電子信息前沿技術叢書：模擬CMOS集成電路設計（第2版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

Behzad Razavi 著，池保勇 譯

圖書標籤:

• 模擬電路
• CMOS
• 集成電路設計
• 電子信息
• 電路分析
• 模擬電路設計
• 射頻電路
• 低功耗設計
• 高等教育
• 教材

齣版社： 清華大學齣版社

ISBN：9787302489856

版次：2

商品編碼：12288756

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2017-12-01

用紙：膠版紙

頁數：647

字數：1008000

編輯推薦

　　

廣泛采用的模擬電路設計教材（第2版）

“模擬ＣＭＯＳ集成電路設計”提供瞭模擬ＣＭＯＳ集成電路分析與設計的新視角。這本教材既強調基本原理，也強調對現代模擬電路設計至關重要的新範式。拉紮維教授用清晰而又直觀的語言讓讀者逐漸理解模擬和混閤信號集成電路中的重要概念。

拉紮維教授編著的這本教材提供瞭許多新的內容來增強讀者的學習體驗：

鰭式晶體管；

增加瞭一章來討論低壓納米CMOS電路設計；

增加瞭邊欄突齣納米CMOS電路設計的重要知識點；

基於波特圖和Middlebrook技術的反饋係統分析；

增加瞭奈奎斯特穩定性判據及其應用的章節；

低壓能隙基準源；

100多個新的例題。

　　

內容簡介

　　

拉紮維教授編著的《模擬CMOS集成電路設計》一書齣版於2001年。由於其內容編排閤理，講述方式由淺入深，注重電路直觀分析能力的培養，並安排瞭大量的例題及課後習題，該書一經麵世，即在世界範圍內引起瞭強烈反響，迅速被國內外各大高校采用為微電子、電子工程等專業的本科生或研究生教材，成為與P.R.Gray等編著的Analysis and Design of Analog Integrated Circuits齊名的模擬集成電路經典教材。
　　 但是，從2001年至今，CMOS工藝已經發生瞭巨大變化，晶體管特徵尺寸不斷縮小，導緻衡量晶體管性能的電路參數（跨導效率、特徵頻率和本徵增益）發生瞭很大變化，加之電源電壓不斷下降導緻傳統電路拓撲結構的應用受到限製，期間也齣現瞭新的模擬集成電路分析與設計方法，以上的這些因素都要求對原來的教材內容進行改寫。本書第二版正是在此背景下編寫的。該版在保留第一版編寫特色的前提下，大幅增加瞭電路設計的敘述篇幅，如第11章專門討論瞭納米CMOS工藝下的電路設計策略和循序漸進的運算放大器設計方法，有利於培養讀者的電路設計能力。該版本還引入瞭波特圖和MiddleBrook分析法來分析反饋網絡的特性，增加瞭奈奎斯特穩定性判據、鰭式晶體管（FinFET）、新偏置電路技術及低壓能隙基準源等內容，有利於讀者跟蹤*新的模擬集成電路設計技術。該版本還增加瞭很多新的例題，並更新瞭課後習題。我相信改版後的這本教材更加適閤於現階段相關專業本科生和研究生課程教學的需要，也適閤作為一綫工作的集成電路設計工程師的常用參數書。
　　 由McGraw-Hill齣版社齣版的《模擬CMOS集成電路設計（第2版）》共包含19章內容。清華大學齣版社在引進影印版本時，根據國內教育教學情況進行瞭刪減：（1）考慮到振蕩器和鎖相環屬於高頻電路內容，專門的通信電路或射頻電路教材均會對其進行詳細介紹，將原版本中的第15章“振蕩器”和第16章“鎖相環”相關內容刪除；（2）考慮到國內相關專業普遍開設瞭專門的“半導體器件物理”“集成電路工藝”等課程，將原版本中的第16章“MOS器件與模型”和第17章“CMOS製造工藝”相關內容刪除。

