具體描述
內容簡介
全書共分5個單元，第一單元，主要介紹單晶矽襯底結構特點，體矽和外延矽片的製造方法；第二單元~第五單元，主要介紹矽芯片製造基本單項工藝（氧化、摻雜、薄膜製備、光刻、工藝集成與封裝測試）的原理、方法、設備，以及依托的技術基礎和發展趨勢。每單元後都有習題。另外，還在附錄中以雙極性晶體管製作為例介紹微電子生産實習等內容。
作者簡介
王蔚，哈爾濱工業大學，教學/科研方嚮：微電子工藝技術、納米技術、MEMS、微流控係統技術。1995~現在，哈爾濱工業大學微電子科學與技術係，實驗室主任，2006年被聘副教授，主講微電子工藝、納米技術、固態電子論等課程， 2012年晉升教授級高工。自1996年開始主講微電子工藝課程，至今已近30年。2010年版《集成電路製造技術—原理與工藝》教材，主編《固態電子論》2013年3月由電子工業齣版社齣版發錶教學與科研論文30餘篇。
目錄
第0章 緒論
0．1 何謂集成電路工藝
0．2 集成電路製造技術發展曆程
0．3 集成電路製造技術特點
0．3．1 超淨環境
0．3．2 超純材料
0．3．3 批量復製和廣泛的用途
0．4 本書內容結構
第1單元 矽襯底
第1章 單晶矽特性
1．1 矽晶體的結構特點
1．1．1 矽的性質
1．1．2 矽晶胞
1．1．3 矽單晶的晶嚮、晶麵
1．2 矽晶體缺陷
1．2．1 點缺陷
1．2．2 綫缺陷
1．2．3 麵缺陷和體缺陷
1．3 矽晶體中的雜質
1．3．1 雜質對矽電學性質的影響
1．3．2 固溶度和相圖
本章小結
第2章 矽片的製備
2．1 多晶矽的製備
2．1．1 冶煉
2．1．2 提純
2．2 單晶矽生長
2．2．1 直拉法
2．2．2 單晶生長原理
2．2．3 晶體摻雜
2．2．4 磁控直拉法
2．2．5 懸浮區熔法
2．3 切製矽片
2．3．1 切片工藝
2．3．2 矽片規格及用途
本章小結
第3章 外延
3．1 概述
3．1．1 外延概念
3．1．2 外延工藝種類
3．1．3 外延工藝用途
3．2 氣相外延
3．2．1 矽的氣相外延工藝
3．2．2 外延原理
3．2．3 影響外延生長速率的因素
3．2．4 外延摻雜
3．2．5 外延設備
3．2．6 外延技術
3．3 分子束外延
3．3．1 工藝及原理
3．3．2 外延設備
3．3．3 MBE工藝特點
3．4 其他外延方法 52
3．4．1 液相外延 52
3．4．2 固相外延 53
3．4．3 先進外延技術及發展趨勢 54
3．5 外延缺陷與外延層檢測 55
3．5．1 外延缺陷類型及分析檢測 55
3．5．2 圖形漂移和畸變現象 56
3．5．3 外延層參數測量 57
本章小結 58
單元習題一 58
第2單元 氧化與摻雜
第4章 熱氧化
4．1 二氧化矽薄膜概述
4．1．1 二氧化矽結構
4．1．2 二氧化矽的理化性質及用途
4．1．3 二氧化矽薄膜中的雜質
4．1．4 雜質在SiO2中的擴散
4．1．5 二氧化矽的掩蔽作用
4．2 矽的熱氧化
4．2．1 熱氧化工藝
4．2．2 熱氧化機理
4．2．3 矽的Deal Grove熱氧化模型
4．2．4 熱氧化生長速率
4．2．5 影響氧化速率的各種因素
4．3 初始氧化階段及薄氧化層製備
4．4 熱氧化過程中雜質的再分布
4．4．1 雜質的分凝效應
4．4．2 再分布對矽錶麵雜質濃度的影響
4．5 氧化層的質量及檢測
4．5．1 SiO2層厚度的測量
4．5．2 SiO2層成膜質量的測量
4．6 其他氧化方法
4．6．1 摻氯氧化
4．6．2 高壓氧化
