CMOS集成電路設計手冊(第3版)(模擬電路篇) 暢銷書籍 正版模擬電路篇(第3版)/CC pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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美 R. Jacob Baker著 著

圖書標籤:

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齣版社： 人民郵電齣版社

ISBN：9787115337719

商品編碼：29800354489

包裝：平裝

齣版時間：2014-04-01

基本信息

商品名稱：	CMOS集成電路設計手冊(第3版)(模擬電路篇) 暢銷書籍 正版模擬電路篇(第3版)/CCMOS集成電路設計手冊	開本：
作者：	(美) R. Jacob Baker著	頁數：
定價：	89.00元	齣版時間：	2014-04-01
ISBN號：	9787115337719	印刷時間：
齣版社：	人民郵電齣版社	版次：	1
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目錄 內容提要 《CMOS集成電路設計手冊》討論瞭CMOS電路設計的工藝、設計流程、EDA工具手段以及數字、模擬集成電路設計，並給齣瞭一些相關設計實例，內容介紹由淺入深。該著作涵蓋瞭從模型到器件，從電路到係統的全麵內容，是一本的、綜閤的CMOS電路設計的工具書及參考書。
《CMOS集成電路設計手冊》是英文原版書作者近30年教學、科研經驗的結晶，是CMOS集成電路設計領域的一本力作。《CMOS集成電路設計手冊》已經過兩次修訂，目前為第3版，內容較第2版有瞭改進，補充瞭CMOS電路設計領域的一些新知識，使得本書較前一版內容更加詳實。
為瞭方便讀者有選擇性地學習，將《CMOS集成電路設計手冊》分成3冊齣版，分彆為基礎篇、數字電路篇和模擬電路篇，本書為模擬電路篇，介紹瞭電流源、電壓源、放大器、數據轉換器等電路的設計與實現。
《CMOS集成電路設計手冊(第3版模擬電路篇)》可以作為CMOS模擬電路知識的重要參考書，對工程師、科研人員以及高校師生都有著較為重要的參考意義。
編輯推薦 《CMOS集成電路設計手冊(第3版模擬電路篇)》是IEEE微電子係統經典圖書、電子與計算機工程領域獲奬作。《CMOS集成電路設計手冊(第3版模擬電路篇)》是CMOS集成電路設計領域的書籍，特色鮮明：
深入討論瞭模擬和數字晶體管級的設計技術；
結閤使用瞭CMOSedu.（提供瞭許多計算機輔助設計工具的應用案例）的在綫資源
詳細討論瞭鎖相環和延遲鎖相環、混閤信號電路、數據轉換器以及電路噪聲
給齣實際工藝參數、設計規則和版圖實例
給齣上百個設計實例、相關討論以及章後習題
揭示瞭晶體管級設計中所需要考慮的各方麵要求 作者介紹 R.Jacob(Jake)Baker是一位工程師、教育以及發明。他有超過20年的工程經驗並在集成電路設計領域擁有超過200項的。Jake也是多本電路設計圖書的作者。

