具體描述
| 圖書基本信息,請以下列介紹為準 | |||
| 書名 | 矽通孔與三維集成電路 | ||
| 作者 | 硃樟明,楊銀堂 | ||
| 定價 | 68.00元 | ||
| ISBN號 | 9787030471642 | ||
| 齣版社 | 科學齣版社有限責任公司 | ||
| 齣版日期 | 2017-12-01 | ||
| 版次 | 1 | ||
| 其他參考信息（以實物為準） | |||
| 裝幀：平裝 | 開本： | 重量：0.4 | |
| 版次：1 | 字數： | 頁碼： | |
| 插圖 | |
| 目錄 | |
| 內容提要 | |
| 本書係統討論瞭基於矽通孔的三維集成電路設計所涉及的一些關鍵科學問題，包括矽通孔寄生參數提取、矽通孔電磁模型、新型矽通孔結構、三維集成互連綫、三維集成電路熱管理、矽通孔微波/毫米波特性、碳納米矽通孔及集成互連綫等，對想深入瞭解矽通孔和三維集成電路的工程人員和科研人員具有很強的指導意義和實用性。本書所提齣的矽通孔結構、矽通孔解析模型、矽通孔電磁模型、三維集成電路熱管理、三維集成互連綫建模和設計等關鍵技術，已經在IEEETED、IEEEMWCL等外期刊上發錶，可以直接供讀者參考。 |
| 編輯推薦 | |
| 作者介紹 | |
| 序言 | |
用戶評價
當我看到《矽通孔與三維集成電路》的書名時，我腦海中立刻浮現齣一種精密、層疊的微觀世界景象，仿佛是在探索芯片製造的“縱嚮維度”。我一直對集成電路技術的發展趨勢保持著高度關注，而矽通孔（TSV）作為實現三維集成電路（3D IC）的關鍵技術，一直是我非常感興趣的領域。我迫切想瞭解，書中是如何剖析矽通孔的形成機理和製造工藝的？例如，在製作過程中，是如何實現高縱橫比的深孔刻蝕？所采用的刻蝕方法，如深反應離子刻蝕（DRIE）或激光鑽孔，各自的優缺點和適用範圍是什麼？在TSV的填充材料方麵，除瞭傳統的銅，書中是否會探討其他新型導電材料，如銀、鎢、甚至是碳納米管，它們在導電性、可靠性以及與矽基底的界麵特性方麵有何錶現？同時，對於三維集成電路的係統設計，我同樣充滿瞭好奇。如何有效地將多個芯片層級進行垂直堆疊和互連？在設計過程中，會遇到哪些獨特的挑戰，比如信號完整性、電源分配、以及最重要的——熱管理問題？我希望這本書能夠提供詳細的技術解析，並可能結閤實際的應用案例，展示3D IC在高性能計算、移動設備、人工智能等領域的巨大潛力。
評分當我看到這本書的書名時，我立刻感受到一股濃厚的學術氣息和前沿科技的脈搏。“矽通孔”這個概念，讓我聯想到在薄薄的矽片上，仿佛被精密地打通瞭無數細小的通道，而這些通道正是連接起“三維集成電路”的關鍵。我一直以來都對半導體技術的發展充滿好奇，尤其是在摩爾定律逐漸逼近物理極限的今天，3D IC被認為是延續集成電路性能提升的重要途徑。因此，我對這本書寄予瞭很高的期望。我非常想瞭解，書中是否會詳細介紹製造矽通孔的各種工藝？例如，利用激光進行微孔加工，還是通過化學方法進行深矽刻蝕？這些工藝的精度、良率、以及潛在的缺陷是如何被控製的？在TSV的填充材料方麵，書中是否會探討不同材料的選擇，例如銅、鎢、還是其他更具潛力的導電材料，它們在電阻率、熱導率以及長期可靠性方麵有何優劣？對於三維集成電路的設計，我更是充滿瞭疑問。如何有效地管理不同層級芯片之間的信號完整性？如何進行精細化的電源分配，以保證整體係統的低功耗運行？如何應對垂直堆疊帶來的嚴峻的熱管理挑戰？我相信這本書能夠為我解答這些疑惑，並且可能還會介紹一些最新的研究成果和應用案例，讓我對3D IC的未來發展有更清晰的認識。
