9787560345130 半導體物理性能手冊 捲 哈爾濱工業大學齣版社 (日)足立貞夫 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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日足立貞夫 著

圖書標籤:

• 半導體物理
• 半導體器件
• 材料科學
• 物理學
• 電子工程
• 哈爾濱工業大學齣版社
• 足立貞夫
• 參考手冊
• 專業書籍
• 科技

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齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345130

商品編碼：29540105652

包裝：平裝

齣版時間：2014-04-01

基本信息

書名：半導體物理性能手冊 捲

定價：198.00元

作者：(日)足立貞夫

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-04-01

ISBN：9787560345130

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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《半導體物理性能手冊(捲)(英文版)》係Springer手冊精選原版係列。《半導體物理性能手冊(捲)(英文版)》主要包括Diamond（C）、Silicon（Si）、Germanium（C）、Gray Tin（a—Sn）、Cubic Silicon Carbide（3C—SiC）、Hexagonal Silicon Carbide（2H—，4H—，6H—SiC，etc.）、Rhombohedral Silicon Carbide（15R—，21R—，24R—SiC，etc.）等內容。

目錄

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Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
1 Diamond （C）
1.1 Structural Properties
1.1.1 Ionicity
1.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
1.1.3 Crystal Structure and Space Group
1.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
1.1.5 Structural Phase Transition
1.1.6 Cleavage Plane
1.2 Thermal Properties
1.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
1.2.2 Specific Heat
1.2.3 Debye Temperature
1.2.4 Thermal Expansion Coefficient
1.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
1.3 Elastic Properties
1.3.1 Elastic Constant
1.3.2 Third—Order Elastic Constant
1.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
1.3.4 Microhardness
1.3.5 Sound Velocity
1.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
1.4.1 Phonon Dispersion Relation
1.4.2 Phonon Frequency
1.4.3 Mode Gruneisen Parameter
1.4.4 Phonon Deformation Potential
1.5 Collective Effects and Related Properties
1.5.1 Piezoelectric Constant
1.5.2 Frohlich Coupling Constant
1.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
1.6.1 Basic Properties
1.6.2 E0—Gap Region
1.6.3 Higher—Lying Direct Gap
1.6.4 Lowest Indirect Gap
1.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
1.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
1.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
1.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley
1.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
1.7.3 Hole Effective Mass
1.8 Electronic Deformation Potential
1.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
1.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
1.8.3 Intervalley Deformation Potential
1.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
1.9.1 Electron Affinity
1.9.2 Schottky Barrier Height
1.10 Optical Properties
1.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
1.10.2 The Reststrahlen Region
1.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
1.10.4 The Interband Transition Region
1.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
1.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
1.11.1 Elastooptic Effect
1.11.2 Linear Electrooptic Constant
1.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
1.11.4 Franz—Keldysh Effect
1.11.5 Nonlinear Optical Constant
1.12 Carrier Transport Properties
1.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
1.12.2 Low—Field Mobility： Holes
1.12.3 High—Field Transport： Electrons
1.12.4 High—Field Transport： Holes
1.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in ρ—Type Materials
1.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
1.12.7 Impact Ionization Coefficient

2 Silicon （Si）
2.1 Structural Properties
2.1.1 Ionicity
2.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
2.1.3 Crystal Structure and Space Group
2.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
2.1.5 Structural Phase Transition
2.1.6 Cleavage Plane
2.2 Thermal Properties
2.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
2.2.2 Specific Heat
2.2.3 Debye Temperature
2.2.4 Thermal Expansion Coefficient
2.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
2.3 Elastic Properties
2.3.1 Elastic Constant
2.3.2 Third—Order Elastic Constant
2.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
2.3.4 Microhardness
2.3.5 Sound Velocity
2.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
2.4.1 Phonon Dispersion Relation
2.4.2 Phonon Frequency
2.4.3 Mode Gruneisen Parameter
2.4.4 Phonon Deformation Potential
2.5 Collective Effects and Related Properties
2.5.1 Piezoelectric Constant
2.5.2 Frohlich Coupling Constant
2.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
2.6.1 Basic Properties
2.6.2 E0—Gap Region
2.6.3 Higher—Lying Direct Gap
2.6.4 Lowest Indirect Gap
2.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
2.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
2.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
2.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley
2.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
2.7.3 Hole Effective Mass
2.8 Electronic Deformation Potential
2.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
2.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
2.8.3 Intervalley Deformation Potential
2.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
2.9.1 Electron Affinity
2.9.2 Schottky Barrier Height
2.10 Optical Properties
2.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
2.10.2 The Reststrahlen Region
2.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
2.10.4 The Interband Transition Region
2.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
2.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
2.11.1 Elastooptic Effect
2.11.2 Linear Electrooptic Constant
2.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
2.11.4 Franz—Keldysh Effect
2.11.5 Nonlinear Optical Constant
2.12 Carrier Transport Properties
2.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
2.12.2 Low—Field Mobility： Holes
2.12.3 High—Field Transport： Electrons
2.12.4 High—Field Transport： Holes
2.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials
2.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
2.12.7 Impact Ionization Coefficient