《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》是一本深入探討CMOS模擬集成電路設計原理、技術與實踐的權威參考書。本版在延續前兩版嚴謹學術風格的基礎上，大幅更新瞭內容，緊密結閤當前CMOS工藝技術的最新發展和行業需求，為讀者提供瞭一套全麵、係統且極具實踐指導意義的模擬電路設計知識體係。 本書分為多個章節，每個章節都圍繞CMOS模擬電路設計的核心環節展開，力求為讀者構建一個由淺入深、層層遞進的學習路徑。 第一章：CMOS器件模型與基礎特性 本章是理解CMOS模擬電路設計的基礎。它詳細介紹瞭MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）在CMOS工藝中的基本結構、工作原理以及不同工作區（亞閾值區、綫性區、飽和區）下的伏安特性。重點闡述瞭兩種主要的MOSFET類型——NMOS和PMOS的特性差異與互補性，這對於設計高效率、高性能的模擬電路至關重要。 器件物理模型： 深入剖析瞭MOSFET的電流-電壓關係，包括瞭短溝道效應、溝道長度調製、體效應、亞閾值跨導等關鍵非理想效應。通過對二階模型和更精確的SPICE模型進行介紹，幫助讀者理解這些效應在實際電路設計中的影響。 工藝參數與模型提取： 詳細講解瞭CMOS工藝參數（如閾值電壓、氧化層厚度、載流子遷移率等）對器件特性的影響，以及如何通過模型提取過程獲得準確的器件模型，從而進行精確的電路仿真。 寄生效應： 關注瞭CMOS工藝中不可避免的寄生效應，如襯底結電容、柵漏電容、源漏結電容以及金屬互連綫的電阻和電容，並分析瞭它們對電路性能（如頻率響應、噪聲、功耗）的影響。 CMOS晶體管的直流和交流特性： 對CMOS晶體管的跨導、輸齣電阻、輸入電容、輸齣電容等關鍵參數進行瞭詳細分析，為後續章節的電路設計提供瞭基礎參數。 第二章：CMOS基本模擬電路模塊 本章聚焦於CMOS模擬電路設計中最基本、最核心的構建模塊，為讀者打下堅實的電路設計基礎。 電流源與電壓源： 介紹瞭各種CMOS電流源和電壓源的設計方法，包括簡單的二極管連接、恒流源、恒壓源，以及更加精確的、具有高輸齣阻抗和低輸齣阻抗的電流源和電壓源。重點分析瞭這些源的精度、溫度穩定性、電源抑製比（PSRR）和噪聲性能。 放大器（Amplifier）： 這是模擬電路的核心。本章詳細介紹瞭CMOS技術下的各種放大器拓撲結構，包括： 共源放大器（Common-Source Amplifier）： 分析其電壓增益、輸入電阻、輸齣電阻、頻率響應和噪聲。 共柵放大器（Common-Gate Amplifier）： 講解其電壓增益、輸入電阻、輸齣電阻以及在提高輸齣阻抗和頻率性能方麵的作用。 共漏放大器（Common-Drain Amplifier，也稱源極跟隨器）： 重點分析其電壓跟隨特性、高輸入電阻、低輸齣電阻以及在緩衝器設計中的應用。 差分放大器（Differential Amplifier）： 詳細探討瞭差模增益、共模增益、共模抑製比（CMRR）、輸入失調電壓等關鍵參數，並介紹瞭全差分差分放大器的結構和優勢。 多級放大器（Multi-stage Amplifier）： 講解如何通過級聯放大器來獲得更高的增益，並分析瞭級聯帶來的頻率響應和穩定性問題。 有源負載（Active Load）： 講解瞭如何利用MOSFET自身構成有源負載，以替代高阻值的電阻，從而減小電路麵積和功耗，並提高增益。介紹瞭電流鏡（Current Mirror）作為一種重要的有源負載技術，包括其基本結構、精度限製（如輸齣電阻、失配效應）以及各種改進型電流鏡。 第三章：CMOS運算放大器（Operational Amplifier）設計 運算放大器是模擬集成電路中最重要、應用最廣泛的單元。本章將深入探討CMOS運算放大器的設計細節。 基本運算放大器拓撲： 單級運算放大器（Single-Stage Op-Amp）： 如共源-共柵（Cascode）結構的運算放大器，以及采用有源負載的單級放大器。 兩級運算放大器（Two-Stage Op-Amp）： 這是最常見的CMOS運放結構，包括輸入差分對級和輸齣增益級。詳細分析瞭這種結構在增益、帶寬、相位裕度、輸齣擺幅等方麵的權衡。 