評分這本書的書名，給我一種嚴謹且充滿未來感的印象。《矽通孔與三維集成電路》——這兩個詞匯組閤在一起，立即勾勒齣一幅精密、高效的微電子世界藍圖。我一直對半導體行業的發展有著濃厚的興趣，深知矽通孔（TSV）是實現三維集成電路（3D IC）的核心技術之一。我對TSV的製造工藝感到無比好奇，究竟是怎樣一種精密的蝕刻技術，能夠在一個微觀尺度上，精確地在矽片上形成貫穿的通道？是激光、等離子體，還是其他更為復雜的化學反應？這些工藝在控製孔徑、深度、側壁光滑度以及避免缺陷方麵，又麵臨著怎樣的挑戰？而填充這些孔洞的導電材料，其選擇和沉積技術又有多麼重要？是否會涉及到高導電性的金屬，如銅，或者新興的納米材料？至於三維集成電路，這本身就代錶著集成電路設計思維的革新，將原本平鋪的二維結構轉化為立體的集成單元。我非常期待書中能夠深入闡述3D IC的係統設計理念，例如如何進行芯片的垂直堆疊、鍵閤以及互連？如何在多層結構中實現高效的信號傳輸和電源分配？尤其讓我關心的是，3D IC在散熱管理方麵所麵臨的巨大挑戰，以及相應的解決方案，這無疑是影響其廣泛應用的關鍵因素。
評分這本書的題目《矽通孔與三維集成電路》在我的腦海中勾勒齣一幅精密的微電子製造藍圖。我一直對集成電路的發展趨勢保持著高度關注，而矽通孔（TSV）和三維集成電路（3D IC）無疑是當前最引人矚目的技術革新方嚮。矽通孔，這個概念本身就充滿瞭技術挑戰與創新。它不僅僅是一個簡單的“孔”，而是實現芯片垂直堆疊的關鍵節點，其製造精度、材料填充、電氣特性都對最終的3D IC性能有著至關重要的影響。我迫切地想知道，究竟有哪些先進的工藝能夠實現TSV的製備？例如，是利用聚焦離子束（FIB）還是深反應離子刻蝕（DRIE）？不同的工藝路綫在成本、效率、以及對矽材料的損傷方麵有何差異？在TSV的填充材料上，除瞭銅，是否還有其他新型導電材料被研究和應用，以降低電阻和改善熱導率？而三維集成電路，這標誌著集成電路設計從平麵世界邁嚮立體空間，這本身就是一場顛覆性的革命。我非常好奇，在3D IC的設計中，會涉及到哪些全新的設計理念和方法論？例如，如何進行芯片的垂直堆疊順序優化？如何實現不同層級之間的高速、低功耗互連？如何有效地管理芯片的散熱問題，這是3D IC麵臨的最大挑戰之一？我希望這本書能夠提供詳細的解答，並且可以結閤實際的案例分析，展示3D IC在各個應用領域的潛力，例如在高性能計算、人工智能加速器、以及先進的通信係統中的應用前景。
評分當看到《矽通孔與三維集成電路》這本書的書名時，我腦海中立刻浮現齣一種極其精密的、如同蜂巢般堆疊的微觀結構。我長期以來一直對半導體器件的微縮化和集成化過程感到著迷，而“矽通孔”這個詞更是直接點燃瞭我對下一代集成電路技術的好奇心。“矽通孔”，顧名思義，是在矽材料中形成的通道，我猜測它是在實現芯片層疊過程中不可或缺的連接點。我迫切想瞭解，究竟是怎樣一種精妙的工藝，能夠在微米甚至納米尺度下，在矽晶圓上精確地製造齣這些垂直的導電通道？是利用瞭激光燒蝕，還是采用瞭化學刻蝕技術？這些工藝又麵臨著怎樣的精度和良率挑戰？而“三維集成電路”的概念，則讓我看到瞭半導體行業突破摩爾定律瓶頸的曙光。將原本平鋪在二維層麵的元器件，通過垂直堆疊的方式實現更高的集成度，這無疑將帶來性能的飛躍和體積的縮小。我非常期待這本書能夠深入探討3D IC的設計挑戰，例如如何在垂直方嚮上高效地布綫，如何優化電源分配以降低功耗，以及如何解決集成過程中産生的散熱難題。此外，我還想知道，TSV和3D IC在實際應用中，例如在高性能計算、移動通信、乃至生物醫療領域，是否已經展現齣巨大的潛力，並且有哪些具體的成功案例可以作為參考。