作者簡介

畢查德·拉紮維(Behzad Razavi)，1985年在謝裏夫理工大學取得電子工程學士學位，1988年和1992年在斯坦福大學取得電子工程碩士學位和電子工程博士學位。畢業後至1996年期間，他在AT&T;貝爾實驗室和惠普實驗室工作。從1996年開始，他先後以副教授和教授身份在加州大學洛杉磯分校工作。他當前的研究領域包括無綫收發機、頻率閤成器、應用於高速數據通信的鎖相環、時鍾恢復電路和數據變換器。
拉紮維教授在1992—1994年擔任普林斯頓大學的兼職教授，在1995年擔任斯坦福大學的兼職教授。1993—2002年，他擔任國際固態電路會議（ISSCC）的技術程序委員會委員，1998—2002年，他擔任超大規模集成電路會議（VLSI）的技術程序委員會委員。他也曾擔任IEEE固態電路雜誌（JSSC）、IEEE電路和係統匯刊、國際高速電子學雜誌的客座編輯和副主編。
拉紮維教授獲得過1994年ISSCC會議Beatrice卓越編輯奬、1994年歐洲固態電路會議上*佳論文奬、1995年和1997年ISSCC會議*佳專題研討會奬、1997年TRW創新教學奬、1998年IEEE定製集成電路會議*佳論文奬、2001年McGraw-Hill年度*佳新書奬。他是2001年ISSCC Jack Kilby優秀學生論文奬和Beatrice卓越編輯奬的共同獲奬人。他獲得過2006年Lockheed Martin卓越教學奬、2007年UCLA教員Senate教學奬、2009年和2012年CICC*佳邀請論文奬。他是2012年VLSI電路會議*佳學生論文奬和2013年CICC*佳論文奬的共同獲奬人。他還是ISSCC 50年曆史上發錶論文*多的10個作者之一。他獲得過2012年固態電路Donald Pederson奬和2014年美國工程教育協會PSW教學奬。
拉紮維教授是IEEE傑齣講演人，IEEE院士。他是Principles of Data Conversion System Design、RF Microelectronics、Design of Analog CMOS Integrated Circuits、Design of Integrated Circuits for Optical Communications和Fundamentals of Microelectronics的作者以及Monolithic Phase-Locked Loops and Clock Recovery Circuits和Phase-Locking in High-Performance Systems的主編。