摺疊式共源-共柵運算放大器（Folded Cascode Op-Amp）： 講解其在減小輸入失調電壓、提高輸入共模範圍方麵的優勢。 穩定性與補償（Stability and Compensation）： 頻率響應分析： 講解瞭單位增益帶寬（GBW）、相位裕度（Phase Margin）等指標，以及它們對電路穩定性的重要性。 補償技術： 詳細介紹瞭多種補償技術，如密勒補償（Miller Compensation）、零點補償（Zero Compensation）等，以確保放大器在各種負載條件下都能穩定工作。 性能指標與優化： 增益（Gain）： 分析瞭直流增益、開環增益的來源和限製，以及提高增益的策略。 帶寬（Bandwidth）： 討論瞭單位增益帶寬與功耗、噪聲的權衡，以及提高帶寬的方法。 輸齣擺幅（Output Swing）： 分析瞭輸齣電壓範圍的限製因素，如電源電壓、器件工作區等。 功耗（Power Consumption）： 討論瞭不同結構和偏置條件下功耗的差異，以及低功耗設計技術。 噪聲（Noise）： 詳細分析瞭CMOS放大器中的各種噪聲源（熱噪聲、閃爍噪聲），以及降低噪聲的設計技巧。 失真（Distortion）： 分析瞭諧波失真（HD）和互調失真（IMD），以及降低失真的設計方法。 共模抑製比（CMRR）和電源抑製比（PSRR）： 講解瞭這兩個指標的重要性，以及如何通過電路設計來提高它們。 輸入失調電壓（Input Offset Voltage）： 分析瞭失調電壓的來源（器件失配），以及低失調電壓設計技術。 第四章：CMOS綫性電源與低壓差綫性穩壓器（LDO） 本章專注於CMOS綫性電源的設計，特彆是低壓差綫性穩壓器（LDO）。 LDO基本原理： 詳細闡述瞭LDO的工作原理，包括誤差放大器、帶隙基準源、反饋網絡和串聯調整管。 LDO的性能指標： 重點分析瞭LDO的關鍵性能指標，如壓差（Dropout Voltage）、負載調整率（Load Regulation）、綫路調整率（Line Regulation）、紋波抑製比（PSRR）、瞬態響應（Transient Response）和輸齣噪聲。 LDO的設計技巧： 介紹瞭各種提高LDO性能的設計方法，例如： 降低壓差： 通過采用P溝道MOSFET作為調整管，以及設計低功耗、高增益的誤差放大器。 提高PSRR： 利用多級反饋和優化誤差放大器的頻率響應。 改善瞬態響應： 通過優化補償網絡和采用快速響應的誤差放大器。 低噪聲設計： 關注基準源和誤差放大器的噪聲抑製。 各種LDO拓撲： 介紹瞭常見的LDO拓撲，如帶PMOS調整管的LDO、帶NMOS調整管的LDO、以及采用更先進技術的LDO。 第五章：CMOS數模混閤信號電路的接口技術 本章將探討CMOS模擬電路與數字電路相結閤時的關鍵技術，特彆是數模混閤信號係統中的接口電路設計。 采樣保持電路（Sample-and-Hold Circuit）： 詳細介紹采樣保持電路的工作原理、關鍵性能指標（如采樣時間、保持時間、開關損耗、電荷注入、跟蹤誤差、漏電效應）以及CMOS采樣保持電路的設計。 數模轉換器（DAC）與模數轉換器（ADC）接口： ADC的輸入接口： 講解瞭ADC輸入端的信號調理、驅動和緩衝電路的設計，以及對ADC性能的影響。 DAC的輸齣接口： 介紹瞭DAC輸齣信號的處理，如低通濾波、緩衝和電平轉換。 數字控製模擬電路： 探討瞭如何通過數字電路來控製模擬電路的參數，例如數字可調增益放大器、數字可調濾波器等，以及它們在自適應係統中的應用。 第六章：CMOS電路的低功耗設計技術 隨著便攜式設備和物聯網的興起，低功耗設計已成為CMOS模擬電路設計的重中之重。本章將深入探討各種低功耗設計策略。 低功耗設計的基本原理： 分析瞭功耗的主要來源（動態功耗和靜態功耗），以及降低功耗的通用方法。 亞閾值電路設計（Subthreshold Circuit Design）： 介紹瞭在亞閾值區工作的CMOS電路，其功耗極低，但速度也較慢，探討瞭亞閾值電路的設計原理和應用場景。 電源門控技術（Power Gating）： 講解瞭如何通過開關單元的電源來降低靜態功耗，並討論瞭其對電路恢復速度的影響。 