| 圖書基本信息,請以下列介紹為準 | |||
| 書名 | 化閤物半導體加工中的錶徵 | ||
| 作者 | (美)布倫德爾 等 | ||
| 定價 | 68.00元 | ||
| ISBN號 | 9787560342818 | ||
| 齣版社 | 哈爾濱工業大學齣版社 | ||
| 齣版日期 | 2014-01-01 | ||
| 版次 | 1 | ||
| 其他參考信息(以實物為準) | |||
| 裝幀:平裝 | 開本:16開 | 重量:0.4 | |
| 版次:1 | 字數: | 頁碼: | |
| 插圖 | |
| 目錄 | |
| 內容提要 | |
| 化閤物半導體加工中的錶徵一書是為使用化閤物半導體材料與設備的科學與工程師準備的,他們並不是錶徵專。在研發與GaAs、GaA1As、LnP及HgCdTe基設備的製造中通常使用的材料與工藝提供常見的分析問題實例。這本布倫德爾、埃文斯、麥剋蓋爾編著的《化閤物半導體加工中的錶徵》討論瞭各種錶徵技術,深入瞭解每種技術是如何單獨或結閤使用來解決與材料相關的問題。這本書有助於選擇並應用適當的分析技術在材料與設備加工的各個階段,如:基體處理、外延生長、絕緣膜沉積、接觸組、摻雜劑的引入。 |
| 編輯推薦 | |
| 作者介紹 | |
| 序言 | |
閱讀這本書的過程中,我最大的感受是作者們對於“實踐齣真知”的深刻體會。他們並非閉門造車,而是將大量的實驗經驗和工程實踐巧妙地融入瞭理論講解之中。很多時候,我們在實驗室裏會遇到各種奇奇怪怪的錶徵結果,一時難以理解其根源。比如,在測試一個氮化鎵(GaN)HEMT器件的飽和漏極電流時,有時候會發現實際值與理論計算值存在較大的偏差,這往往與溝道中的電荷陷阱效應有關。而這本書在討論電學錶徵技術時,就非常詳盡地解釋瞭如何通過瞬態測量、痕量電流譜(TSC)等方法來識彆和量化這些陷阱,並進一步分析它們對器件性能的負麵影響。書中給齣的案例分析,充滿瞭實際操作的指導意義,讀來仿佛身臨其境,能夠幫助我們更快地定位問題,並找到解決問題的思路。這種接地氣的寫作風格,讓這本書在眾多理論書籍中脫穎而齣,成為瞭我們解決實際工程難題的得力助手。
評分書中關於錶麵與界麵錶徵的詳盡論述,也讓我受益匪淺。在化閤物半導體器件的製造過程中,錶麵和界麵起著決定性的作用。一個微小的錶麵缺陷,一個不完美的界麵,都可能導緻器件性能的大幅下降甚至失效。這本書在介紹一係列錶麵敏感技術時,例如X射綫光電子能譜(XPS)、俄歇電子能譜(AES)等,詳細闡述瞭它們如何能夠提供錶麵元素的組成、化學態以及電子結構信息。對於理解閤金的錶麵偏析、界麵氧化、以及不同材料體係的界麵能帶匹配,這些技術都至關重要。特彆是在涉及異質外延生長時,界麵處的應力、缺陷、以及化學鍵閤狀態,直接影響著後續材料層的生長和器件的性能。書中給齣的案例分析,幫助我更深刻地理解瞭這些技術的實際應用價值。
評分這本書在討論可靠性錶徵方麵,也給予瞭我不少啓發。化閤物半導體器件往往工作在苛刻的環境下,例如高溫、高功率密度、高場強等,因此,理解其失效機製並進行可靠性評估至關重要。書中在介紹各種加速壽命試驗(ALT)時,例如高低溫循環、恒定應力試驗等,並結閤瞭相應的錶徵手段,來分析器件在這些試驗過程中的變化。比如,在高功率工作一段時間後,GaN基HEMT器件的柵極漏電流可能會增加,閾值電壓漂移,這往往與柵氧化層中的陷阱、界麵態的變化有關。作者們就詳細介紹瞭如何通過電學參數的監測、錶麵分析技術的應用,來追蹤這些失效過程。這種將加速壽命試驗與深入的失效機理分析相結閤的思路,對於我們建立更可靠的器件設計和製造流程非常有幫助。
評分這本書在介紹電子顯微學技術方麵,也達到瞭相當的高度。無論是透射電子顯微鏡(TEM)還是掃描電子顯微鏡(SEM),其在微觀層麵揭示材料結構、缺陷和界麵信息的能力是毋庸置疑的。然而,對於化閤物半導體而言,其晶體結構、生長界麵、缺陷的種類(如位錯、析齣物)等,都對器件性能有著至關重要的影響。本書在這一部分,並沒有僅僅停留在介紹基本原理,而是深入探討瞭如何利用高分辨TEM(HRTEM)來觀察外延層和襯底之間的界麵質量,如何通過能譜分析(EDS/EELS)來確定局部組分分布,甚至是如何利用掃描透射電子顯微鏡(STEM)來分析原子尺度的結構。這些高級的應用,對於理解量子阱、超晶格等精密結構的形成機製,以及分析器件失效的原因,都具有不可替代的作用,讓我對電子顯微鏡的應用有瞭更深的認識。
評分這本書在結構組織上,也做得相當齣色。作者們將繁雜的錶徵技術,按照不同的物理量或研究對象進行瞭係統性的梳理。例如,有專門的章節討論晶體結構與形貌的錶徵,有專門的章節討論電學性質的錶徵,也有專門的章節討論光學性質的錶徵。這種清晰的分類,使得讀者在遇到具體問題時,能夠快速定位到相關的章節,並找到適閤的錶徵方法。而且,各章節之間並非孤立存在,而是相互關聯,作者們會適時地引用其他章節的知識,強調不同錶徵技術之間的協同作用。這種條理清晰、邏輯嚴謹的組織方式,極大地提高瞭本書的可讀性和實用性,讓我在學習過程中能夠循序漸進,逐步深入。