前言/序言

　　第2版前言　　當我將這本書第1版的齣版提案交給齣版商時，他們嚮我提齣瞭兩個問題： ①在數字化世界中，模擬電路書籍有什麼樣的未來需求？②齣版一本僅介紹CMOS工藝的電路設計書籍是否明智？這本書標題中的關鍵詞“模擬”和CMOS正好反映瞭他們的問題。　　幸運的是，這本書齣版後受到瞭學生、教師和工程師的熱烈歡迎，已經被世界範圍內的數百所高校采用為教材或參考書，翻譯成五種語言，並被引用6500餘次。　　從這本書的第1版齣版至今，盡管模擬電路設計的許多基本原理沒有變化，但由於下麵的這些原因，需要對這本書進行改版： CMOS工藝嚮更小尺寸、更低電源電壓的技術遷移，新的分析與設計方法以及某些內容需要更詳細的闡述。這次改版主要體現在如下方麵：　　更加強調現代CMOS工藝，並匯聚成新增加的一章(第11章)，該章討論瞭納米CMOS工藝下的設計策略和循序漸進的運算放大器設計方法；　　通過引入波特圖和Middlebrook分析法，擴展瞭反饋內容；　　考慮到通常使用的波特圖判據無法用來判斷某些通用係統的穩定性，增加瞭使用奈奎斯特判據進行穩定性分析的新章節；　　增加瞭鰭式晶體管(FinFET)的內容；　　增加瞭邊欄突齣納米CMOS電路設計的重要知識點；　　增加瞭偏置電路技術的新章節；　　增加瞭介紹低壓能隙基準源的內容；　　新增加瞭100多個例題。　　一些任課教師問我們為何仍以平方率器件來開始講解。這主要有兩個原因： ① 這樣的安排作為一個直觀的切入點，為分析放大器的可允許電壓擺幅等性能提供瞭特彆的價值； ②盡管16nm及更先進工藝的FinFET器件具有非常短的溝道長度，這些器件仍近似錶現齣平方率器件特性。　　本書附有課後習題解答和一套新的課件，可以從www.mhhe.com/razavi下載。　　畢查德·拉紮維　　2015年7月　　第1版前言　　在過去的20年中，CMOS工藝在模擬集成電路領域得到廣泛應用，提供瞭低成本、高性能的實現方案，並逐漸占據主流市場位置。雖然矽基雙極型工藝和Ⅲ�並踝迤骷�仍能發現應用商機，但對於目前復雜的混閤信號係統集成來說，隻有CMOS工藝是一種可行的實現方案。隨著溝道長度逐步縮小到0.05μm，CMOS工藝將在未來的20年中繼續在電路設計中得到廣泛應用。　　模擬電路設計技術也隨著工藝技術的發展而發展。包含幾十個晶體管、處理微弱連續時間信號的高壓、高功耗模擬電路已經逐漸被包含數韆個器件、以處理強離散時間信號為主的低壓、低功耗係統所代替。舉例來說，10年前使用的許多模擬電路技術由於無法適應在低壓下工作而不再被采用。　　本書講述模擬CMOS集成電路的分析與設計方法，重點闡述當前産業背景下學生和一綫工作的工程師需要掌握的基本原理和新理念新方法。由於模擬電路設計同時強調直觀認識和嚴密分析，每一個概念都先從直觀認識的角度引入，然後進行仔細的分析。目標是打下堅固的基礎，並培養通過審視來分析電路的方法，從而使讀者能瞭解在哪些電路中可以做何種簡化，並預期每一步簡化中引入的誤差大小。這種處理方式也使讀者不需花費額外的精力就可以用這本書中學到的概念來分析雙極型電路。　　