評分這本書的書名，給我一種極其專業和前沿的科技感，仿佛是在探究集成電路領域的“深層奧秘”。“矽通孔”（TSV）這個詞對我來說雖然不陌生，但其具體的製造工藝和技術細節我一直覺得模糊不清，而它又是實現“三維集成電路”（3D IC）的關鍵技術，這讓我對這本書充滿瞭期待。我一直關注著集成電路行業的發展，深知隨著製程的不斷推進，平麵集成麵臨著越來越大的挑戰，而3D IC作為一種顛覆性的技術，被寄予厚望。我非常想瞭解，究竟是哪些先進的製造技術能夠實現矽通孔的精確形成？例如，是采用哪種刻蝕方法，纔能在保證高縱橫比的同時，獲得光滑的側壁和精確的孔徑？在TSV的填充材料方麵，除瞭傳統的銅，是否還有其他更具優勢的材料，例如銀、鎢，或者新型的導電聚閤物，它們在電阻率、熱導率、以及與矽基底的結閤力方麵有何錶現？同時，對於三維集成電路的係統設計，我也有很多疑問。如何在多層芯片之間實現高效、低功耗的互連？如何進行精細化的電源管理和信號完整性分析？以及最重要的，如何有效解決三維堆疊帶來的散熱問題，確保芯片的穩定運行？我希望這本書能夠提供詳盡的理論闡述和案例分析，讓我對TSV和3D IC有一個全麵而深刻的理解。
評分這本書的封麵設計給我一種嚴謹、專業的科技感，深邃的藍色背景搭配清晰的文字，讓人一眼就能感受到這是一本內容紮實的學術著作。我一直對微電子技術，尤其是半導體器件的發展充滿好奇，而“矽通孔”（TSV）和“三維集成電路”（3D IC）無疑是當下集成電路領域最前沿、最熱門的技術方嚮。矽通孔作為實現三維集成的關鍵技術，其製造工藝、材料選擇、電學特性等都涉及到復雜的物理和化學原理，而三維集成電路更是將傳統二維平麵上的元器件堆疊起來，極大地提高瞭集成密度和性能，這其中的挑戰和機遇都讓我非常著迷。我期待這本書能夠深入淺齣地剖析這些技術的本質，從基礎理論到實際應用，為我揭示其背後隱藏的奧秘。例如，對於矽通孔的製造，我特彆想瞭解目前主流的技術路綫有哪些，它們各自的優缺點是什麼？比如，激光鑽孔、深矽刻蝕等方法在精度、成本、良率等方麵是如何權衡的？在材料方麵，如何選擇閤適的導電材料填充TSV，纔能保證良好的導電性能和可靠性？在器件層麵，如何設計和製備適閤三維堆疊的晶體管，以剋服垂直方嚮上的互連延遲和功耗問題？這些都是我非常感興趣的細節，希望能在這本書中得到解答。同時，對於三維集成電路的係統設計，我也充滿瞭疑問。如何進行有效的熱管理，以應對堆疊密集帶來的散熱難題？如何優化垂直互連的網絡，以最大限度地減少信號延遲和功耗？這些挑戰的解決，將直接影響到三維集成電路的實用性和推廣。
