半導體的檢測與分析(XX版) 許振嘉 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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許振嘉 著

圖書標籤:

• 半導體
• 檢測
• 分析
• 材料科學
• 電子工程
• 質量控製
• 失效分析
• 測試技術
• 微電子學
• 許振嘉

店鋪： 典則俊雅圖書專營店

齣版社： 科學齣版社有限責任公司

ISBN：9787030194626

商品編碼：29866592835

包裝：圓脊精裝

齣版時間：2018-03-01

圖書基本信息,請以下列介紹為準
書名	半導體的檢測與分析(XX版)
作者	許振嘉
定價	98.00元
ISBN號	9787030194626
齣版社	科學齣版社有限責任公司
齣版日期	2018-03-01
版次	1

其他參考信息（以實物為準）
裝幀：圓脊精裝	開本：128開	重量：0.4
版次：1	字數：	頁碼：

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目錄

內容提要

本書的主要內容包括：高分辨X射綫衍射，光學性質檢測分析，錶麵和薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體研究中的應用，半導體深中心的錶徵。以上內容包括瞭目前半導體材料（第三代半導體和低維結構半導體材料）物理錶徵的實驗技術和具體應用成果。限於篇幅，不能麵麵俱到，所以有些實驗技術，如LEED，RHEED，SIMS等，本書並未包括在內，這些問題將在*章綜述裏麵簡略闡述

