半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677523

商品编码：29699151317

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名:半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册

定价：230.00元

售价：156.4元,便宜73.6元,折扣68

作者:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

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版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

内容提要

半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法 硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、A1受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

作者介绍

文摘

序言

《半导体材料标准汇编：方法标准 国标分册》（2014版）内容介绍 本《半导体材料标准汇编：方法标准 国标分册》（2014版）是一部系统、权威的半导体材料检测方法标准集合，旨在为我国半导体材料行业提供统一、规范的检测依据，确保产品质量，促进技术进步与国际交流。本书收录了截至2014年为止，国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会批准发布的、与半导体材料相关的国家标准（GB）中属于“方法标准”类别的所有重要文件。 本书的编写，紧密围绕半导体材料的种类、性能表征、杂质分析、结构检测等关键技术环节，力求全面覆盖行业内最常用、最核心的检测技术。它不仅是科研机构、生产企业、检验检测机构必备的工具书，也是相关领域从业人员、技术研发人员、质量控制人员以及高等院校相关专业师生学习和研究的重要参考资料。 核心内容概览： 本书的结构按照国家标准（GB）的编号顺序和分类进行编排，每一部分都代表着一项或一组针对特定半导体材料或特定性能指标的检测方法。其核心内容涵盖但不限于以下几个关键领域： 一、 基础材料特性检测方法： 高纯度材料制备与分析： 涉及用于制备高纯半导体材料（如硅、锗、砷化镓等）过程中的关键杂质控制和痕量分析方法。例如，可能包含电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES）、电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）、石墨炉原子吸收光谱法（GFAAS）等用于检测材料中微量金属杂质的技术标准。这些标准对于确保半导体器件的电学性能至关重要，因为即使是ppm（百万分之一）甚至ppb（十亿分之一）级别的杂质也可能严重影响器件的性能和可靠性。 晶体生长与结构表征： 针对半导体单晶材料的生长过程以及晶体结构的检测方法。这包括对晶体取向、晶界、位错、缺陷等进行表征的标准。可能包含X射线衍射（XRD）用于晶面取向和晶格常数测定，光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）等用于观察材料表面形貌和微观结构的标准。对于生长高质量的单晶材料，这些检测方法是必不可少的。 晶片尺寸与表面质量检测： 涵盖对半导体硅片、锗片等基片材料的尺寸精度（如直径、厚度、翘曲度、平面度）以及表面质量（如划痕、麻点、污物、表面粗糙度）的检测方法。这些标准直接关系到后续芯片制造工艺的良率和器件的可靠性。可能包含光学测量、接触式测量等多种标准。 电阻率与载流子浓度测量： 这是半导体材料最基本也是最重要的电学性能指标。本书收录了针对不同半导体材料（如硅、砷化镓等）测量电阻率和载流子浓度的方法标准。可能包含四探针法、范德堡法、霍尔效应测量法等多种标准，这些方法在不同材料、不同形状以及不同浓度范围内具有各自的适用性。 二、 特种半导体材料检测方法： 化合物半导体材料： 随着化合物半导体（如砷化镓、氮化镓、磷化铟等）在高速通信、光电子器件等领域的广泛应用，本书也专门收录了针对这类材料的检测方法标准。这可能包括其化学成分的精确测定、禁带宽度、迁移率等光电性能的表征方法。 宽禁带半导体材料： 针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的检测方法。这些材料在高温、高压、高频器件领域具有巨大潜力，其检测方法通常需要适应更高的温度和更苛刻的测试条件。 有机半导体材料： 随着有机电子学的兴起，对于有机半导体材料的检测方法标准也逐渐被纳入。这些标准可能涉及其分子结构、电荷传输特性、光电响应等方面的检测。 三、 光电性能与器件相关检测方法： 光电性能测量： 针对半导体材料的光学吸收、透射、反射特性，以及光致发光、电致发光等光电性能的测量方法。这些标准对于开发光电器件（如LED、光伏电池、光探测器）至关重要。 杂质与缺陷的深度剖析： 除了表面和整体的杂质分析，本书还可能包含一些深度分析技术在半导体材料中的应用标准，例如二次离子质谱法（SIMS）、拉曼光谱法等，用于分析材料内部的杂质分布和缺陷结构。 四、 环境与可靠性测试方法： 可靠性测试： 针对半导体材料在不同环境条件下的稳定性和可靠性进行评估的检测方法。这可能包括高温、低温、湿热、光照、电应力等条件下的性能变化测试。 失效分析： 一旦器件出现失效，需要对失效的半导体材料进行分析以找出失效原因。本书可能包含相关的失效分析方法标准，如电子探针微区分析（EPMA）、透射电子显微镜（TEM）等。 本书的价值与意义： 1. 规范化与统一性： 本书汇集了国家发布的权威方法标准，为国内半导体材料的检测提供了一套统一、规范的语言和操作规程。这有助于减少检测结果的差异性，提高可比性，为行业内的信息交流和技术协同奠定基础。 2. 质量保障： 严格按照标准进行的检测，能够有效地评估半导体材料的各项性能指标，从而保障产品质量。这对于减少不合格产品流入市场，提高客户满意度，维护企业声誉具有重要意义。 3. 促进技术创新： 标准的制定与更新，往往反映了行业最新的技术发展水平。通过学习和应用这些标准，相关技术人员可以更好地理解行业发展趋势，并在此基础上进行创新和突破。 4. 提升国际竞争力： 许多国家标准与国际标准（如IEC、ISO标准）进行对接或等效采用，本书的出版有助于我国半导体材料行业与国际接轨，提升产品的国际竞争力。 5. 指导科研与教学： 对于从事半导体材料研究的科研人员，本书提供了可靠的实验方法和数据参考。对于高等院校相关专业的教学，本书是学生学习和掌握半导体材料检测技术的宝贵教材。 《半导体材料标准汇编：方法标准 国标分册》（2014版）的出版，是国家在推动半导体产业健康发展方面的重要举措。本书以其内容的权威性、全面性和实用性，必将为我国半导体材料行业的质量提升、技术进步和可持续发展提供坚实的技术支撑。本书的每一项标准都经过了严谨的论证和实践检验，是从事半导体材料相关工作不可或缺的参考工具。