4．6．3 熱氧化工藝展望
本章小結
第5章 擴散
5．1 擴散機構
5．1．1 替位式擴散（Substitutional）
5．1．2 填隙式擴散（Interstitial）
5．1．3 填隙-替位式擴散
5．2 晶體中擴散的基本特點與宏觀動力學方程
5．2．1 基本特點
5．2．2 擴散方程
5．2．3 擴散係數
5．3 雜質的擴散摻雜
5．3．1 恒定錶麵源擴散
5．3．2 限定錶麵源擴散
5．3．3 兩步擴散工藝
5．4 熱擴散工藝中影響雜質分布的其他因素
5．4．1 矽中點缺陷對雜質擴散的影響
5．4．2 氧化增強擴散
5．4．3 發射區推進效應
5．4．4 橫嚮擴散效應
5．4．5 場助擴散效應
5．5 擴散工藝條件與方法
5．5．1 擴散方法的選擇
5．5．2 雜質源選擇
5．5．3 常用雜質的擴散工藝
5．6 擴散工藝質量與檢測
5．6．1 結深的測量
5．6．2 錶麵濃度的確定
5．6．3 器件的電學特性與擴散工藝的關係
5．7 擴散工藝的發展
本章小結
第6章 離子注入
6．1 概述
6．2 離子注入原理
6．2．1 與注入離子分布相關的幾個概念
6．2．2 離子注入相關理論基礎
6．2．3 幾種常用雜質在矽中的核阻止本領與能量關係
6．3 注入離子在靶中的分布
6．3．1 縱嚮分布
6．3．2 橫嚮效應
6．3．3 單晶靶中的溝道效應
6．3．4 影響注入離子分布的其他因素
6．4 注入損傷
6．4．1 級聯碰撞
6．4．2 簡單晶格損傷
6．4．3 非晶層的形成
6．5 退火
6．5．1 矽材料的熱退火特性
6．5．2 硼的退火特性
6．5．3 磷的退火特性
6．5．4 高溫退火引起的雜質再分布
6．5．5 二次缺陷
6．5．6 退火方式及快速熱處理技術
6．6 離子注入設備與工藝
6．6．1 離子注入機
6．6．2 離子注入工藝流程
6．7 離子注入的其他應用
6．7．1 淺結的形成
6．7．2 調整MOS晶體管的閾值電壓
6．7．3 自對準金屬柵結構
6．7．4 離子注入在SOI結構中的應用
6．8 離子注入與熱擴散比較及摻雜新技術
本章小結
單元習題二
第3單元 薄膜製備
第7章 化學氣相澱積
7．1 CVD概述
7．2 CVD工藝原理
7．2．1 薄膜澱積過程
7．2．2 薄膜澱積速率及影響因素
7．2．3 薄膜質量控製
7．3 CVD工藝方法
7．3．1 常壓化學氣相澱積
7．3．2 低壓化學氣相澱積
7．3．3 等離子體的産生
7．3．4 等離子增強化學氣相澱積
7．3．5 CVD工藝方法的進展
7．4 二氧化矽薄膜的澱積
7．4．1 CVD SiO2特性與用途
7．4．2 APCVD SiO2
7．4．3 LPCVD SiO2
7．4．4 PECVD SiO2
7．5 氮化矽薄膜澱積
7．5．1 氮化矽薄膜性質與用途
7．5．2 LPCVD Si3N4
7．5．3 PECVD Si3N4
7．6 多晶矽薄膜的澱積
7．6．1 多晶矽薄膜的性質與用途
7．6．2 CVD多晶矽薄膜工藝
7．6．3 多晶矽薄膜的摻雜
7．7 CVD金屬及金屬化閤物薄膜
7．7．1 鎢及其化學氣相澱積
7．7．2 金屬化閤物的化學氣相澱積
7．7．3 CVD金屬及金屬化閤物的進展
本章小結
第8章 物理氣相澱積
8．1 PVD概述
8．2 真空係統及真空的獲得
8．2．1 真空係統簡介
8．2．2 真空的獲得方法
8．2．3 真空度的測量
8．3 真空蒸鍍
8．3．1 工藝原理
8．3．2 蒸鍍設備
8．3．3 蒸鍍工藝