多電壓域設計（Multi-Voltage Domain Design）： 介紹瞭在同一個芯片上采用不同電壓域來優化功耗和性能。 動態電壓頻率調整（DVFS）： 講解瞭根據工作負載動態調整芯片工作電壓和頻率以降低功耗的方法。 高效偏置技術： 探討瞭如何設計更高效的偏置電路，以減小偏置電流的消耗。 第七章：CMOS電路的噪聲與乾擾分析與抑製 噪聲和乾擾是影響CMOS模擬電路性能的關鍵因素。本章將提供係統性的分析方法和抑製策略。 噪聲源的識彆與建模： 熱噪聲（Thermal Noise）： 分析電阻和MOSFET産生的熱噪聲。 閃爍噪聲（Flicker Noise/1/f Noise）： 講解MOSFET在低頻段産生的閃爍噪聲，以及其與工藝的關係。 隨機陷阱捕獲噪聲（Random Telegraph Noise）： 介紹一種可能影響器件特性的噪聲。 噪聲在電路中的傳播： 講解如何計算電路的輸齣噪聲，包括噪聲的疊加方式（均方根疊加）和增益對噪聲的影響。 噪聲抑製技術： 器件尺寸優化： 如何通過選擇閤適的MOSFET尺寸來降低噪聲。 電路拓撲的選擇： 介紹一些低噪聲的電路拓撲結構，如共源-共柵放大器、差分對等。 濾波器設計： 如何利用濾波器來抑製特定頻段的噪聲。 差分信號技術： 差分電路在抑製共模乾擾方麵的優勢。 屏蔽與布局（Shielding and Layout）： 強調良好的版圖設計和屏蔽技術對於減少噪聲耦閤的重要性。 乾擾分析： 討論瞭電源綫耦閤、地綫耦閤、信號綫串擾等常見的乾擾來源，以及降低乾擾的布局和布綫技巧。 第八章：CMOS電路版圖設計與工藝考慮 成功的CMOS模擬電路設計離不開對版圖和工藝的深刻理解。本章將詳細介紹這一方麵的內容。 版圖設計規則（Design Rules）： 解釋瞭CMOS工藝的版圖設計規則，以及它們對器件性能和可靠性的影響。 匹配（Matching）： 詳細討論瞭器件失配對模擬電路性能（如失調電壓、增益偏差）的影響，以及提高器件匹配度的版圖技術，如共質心（Common Centroid）布局、鄰近匹配（Proximity Matching）等。 寄生效應的版圖實現： 如何通過版圖設計來減小寄生電阻、寄生電容和寄生電感，例如使用多晶矽柵、金屬層來實現低阻抗連接，以及優化連綫方式。 熱效應與IR Drop： 分析大電流密度下産生的IR Drop和熱效應，以及在版圖設計中需要注意的事項。 ESD（靜電放電）保護： 介紹CMOS電路的ESD保護設計原理和常用保護電路。 工藝文件的使用： 講解如何閱讀和使用CMOS工藝文件（如PDK，Process Design Kit）中的信息，進行精確的版圖設計和仿真。 第九章：CMOS模擬電路的高級主題與前沿發展 本章將深入探討一些CMOS模擬電路設計中的高級主題，並展望未來的發展趨勢。 CMOS射頻（RF）模擬電路設計基礎： RF器件特性： 介紹MOSFET在高頻下的特性，如fT、fmax。 RF電路模塊： 如LNA（低噪聲放大器）、混頻器（Mixer）、振蕩器（Oscillator）、鎖相環（PLL）等在CMOS中的實現。 噪聲係數（Noise Figure）與綫性度（Linearity）： 重點分析RF電路的關鍵性能指標。 CMOS精密模擬電路： 高精度ADC/DAC： 討論提高分辨率和綫性度的設計技術。 精密基準源： 如帶隙基準源的精度提升。 CMOS MEMS（微機電係統）接口電路： 傳感器接口： 如何設計CMOS電路來讀取和處理MEMS傳感器的信號。 CMOS新技術與發展趨勢： FinFET、GAAFET等先進工藝： 探討新一代晶體管結構對模擬電路設計的影響。 AI在模擬電路設計中的應用： 展望機器學習和人工智能在電路優化、參數提取、版圖生成等方麵的潛力。 低功耗、高性能的集成需求： 討論在不斷縮小的工藝節點下，如何在集成度、性能和功耗之間取得平衡。 總而言之，《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》以其詳盡的內容、嚴謹的邏輯和豐富的實踐指導，成為CMOS模擬集成電路領域研究者、工程師和學生的寶貴資源。它不僅傳授瞭紮實的理論基礎，更提供瞭解決實際設計問題的實用方法和寶貴經驗，幫助讀者在瞬息萬變的集成電路設計領域掌握核心技術，實現創新與突破。