评分☆☆☆☆☆

这本书，拿到手里沉甸甸的，那种厚实的纸张和严谨的装帧，让人一看就知道不是什么泛泛之谈的科普读物，而是真正的专业工具书。我原本是抱着一种“希望能找到一些关于新一代半导体材料制备工艺的最新进展”的期望来翻阅的。说实话，当我看到目录里密密麻麻排列的那些标准号和标准名称时，第一感觉是“官方”得让人有点敬畏，但也略微感到一丝丝的失落。我期待的是那种能够深入解析材料物理机制、探讨不同晶圆缺陷对器件性能影响的深度论述，最好能配上大量的实验数据图表和前沿理论推导。然而，这本书给我的感觉更像是一部法律条文的汇编，它详尽地规定了“应该怎么做”和“什么是合格的”，但对于“为什么”以及“如何超越现有标准”的探讨，则显得有些意犹未尽。特别是关于超高纯度金属有机源的检测方法那一章节，虽然步骤描述得一丝不苟，但对于背景信号的抑制和痕量杂质的归一化处理，缺乏更具操作性的细致指导，这对于一线研发人员来说，可能需要结合更多的实验手册才能真正落地应用。它更像是给已经非常成熟的生产线提供了一个可以严格遵循的“宪法”，而不是给探索未知领域的科研人员指明“星辰大海”的方向。