我已經在UCLA和工業界講授過這本書中的絕大部分內容，每一次授課時都會對講授的順序、方式和內容進行重新梳理。就像讀者能從此書中看到的那樣，我在編著或講授時遵從瞭四條黃金法則： ①我會就讀者為什麼需要瞭解即將要學習的概念進行解釋； ②我將自己放在讀者的位置，預測他/她在第一次閱讀各部分內容時可能會遇到的問題； ③考慮到第二條規則，我假設自己隻掌握瞭讀者第一次閱讀時所擁有的知識，並盡力和讀者一起成長，因此會經曆與讀者同樣的思索過程； ④我先以簡單但可能不太精確的語言來介紹核心概念，並逐漸增加必要的修正來達到最終精確的想法。最後一條規則在講授電路課時尤為重要，因為它允許讀者觀察拓撲的演變，從而能夠同時學會電路的分析與綜閤。　　這本教材包含有16章，每章內容和章節順序都經過仔細衡量，從而為無論是自學還是3個月或6個月的學期課程學習提供自然的流程。與一些其他的模擬電路設計教科書不同，我們在開始時僅介紹最少量的MOS器件物理的內容，而將更深入的器件特性和製造工藝細節分配到瞭後麵的各章中。對於一個專傢來說，這本書介紹的初級器件物理內容可能顯得過度簡化瞭，但是我的經驗錶明： ①初次接觸本書內容的讀者在他們學習電路知識前並不能領會高階器件效應和製造工藝，因為他們不明白其中的相關性； ②如果錶達閤適，這種簡單闡述也包含瞭學習基本電路所需要的足夠知識； ③在讀者進行瞭大量的電路分析和設計之後，能夠更加有針對性地學習先進的器件機理和工藝步驟。　　第1章為讀者提供瞭學習這本書的背景。　　第2章講述瞭MOS器件的基本物理知識和工作原理。　　第3~5章分彆講述單級放大器、差分放大器和電流鏡，介紹瞭通過有效的分析工具來審視定量分析基本電路的行為。　　第6~7章介紹瞭噪聲和頻率響應這兩個電路的非理想特性。比較早地介紹噪聲有利於讀者領會在後續電路分析時考慮其影響。　　第8~10章分彆講述瞭反饋、運算放大器和反饋係統中的穩定性。通過對反饋特性的分析，激勵讀者去設計高性能、穩定的運算放大器並理解在速度、精度和功耗等方麵的摺中考慮。　　第11~13章涵蓋瞭更深入的內容： 能隙基準源、基本的開關電容電路、非綫性和失配效應。這些內容在目前絕大多數的模擬和混閤信號係統中非常重要，因此被納入本書中。　　第14章涉及高階MOS器件效應和模型，重點在電路設計方麵的含義。如果喜歡，這一章可以直接跟在第2章之後學習。　　第15章描述瞭CMOS製造工藝，並簡單介紹瞭版圖設計規則。　　第16章講述瞭模擬和混閤信號電路的版圖設計和封裝技術，描述瞭許多直接影響電路性能的工程性因素和各種解決技術。　　讀者需要具有電子電路和器件的基本知識，包括pn結、小信號工作的概念、等效電路和簡單偏置。如果用作高年級本科生的選修課程，3個月學期的課程可以講授第1~8章的內容，6個月學期的課程可以講授第1~10章的內容。如果用作研究生一年級的課程，3個月學期的課程可以講授第1~11章及第12~14章中某一章的內容，6個月學期的課程可以講授本書的全部內容。　　每一章內容後的課後習題可以擴展讀者對本章內容的理解，並補充對實際工程因素的認識。授課教師可以獲取課後習題的解答。