編輯推薦

作者介紹

序言

《半導體的檢測與分析（XX版）》 內容簡介 在日新月異的科技浪潮中，半導體産業作為信息時代的基石，其發展速度與技術深度不斷刷新著我們的認知。從微小的芯片到龐大的集成電路，每一個半導體器件的誕生都凝聚著無數科研人員的智慧與汗水。然而，技術的進步離不開嚴謹的驗證與深入的剖析。《半導體的檢測與分析（XX版）》正是在這一背景下應運而生，它是一本係統闡述半導體器件從製造完成到性能評估，再到潛在失效機理探究的專業著作。本書由資深半導體領域專傢許振嘉教授傾力編著，力求為廣大半導體工程師、研發人員、在校研究生以及對半導體技術感興趣的讀者提供一套全麵、深入且實用的檢測與分析理論與實踐指南。 本書共分為[此處可根據實際內容填充書籍的章節劃分，例如：十八章]，每個章節都緊密圍繞半導體檢測與分析的核心環節展開。 第一篇：半導體基礎與檢測原理 第一章：半導體材料與器件概覽 本章將為讀者奠定堅實的理論基礎，首先迴顧半導體材料的基本性質，包括其導電特性、能帶結構、摻雜機理等，重點介紹矽（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等主流半導體材料的特性及其在不同器件中的應用。隨後，將簡要介紹各類典型半導體器件的工作原理，如二極管、三極管、場效應管、集成電路等，為後續的檢測與分析工作提供背景知識。 第二章：半導體檢測的意義與分類 本章深入探討半導體檢測在整個産品生命周期中的重要性，從設計驗證、生産控製、質量保證到失效分析，無不體現檢測的關鍵作用。我們將詳細闡述各類檢測的目的，例如功能性測試、參數測試、可靠性測試、失效分析測試等，並根據檢測的實施階段和側重點，將檢測方法進行係統分類，幫助讀者建立宏觀的檢測認知框架。 第三章：半導體檢測的基本原理與流程 本章將聚焦於半導體檢測的核心技術原理。我們將介紹半導體器件在測試過程中所遵循的基本物理規律，例如電學參數的測量方法、熱學效應的考量、信號的傳播特性等。同時，本書還將詳細梳理典型的半導體器件檢測流程，從測試前的準備工作，如測試方案的設計、測試設備的選型，到測試過程中的數據采集與處理，再到測試結果的解讀與報告撰寫，力求為讀者提供一套完整的實操指南。 第二篇：半導體性能參數檢測技術 第四章：半導體器件的電學參數檢測 電學參數是衡量半導體器件性能最直接、最重要的指標。本章將詳細介紹各類關鍵電學參數的檢測方法與注意事項。這包括但不限於： 直流參數檢測： 如漏電流、導通電壓、閾值電壓、跨導、增益等，以及針對不同器件（如MOSFET、BJT）的特定參數測量。 交流參數檢測： 如頻率響應、帶寬、輸入輸齣阻抗、電容參數（如C-V特性）等，以及這些參數在不同工作狀態下的變化規律。 噪聲參數檢測： 介紹半導體器件的固有噪聲來源，以及相關的噪聲係數、噪聲電壓/電流等參數的測量方法。 瞬態參數檢測： 涉及器件的開關速度、響應時間、過衝與振鈴等，以及相應的測試技術。 第五章：半導體器件的熱學參數檢測與分析 半導體器件的性能與工作溫度密切相關，過高的溫度可能導緻性能下降甚至器件失效。本章將重點關注半導體器件的熱學參數檢測。 結溫的測量與估算： 介紹紅外熱成像、熱敏電阻法、PN結正嚮壓降法等測量結溫的技術，以及基於仿真和經驗模型的結溫估算方法。 熱阻的錶徵： 詳細闡述熱阻的定義、測量方法（如瞬態熱阻測量），以及其對器件可靠性的影響。 熱穩定性分析： 探討器件在不同工作條件下的熱穩定性，以及如何通過閤理的散熱設計和操作來提高其可靠性。 第六章：半導體器件的可靠性參數檢測 可靠性是半導體器件生命力的重要體現。本章將深入探討半導體器件的可靠性檢測技術，包括： 加速壽命試驗（ALT）： 介紹高加速壽命試驗（HALT）和高加速應力篩選（HASS）等加速應力測試的原理、方法和數據分析，如Arrhenius模型、Eyring模型等。 環境應力測試： 如高低溫循環試驗、濕度試驗、溫度衝擊試驗、振動試驗、燒蝕試驗（Burn-in）等，及其對器件的潛在影響。 電源激勵測試： 包括電源電壓變化、脈衝注入等，以評估器件在復雜電源環境下的穩定性。 可靠性數據統計與分析： 介紹失效模式、失效機理的識彆，以及MTTF（平均無故障時間）、失效率等可靠性指標的計算與評估。 第三篇：半導體失效分析技術 第七章：半導體失效的類型與模式 本章將對半導體器件可能齣現的各種失效類型和模式進行係統性的梳理與歸納。我們將區分早期失效、隨機失效和損耗失效，並詳細介紹各種典型的失效模式，如開路、短路、參數漂移、閾值電壓變化、擊穿、柵氧化層失效、金屬互連斷裂、閂鎖效應（Latch-up）等，並初步探討這些失效模式可能産生的根本原因。 第八章：非破壞性失效分析（NDFA）技術 非破壞性失效分析是失效分析的首要步驟，旨在在不損壞器件的情況下獲取失效信息。本章將重點介紹各種非破壞性分析技術： 外觀檢查： 包括目視檢查、顯微鏡檢查，用於發現物理損傷、封裝缺陷等。 電學參數測量與比較： 對比失效器件與良品器件的電學參數，定位異常區域。 聲學顯微成像（SAM）： 用於檢測封裝內的空洞、脫層等缺陷。 X射綫成像： 用於觀察封裝內部結構、焊點連接等。 熱成像分析： 結閤工作狀態和溫度分布，定位過熱區域，指示潛在失效點。 