20世紀60年代中期GaAs負電子親和勢半導體光電陰極的齣現，有力地推動瞭以單晶半導體為基礎的光電陰極的發展。除瞭負電子親和勢半導體光電陰極外，各種場助半導體光電陰極也有很大發展。與半導體工業的融閤，使得光電陰極技術的發展在程度上擺脫瞭以經驗為基礎的局麵，進入瞭以半導體帶隙工程為基礎的科學設計新階段。
今天，半導體光電陰極不僅是用於光電探測和計量用的光電倍增管和夜視儀所用像增強器的關鍵光電轉換部件，而且作為電子加速器、自由電子激光器、同步輻射光源、電子束光刻、電子顯微鏡、太赫茲輻射器以及X射綫源等方麵的高亮度電子源，也錶現齣明顯的潛力和實用價值。半導體光電陰極的應用領域包括軍事、安全、醫學、天文、航空航天、生物化學以及光縴通信等諸多方麵。
賈欣誌編著的《半導體光電陰極》全麵介紹半導體光電陰極的發展，各種半導體光電陰極的工作原理、製備技術、性能特點以及應用方麵等。《半導體光電陰極》適閤從事電子物理、電真空物理、光電成像和夜視技術領域及其他涉及光電陰極領域的科技人員、高等學校教師、研究生和高年級本科生閱讀參考。

前言
章 半導體光電陰極基礎
1.1 GaAs晶體結構
1.2 半導體能帶
1.3 功函數與電子親和勢
1.4 半導體光吸收
1.5 GaAs光電陰極中的載流子輸運過程
1.6 電子一聲子散射
1.7 半導體異質結
1.8 超晶格與量子阱基礎
參考文獻
第2章 GaAs半導體錶麵重構與錶麵態
2.1 GaAs錶麵重構
2.2 GaAs半導體錶麵態
參考文獻
第3章 GaAs半導體光電陰極
3.1 GaAs光電陰極基片的結構與製備
3.2 GaAs光電陰極錶麵激活層
3.3 GaAs光電陰極錶麵NEA模型
3.4 GaAs半導體光電陰極原理
3.5 GaAs半導體光電陰極性能
參考文獻
第4章 Si-NEA光電陰極
4.1 Si（100）（2×1）-NEA光電陰極
4.2 無定形Si-NEA光電陰極
參考文獻
第5章 1.06um近紅外光電陰極
5.1 發展1.06um波長光電陰極的意義
5.2 GaAs-NEA光電陰極光譜近紅外擴展的基本原理
5.3 1.06um光電陰極的早期發展
5.4 透射式InGaAsl.06_um近紅外光電陰極
5.5 GaAs-NEA光電陰極光譜紅外擴展的限製
參考文獻
第6章 轉移電子光電陰極
6.1 TE光電陰極的發展
6.2 TE光電陰極的早期工作
6.3 TE光電陰極的技術改進
6.4 TE光電陰極的典型性能
6.5 其他TE光電陰極方案
6.6 TE光電陰極的應用
參考文獻
第7章 3族N化物紫外光電陰極
7.1 未來的高效率紫外光電陰極
7.2 3族N化物的一般物理特點
7.3 3族N化物的NEA特性
7.4 3族N化物紫外光電陰極的設計與實施方案
7.5 微通道闆-GaN光電陰極
7.6 無Cs激活GaN紫外光電陰極
參考文獻
第8章 金剛石紫外光電陰極
8.1 金剛石的一般特點與參量
8.2 金剛石單晶的NEA錶麵
8.3 多晶金剛石薄膜的NEA模型
8.4 化學氣相沉積多晶金剛石NEA光電陰極
8.5 以微通道闆為襯底的金剛石紫外光電陰極
8.6 透射式金剛石NEA光電陰極
8.7 金剛石透射式場助光電陰極
參考文獻
第9章 Si錐場發射光電陰極
9.1 Si錐場發射光電陰極原理
9.2 Si錐場發射光電陰極典型製作工藝
9.3 Si錐場發射光電陰極性能
9.4 Si錐場發射光電陰極應用實例
參考文獻
0章 碳納米管光電陰極
10.1 碳納米管結構及其電學光學特性
10.2 組閤式碳納米管光電陰極
10.3 直接轉換式碳納米管光電陰極
參考文獻
1章 超晶格與量子阱光電陰極
11.1 早期的量子阱和超晶格光電陰極研究
11.2 高亮度超晶格光電陰極
11.3 紅外量於阱光電陰極方案
11.4 可用於條紋管的量子阱光電陰極展望
11.5 超晶格作為光電陰極的光吸收層
參考文獻
2章 半導體電子自鏇極化光電陰極
12.1 發展電子自鏇極化光電陰極的意義
12.2 大塊GaAs電子自鏇極化光電陰極
12.3 應變層GaAs自鏇極化光電陰極
12.4 超晶格自鏇極化光電陰極
12.5 應變超晶格自鏇極化光電陰極
12.6 應變補償超晶格自鏇極化光電陰極
12.7 帶有分布式布拉格反射器的超晶格自鏇極化光電陰極，
12.8 自鏇極化的弛豫
12.9 錶麵電荷限製效應
參考文獻
3章 作為高亮度電子源的半導體光電陰極應用
13.1 作為電子加速器的高亮度電子源
13.2 電子束光刻用的電子源
13.3 高亮度GaAs-NEA光電陰極的電子顯微鏡應用
參考文獻