8．3．4 蒸鍍薄膜的質量及控製
8．4 濺射
8．4．1 工藝原理
8．4．2 直流濺射
8．4．3 射頻濺射
8．4．4 磁控濺射
8．4．5 其他濺射方法
8．4．6 濺射薄膜的質量及改善方法
8．5 PVD金屬及化閤物薄膜
8．5．1 鋁及鋁閤金薄膜澱積
8．5．2 銅及其阻擋層薄膜的澱積
8．5．3 其他金屬薄膜和化閤物薄膜
本章小結
單元習題三
第4單元 光刻
第9章 光刻工藝
9．1 概述
9．2 基本光刻工藝流程
9．2．1 底膜處理
9．2．2 塗膠
9．2．3 前烘
9．2．4 曝光
9．2．5 顯影
9．2．6 堅膜
9．2．7 顯影檢驗
9．2．8 刻蝕
9．2．9 去膠
9．2．10 最終檢驗
9．3 光刻技術中的常見問題
9．3．1 浮膠
9．3．2 毛刺和鑽蝕
9．3．3 針孔
9．3．4 小島
本章小結
第10章 光刻技術
10．1 光刻掩模版的製造
10．1．1 製版工藝簡介
10．1．2 掩模版的基本構造及質量要求
10．1．3 鉻版的製備技術
10．1．4 彩色版製備技術
10．1．5 光刻製版麵臨的挑戰
10．2 光刻膠
10．2．1 光刻膠的特徵量
10．2．2 光學光刻膠
10．2．3 其他光刻膠
10．3 光學分辨率增強技術
10．3．1 離軸照明技術
10．3．2 其他分辨率增強技術
10．4 紫外光曝光技術
10．4．1 接近式曝光
10．4．2 接觸式曝光
10．4．3 投影式曝光
10．5 其他曝光技術
10．5．1 電子束曝光
10．5．2 X射綫曝光
10．5．3 離子束曝光
10．5．4 新技術展望
10．6 光刻設備
10．6．1 接觸式光刻機
10．6．2 接近式光刻機
10．6．3 掃描投影光刻機
10．6．4 分步重復投影光刻機
10．6．5 步進掃描投影光刻機
10．6．6 光刻設備的發展趨勢
本章小結
第11章 刻蝕技術
11．1 概述
11．2 濕法刻蝕
11．2．1 矽的濕法刻蝕
11．2．2 二氧化矽的濕法刻蝕
11．2．3 氮化矽的濕法刻蝕
11．2．4 鋁的濕法刻蝕
11．2．5 鉻的濕法刻蝕
11．2．6 濕法刻蝕設備
11．3 乾法刻蝕
11．3．1 刻蝕參數
11．3．2 多晶矽的乾法刻蝕
11．3．3 二氧化矽的乾法刻蝕
11．3．4 氮化矽的乾法刻蝕
11．3．5 鋁及鋁閤金的乾法刻蝕
11．3．6 鎢的刻蝕
11．3．7 乾法刻蝕設備
11．3．8 終點檢測
11．4 刻蝕技術新進展
11．4．1 四甲基氫氧化銨濕法刻蝕
11．4．2 軟刻蝕
11．4．3 約束刻蝕劑層技術
本章小結
單元習題四
第5單元 工藝集成與封裝測試
第12章 工藝集成
12．1 金屬化與多層互連
12．1．1 歐姆接觸
12．1．2 布綫技術
12．1．3 多層互連
12．1．4 銅多層互連係統工藝流程
12．2 CMOS集成電路工藝
12．2．1 隔離工藝
12．2．2 阱工藝結構
12．2．3 薄柵氧化技術
12．2．4 非均勻溝道摻雜
12．2．5 柵電極材料與難熔金屬矽化物自對準工藝
12．2．6 源/漏技術與淺結形成
12．2．7 CMOS電路工藝流程
12．3 雙極型集成電路工藝
12．3．1 隔離工藝
12．3．2 雙極型集成電路工藝流程
12．3．3 多晶矽在雙極型電路中的應用
本章小結
第13章 工藝監控
13．1 概述
13．2 實時監控
13．3 工藝檢測片
13．3．1 晶片檢測
13．3．2 氧化層檢測
13．3．3 光刻工藝檢測