《微電子器件的量子力學基礎與高級應用》 內容簡介 本書深入探討瞭現代微電子器件賴以生存和發展的量子力學原理，並在此基礎上，拓展至當前最前沿的微電子技術及其潛在應用。本書旨在為電子科學與技術、微電子學、材料科學等相關領域的學生、研究人員及工程師提供一個堅實而全麵的理論框架，幫助他們理解微觀世界如何塑造宏觀的計算能力，並預測未來技術的發展方嚮。 第一部分：量子力學基礎及其在微電子學中的體現 我們將從量子力學的基本概念入手，逐步深入到其在描述微電子器件行為時的關鍵作用。 量子力學的基本假設與方程： 本部分將詳細闡述薛定諤方程，包括其時間依賴和時間獨立形式，以及波函數的物理意義，如概率密度。我們將探討量子態、算符、本徵值和本徵態等核心概念，理解它們如何描述電子在材料中的行為。 量子疊加與糾纏： 介紹量子疊加原理，解釋一個粒子如何能夠同時處於多種狀態的疊加態。在此基礎上，進一步闡述量子糾纏這一獨特的量子現象，理解其在信息處理和通信領域的重要意義。 能量量子化與能帶理論： 重點講解電子在周期性勢場（如晶體材料）中的行為，推導齣能帶理論。詳細闡述價帶、導帶、禁帶寬度等概念，以及它們如何決定材料的導電特性（導體、半導體、絕緣體）。我們將深入分析不同晶體結構（如FCC、BCC、DC）下能帶的形成和演化。 量子隧穿效應： 詳細解析量子隧穿現象，解釋電子如何能夠穿越比其能量更高的勢壘。我們將通過數學模型（如WKB近似）來量化隧穿概率，並討論其在各種微電子器件中的應用，如掃描隧道顯微鏡（STM）和閃存器件。 電子的散射與輸運： 探討電子在晶體材料中的運動並非自由的，會受到晶格振動（聲子）、雜質、缺陷等因素的散射。介紹不同散射機製（如聲子散射、空位散射、雜質散射）對電子遷移率的影響，並引入玻爾茲曼輸運方程，用於描述宏觀電學性質與微觀輸運過程的聯係。 二維電子氣（2DEG）與低維器件： 深入研究在界麵、錶麵或超薄層中形成的二維電子氣。分析其獨特的量子限製效應，以及由此産生的特殊電學和光學性質。我們將介紹MOSFET中的2DEG，以及量子阱、量子綫、量子點等低維結構的基本概念。 第二部分：前沿微電子器件的量子力學視角 在建立紮實的量子力學基礎後，我們將把這些原理應用到當前和未來的微電子器件設計與分析中。 半導體物理與器件（量子模型）： PN結與二極管： 從量子力學的角度解釋PN結的形成，包括費米能級、耗盡區、內建電場等。分析載流子在電場作用下的擴散和漂移，以及PN結的伏安特性。 MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）： 詳細講解MOSFET的工作原理，特彆關注其在亞微米和納米尺度下的量子效應。分析閾值電壓的由來，溝道電荷的形成與調製，以及載流子輸運中的量子限製和短溝道效應。我們將探討量子尺寸效應（QSE）和氧化層隧穿效應（OTE）對MOSFET性能的影響。 雙極結型晶體管（BJT）： 從載流子注入、擴散和復閤的角度，利用量子力學原理解釋BJT的放大作用。 高遷移率晶體管（HMT）： 重點介紹應變矽（strained silicon）、溝道摻雜（channel doping）等技術如何通過改變材料的能帶結構和載流子散射特性來提高遷移率，並從量子力學角度分析其機理。 新興半導體材料與器件： III-V族半導體（如GaAs, InP）： 分析其與矽不同的能帶結構（如直接帶隙），及其在高頻、光電器件中的優勢。 二維材料（如石墨烯、過渡金屬二硫化物-TMDs）： 深入研究石墨烯獨特的狄拉剋錐能帶結構，以及TMDs的半導體特性。探討它們在新型晶體管、傳感器、光電器件中的應用潛力，重點分析量子限製效應、錶麵散射和激子效應。 寬禁帶半導體（如GaN, SiC）： 分析其高擊穿電壓、高熱導率等特性，在電力電子、高頻器件中的重要性，並從能帶結構角度解釋這些優勢。 量子信息器件與計算： 量子比特（Qubit）的實現： 探討不同的量子比特實現方案，包括超導量子比特、囚禁離子、半導體量子點、拓撲量子比特等，並分析每種方案中涉及的量子力學原理（如自鏇、能級、疊加態、糾纏）。 量子算法與器件要求： 簡要介紹Shor算法、Grover算法等，並分析實現這些算法對量子比特的相乾性、讀齣精度、門操作保真度等提齣的嚴苛要求。 量子退火與模擬： 介紹量子退火器的工作原理，以及其在優化問題解決中的應用，並探討其與經典計算的協同。 納米電子學與自鏇電子學： 納米綫與量子點器件： 詳細分析納米綫和量子點中的量子限製效應，及其在新型傳感器、低功耗邏輯器件、單電子器件中的應用。 自鏇電子學器件（如磁隧道結-MTJ、自鏇場效應晶體管-SFET）： 介紹電子自鏇在信息存儲和處理中的應用。分析磁隧道結中的隧道磁電阻效應（TMR），以及利用電子自鏇産生和操縱電流的自鏇電子器件。 巨磁電阻（GMR）與隧道磁電阻（TMR）： 從量子力學和散射理論的角度解釋GMR和TMR效應，及其在硬盤讀取頭、MRAM等中的應用。 第三部分：建模、仿真與未來展望 量子器件的建模與仿真技術： 半經典模型與量子模型： 介紹用於描述器件行為的常用模型，如Drift-Diffusion模型，以及其在量子效應下的局限性。 量子輸運模擬方法： 重點介紹非平衡格林函數（NEGF）方法，以及其在模擬納米尺度器件中量子輸運（如相乾輸運、退相乾）的關鍵作用。 第一性原理計算（DFT）： 闡述密度泛函理論（DFT）如何用於計算材料的電子結構，預測其性質，並為器件設計提供基礎。 緊束縛模型（Tight-binding）： 介紹緊束縛模型在模擬低維材料和復雜晶體結構中的應用。 微電子技術麵臨的挑戰與未來發展趨勢： 摩爾定律的極限與後摩爾時代： 探討當前CMOS技術所麵臨的物理極限，如功耗牆、漏電流、量子隧穿等。 超越CMOS的計算範式： 展望未來的計算技術，如類腦計算、光計算、生物計算等，以及它們與量子計算的潛在結閤。 材料創新與器件集成： 強調新材料的發現和開發對於突破現有技術瓶頸的重要性，以及多功能異質集成技術的發展方嚮。 可持續微電子： 討論在設計和製造過程中如何考慮能效和環境影響，實現可持續的微電子發展。 本書通過係統性的梳理和深入的分析，力求使讀者能夠深刻理解微電子器件的本質，洞察當前技術發展的瓶頸，並激發對未來創新技術的研究熱情。我們相信，掌握量子力學原理並將其應用於器件設計，是理解和推動微電子技術不斷前進的關鍵。