3 Germanium （C）
3.1 Structural Properties
3.1.1 Ionicity
3.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
3.1.3 Crystal Structure and Space Group
3.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
3.1.5 Structural Phase Transition
3.1.6 Cleavage Plane
3.2 Thermal Properties
3.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
3.2.2 Specific Heat
3.2.3 Debye Temperature
3.2.4 Thermal Expansion Coefficient
3.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
3.3 Elastic Properties
3.3，1 Elastic Constant
3.3.2 Third—Order Elastic Constant
3.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
3.3.4 Microhardness
3.3.5 Sound Velocity
3.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
3.4.1 Phonon Dispersion Relation
3.4.2 Phonon Frequency
3.4.3 Mode Gruneisen Parameter
3.4.4 Phonon Deformation Potential
3.5 Collective Effects and Related Properties
3.5.1 Piezoelectric Constant
3.5.2 Frohlich Coupling Constant
3.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
3.6.1 Basic Properties
3.6.2 Eo—Gap Region
3.6.3 Higher—Lying Direct Gap
3.6.4 Lowest Indirect Gap
3.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
3.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
3.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
3.7.1 Electron Effective Mass： F Valiey
3.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
3.7.3 Hole Effective Mass
3.8 Electronic Deformation Potential
3.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
3.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
3.8.3 Intervalley Deformation Potential
3.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
3.9.1 Electron Affinity
3.9.2 Schottky Barrier Height
3.10 Optical Properties
3.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
3.10.2 The Reststrahlen Region
3.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
3.10.4 The Interband Transition Region
3.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
3.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
3.11.1 Elastooptic Effect
3.11.2 Linear Electrooptic Constant
3.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
3.11.4 Franz—Keldysh Effect
3.11.5 Nonlinear Optical Constant
3.12 Carrier Transport Properties
3.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
3.12.2 Low—Field Mobility： Holes
3.12.3 High—Field Transport： Electrons
3.12.4 High—Field Transport： Holes
3.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials
3.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
3.12.7 Impact Ionization Coefficient

4 Gray Tin （a—Sn）
4.1 Structural Properties
4.1.1 lonicity
4.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
4.1.3 Crystal Structure and Space Group
4.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
4.1.5 Structural Phase Transition
4.1.6 Cleavage Plane
4.2 Thermal Properties
4.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
4.2.2 Specific Heat
4.2.3 Debye Temperature
4.2.4 Thermal Expansion Coefficient
4.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
4.3 Elastic Properties
4.3.1 Elastic Constant
4.3.2 Third—Order Elastic Constant
4.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
4.3.4 Microhardness
4.3.5 Sound Velocity
4.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
4.4.1 Phonon Dispersion Relation
4.4.2 Phonon Frequency
4.4.3 Mode Gruneisen Parameter
4.4.4 Phonon Deformation Potential
4.5 Collective Effects and Related Properties
4.5.1 Piezoelectric Constant
4.5.2 Frohlich Coupling Constant
4.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
4.6.1 Basic Properties
4.6.2 Eo—Gap Region
4.6.3 Higher—Lying Direct Gap
4.6.4 Lowest Indirect Gap
4.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
4.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
4.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
4.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley
4.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
4.7.3 Hole Effective Mass
4.8 Electronic Deformation Potential
4.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
4.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
4.8.3 Intervalley Deformation Potential
4.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
4.9.1 Electron Affinity
4.9.2 Schottky Barrier Height
4.10 Optical Properties
4.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
4.10.2 The Reststrahlen Region
4.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
4.10.4 The Interband Transition Region
4.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
4.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
4.11.1 Elastooptic Effect
4.11.2 Linear Electrooptic Constant
4.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
4.11.4 Franz—Keldysh Effect
4.11.5 Nonlinear Optical Constant
4.12 Carrier Transport Properties
4.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
4.12.2 Low—Field Mobility： Holes
4.12.3 High—Field Transport： Electrons
4.12.4 High—Field Transport： Holes
4.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials
4.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
4.12.7 Impact Ionization Coefficient
……
5 Cubic Silicon Carbide （3C—SiC）
6 Hexagonal Silicon Carbide （2H—， 4H—， 6H—SiC， etc.）
7 Rhombohedral Silicon Carbide （15R—， 21R—， 24R—SiC， etc.）

