面形貌、台阶结构等方面的应用,也给予了充分的介绍。这些细节的处理,体现了作者们深厚的专业功底和对研究对象的高度尊重,也让这本书的参考价值大大提升。
评分这本书在介绍电子显微学技术方面,也达到了相当的高度。无论是透射电子显微镜(TEM)还是扫描电子显微镜(SEM),其在微观层面揭示材料结构、缺陷和界面信息的能力是毋庸置疑的。然而,对于化合物半导体而言,其晶体结构、生长界面、缺陷的种类(如位错、析出物)等,都对器件性能有着至关重要的影响。本书在这一部分,并没有仅仅停留在介绍基本原理,而是深入探讨了如何利用高分辨TEM(HRTEM)来观察外延层和衬底之间的界面质量,如何通过能谱分析(EDS/EELS)来确定局部组分分布,甚至是如何利用扫描透射电子显微镜(STEM)来分析原子尺度的结构。这些高级的应用,对于理解量子阱、超晶格等精密结构的形成机制,以及分析器件失效的原因,都具有不可替代的作用,让我对电子显微镜的应用有了更深的认识。
评分这本书的另一个亮点在于它对不同表征技术之间协同作用的强调。在化合物半导体器件的设计和制造过程中,单一的表征技术往往不足以全面地了解材料和器件的真实状态。需要将多种技术结合起来,才能形成一个完整的图谱。书中在讲解光学表征技术时,例如拉曼光谱(Raman spectroscopy)和光致发光(PL)光谱,就非常清晰地阐述了它们如何与电学表征、衍射表征等技术互为补充。比如,通过拉曼光谱可以有效地监测GaN材料的应力状态和晶体质量,而PL光谱则能提供关于带隙能量、缺陷能级以及掺杂浓度的信息。将这些信息与电学测量得到的载流子迁移率、阈值电压等参数相结合,我们就能更全面地理解器件性能的来源,并进行有针对性的优化。这种跨领域、多维度的表征思路,对于培养具有系统性思维的半导体工程师至关重要,也是这本书给我带来的深刻启发。
本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息,本站不存储任何数据与内容,任何内容与数据均与本站无关,如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度,google,bing,sogou 等
© 2025 book.coffeedeals.club All Rights Reserved. 静流书站 版权所有