電學故障定位技術： 如紅外掃描（IR Scan）、液體晶體管法（Liquid Crystal Method）、開路/短路探測技術等，用於精確鎖定失效區域。 第九章：破壞性失效分析（DFA）技術 當非破壞性分析無法提供足夠信息時，則需要采用破壞性失效分析技術以獲得更深入的失效機理。本章將詳細介紹： 樣品製備技術： 如機械研磨、化學腐蝕、離子束刻蝕等，用於逐步暴露器件內部結構。 金相顯微鏡與掃描電子顯微鏡（SEM）： 用於高分辨率地觀察器件的微觀結構、形貌和成分。 透射電子顯微鏡（TEM）： 用於觀察更深層次的晶體結構和界麵。 能量色散X射綫譜儀（EDX）/波長色散X射綫譜儀（WDX）： 與SEM/TEM聯用，進行元素成分分析，定位雜質或材料異常。 聚焦離子束（FIB）： 可用於精確地切割、成像和進行材料去除，是失效定位和樣品製備的重要工具。 層析成像技術： 如X射綫層析成像（CT），用於獲取三維的內部結構信息。 化學分析技術： 如俄歇電子能譜（AES）、X射綫光電子能譜（XPS），用於錶麵和淺層成分分析。 第十章：特定失效模式的分析案例 本章將結閤實際案例，將前麵章節介紹的失效分析技術融會貫通。我們將深入剖析幾種典型的失效案例，例如： CMOS器件的閂鎖效應失效分析。 大功率器件的過熱擊穿失效分析。 互連綫斷裂失效的機理分析。 封裝引起的水汽或腐蝕失效分析。 工藝缺陷導緻的早期失效分析。 通過對這些案例的詳細解讀，讀者將能夠更好地理解失效分析的邏輯流程、技術選擇與結果判定。 第四篇：先進半導體檢測與分析技術 第十一章：集成電路（IC）的測試技術 隨著集成電路設計的復雜度不斷提升，其測試技術也麵臨新的挑戰。本章將介紹IC設計驗證、生産測試中的關鍵技術： 邏輯功能測試： 嚮量（Vector）生成與應用，ATPG（自動測試模式生成）技術。 混閤信號IC測試： 模擬與數字部分的協同測試。 存儲器測試： 針對RAM、ROM等存儲器特性的測試算法。 DFT（Design For Testability）技術： 如掃描鏈（Scan Chain）、BIST（Built-In Self-Test）等，旨在提高測試覆蓋率和效率。 DFT在失效分析中的應用。 第十二章：微電子封裝的檢測與分析 封裝是半導體器件的重要組成部分，其質量直接影響器件的性能與可靠性。本章將側重於封裝相關的檢測與分析： 封裝材料的特性分析： 如環氧樹脂、引綫框架、鍵閤綫等。 封裝結構的可靠性測試： 如溫度循環、濕度敏感性等級（MSL）測試。 封裝缺陷的檢測： 如脫層、空洞、應力集中等。 先進封裝技術（如2.5D/3D封裝）的檢測挑戰。 第十三章：光電器件的檢測與分析 光電器件，如LED、激光器、光電探測器等，在現代通信、照明、顯示等領域扮演著重要角色。本章將介紹其特有的檢測技術： LED的電光參數測量： 如光通量、光強、波長、色溫、效率等。 激光器的參數測試： 如輸齣功率、光譜特性、閾值電流、調製速率等。 光電探測器的性能評估： 如響應度、量子效率、噪聲等效功率（NEP）等。 光電器件的可靠性考量。 第十四章：功率半導體器件的檢測與分析 功率半導體器件承擔著能量轉換和傳輸的重要任務，其檢測需要特彆關注高功率、高電壓、高電流下的特性。 功率MOSFET/IGBT的靜態參數測試： 如導通電阻（Rds(on)）、閾值電壓、漏電流。 動態參數測試： 如開關損耗、柵電荷、硬開關特性。 耐壓能力與擊穿特性測試。 熱管理與熱失控分析。 SiC、GaN等寬禁帶半導體器件的特性與檢測。 第十五章：微機電係統（MEMS）的檢測與分析 MEMS器件是將機械結構、傳感器、電子電路集成於微觀尺度，其檢測兼具機械與電子的復雜性。 MEMS器件的機械性能測試： 如位移、力、應力、頻率響應。 MEMS傳感器的性能校準與標定。 MEMS驅動器的性能評估。 MEMS器件的可靠性與失效分析。 第五篇：檢測與分析的未來發展趨勢 第十六章：自動化與智能化檢測技術 隨著半導體産業的規模化和自動化水平的提高，檢測過程也朝著自動化和智能化方嚮發展。本章將探討： 自動化測試係統（ATE）的演進。 機器學習與人工智能在測試數據分析中的應用，如缺陷預測、模式識彆。 智能化的故障診斷與根源定位。 第十七章：新興半導體材料與器件的檢測 量子點、二維材料（如石墨烯）、柔性電子等新興材料和器件層齣不窮，它們帶來瞭新的檢測挑戰與機遇。 新型半導體材料的錶徵技術。 麵嚮新興器件的定製化檢測方案。 超高分辨率、超快響應的檢測技術需求。 第十八章：結論與展望 本書的最後一章將對半導體檢測與分析領域的發展進行總結，並展望未來的發展方嚮。我們將強調標準化、數據共享、跨學科融閤的重要性，並預測在人工智能、大數據等技術的驅動下，半導體檢測與分析將邁嚮更高效、更智能、更精密的未來。 《半導體的檢測與分析（XX版）》不僅是一本技術手冊，更是一座連接理論與實踐的橋梁。本書力求通過嚴謹的理論闡述、豐富的圖錶例證和深入的案例分析，幫助讀者全麵掌握半導體器件的檢測方法、失效分析的邏輯思路以及解決實際問題的能力，從而在競爭激烈的半導體行業中，為産品的質量與可靠性保駕護航。 [請注意：上述簡介中的“[ ]”部分，例如“十八章”，需要根據您實際書籍的章節數量和具體內容進行填充和修改。章節標題和內容概述也僅為示例，請務必與您書籍的實際內容相符。]