評分☆☆☆☆☆

這本書在內容更新方麵，我認為做得非常及時。我瞭解，電子信息技術是日新月異的，很多技術書籍往往會因為齣版周期的問題，內容就已經過時瞭。但這本書在我翻閱過程中，能明顯感覺到它對最新技術趨勢的把握。尤其是在一些前沿技術的探討上，作者的視角非常獨到，引用的文獻和資料也非常新。這對於我這樣需要緊跟行業發展，不斷學習新知識的從業者來說，具有非常重要的價值。我不再需要擔心我學到的知識會很快被淘汰，而是能夠站在巨人的肩膀上，去探索更廣闊的領域。這種“與時俱進”的內容，讓我覺得這本書的投資是非常值得的，它能幫助我在激烈的行業競爭中保持優勢。

評分☆☆☆☆☆

我一直認為，一本優秀的著作，不僅僅是知識的傳遞，更重要的是能激發讀者的思考和探索欲。這本書在這方麵做得相當到位。在講解某個技術點時，作者並沒有止步於簡單的介紹，而是會提齣一些開放性的問題，或者引導讀者去思考技術的局限性以及未來的發展方嚮。這種“拋磚引玉”式的寫作風格，讓我感覺自己不僅僅是被動地接受信息，而是在主動地參與到知識的構建過程中。我常常會在讀完某一個章節後，停下來思考作者提齣的問題，甚至會主動去查閱一些相關的資料，這極大地拓展瞭我的知識邊界。這種深層次的互動，讓閱讀過程變得充滿樂趣和挑戰，也讓我對這個領域産生瞭更濃厚的興趣。

評分☆☆☆☆☆

我一直覺得，一本好的技術書籍，不僅僅是內容的深度，更在於它能否讓讀者“看得懂”，並且“學得會”。這本書給我的第一印象就是它的邏輯性非常強，從最基礎的概念入手，然後循序漸進地深入到更復雜的主題。我最看重的是它在概念解釋上的清晰度，很多抽象的技術名詞，在書中都有非常形象的比喻或者具體的例子來輔助理解。這對於像我這樣，在某些領域還不是那麼精通的讀者來說，簡直是福音。不像有些書，上來就堆砌大量的公式和術語，讓人看瞭雲裏霧裏。這本書的作者顯然是花瞭很多心思來設計教學路徑，能夠一步步引導讀者建立起紮實的知識體係。而且，它在講解每一個重要概念的時候，都會強調其背後的原理和應用場景，這讓我不僅知其然，更知其所以然，學習效率大大提高。

評分☆☆☆☆☆

作為一名在行業內摸爬滾打多年的工程師，我深知理論知識和實際工程之間的差距。很多技術書籍偏重理論，脫離實際，讀起來像是“空中樓閣”，很難應用到實際工作中。然而，這本書在這一點上做得非常齣色。它在講解理論知識的同時，非常注重與實際工程應用的結閤。我尤其喜歡它在每一章節後麵附帶的“工程實踐”或者“案例分析”部分。這些部分不僅展示瞭理論知識在真實項目中的應用，還提供瞭許多寶貴的工程經驗和技巧，這些都是在課堂上學不到的。我甚至覺得，如果能將這些案例中的代碼或者仿真模型開源，那就更完美瞭。這本書的實用性，讓我覺得它不隻是一本教材，更像是一本“工具書”，隨時可以拿來查閱，解決實際問題。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計我真的非常喜歡，那種簡約又不失專業感的風格，一下子就抓住瞭我的眼球。拿到手之後，質感也比我想象中的要好很多，紙張的厚度適中，印刷清晰，翻閱起來非常舒適，沒有那種廉價感。我之前也接觸過不少技術類的書籍，有些雖然內容紮實，但封麵設計就顯得比較普通，甚至有些陳舊，閱讀體驗會打摺扣。但這本書不同，它在視覺上的吸引力就很高，讓我很有立刻打開閱讀的衝動。而且，書的排版布局也很閤理，字體大小、行間距都拿捏得恰到好處，即使長時間閱讀也不會覺得眼睛疲勞。我尤其欣賞它在細節上的處理，比如章節之間的過渡頁，以及重要概念的標注方式，都顯得很有條理，不像一些書那樣雜亂無章。總而言之，從拿到書的那一刻起，我就覺得這是一本用心製作的書，它在細節上的考究，讓我對後續的內容充滿瞭期待。

評分☆☆☆☆☆

還可以吧，湊單一起買的，搞活動，挺便宜的～～～～

評分☆☆☆☆☆

居然是英文的，還比原版刪減瞭一部分！唉，服氣！

評分☆☆☆☆☆

第二版的紙張不如第一版好，太薄瞭；內容上比原版少瞭後麵幾章內容。

評分☆☆☆☆☆

好書好書，不錯不錯不錯

評分☆☆☆☆☆

第二版的紙張不如第一版好，太薄瞭；內容上比原版少瞭後麵幾章內容。

評分☆☆☆☆☆

還可以吧，湊單一起買的，搞活動，挺便宜的～～～～

評分☆☆☆☆☆

英文版，如果沒有那個導讀就更好瞭！！！

評分☆☆☆☆☆

還可以吧 東西還行 價錢也不貴。

評分☆☆☆☆☆

沒法買到英文原版的隻好買這個影印版的咯