13．3．4 擴散層檢測
13．3．5 離子注入層檢測
13．3．6 外延層檢測
13．4 集成結構測試圖形
13．4．1 微電子測試圖形的功能與配置
13．4．2 幾種常用的測試圖形
13．4．3 微電子測試圖形實例
本章小結
第14章 封裝與測試
14．1 芯片封裝技術
14．1．1 封裝的作用和地位
14．1．2 封裝類型
14．1．3 幾種典型封裝技術
14．1．4 未來封裝技術展望
14．2 集成電路測試技術
14．2．1 簡介
14．2．2 數字電路測試方法
14．2．3 數字電路失效模型
14．2．4 準靜態電流測試分析法
14．2．5 模擬電路及數模混閤電路測試
14．2．6 未來測試技術展望
本章小結
單元習題五
附錄A 微電子器件製造生産實習
A．1 矽片電阻率測量
A．2 矽片清洗
A．3 一次氧化
A．4 氧化層厚度測量
A．5 光刻腐蝕基區
A．6 硼擴散
A．7 pn結結深測量
A．8 光刻腐蝕發射區
A．9 磷擴散
A．10 光刻引綫孔
A．11 真空鍍鋁
A．12 反刻鋁
A．13 閤金化
A．14 中測
A．15 劃片
A．16 上架燒結
A．17 壓焊
A．18 封帽
A．19 晶體管電學特性測量
附錄B SUPREM模擬
B．1 SUPREM軟件簡介
B．2 氧化工藝
B．3 擴散工藝
B．4 離子注入
參考文獻
前言/序言
第二版前言
從1996年開始，編者就在哈爾濱工業大學講授“微電子工藝”課程，至今已有近
二十年。最初因沒有閤適的教材，編者編寫瞭《微電子工藝講義》作為微電子科學與技術專業本科生的校內教材，並在2002年進行瞭修訂。該講義主要介紹矽基微電子分立器件與集成電路基本單項工藝的原理與方法、典型分立器件工藝流程，以及集成電路工藝特有的隔離技術等。微電子科技是高速發展的産業推動型學科，微電子産品製造技術更是日新月異。隨著工藝技術的發展進步，原講義內容需要更新，且原講義是針對30授課學時使用的教材，內容涵蓋麵小、偏淺。因此，編者從2008年開始在原講義基礎之上重新編寫本教材，並得到哈爾濱工業大學“十一五”規劃教材項目的資助。鑒於本教材內容及矽基集成電路在微電子産品中的主導地位，且集成電路製造工藝已涵蓋瞭分立器件工藝的內容，本教材最終定名為《集成電路製造技術——原理與工藝》，並於2010年齣版。
本書共分5個單元。第1單元介紹矽襯底，主要介紹矽單晶的結構特點，矽錠的拉製與體矽片、外延矽片的製造工藝及相關理論。第2～5單元介紹矽芯片製造基本單項工藝的原理、方法、設備，以及所依托的技術基礎及發展趨勢。其中，第2單元氧化與摻雜，介紹熱氧化生長二氧化矽工藝，以及通過擴散與離子注入在矽片特定區域的定量摻雜工藝，這是最基本的矽平麵工藝；第3單元薄膜製備，介紹化學氣相澱積（CVD）和物理氣相澱積（PVD）兩類薄膜製備方法，以及二氧化矽、氮化矽介質薄膜，多晶矽薄膜，金屬薄膜和化閤物薄膜的澱積工藝；第4單元光刻技術，介紹光刻工藝過程，現代光刻技術和刻蝕工藝；第5單元工藝集成與封裝測試，介紹典型工藝集成技術的要點，典型的CMOS電路、雙極型電路工藝流程，以及芯片製造過程中的工藝監控、測試和芯片封裝技術。另外，附錄A微電子器件製造生産實習，介紹雙極型晶體管的全部工藝步驟與檢測技術；附錄BSUPREM模擬，介紹瞭工藝模擬知識和SUPREM軟件。
本書配有PPT教學課件、習題解答、微電子工藝視頻等豐富教學資源，讀者可通過電子工業齣版社華信教育資源網http：//www.hxedu.com.cn，免費注冊下載。
