商品基本信息

商品名称：      碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用

作者：      [日] 木本恒暢（Tsunenobu Kimoto）[美] 詹姆士 A. 库珀（Ja

市场价：      150.00

ISBN号：      9787111586807

版次：      1-1

出版日期：       

页数：      499

字数：      649

出版社：      机械工业出版社

  目录

译者序

原书前言

原书作者简介

第１章 导论１ 

１.１ 电子学的进展１ 

１.２ 碳化硅的特性和简史３

１.２.１ 早期历史３ 

１.２.２ ＳｉＣ晶体生长的革新４ 

１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５ 

１.３ 本书提纲６ 参考文献７ 

第２章 碳化硅的物理性质１０

第３章 碳化硅晶体生长３６

第４章 碳化硅外延生长７０ 

第５章 碳化硅的缺陷及表征技术１１７

第６章 碳化硅器件工艺１７7

第７章 单极型和双极型功率二极管２６２

第８章 单极型功率开关器件２８6

第９章 双极型功率开关器件３３６ 

９.１ 双极结型晶体管（ＢＪＴ） ３３６ 

９.１.１ 内部电流３３７ 

９.１.２ 增益参数３３８ 

９.１.３ 端电流３４０ 

９.１.４ 电流－电压关系３４１ 

９.１.５ 集电区中的大电流效应：饱和和准饱和３４３ 

９.１.６ 基区中的大电流效应：Ｒｉｔｔｎｅｒ效应３４７ 

９.１.７ 集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应３５１ 

９.１.８ 共发射极电流增益：温度特性３５３ 

９.１.９ 共发射极电流增益：复合效应３５３ 

９.１.１０ 阻断电压３５５ 

９.２ 绝缘栅双极型晶体管（ＩＧＢＴ） ３５６ 

９.２.１ 电流－电压关系３５７ 

９.２.２ 阻断电压３６７ 

９.２.３ 开关特性３６８ 

９.２.４ 器件参数的温度特性３７３ 

９.３ 晶闸管３７５ 

９.３.１ 正向导通模式３７７ 

９.３.２ 正向阻断模式和触发３８１ 

９.３.３ 开通过程３８６ 

９.３.４ ｄＶ／ｄｔ触发３８８ 

９.３.５ ｄＩ／ｄｔ的限制３８９ 

９.３.６ 关断过程３９０ 

９.３.７ 反向阻断模式３９７ 

参考文献３９７ 

第１０章 功率器件的优化和比较３９８ 

第１１章 碳化硅器件在电力系统中的应用４２５ 

第１２章 专用碳化硅器件及应用４６６ 

附录４９０ 

附录Ａ ４Ｈ－ＳｉＣ中的不完全杂质电离４９０ 

参考文献４９４ 

附录Ｂ 双曲函数的性质４９４ 

附录Ｃ 常见ＳｉＣ多型体主要物理性质４９７ 

Ｃ.１ 性质４９７

Ｃ.２ 主要物理性质的温度和／或掺杂特性４９８ 

参考文献４９９

   内容简介

    本书是一本有关碳化硅材料、器件工艺、器件和应用方面的书籍，其主题包括碳化硅的物理特性、晶体和外延生长、电学和光学性能的表征、扩展缺陷和点缺陷，器件工艺、功率整流器和开关器件的设计理念，单／双极型器件的物理和特征、击穿现象、高频和高温器件，以及碳化硅器件的系统应用，涵盖了基本概念和新发展现状，并针对每个主题做深入的阐释，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解决的问题和未来的挑战。