評分☆☆☆☆☆

《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我拿到手的感覺就和拆開一份期待已久的珍貴禮物一樣，包裝嚴實，紙張厚實，封麵設計也透著一股專業和沉穩。我是一名正在攻讀集成電路設計的碩士研究生，之前一直被一本老舊的教材睏擾，很多理論概念模糊不清，實際操作更是無從下手。在導師的推薦下，我纔開始接觸這本“暢銷書籍 正版模擬電路篇（第3版）/CC”。第一眼看到厚厚的幾百頁，心裏確實有點打怵，但當翻開第一頁，看到清晰的排版和圖文並茂的講解時，疑慮就消散瞭大半。我尤其喜歡它在講解每一個模擬電路模塊時，都會先從最基本的原理講起，比如MOSFET的工作特性，各種偏置電路的形成原因，然後再逐步深入到各種放大器、濾波器、ADC/DAC等復雜模塊的設計。每一個公式的推導都清晰明瞭，並且會配有實際的設計案例，這對我來說太重要瞭。我曾經花瞭很長時間試圖理解一個運算放大器的穩定性問題，看瞭很多零散的資料，結果越看越糊塗。這本書裏，它用好幾個小節，從波特圖、相位裕度、增益裕度等等角度，層層遞進地講解，並且引用瞭大量的仿真結果圖，讓我一下子就豁然開朗。而且，這本書不是那種隻講理論的書，它非常注重工程實踐，在每一章節的最後，都會給齣一些實際設計中的注意事項和常見陷阱，這對於我們這些即將走嚮工作崗位的學生來說，簡直是無價之寶。比如，它在講到低功耗設計時，不僅僅是給齣瞭幾種低功耗的電路結構，還詳細分析瞭在不同工藝下，功耗和性能之間的權衡，以及如何通過版圖設計來進一步降低漏電流。我感覺這本書就像一個經驗豐富的老工程師，在你耳邊循循善誘，把你從一個“理論小白”一步步打造成一個“實踐能手”。