本書自2010年齣版以來，得到好多方好評，被哈爾濱工業大學評為優秀教材，獲得瞭黑龍江省優秀高等教育成果（教材）二等奬，並已被多所高校選用。
2014年本教材又入選“工業和信息化部‘十二五’規劃教材”，藉此良機，我們對原版教材進行瞭全麵的修訂。
第2版在保持原來版本基本風格，主體框架，核心知識的基礎上，除訂正瞭上一版的錯誤之外，對第4單元的光刻、第5單元的工藝集成部分做瞭較大修改,並增補瞭近幾年集成電路製造技術領域科技進步的內容，使之跟上時代步伐，反映當今集成電路製造技術的最新水平。同時，還特彆開發瞭配套MOOC教學資源,廣大讀者可登錄華信慕課平颱http://mooc.hxedu.com.cn.進行在綫學習。
本次修訂齣版獲得瞭“工業和信息化部‘十二五’規劃教材”項目的資助。
本書適閤作為電子科學與技術類本科生學習微電子工藝（或集成電路工藝）類相關課程的教材，建議授課學時40學時。附錄A適閤學生在學習完“微電子工藝”課程之後作為微電子生産實習指導書，建議學習時間為3周。本教材也適閤作為微電子領域及相關專業技術人員瞭解集成電路製造工藝技術的參考書。
本書原版的緒論、第1單元、第3單元和附錄A由王蔚執筆，並進行瞭全書的統稿；第2單元和附錄B由田麗執筆；第4單元和第5單元由任明遠執筆。第二版由王蔚、田麗進行修訂。哈爾濱工業大學國傢集成電路培養基地主任劉曉為教授、哈爾濱理工大學應用科學學院副院長曹一江教授對全書進行瞭主審。
本書編撰過程中蘭慕傑教授對初稿進行瞭審校，並給予許多寶貴意見；另外，學生宣雷、傅建齊、李昊鳴在初稿編寫中幫助收集資料並撰寫部分內容。在此，對上述各位，以及為本書齣版給予支持與幫助的人士錶示衷心的感謝！
由於作者水平有限，書中錯漏之處在所難免，懇請讀者予以指正。
王 蔚
2016年4月於哈爾濱工業大學
用戶評價
這本書的封麵設計倒是挺沉穩的，但翻開第一頁，就有一種知識的海洋在眼前鋪展開來的感覺。我本來以為會是那種枯燥的教科書，結果沒想到，作者的敘述方式相當的有條理，而且邏輯性很強。對於我這種初學者來說，最怕的就是知識點跳躍，讓人摸不著頭腦，但這本書在這方麵做得相當到位。它從最基礎的材料特性開始講起，層層遞進，將復雜的製造流程一點點地剖析開來。即使是像光刻、刻蝕這些我一直覺得很玄乎的技術，在作者的筆下也變得清晰易懂。我尤其喜歡它在講解每一個工藝步驟時，都會配上相應的原理說明，讓你不僅僅知道“怎麼做”，更明白“為什麼這麼做”。這種“知其然，更知其所以然”的講解方式，對於提升對整個製造鏈條的理解，簡直是太重要瞭。而且，書中對一些關鍵的技術參數和設備都有詳細的介紹，這對於我這種希望深入瞭解實際操作的人來說，簡直是雪中送炭。比如，對於不同類型的光刻機，它們的工作原理、優缺點，以及在不同製程節點上的應用，都有非常詳盡的闡述。讀完這一部分，我纔真正意識到，原來小小的一顆芯片，背後承載瞭如此精密和復雜的技術。
評分我一直認為，優秀的科技書籍，應該既有深度，又有廣度，同時還要兼顧可讀性。這本書在這些方麵都做得相當齣色。作者在內容的組織上，采用瞭非常科學的結構，從宏觀到微觀，層層深入。在講解每一個工藝步驟時，都能夠抓住核心要點，並且用清晰、簡潔的語言進行闡述。我尤其欣賞它在介紹一些前沿技術時，能夠用通俗易懂的方式進行解釋，讓那些聽起來很專業的術語，變得容易理解。比如，在講解 FinFET（鰭式場效應晶體管）的結構和工作原理時，作者通過詳細的剖麵圖和性能對比，讓我清晰地理解瞭FinFET相比於傳統的平麵晶體管所帶來的優勢，以及它在提升器件性能和降低功耗方麵的作用。這種“化繁為簡”的講解方式，對於我這種非專業背景但對集成電路製造有濃厚興趣的讀者來說，非常有幫助。
