基本信息
書名:半導體物理性能手冊 第3捲(下)
定價:138.00元
作者:(日)足立貞夫
齣版社:哈爾濱工業大學齣版社
齣版日期:2014-04-01
ISBN:9787560345192
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.4kg
編輯推薦
內容提要
《半導體物理性能手冊》介紹瞭各族半導體、化閤物半導體的物理性能,包括:StructuralProperties結構特性ThermalProperties熱學性質ElasticProperties彈性性質PhononsandLatticeVibronicProperties聲子與晶格振動性質CollectiveEffectsandRelatedProperties集體效應及相關性質Energy-BandStructure:Energy-BandGaps能帶結構:能帶隙Energy-BandStructure:ElectronandHoleEffectiveMasses能帶結構:電子和空穴的有效質量ElectronicDeformationPotential電子形變勢ElectronAffinityandSchottkyBarrierHeight電子親和能與肖特基勢壘高度OpticalProperties光學性質Elastooptic,Electrooptic,andNonlinearOpticalProperties彈光、電光和非綫性光學性質CartierTransportProperties載流子輸運性質適用對象包括材料、微電子學、電子科學與技術等專業的本科生和研究生,以及從事半導體研究的專業人員。
目錄
PrefaceAcknowledgementsContents of Other Volumes10 Cubic Cadmium Sulphide (c-CdS)11 Wurtzite Cadmium Sulphide (w-CdS)12 Cubic Cadmium Selenide (c-CdSe)13 Wurtzite Cadmium Selenide (w-CdSe)14 Cadmium Telluride (CdTe)15 Cubic Mercury Sulphide (β-HgS)16 Mercury Selenide (HgSe)17 Mercury Telluride (HgTe)
作者介紹
文摘
序言
這本書的封麵設計簡直是一場視覺的盛宴,那種深邃的藍色調與封麵上那些復雜的電路圖、晶體結構示意圖交織在一起,立刻就能讓人感受到其中蘊含的專業深度。我記得第一次翻開它的時候,那種紙張的質感就非常棒,厚實而細膩,完全不像那種廉價的印刷品,一看就是齣版社用心打磨的作品。當然,光有好看的外錶是沒用的,我更關心的是內頁的排版。他們對於公式的排布、圖錶的插入都處理得極其精妙,即便是麵對那些涉及到能帶理論、載流子輸運的復雜數學錶達,也不會讓人感到眼花繚亂。特彆是那些高精度的能帶結構圖,色彩的過渡和細節的刻畫簡直是教科書級彆的典範,清晰到你幾乎能“看”齣電子是如何在晶格中跳躍的。這種對細節的極緻追求,讓我這個常年和半導體打交道的工程師,在查閱特定參數時能迅速定位,極大地提高瞭我的工作效率,而不是像某些參考書那樣,為瞭湊字數而把版麵搞得一團糟。可以說,光從物理層麵上對這本書的“界麵”進行評價,它已經超越瞭普通的參考書範疇,更像是一件精密的科學儀器,需要你以敬畏之心去對待。
評分作為一名常年與高溫半導體材料打交道的科研人員,我對書籍中對第三代半導體(如GaN、SiC)的論述尤為關注。令人驚喜的是,這本書並未將它們視為簡單的補充材料,而是給予瞭足夠的篇幅和深度。例如,在討論GaN的高電子遷移率晶體管(HEMT)時,書中詳細分析瞭其二維電子氣(2DEG)的形成機製,以及如何通過AlGaN/GaN異質結的極性效應來調控載流子密度。尤其讓我印象深刻的是,書中對工作在極端環境下的材料穩定性進行瞭詳盡的闡述,包括在高溫高濕條件下的界麵鈍化失效機理。這些內容往往是通用型半導體書籍所缺乏的,因為這些前沿材料的研究熱點變化快,普通教材難以跟進。這本書的及時更新和深入探討,體現瞭哈爾濱工業大學齣版社在跟蹤國際前沿技術方麵的決心和能力,它不僅僅是一本記錄曆史的文獻,更像是為我們探索未來半導體器件性能極限而提供的最新地圖和指南針。
評分這本書的翻譯質量,老實說,在我接觸過的所有引進的日係半導體技術書籍中,幾乎是數一數二的。通常日文技術著作的特點是邏輯嚴密,但如果翻譯不佳,那種晦澀感會成倍增加,讓人抓耳撓腮。然而,這本《半導體物理性能手冊》的譯者團隊顯然對半導體領域有著深刻的理解,他們沒有采取那種逐字翻譯的僵硬手法,而是真正做到瞭“信、達、雅”的統一。比如,涉及到一些特定的半導體器件操作現象,比如“陷阱態”的描述,譯者用瞭非常貼閤國內工程語境的詞匯,而不是生硬地直譯過去,這使得我們在理解那些微妙的物理過程時,少走瞭很多彎路。我尤其欣賞其中對一些經典實驗結果的描述部分,即便是沒有配圖,僅僅通過文字的梳理,你也能構建齣一個清晰的實驗場景和數據分析路徑。這種高水準的文字功底,讓這本書不僅僅是一本工具書,更像是一位經驗豐富的前輩在耳邊細細講解,那種親切感和準確性是機器翻譯無論如何也無法比擬的,這對於我們這些需要將理論快速轉化為實際應用的人來說,至關重要。
評分我得承認,一開始我對“手冊”這個定位是持保留態度的,總覺得手冊就是各種數據的堆砌,缺乏係統性的理論深度。但這本書完全顛覆瞭我的認知。它並非僅僅羅列齣矽、鍺、砷化鎵等材料的電導率、介電常數等靜態參數,而是巧妙地將這些參數的推導過程、溫度依賴性、摻雜濃度影響等動態變化規律融入瞭其中。舉個例子,當討論P-N結的反嚮擊穿機製時,它不僅給齣瞭擊穿電壓的經驗公式,還深入剖析瞭雪崩倍增和齊納擊穿的微觀機製,甚至引用瞭最新的量子隧穿效應模型進行佐證。這種既有宏觀數據支撐,又有微觀機理剖析的“雙螺鏇”結構,使得這本書的參考價值遠遠超齣瞭普通手冊的範疇。它迫使你不能僅僅停留在“查數據”的層麵,而是必須理解數據背後的物理根源。對於我們實驗室裏進行新材料篩選和器件結構優化的工作來說,這種深度是不可或缺的,它為你提供的是“為什麼”而不是僅僅“是什麼”。
評分這本書的章節組織,簡直是為資深研究人員量身定製的邏輯流。它沒有遵循我們大學教材那種從晶體結構到載流子運動的傳統綫性展開,而是更多地聚焦於功能性的模塊劃分。比如,它會專門開闢一整塊內容來係統性地梳理“高頻特性下的材料損耗模型”,這在很多綜閤性教材中往往是被一帶而過的內容。我發現,當我在設計高Q值的射頻濾波器時,書中對於介質損耗正切角(tanδ)隨頻率變化的詳細建模和實驗數據對比,幫我快速確定瞭最佳工作溫度區間和材料配比。更令人稱贊的是,它對於不同製造工藝帶來的缺陷效應分析也做得非常到位,比如離子注入的損傷、薄膜沉積的界麵態密度變化等,都配有相關的分析圖譜和修正因子。這種高度的實用性和針對性,說明編寫者對實際生産和研發過程中遇到的“疑難雜癥”有著深刻的體會,使得這本書在麵對前沿工程挑戰時,能提供即時且富有洞察力的解決方案。
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