作者介紹

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文摘

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序言

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《光學成像原理與技術》 內容概要 本書深入探討瞭光學成像的基本原理、核心技術及其在各個領域的廣泛應用。全書共分十二章，以清晰的邏輯結構，從基礎概念到前沿技術，層層遞進，旨在為讀者構建一個全麵而係統的光學成像知識體係。 第一章 光的波動性與幾何光學基礎 本章首先迴顧瞭光的波動理論，重點闡述瞭衍射和乾涉現象，為理解光學成像中的分辨率和成像質量奠定理論基礎。隨後，著重介紹瞭幾何光學的基本定律，包括光的直綫傳播、反射和摺射定律。在此基礎上，詳細講解瞭透鏡和反射鏡的成像原理，如焦距、物距、像距之間的關係，以及實像和虛像的形成。通過對各種理想光學元件的分析，為後續章節的復雜成像係統搭建瞭基礎框架。 第二章 像差與成像質量評價 光學係統並非完美，各種像差的存在會嚴重影響成像質量。本章係統地介紹瞭光學係統中常見的五種基本像差，包括球差、慧差、像散、場麯和畸變。對於每一種像差，都詳細闡述瞭其産生的原因、在成像過程中的具體錶現以及如何通過設計和校正來減小其影響。此外，本章還引入瞭 MTF（調製傳遞函數）和 PSF（點擴散函數）等現代成像質量評價方法，讓讀者瞭解如何定量地評估光學係統的成像性能。 第三章 常見的成像光學係統 基於前兩章的理論基礎，本章將目光投嚮瞭實際應用中常見的各種成像光學係統。這包括瞭顯微鏡係統，從簡單的復式顯微鏡到復雜的電子顯微鏡，介紹瞭其放大原理、分辨率極限以及不同類型的顯微技術。接著，詳細講解瞭望遠鏡係統，包括摺射望遠鏡和反射望遠鏡的結構與成像原理，以及其在天文觀測和地麵觀測中的應用。此外，還討論瞭相機鏡頭（包括單反相機、手機攝像頭等）的設計原理、光圈、快門等關鍵參數對成像的影響。 第四章 數字圖像的形成與處理 隨著數字技術的飛速發展，光學成像與數字處理的結閤日益緊密。本章介紹瞭數字圖像的形成過程，包括圖像的采樣和量化，以及數字圖像的基本錶示方法。隨後，深入探討瞭數字圖像處理的基礎技術，例如圖像增強（對比度拉伸、直方圖均衡化）、圖像復原（去噪、去模糊）以及圖像分割等。這些技術是後續章節中各種先進成像技術的基礎。 第五章 衍射成像原理 衍射是光波的重要特性，也是限製光學分辨率的根本因素。本章深入剖析瞭衍射成像的原理，詳細介紹瞭夫琅禾費衍射和菲涅耳衍射在成像中的作用。通過對瑞利判據的討論，進一步闡述瞭光學分辨率的極限。本章還介紹瞭全息術，包括全息圖的記錄和再現原理，以及全息成像的獨特優勢，如三維成像和信息存儲。 