評分我之前接觸過一些集成電路製造相關的書籍，但很多都過於偏重某一方麵，要麼是材料，要麼是設備，要麼是物理原理，很難找到一本能夠提供全麵視角、並且深度適中的著作。這本書恰好彌補瞭我的這一遺憾。它在內容的覆蓋麵上非常廣，從最基礎的矽片製備，到最精密的納米級器件製造，都進行瞭詳實的介紹。而且，作者在講解時，能夠有效地平衡理論深度和實踐應用。它不會迴避那些復雜的物理和化學原理，但同時又能將這些原理與實際的製造工藝緊密結閤。我特彆欣賞它在講解一些關鍵工藝步驟時，會引用大量的圖錶和示意圖，這極大地幫助我理解那些抽象的幾何結構和物理過程。例如，在講解 LOD（Layer-of-Diffusion）和 LOCOS（Local Oxidation of Silicon）這兩種隔離技術時，作者通過精美的示意圖，生動地展示瞭不同技術的結構特點和工作原理，讓我能夠清晰地辨彆它們的差異和應用場景。
評分我拿到的這本書，其內容之充實、結構之嚴謹，是我之前從未見過的。作者在編寫過程中，顯然進行瞭大量的調研和實踐。這本書的特點在於，它不僅僅是停留在理論層麵，而是將理論與實際生産緊密結閤。在講解每一個工藝步驟時，作者都會詳細介紹所涉及的材料、設備、工藝參數，以及可能遇到的問題和解決方案。這種“實操導嚮”的講解方式，對於希望深入瞭解集成電路製造的讀者來說，具有非常高的價值。我印象最深的是，書中對於良率提升的討論。作者詳細分析瞭影響良率的各種因素，並提齣瞭相應的改進措施。這讓我意識到，集成電路製造不僅僅是技術的堆砌，更是對細節的極緻追求和對問題的不斷攻剋。例如，在討論金屬互連工藝時，作者會詳細介紹 Copper（銅）和 Aluminum（鋁）的優缺點，以及它們在不同製程節點上的應用，並會探討如何通過優化電鍍和刻蝕工藝來降低電阻和提高可靠性。
評分說實話，這本書的厚度一開始讓我有些猶豫，畢竟集成電路製造是一個龐大而復雜的領域。但當我真正投入進去閱讀後，我發現這種厚重感恰恰是它價值的體現。作者在內容的廣度和深度上都做得相當齣色。它覆蓋瞭從基礎的晶圓製備，到復雜的晶體管器件的形成，再到後端的封裝測試，幾乎涵蓋瞭集成電路製造的全過程。而且，在每一個環節，作者都能夠深入到關鍵的技術細節，而不僅僅是泛泛而談。我尤其欣賞它在解釋一些物理和化學原理時，能夠結閤實際的製造過程，讓那些抽象的理論變得具體可感。比如，在講到摻雜工藝時，作者會詳細解釋不同摻雜劑的擴散機理，以及它們對器件電學特性的影響，並且還會介紹實現這些摻雜的各種工藝方法，如離子注入和擴散等，並且會比較它們的優缺點。這對於理解為什麼某些器件性能更好，或者為什麼某個工藝環節更容易齣現問題，都提供瞭非常紮實的理論基礎。
評分這本書最吸引我的地方在於，它能夠把那些看似高不可攀的集成電路製造技術，用一種非常清晰、有條理的方式呈現齣來。作者在內容編排上，顯然是花瞭很多心思的。它並不是簡單地羅列技術名詞，而是將不同的工藝環節串聯起來，形成一個完整的知識體係。在閱讀過程中，我能夠清晰地感受到，每一個工藝步驟是如何承接上一個步驟，又是如何為下一個步驟做準備的，整個過程環環相扣，邏輯嚴密。特彆是對於一些對後道工藝有重要影響的前道工藝，作者會進行特彆的強調，並解釋其原因。例如，在講解薄膜沉積時，它會詳細闡述不同沉積方法（如CVD、PVD）的原理、優缺點，以及它們對後續光刻、刻蝕等工藝精度的影響，這讓我對整個製造鏈條的協同作用有瞭更深刻的認識。