評分☆☆☆☆☆

我在閱讀《半導體的檢測與分析（XX版）》的過程中，經常被書中嚴謹的科學態度所摺服。作者在介紹每一種檢測分析方法時，都清晰地闡述瞭其理論基礎、適用範圍、優缺點以及潛在的誤差來源。這種科學嚴謹的態度，對於正在學習半導體技術的學生以及從事相關工作的科研人員來說，是非常寶貴的。它教會我們不能僅僅滿足於得到一個結果，更要理解這個結果是如何得來的，它是否可靠，以及在什麼條件下可能發生變化。這種批判性思維的培養，是成為一名優秀半導體工程師的關鍵。

評分☆☆☆☆☆

令我驚喜的是，《半導體的檢測與分析（XX版）》在介紹各種檢測技術時，常常穿插著作者對於未來發展趨勢的思考和展望。比如，在討論高通量材料篩選的檢測方法時，作者就對人工智能和機器學習在數據分析和模式識彆中的應用進行瞭前瞻性的預測。這種將當前技術與未來發展相結閤的視角，讓我對半導體檢測與分析領域未來的發展充滿瞭期待。它不僅讓我學習到瞭現有的知識，更激發瞭我對未來技術的想象和探索的動力，讓我意識到自己所學的知識將如何在未來發揮更大的作用。

評分☆☆☆☆☆

《半導體的檢測與分析（XX版）》在描述各種分析技術時，並沒有止步於理論介紹，而是花瞭大量篇幅探討瞭不同技術之間的互補性和協同作用。例如，在分析一個復雜的器件失效問題時，單一的分析技術往往難以給齣全麵的結論。作者通過生動的案例，展示瞭如何有機地結閤錶麵形貌分析、成分分析、結構分析以及電學性能測試等多種手段，構建一個完整的分析鏈條，從而層層深入地揭示問題的本質。這種綜閤性的分析思路，對於我這樣希望全麵掌握半導體分析技術的讀者來說，無疑是醍醐灌頂。它教會我如何根據具體的問題，選擇最閤適的分析方法組閤，以達到事半功倍的效果。

評分☆☆☆☆☆

《半導體的檢測與分析（XX版）》在結構編排上給我留下瞭深刻的印象。整本書邏輯清晰，章節之間過渡自然，從基礎的材料特性到復雜的器件失效分析，層層遞進，條理分明。每個章節的開頭都會清晰地介紹本章的重點內容，而結尾則對本章的知識點進行總結和迴顧。這種優秀的結構設計，極大地降低瞭閱讀的難度，使得我可以更高效地吸收和理解書中的知識。對於像我這樣希望係統學習半導體檢測與分析的讀者來說，這樣的編排方式是極大的福音。

評分☆☆☆☆☆

作為一名對半導體技術懷揣濃厚興趣的愛好者，我近期有幸拜讀瞭《半導體的檢測與分析（XX版）》，作者許振嘉。這本書以其宏大的視角和詳實的論述，深深地吸引瞭我，讓我對半導體這一精密而又充滿活力的領域有瞭更深層次的理解。在閱讀過程中，我特彆被書中對於各種檢測技術原理的剖析所震撼。從最初的顯微形貌觀察，到復雜的電學特性測量，再到深入的成分分析，作者都用極其清晰的邏輯和豐富的圖例，將這些看似晦澀的技術娓娓道來。例如，在介紹掃描電子顯微鏡（SEM）的章節，我不僅學習到瞭其成像原理，更理解瞭如何通過調整加速電壓、樣品傾斜角度等參數來優化圖像質量，甚至如何從SEM圖像中推斷齣材料的微觀結構特徵和缺陷類型。這種理論與實踐相結閤的講解方式，極大地激發瞭我深入探究的欲望。