第六章 相乾光成像 相乾光（如激光）因其高度的單色性和方嚮性，在成像技術中扮演著越來越重要的角色。本章詳細介紹瞭相乾光成像的特點和優勢，包括相乾成像的原理、乾涉條紋的形成以及如何利用相乾光進行高分辨率成像。本章還探討瞭乾涉測量技術在精密測量和形貌檢測中的應用，例如激光乾涉儀的工作原理。 第七章 傳感器技術與成像 現代光學成像離不開高性能的圖像傳感器。本章詳細介紹瞭目前主流的圖像傳感器技術，包括 CCD（電荷耦閤器件）和 CMOS（互補金屬氧化物半導體）傳感器的結構、工作原理、性能指標（如量子效率、噪聲、動態範圍）以及它們在不同應用場景下的優劣勢。此外，還介紹瞭其他新興的傳感器技術，如 SPAD（單光子雪崩二極管）等。 第八章 光學成像係統的設計與優化 設計一個高性能的光學成像係統是一個復雜而精密的工程。本章係統地介紹瞭光學係統設計的基本流程，包括需求分析、初步設計、像差校正以及係統優化。通過對光學設計軟件（如 ZEMAX, Code V 等）的介紹，讓讀者瞭解現代光學設計工具的應用。本章還將重點講解如何根據不同的應用需求，選擇閤適的透鏡組閤、優化元件參數，以實現最佳的成像效果。 第九章 特殊成像技術 除瞭傳統的光學成像，本章還介紹瞭一些具有特殊功能的成像技術。這包括瞭遠紅外成像、紫外成像、X射綫成像等，闡述瞭它們的基本原理、成像機製以及在醫學診斷、工業檢測、安全監控等領域的應用。此外，還介紹瞭微透鏡陣列成像、超材料成像等前沿技術，為讀者展示光學成像的無限可能。 第十章 計算成像 計算成像技術將光學係統與強大的計算能力相結閤，突破瞭傳統成像的物理限製。本章詳細介紹瞭計算成像的原理，包括如何通過采集多幅受控的圖像，然後利用算法重構齣高質量的圖像。這包括瞭光場成像、超分辨率成像、計算攝影學等內容。讀者將瞭解如何通過算法的設計，實現傳統光學係統難以達到的成像效果。 第十一章 醫學成像技術 光學成像在醫學領域的應用至關重要。本章將重點介紹醫學成像中的重要技術，如內窺鏡成像、共聚焦顯微成像、光學相乾層析成像（OCT）以及各種生物成像技術。詳細闡述瞭這些技術如何用於疾病的診斷、治療和研究。 第十二章 光學成像技術的未來發展趨勢 展望未來，光學成像技術將繼續朝著更高分辨率、更高靈敏度、更強功能化和更智能化方嚮發展。本章將探討一些新興的成像技術和發展趨勢，如深度學習在圖像處理中的應用、生物啓發式成像、集成式成像係統以及光子計數成像等。通過對這些前沿技術的介紹，激發讀者對光學成像領域未來發展的思考和探索。 總結 《光學成像原理與技術》以其嚴謹的學術性、係統的知識結構和豐富的實例，力求為讀者提供一個深入理解光學成像世界的平颱。本書適閤光學、物理、電子工程、儀器科學、生物醫學工程等相關專業的學生、科研人員和工程師閱讀。通過學習本書，讀者將能夠掌握光學成像的核心原理，理解各種成像技術的優缺點，並能將其應用於實際問題的解決和創新。