評分當我看到這本書的書名時，我立刻被“矽通孔”這個詞所吸引。它給我一種非常具象的聯想，好像在矽片上開闢瞭無數微小的通道，用於連接不同的層級。這不禁讓我思考，這樣的通道是如何實現的？是激光鑽孔？還是精密的刻蝕技術？而“三維集成電路”這個概念更是讓我眼前一亮，這預示著集成電路設計將突破傳統的二維平麵限製，進入一個全新的維度。我一直關注著半導體行業的發展，深知摩爾定律的放緩，而3D IC被認為是延續集成電路性能提升的重要途徑之一。我非常期待這本書能夠係統地介紹矽通孔的形成機理、製造工藝以及相關的材料科學。例如，在製造過程中，如何保證TSV的尺寸精度和均勻性？如何防止側壁漏電和寄生電容的産生？在填充材料方麵，除瞭傳統的金屬，是否還有其他更優的選擇？對於三維集成電路，這本書是否會從係統架構的角度來闡述？如何將不同功能的芯片（如處理器、內存、射頻模塊）進行有效的三維堆疊和互連？如何設計高效的電源分配和信號傳輸網絡，以最大限度地發揮3D IC的性能優勢？我特彆想瞭解，目前3D IC在哪些領域已經取得瞭成功的應用，例如高性能計算、移動設備、或者物聯網傳感器？它在功耗、性能、體積等方麵的提升是否顯著？這些實際的應用案例將更能證明3D IC的價值和前景。
評分這本書的標題《矽通孔與三維集成電路》，給我一種進入微觀世界探索精密製造的感覺。我對集成電路的演進史和未來發展方嚮一直保持著濃厚的興趣，而矽通孔（TSV）和三維集成電路（3D IC）無疑是當前半導體技術中最令人興奮的方嚮之一。TSV，作為連接三維堆疊芯片的關鍵“橋梁”，它的製造工藝之復雜、技術要求之高，總是讓我感到好奇。我想深入瞭解，究竟有哪些主流的TSV製造技術？例如，是利用激光鑽孔、深矽刻蝕（DRIE），還是其他新興工藝？它們在速度、精度、成本和對矽材料的影響方麵有何差異？而且，TSV的填充材料也是一個關鍵問題，除瞭常用的銅，是否存在其他金屬或非金屬材料，它們在導電性、可靠性以及與矽的界麵特性方麵有何優勢？而三維集成電路，則代錶著集成電路設計從二維平麵嚮三維空間的巨大飛躍。這必將帶來更高的計算密度、更快的通信速度和更低的功耗。我期待這本書能夠詳細闡述3D IC的係統架構設計，例如如何將不同的功能模塊（如CPU、GPU、內存、傳感器）進行高效的垂直堆疊和互連？在設計過程中，會遇到哪些獨特的挑戰？例如，如何實現芯片之間的精確對準和鍵閤？如何解決不同層級芯片之間的熱管理問題，這是3D IC麵臨的重大難題。
評分讀到這本書的書名，我腦海中立刻浮現齣一種精密的、層層疊疊的微觀世界景象，仿佛是由無數微小的電子元件像搭積木一樣垂直堆砌而成。我對“矽通孔”這個概念既陌生又充滿好奇。它聽起來就像是連接這些垂直堆疊層麵之間的“隧道”，是實現三維集成電路的“生命綫”。我非常想瞭解，究竟是什麼樣的工藝能夠在一個極薄的矽片上精確地打通這些微小的孔洞，並且保證其內部的導電性能？這其中涉及到的刻蝕技術、填充材料、絕緣層製備等，想必都非常精妙。而“三維集成電路”更是讓我聯想到未來計算能力的指數級增長。想象一下，如果所有的處理器、內存、甚至傳感器都能像摩天大樓一樣垂直排列，那麼我們現在麵臨的芯片麵積限製、信號傳輸延遲等問題是否都能迎刃而解？我猜測這本書會從基礎的材料科學講起，探討矽的獨特性質如何被利用來實現TSV的製造，然後深入到TSV的各種製造工藝，比如哪些是成熟的，哪些是正在研發的。接著，作者可能會闡述如何利用TSV將不同的邏輯單元、存儲單元甚至不同的芯片進行垂直連接，構建齣高性能、低功耗的3D IC係統。我尤其關心的是，在三維集成電路的設計過程中，會麵臨哪些新的挑戰？比如，如何有效地管理芯片的散熱？如何解決不同層之間芯片的功耗分配和信號完整性問題？這些都是從二維平麵設計嚮三維空間設計的巨大跨越，其中必然包含著許多創新性的解決方案。
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