評分☆☆☆☆☆

我在一傢新興的AI芯片初創公司擔任模擬IC設計工程師，負責公司核心模擬IP的開發。我們公司對功耗和性能的要求都非常苛刻，所以選擇閤適的模擬電路設計方法和工具至關重要。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次公司內部的技術分享會上聽我的資深同事推薦的，他稱贊這本書是CMOS模擬電路設計的“聖經”，能夠幫助我們快速掌握核心技術，並解決實際工程中的難題。我拿到書後，迫不及待地翻開瞭關於運算放大器（Op-amp）設計的章節。書中對各種CMOS運算放大器結構，如摺疊式共源共柵、尾電流摺疊式、Miller補償運算放大器等，都進行瞭詳細的分析，包括它們的增益、帶寬、單位增益帶寬、壓擺率、輸齣電壓擺幅、功耗以及噪聲等關鍵性能指標的計算和優化方法。我特彆欣賞書中關於穩定性分析的部分，它不僅講解瞭Bode圖和Nyquist圖等經典分析方法，還結閤CMOS電路的特點，給齣瞭如何通過調整補償電容、選擇閤適的偏置電流等方法來改善穩定性。這一點對於我們實際設計中，確保電路的穩定工作至關重要。此外，書中關於噪聲抑製和電源抑製比（PSRR）的講解也相當深入，它分析瞭各種噪聲耦閤路徑，並給齣瞭相應的電路設計策略來降低噪聲。這本書給我最大的感覺是，它能夠幫助我站在巨人的肩膀上，快速理解和掌握CMOS模擬電路設計的精髓，並且能夠直接應用於我的日常工作中。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在某汽車電子公司工作的模擬IC設計工程師，我們公司專注於為汽車提供高可靠性、高集成度的模擬解決方案。我最近在負責一項新的電源管理芯片的設計，需要深入瞭解CMOS工藝下高精度、低壓差綫性穩壓器（LDO）的設計。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次行業展會上偶然發現的，它厚重的篇幅和詳盡的目錄吸引瞭我。拿到書後，我直接翻閱瞭關於LDO設計的章節。書中對不同類型的CMOS LDO，包括旁路型LDO、主控製器LDO、低壓差LDO等，都進行瞭詳細的分析，包括它們的原理、性能指標（如壓差、紋波抑製比、瞬態響應、噪聲等）的計算和優化方法。我特彆欣賞書中關於瞬態響應優化的部分，它不僅講解瞭如何通過調整補償電路來提高LDO的負載瞬態響應，還深入分析瞭在不同工藝條件下，參數變化對瞬態響應的影響。這一點對於汽車電子領域尤為重要，因為汽車內部的電源環境復雜多變，對LDO的瞬態響應有很高要求。此外，書中關於低噪聲和高電源抑製比（PSRR）的設計也給我留下瞭深刻印象，它分析瞭各種噪聲源和耦閤路徑，並給齣瞭相應的電路設計策略來降低噪聲和提高PSRR。這本書給我的感覺是，它非常貼閤實際工程應用，能夠幫助我快速掌握LDO設計的關鍵技術，並為我未來的設計工作提供堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在電子技術領域深耕多年的愛好者，我一直對集成電路設計充滿興趣，尤其是在模擬電路部分。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次在綫技術論壇上看到的，很多資深的技術愛好者都在推薦，說它是學習CMOS模擬電路設計的“必讀書籍”。我抱著學習的心態買下瞭這本書，並開始閱讀。我最開始接觸的是書中的直流和交流分析部分。書中對MOSFET的各種工作區域，如截止區、綫性區、飽和區，以及它們在不同偏置下的等效電路模型都講解得非常清晰。我尤其喜歡書中通過大量的插圖和圖示來輔助講解，這讓我這個初學者能夠更容易地理解抽象的電路原理。然後，我開始學習放大器部分。書中對不同類型的放大器，如共源放大器、共漏放大器、共柵放大器、差分放大器等，都進行瞭詳細的講解，包括它們的電壓增益、輸入阻抗、輸齣阻抗、帶寬等關鍵參數的計算。我印象最深刻的是，書中在講解共柵放大器時，不僅給齣瞭基本的電路結構，還分析瞭它的各種優缺點，以及如何通過引入負反饋來改善其性能。此外，書中還提供瞭很多實際設計中的技巧和注意事項，比如如何選擇閤適的偏置電流，如何減小寄生效應的影響等，這些對於我這個業餘愛好者來說，簡直是寶貴的財富。這本書讓我對CMOS模擬電路設計有瞭更係統、更深入的認識，也激發瞭我進一步深入學習的興趣。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在某通信設備公司工作的模擬IC設計工程師，我們公司正在開發新一代的低功耗、高性能無綫通信芯片，對模擬前端電路的設計提齣瞭很高的要求。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次內部技術評估會上聽項目負責人推薦的，他強調瞭這本書在CMOS模擬電路設計方麵的權威性和前瞻性。我拿到書後，最先翻閱的是關於鎖相環（PLL）和延遲鎖定環（DLL）的設計章節。書中對這兩種重要的頻率閤成和時鍾同步技術，進行瞭非常詳細的講解，包括它們的原理、結構、關鍵組件（如壓控振蕩器VCO、鑒相器PD、電荷泵CP、分頻器等）的設計和優化。我尤其欣賞書中在分析PLL時，不僅僅停留在理論層麵，還深入討論瞭實際設計中可能遇到的問題，比如相位噪聲、抖動、鎖定時間、功耗等，以及如何通過調整環路參數、選擇閤適的組件來實現性能的最優化。這一點對於我們通信領域的設計至關重要，因為高性能的PLL是實現高精度數據傳輸和低誤碼率的關鍵。書中關於VCO的設計部分，也給齣瞭很多實用的技巧，比如如何通過調整電容陣列和柵極電壓來覆蓋寬的頻率範圍，如何減小調諧電源電壓對頻率的影響等。這本書給我的感覺是，它不僅是一本技術手冊，更像是一位經驗豐富的導師，能夠指導我如何解決實際工程中的挑戰，並實現技術突破。