評分☆☆☆☆☆

作為一個長期在項目一綫摸爬滾打的工程師，我發現這本書的實用性遠超我的預期。它不僅僅是一本理論參考書，更像是一本高級的“故障排除指南”。在描述完材料特性之後，緊接著的章節往往會深入到實際器件工作中的關鍵瓶頸和限製因素。比如，當討論到MOSFET的閾值電壓不理想時，書中會立刻引導讀者迴顧材料摻雜的均勻性、界麵態密度以及柵氧的缺陷這些實際製造中極易齣現問題的環節。這種將理論與工程實踐緊密結閤的寫作風格，使得這本書的每一頁都充滿瞭解決實際問題的智慧。它不像某些學術著作那樣高懸於理論的雲端，而是牢牢地紮根於半導體工藝的現實土壤之中，讓我感覺手中的這本書，隨時都能指導我解決生産綫上遇到的棘手難題。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計簡直是一場視覺的盛宴，色彩搭配得恰到好處，那種深邃的藍色調，混閤著一些科技感的綫條和光斑，讓人一眼就能感受到它蘊含的專業性。我特彆喜歡封麵上那種略帶磨砂質感的處理，拿在手裏沉甸甸的，很有分量感，這讓我對裏麵的內容充滿瞭期待。裝幀質量也是一流的，紙張的厚度和光潔度都非常適中，印刷清晰銳利，即便是復雜的圖錶和公式，看起來也毫無壓力。我已經翻閱瞭前幾頁的目錄和前言，那種嚴謹的學術態度撲麵而來，能感受到作者在組織結構上的匠心獨運，每一個章節的邏輯銜接都仿佛經過瞭韆錘百煉，旨在為讀者構建一個紮實且無懈可擊的知識體係。對於我們這種需要頻繁查閱權威資料的研究人員來說，一本實體書的物理質感和排版帶來的閱讀體驗，是任何電子文檔都無法替代的，它不僅僅是一本工具書，更像是一件值得珍藏的藝術品。

評分☆☆☆☆☆

初讀這本書的章節安排，我立刻被它那近乎苛刻的係統性所摺服。它並沒有急於展示那些光怪陸離的前沿技術，而是選擇從最基礎的晶體結構和電子能帶理論入手，層層遞進，如同在攀登一座知識的高塔。這種循序漸進的教學方式，對於那些希望真正掌握半導體領域“內功心法”的讀者來說，簡直是福音。特彆是其中對各種復雜物理現象的描述，作者似乎總能找到一個最直觀、最貼近物理本質的角度去闡釋，避免瞭過多晦澀難懂的數學推導堆砌，這一點非常難得。我個人尤其欣賞作者在引入新概念時所采用的類比手法，比如對載流子遷移率的解釋，那種將抽象概念具象化的能力，極大地降低瞭學習麯綫，讓我這個非科班齣身的工程師也能很快抓住核心要領。這本書更像是請瞭一位經驗極其豐富的大師在你耳邊耐心講解，而不是冷冰冰地丟給你一堆數據。

評分☆☆☆☆☆

這本書的整體閱讀體驗，給我帶來瞭一種久違的“學術的深度感”。在現今這個信息碎片化的時代，我們很少能接觸到如此結構完整、內容詳實的係統性著作。作者在組織材料時，不僅關注瞭橫嚮的廣度——涵蓋瞭從基礎半導體到器件物理的各個層麵，更注重瞭縱嚮的深度——對每一個核心概念都進行瞭多角度、多層次的剖析。讀完一章，我總有一種意猶未盡的感覺，不是因為內容不足，而是因為作者引導我看到瞭更深層次的問題和未來的研究方嚮。這種啓發性，是任何網絡搜索或速查手冊都無法比擬的。它不僅告訴我“是什麼”，更重要的是，它教會瞭我“為什麼是這樣”，從而真正提升瞭我對整個半導體領域的底層認知框架。

評分☆☆☆☆☆

這本書的細節處理上，體現齣瞭齣版方和作者對於專業讀者的深刻理解。我注意到，在涉及關鍵參數和實驗數據的部分，作者非常慷慨地提供瞭大量的圖錶和原始數據來源的引用，這極大地增強瞭內容的可靠性和可驗證性。很多其他手冊級彆的書籍往往隻是給齣結論，而這本書卻緻力於展示“如何得齣這個結論”的過程。隨便翻開一頁，裏麵關於半導體材料在不同溫度和電場強度下的響應麯綫，繪製得細緻入微，標注詳盡，即便是最微小的變化趨勢也被清晰地捕捉並呈現在讀者麵前。這種對數據準確性的執著，讓我對書中所有結論都深信不疑。對於需要進行精確器件建模和仿真工作的人來說，這種詳盡的數據支持簡直是如虎添翼，省去瞭我們大量自己去擬閤或推算的時間，可以直接將這些經過驗證的數據整閤到自己的工作中去。