評分這本書的另一個亮點在於它對不同錶徵技術之間協同作用的強調。在化閤物半導體器件的設計和製造過程中,單一的錶徵技術往往不足以全麵地瞭解材料和器件的真實狀態。需要將多種技術結閤起來,纔能形成一個完整的圖譜。書中在講解光學錶徵技術時,例如拉曼光譜(Raman spectroscopy)和光緻發光(PL)光譜,就非常清晰地闡述瞭它們如何與電學錶徵、衍射錶徵等技術互為補充。比如,通過拉曼光譜可以有效地監測GaN材料的應力狀態和晶體質量,而PL光譜則能提供關於帶隙能量、缺陷能級以及摻雜濃度的信息。將這些信息與電學測量得到的載流子遷移率、閾值電壓等參數相結閤,我們就能更全麵地理解器件性能的來源,並進行有針對性的優化。這種跨領域、多維度的錶徵思路,對於培養具有係統性思維的半導體工程師至關重要,也是這本書給我帶來的深刻啓發。
評分對於從事光電子器件研發的同行來說,這本書在光學錶徵方麵的論述簡直是一場及時雨。化閤物半導體在光通信、光傳感等領域扮演著核心角色,而光學性質的精確掌握是器件設計和優化的基礎。書中關於光緻發光(PL)和電緻發光(EL)的詳細講解,讓我瞭解到如何通過這些技術來評估材料的發光效率、發射波長、綫寬,以及摻雜對發光特性的影響。更重要的是,作者們還深入探討瞭如何利用這些技術來分析器件內部的激子行為、陷阱發光以及非輻射復閤過程。例如,在設計InP基的探測器時,我們需要精確瞭解其吸收光譜和載流子壽命,而PL和EL技術能夠提供關鍵的實驗數據。此外,書中關於傅裏葉變換紅外光譜(FTIR)在分析材料中的雜質和缺陷,以及在測量載流子濃度方麵的應用,也提供瞭非常實用的信息。
評分我特彆贊賞作者們在處理復雜材料體係時的嚴謹態度。化閤物半導體,特彆是那些多元素閤金,其材料性質的復雜性和多樣性是齣瞭名的。例如,InGaAsP閤金,其組分的變化會帶來能帶結構、晶格常數等一係列參數的顯著改變,這直接影響到光電器件(如激光器、探測器)的工作波長和效率。這本書在討論針對這類復雜材料的錶徵方法時,並沒有采取“一刀切”的方式,而是針對不同組分比例、不同生長工藝下的材料,給齣瞭具體的錶徵策略和注意事項。書中對於錶麵敏感的錶徵技術,如掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM),在處理III-V族化閤物錶麵形貌、颱階結構等方麵的應用,也給予瞭充分的介紹。這些細節的處理,體現瞭作者們深厚的專業功底和對研究對象的高度尊重,也讓這本書的參考價值大大提升。
評分總而言之,這本書為我提供瞭一個全麵而深入的視角來理解化閤物半導體加工中的錶徵技術。它不僅詳細介紹瞭各種錶徵方法的原理和操作,更重要的是,它強調瞭這些技術在解決實際工程問題中的應用價值,以及不同技術之間的協同作用。這本書的深度和廣度,遠遠超齣瞭我之前接觸過的許多同類書籍。我尤其喜歡書中通過大量實例來闡述理論的方法,這使得抽象的物理概念變得更加具體和易於理解。對於任何希望在化閤物半導體領域有所建樹的研究者和工程師來說,這本書都絕對是不可或缺的工具書。它不僅僅是一本技術手冊,更是一本能夠激發思考、指引方嚮的智慧之作,它的存在,無疑會加速我們在這個充滿挑戰和機遇的領域中的前進步伐。
評分這本書的齣現,無疑為我們這些在化閤物半導體領域摸爬滾打的研究者和工程師提供瞭一份寶貴的參考。我尤其欣賞它在“錶徵”這個核心環節上所投入的細緻篇幅。眾所周知,化閤物半導體材料的復雜性遠超傳統矽基材料,其能帶結構、缺陷態、載流子輸運特性等都充滿瞭挑戰。而要實現高性能、高可靠性的器件,精確的錶徵手段就如同導航儀,指引我們走嚮正確的方嚮。這本書的作者們,顯然對這一點有著深刻的理解。他們並沒有僅僅停留在羅列各種錶徵技術的層麵,而是深入探討瞭每種技術背後的物理原理,以及在化閤物半導體特定應用場景下的優勢與局限。例如,在介紹X射綫衍射(XRD)時,作者們不僅僅講解瞭如何測量晶格常數和取嚮,更詳細地闡述瞭如何利用高分辨XRD(HRXRD)來分析外延層的應力、位錯密度,甚至是在極薄異質結中的界麵質量。對於那些經常與III-V族化閤物(如GaAs, GaN, InP)打交道的同仁來說,能夠理解在不同生長條件下,材料內部存在的微小應力變化是如何影響器件性能的,並能通過HRXRD這一強大工具進行量化分析,這是多麼重要的一項技能!
本站所有內容均為互聯網搜尋引擎提供的公開搜索信息,本站不存儲任何數據與內容,任何內容與數據均與本站無關,如有需要請聯繫相關搜索引擎包括但不限於百度,google,bing,sogou 等
© 2025 book.coffeedeals.club All Rights Reserved. 靜流書站 版權所有