評分☆☆☆☆☆

我是一名來自某知名大學電子工程係的博士生，我的研究方嚮是超低功耗模擬電路設計，尤其關注在物聯網應用中的模擬信號處理。在我的研究生涯中，我已經閱讀瞭不下數十本關於模擬電路設計的英文經典教材，但總覺得在CMOS工藝下的細節和實踐經驗方麵，還有很多可以深挖的地方。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次國內的集成電路技術研討會上，聽幾位國內頂尖的教授推薦的，他們特彆提到瞭這本書在CMOS工藝下的詳細講解，以及其在模擬電路設計中的權威性和實用性。我拿到書後，首先仔細地瀏覽瞭目錄，發現它涵蓋瞭從基本的MOSFET特性到各種高級模擬電路模塊，如運算放大器、濾波器、ADC/DAC、PLL等，內容非常全麵。我特彆關注瞭書中關於低功耗設計的部分。它不僅僅是羅列瞭幾種低功耗的電路結構，而是深入分析瞭各種低功耗技術背後的物理原理和工程實現難點。比如，書中對於亞閾值區MOSFET的工作特性分析，以及如何利用其特點來設計超低功耗的模擬電路，這對我目前的博士研究非常有啓發。此外，書中還詳細介紹瞭各種電源管理技術，如低壓差綫性穩壓器（LDO）、開關穩壓器（Switching Regulator）等，以及它們在降低功耗方麵的應用。最令我驚喜的是，書中還給齣瞭一些最新的CMOS工藝下模擬電路設計的優化技巧，以及在實際設計中可能會遇到的各種工藝限製和解決方案。這本書給我最大的感受是，它非常接地氣，理論與實踐結閤得非常緊密，就像一位經驗豐富的導師在你身邊手把手教你一樣。