評分我一直覺得，學習一門技術，如果僅僅停留在理論層麵，是遠遠不夠的。這本書在這方麵做得非常齣色，它在介紹理論知識的同時，非常注重與實際工藝的結閤。作者在描述每一個製造步驟時，都會盡量貼近實際的生産環境，詳細介紹所使用的設備、材料、工藝參數，以及可能遇到的問題和解決方案。這種“接地氣”的講解方式，對於我這種希望將知識轉化為實踐的人來說，非常有幫助。比如，在講解濕法刻蝕時，它不僅解釋瞭化學反應的原理，還詳細描述瞭如何選擇閤適的腐蝕劑、如何控製腐蝕速率、以及如何避免側嚮腐蝕等關鍵問題，並且還會提到一些實際生産中常用的設備和工藝流程。讀完這部分，我感覺自己仿佛置身於一個真實的晶圓廠，能夠更直觀地理解那些復雜的生産流程。
評分這本書帶給我的不僅僅是知識的增長，更是一種思維方式的啓發。作者在講解集成電路製造的原理和工藝時，不僅僅是羅列事實，更是引導讀者去思考。它通過對每一個工藝步驟的深入剖析，讓讀者理解背後的科學原理和工程挑戰。我尤其喜歡它在討論不同工藝之間的相互影響時，展現齣的宏觀視角。比如，在講解化學機械拋光（CMP）時，作者會詳細闡述CMP如何影響後續的薄膜厚度均勻性，進而影響光刻的精度，以及最終的器件性能。這種“牽一發而動全身”的講解方式，讓我對整個製造鏈條有瞭更深刻的認識，也讓我意識到，在集成電路製造領域，每一個環節都至關重要，需要協同優化。
評分作為一名對半導體行業充滿好奇的求知者，我一直渴望能有一本書，能夠係統地、深入淺齣地講解集成電路製造的奧秘。這本書無疑滿足瞭我的這一期望。作者在撰寫過程中，充分考慮瞭讀者的接受程度，采用瞭循序漸進的講解方式。從最基礎的半導體材料特性，到復雜的光刻、刻蝕、離子注入等關鍵工藝，再到後端的集成和測試，每一個環節都進行瞭詳盡的闡述。我尤其喜歡它在介紹新的工藝技術時，會迴顧和對比之前介紹過的老工藝，這樣能夠讓我更清晰地看到技術發展的脈絡和驅動力。比如，在講到EUV光刻技術時，作者會詳細介紹其與傳統光刻技術的原理差異、技術難點，以及它如何為更先進的製程節點提供可能。這種“承前啓後”的講解方式，讓我在學習新知識的同時，也能鞏固和加深對舊知識的理解。
評分我拿到這本書的時候，其實是帶著一種“試試看”的心態。我對集成電路製造領域一直很感興趣，但總覺得這方麵的資料要麼過於理論化，要麼過於碎片化，很難找到一本係統性的、能夠幫助我構建完整知識體係的書籍。這本書的齣現，很大程度上滿足瞭我的需求。它不是那種照搬公式、堆砌概念的教材，而是以一種非常平實的語言，將那些聽起來很高深的製造工藝娓娓道來。作者在組織內容上，也花瞭很大的心思。它並沒有簡單地按照時間順序來介紹，而是根據工藝的內在邏輯和相互關係來展開。比如，在講解某一工序時，會提前引入後續工序需要達到的目標，或者迴顧前麵工序對當前工序的影響。這種“前後呼應”、“融會貫通”的講解方式，讓我在閱讀過程中，能夠清晰地感受到整個製造流程的連貫性和相互依賴性，而不是孤立地看待每一個步驟。而且，書中對一些經典案例的分析，以及對未來技術趨勢的展望，都讓我印象深刻。它不僅僅是告訴你“現在是什麼樣”，更是讓你思考“未來會走嚮何方”。
評分粗糙，裏麵的圖全是黑白的，模糊不清，包裝很差，書有一些磕磕碰碰的，
評分專業讀物，還行吧，學習學習！
評分書不錯，寫得讓初學者看瞭也不會吃力
評分好好好好好好好好好好好好好好好好好好好好
評分一直在京東購書，速度快，書也是正版
評分書很好。
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