评分☆☆☆☆☆

从一名质量控制工程师的角度来看，这套标准汇编无疑是制定内部SOP（标准操作程序）的绝佳蓝本。它提供了详尽的仪器校准流程、试剂纯度要求和测量不确定度的评估方法，这对于确保不同批次、不同产线的产出物具有高度一致性至关重要。然而，当我试图寻找一套针对特定污染物（比如，光刻胶残留物或清洗液中的离子污染）的超灵敏、痕量分析标准时，我发现书中更多的是通用的化学分析方法，例如ICP-MS的常规流程。虽然这些是基础，但面对亚十纳米级的制程，我们需要的是能够检测到PPT（万亿分之一）级别的污染控制标准，包括如何排除环境背景干扰、如何确保样品转移过程的绝对洁净。这本书在对“通用”和“基础”标准的强调上做得无可挑剔，但在那些决定最终良率的“极端敏感”和“高精度”的定制化检测方法上，则显得保守和不够深入，缺乏对未来极限检测要求的预见性布局。

评分☆☆☆☆☆

坦白讲，这本书的出版年份（2014版）在快速迭代的半导体行业中，已经带上了一丝“历史感”。我本想借此梳理一下当时主流硅基CMOS技术中，关于栅氧质量和介电常数测量的权威流程，毕竟打好基础至关重要。但翻阅过程中，我明显感觉到内容主要聚焦于成熟的硅材料体系，对于当时已经崭露头角的SOI技术（绝缘体上硅）以及先进的掺杂剂深度剖析技术（如次纳米级的离子注入剖面分析标准），其覆盖的深度和广度，明显不如我对最新的IEEE或SEMI标准的期待。很多我们现在日常使用的先进TEM（透射电镜）样品制备规范和高分辨成像分析方法，在书中找不到对应的官方指导标准。这让我感觉，这本书更像是对一个特定历史阶段（2014年前后）半导体材料检测方法的一次“大封存”，虽然历史价值无可替代，但对于指导当前正在进行的、面向更小节点和新型异质结构的研究来说，其时效性已经不能完全满足要求了，很多关键步骤需要我们自己去查阅后续发布的新标准或行业指南来补充。

评分☆☆☆☆☆

对于我这种非直接从事半导体生产，而是进行材料性能建模和模拟工作的研究人员来说，我更看重的是标准中提供的那些经过同行广泛验证的、可靠的物理参数和实验数据获取流程。我本希望这本书能提供一份详尽的、基于不同温度和应力条件下的关键材料属性查找表（如热导率随掺杂浓度的变化曲线，或者载流子迁移率在不同晶向上的标准值）。但很遗憾，这本书的核心价值显然在于“方法论”的规范，即“如何测量”的流程文件，而不是“测量结果”的数据库。它告诉我们用哪种A法去测电阻率，用哪种B法去测载流子浓度，但这些测量方法最终得出的具体数值，可能需要我们去翻阅其他专门的材料参数手册或数据库才能获取。因此，这本书更像是一本“操作手册大全”，而非一本“材料参数参考词典”，这使得它在辅助我们进行高精度数值模拟时，需要额外的交叉引用工作，降低了直接应用其数据的便捷性。

评分☆☆☆☆☆

我所在的实验室最近在攻克第三代半导体（如GaN/SiC）的界面钝化技术，急需一套权威且全面的测试规范来验证我们新工艺的可靠性和重复性。因此，《半导体材料标准汇编(2014版)》自然成了我们采购清单上的首选。然而，在查阅与宽禁带材料相关的部分时，我发现尽管它涵盖了基础的形貌分析和成分检测标准，但在针对高温、高频工作环境下特有的可靠性评估标准方面，内容相对单薄。例如，我们目前最头疼的是高功率密度下的热管理和应力分布，这需要用到复杂的耦合测试方法和标准化的热阻标定流程。这本书更多地侧重于对原材料本身纯度、晶圆平整度等静态指标的量化，对于材料在极端动态条件下的实际表现，似乎没有给出足够前瞻性的指导意见。这感觉就像是，它提供了一套非常精密的尺子来量度一块砖头有多平整，但对于这块砖头垒成高楼后能不能抗震，则没有给出明确的验收标准，这对于追求极致性能的我们来说，是一个明显的短板。