評分☆☆☆☆☆

這本書在對各種先進的分析技術進行介紹時，並沒有忽略那些經典且仍然廣泛應用的檢測手段。《半導體的檢測與分析（XX版）》在迴顧瞭例如四探針法、霍爾效應測量等基礎電學測量方法的同時，也對其局限性進行瞭客觀的評價，並指齣瞭如何在新的應用場景下對其進行改進和優化。這種兼顧經典與前沿的講解方式，使得本書既具有曆史的厚重感，又不失時代的活力。它讓我認識到，即使在日新月異的科技領域，紮實的基礎知識和對經典理論的深刻理解，仍然是不斷前進的基石。

評分☆☆☆☆☆

更讓我印象深刻的是，作者在《半導體的檢測與分析（XX版）》中，對於不同半導體材料在不同工藝環節中所麵臨的典型失效模式，進行瞭細緻的闡述。這些失效模式往往是導緻器件性能下降甚至完全失效的根本原因，而準確地識彆和分析這些失效原因，是優化生産工藝、提升産品可靠性的關鍵。書中通過大量的實際案例，嚮我們展示瞭如何運用各種分析手段，比如X射綫衍射（XRD）來分析晶體結構的缺陷，如何利用拉曼光譜來檢測材料的化學鍵閤狀態和雜質分布，甚至是如何通過加速壽命試驗來預測器件的長期可靠性。這些分析方法不僅是科研人員的必備技能，對於工程師在實際工作中解決問題也具有極強的指導意義，讓我深刻體會到“知其然，更要知其所以然”的重要性。

評分☆☆☆☆☆

讀完《半導體的檢測與分析（XX版）》，我最大的感受之一是半導體檢測與分析的“藝術性”。它不僅僅是一門科學，更是一種需要經驗和洞察力的實踐。作者許振嘉通過其豐富的實踐經驗，在書中分享瞭許多“秘訣”，比如在樣品製備過程中需要注意的細節，如何避免在分析過程中引入新的汙染，以及如何根據不同的材料特性選擇閤適的探測器和工作模式。這些細節看似微小，但在實際操作中卻能對分析結果産生決定性的影響。這種“匠心獨運”的講解，讓我感覺仿佛跟著一位經驗豐富的大師在現場指導，受益匪淺。

評分☆☆☆☆☆

《半導體的檢測與分析（XX版）》讓我對半導體材料的“靈魂”——其內在的電學特性有瞭更深刻的認識。書中對於各種電學參數的測量方法，如載流子濃度、遷移率、擊穿電壓、漏電流等，都進行瞭詳細的介紹。更重要的是，作者將這些電學參數的測量結果與材料的微觀結構、化學成分以及缺陷類型緊密地聯係起來，揭示瞭材料的“內在品質”如何直接影響器件的宏觀性能。這種從微觀到宏觀的聯係，讓我能夠更全麵地理解半導體器件的工作原理和失效機製，為後續的學習和研究打下瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我特彆欣賞《半導體的檢測與分析（XX版）》在數據解讀方麵的細緻入微。僅僅掌握分析儀器的操作是遠遠不夠的，更重要的是如何從儀器輸齣的海量數據中提取有用的信息，並進行科學的解讀。書中對於各種譜圖、圖像、麯綫的解讀方法，都進行瞭詳細的講解，並且給齣瞭大量的實例。比如，在解讀X射綫光電子能譜（XPS）數據時，作者不僅介紹瞭如何識彆不同元素的信號峰，更重要的是闡述瞭如何通過峰位、峰強、峰形的變化來分析元素的化學狀態、氧化還原情況以及錶麵成分的分布。這種嚴謹的分析方法，對於培養讀者獨立分析和解決問題的能力至關重要。