評分☆☆☆☆☆

我是一名即將畢業的電子工程專業本科生，對集成電路設計領域非常感興趣，希望在畢業後能進入這個行業。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在學校圖書館裏偶然發現的，它被放在瞭“推薦閱讀”的書架上，封麵設計也很專業，讓我覺得內容應該很紮實。我開始閱讀這本書，發現它從最基礎的MOSFET特性講起，用非常清晰的語言和圖示，讓我這個初學者能夠很快地理解CMOS器件的工作原理。然後，我學習瞭各種基本的模擬電路，比如電流鏡、差分對、共源共柵放大器等。書中對每個電路的分析都非常透徹，不僅給齣瞭計算公式，還解釋瞭公式背後的物理意義，這讓我能夠真正理解電路是如何工作的，而不是死記硬背。我尤其喜歡書中關於模擬信號處理部分的內容，比如濾波器和ADC/DAC。它詳細介紹瞭各種濾波器的類型和設計方法，以及ADC/DAC的各種架構和工作原理，並且還給齣瞭很多實際設計中的例子。這一點對於我來說非常重要，因為它讓我瞭解瞭理論知識在實際工程中的應用。這本書就像一個循循善誘的老師，它能夠一步步引導我，讓我對CMOS模擬電路設計産生濃厚的興趣，並且為我未來的學習和職業發展打下瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在某大型半導體公司工作的資深模擬IC設計經理，我負責團隊的技術方嚮和項目管理。在我多年的職業生涯中，我接觸過大量的模擬電路設計書籍，但《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，絕對是我認為最優秀的一本。它的內容涵蓋瞭CMOS模擬電路設計的方方麵麵，從基礎理論到高級應用，都寫得非常詳細和深入。我尤其欣賞書中關於版圖設計和寄生效應的部分。在CMOS模擬IC設計中，版圖設計的好壞直接影響到電路的性能，而寄生效應又是影響性能的關鍵因素。這本書在這方麵給齣瞭非常寶貴的指導，它詳細分析瞭各種寄生效應，比如溝道長度調製效應、柵極電容、漏極電容、互感等，並給齣瞭如何通過閤理的版圖設計來減小這些寄生效應的影響。這一點對於我們團隊在開發高性能、高精度模擬IP時，至關重要。此外，書中關於版圖設計規則（DRC）和設計可製造性（DFM）的講解，也幫助我們更好地理解工藝限製，並避免設計中可能齣現的製造問題。這本書不僅能夠幫助我們的年輕工程師快速成長，也能夠為我們這些資深工程師提供新的思路和技術參考。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在海外攻讀集成電路設計的博士生，我的研究方嚮是高頻射頻模擬電路設計，尤其關注低功耗和高性能的設計。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次國際學術會議上，聽一位知名教授的推薦下知道的。他當時提到這本書在CMOS工藝下的射頻模擬電路設計方麵，提供瞭很多獨到的見解和實用的技術。我拿到書後，最先翻閱的是關於低噪聲放大器（LNA）和混頻器（Mixer）的設計章節。書中對這兩種射頻前端的關鍵模塊，都進行瞭非常詳細的講解，包括它們的原理、結構、性能指標（如噪聲係數、增益、輸入輸齣匹配、綫性度、功耗等）的計算和優化方法。我特彆欣賞書中關於噪聲係數和輸入匹配優化的部分，它不僅講解瞭各種LNA的匹配電路設計，還分析瞭在不同阻抗條件下，如何通過有源匹配或無源匹配來獲得最佳的匹配效果。這一點對於高頻射頻電路設計至關重要，因為良好的輸入匹配能夠最大程度地減少信號反射，提高信號傳輸效率。此外，書中關於混頻器的設計，也給齣瞭很多實用的技巧，比如如何選擇閤適的混頻器架構，如何減小本振饋入和鏡像抑製等。這本書給我最大的感覺是，它能夠幫助我更好地理解高頻射頻電路設計的精髓，並為我的研究提供寶貴的理論和實踐指導。

評分☆☆☆☆☆

我是一名在某半導體公司工作瞭五年的模擬IC設計工程師，之前主要負責的是RF部分的設計，最近公司業務擴展，我需要轉崗負責部分模擬混閤信號的IP開發。坦白說，雖然我對模擬電路的基本原理有一定瞭解，但要從零開始接觸CMOS工藝下的模擬電路設計，感覺還是有點力不從心，尤其是對於一些基礎的模擬模塊，比如低噪聲放大器（LNA）、混頻器、鎖相環（PLL）等，我需要一個係統性的、理論紮實又貼近實際工程的書籍來快速充電。《CMOS集成電路設計手冊（第3版）（模擬電路篇）》這本書，我是在一次行業技術交流會上偶然聽同行推薦的，當時就覺得名字很專業，而且“暢銷書籍 正版”的字樣也讓我覺得它有一定的市場認可度。拿到書後，我最先翻閱的是關於LNA的設計章節。書中對不同類型的LNA，比如共源共柵LNA、共漏LNA、Cascode LNA等，都進行瞭詳細的分析，包括它們的噪聲係數（NF）、增益、輸入匹配、綫性度（P1dB, IIP3）等關鍵指標的計算和優化方法。我尤其欣賞它在分析每個電路時，都會從其基本結構齣發，然後逐步引入寄生效應、工藝偏差等實際因素對性能的影響，並且給齣瞭相應的補償和改進策略。這一點對於我們實際做設計非常重要，因為理論上的完美電路在實際流片後往往錶現不佳，很多時候就是忽略瞭這些細節。書中關於噪聲分析的部分，也寫得非常透徹，它不僅講解瞭器件本身的噪聲來源，還分析瞭不同噪聲源之間的耦閤效應，以及如何通過電路設計來降低整體噪聲。對於我來說，這本書更像是一本“操作手冊”，它教會我如何去思考，如何去權衡，如何去解決實際設計中遇到的各種問題。