（正版） CMOS及其他先导技术：特大规模集成电路设计 9787111593911 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[美] 刘金Tsu-Jae King Liu 科林· 著

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出版社： 机械工业出版社

ISBN：9787111593911

商品编码：29829975534

包装：平装-胶订

出版时间：2018-04-01

基本信息

书名：CMOS及其他先导技术：特大规模集成电路设计

定价：99.00元

作者：刘金(Tsu-Jae King Liu) 科林·库恩(Ke

出版社：机械工业出版社

出版日期：2018-04-01

ISBN：9787111593911

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装-胶订

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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本书概述现代CMOS晶体管的技术发展，提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件，重点论述了具有更陡峭亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。本书适合作为电子信息类专业与工程等专业的教材，也可作为相关专业人士的参考书。

目录

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Contents目　录
译者序
前言
部分　CMOS电路和工艺限制
章　CMOS数字电路的能效限制2
　1.1　概述2
　1.2　数字电路中的能量性能折中3
　1.3　能效设计技术6
　1.4　能量限制和总结8
　参考文献9
第2章　先导工艺晶体管等比例缩放：特大规模领域可替代器件结构10
　2.1　引言10
　2.2　可替代器件结构10
　2.3　总结22
　参考文献23
第3章　基准化特大规模领域可替代器件结构30
　3.1　引言30
　3.2　可替代器件等比例缩放潜力30
　3.3　可比器件的缩放潜力33
　3.4　评价指标35
　3.5　基准测试结果37
　3.6　总结38
　参考文献39
第4章　带负电容的扩展CMOS44
　4.1　引言44
　4.2　直观展示45
　4.3　理论体系47
　4.4　实验工作51
　4.5　负电容晶体管54
　4.6　总结56
　致谢57
　参考文献57
第二部分　隧道器件
第5章　设计低压高电流隧穿晶体管62
　5.1　引言62
　5.2　隧穿势垒厚度调制陡峭度63
　5.3　能量滤波切换机制65
　5.4　测量电子输运带边陡度66
　5.5　空间非均匀性校正68
　5.6　pn结维度68
　5.7　建立一个完整的隧穿场效应晶体管80
　5.8　栅极效率大化84
　5.9　避免其他的设计问题88
　5.10　总结88
　致谢89
　参考文献89
第6章　隧道晶体管92
　6.1　引言92
　6.2　隧道晶体管概述93
　6.3　材料与掺杂的折中95
　6.4　几何尺寸因素和栅极静电99
　6.5　非理想性103
　6.6　实验结果106
　6.7　总结108
　致谢108
　参考文献108
第7章　石墨烯和二维晶体隧道晶体管115
　7.1　什么是低功耗开关115
　7.2　二维晶体材料和器件的概述116
　7.3　碳纳米管和石墨烯纳米带116
　7.4　原子级薄体晶体管124
　7.5　层间隧穿晶体管130
　7.6　内部电荷与电压增益陡峭器件137
　7.7　总结137
　参考文献137
第8章　双层伪自旋场效应晶体管…140
　8.1　引言140
　8.2　概述141
　8.3　基础物理145
　8.4　BiSFET设计和集约模型152
　8.5　BiSFET逻辑电路和仿真结果157
　8.6　工艺161
　8.7　总结162
　致谢163
　参考文献163
第三部分　可替代场效应器件
第9章　关于相关氧化物中金属绝缘体转变与相位突变的计算与学习166
　9.1　引言166
　9.2　二氧化钒中的金属绝缘体转变168
　9.3　相变场效应器件172
　9.4　相变两端器件178
　9.5　神经电路181
　9.6　总结182
　参考文献182
0章　压电晶体管187
　10.1　概述187
　10.2　工作方式188
　10.3　PET材料的物理特性190
　10.4　PET动力学193
　10.5　材料与器件制造200
　10.6　性能评价203
　10.7　讨论205
　致谢206
　参考文献206
1章　机械开关209
　11.1　引言209
　11.2　继电器结构和操作210
　11.3　继电器工艺技术214
　11.4　数字逻辑用继电器设计优化220
　11.5　继电器组合逻辑电路227
　11.6　继电器等比例缩放展望232
　参考文献234
第四部分　自旋器件
2章　纳米磁逻辑：从磁有序到磁计算240
　12.1　引言与动机240
　12.2　作为二进制开关单元的单域纳米磁体242
　12.3　耦合纳米磁体特性244
　12.4　工程耦合：逻辑门与级联门246
　12.5　磁有序中的错误248
　12.6　控制磁有序：同步纳米磁体250
　12.7　NML计算系统252
　12.8　垂直磁介质中的纳米磁体逻辑255
　12.9　两个关于电路的案例研究259
　12.10　NML电路建模260
　12.11　展望：NML电路的未来261
　致谢261
　参考文献262
3章　自旋转矩多数逻辑门逻辑267
　13.1　引言267
　13.2　面内磁化的SMG268
　13.3　仿真模型270
　13.4　面内磁化开关的模式272
　13.5　垂直磁化SMG276
　13.6　垂直磁化开关模式278
　13.7　总结283
　参考文献284
4章　自旋波相位逻辑286
　14.1　引言286
　14.2　自旋波的计算287
　14.3　实验验证的自旋波元件及器件287
　14.4　相位逻辑器件290
　14.5　自旋波逻辑电路与结构292
　14.6　与CMOS的比较297
　14.7　总结299
　参考文献300
第五部分　关于互连的思考
5章　互连304
　15.1　引言304
　15.2　互连问题305
　15.3　新兴的电荷器件技术的互连选项307
　15.4　自旋电路中的互连思考312
　15.5　自旋弛豫机制315
　15.6　自旋注入与输运效率318
　15.7　电气互连与半导体自旋电子互连的比较320
　15.8　总结与展望324
　参考文献324

作者介绍

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文摘

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序言

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深入洞悉现代集成电路设计的精髓：从CMOS到前沿技术 在瞬息万变的电子技术浪潮中，集成电路（Integrated Circuit, IC）扮演着举足轻重的角色，它们是现代电子设备的心脏和大脑，驱动着从智能手机、高性能计算机到尖端医疗设备和航天科技的每一个进步。要理解和驾驭这些微小的奇迹，深入掌握其背后的设计理念、制造工艺和技术演进至关重要。本书并非简单罗列技术名词，而是旨在为读者提供一个全面、深入且富有洞察力的视角，揭示现代集成电路设计，特别是以CMOS为代表的主流技术，以及那些正在塑造未来格局的前沿技术。 CMOS：现代集成电路设计的基石与演进 本书的基石，也是当今绝大多数数字集成电路设计所采用的核心技术，无疑是CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）。CMOS技术之所以能够占据主导地位，源于其卓越的低功耗特性、高开关速度以及出色的噪声容限。它通过互补的P型和N型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）晶体管的组合，实现了在静态工作时几乎不消耗静态电流，极大地延长了电池寿命，并降低了运行成本。 本书将详细阐述CMOS的工作原理，从最基本的CMOS反相器开始，逐步深入到更复杂的逻辑门、时序逻辑电路、存储单元以及数据通路的设计。读者将学习如何利用CMOS的特性，构建高效、可靠且满足特定性能要求的数字电路。我们将探索各种CMOS设计风格，包括静态CMOS（Static CMOS）、动态CMOS（Dynamic CMOS）以及其他的改进技术，分析它们在功耗、速度、面积和可靠性等方面的优劣，并提供实际的设计指南和优化策略。 除了基本原理，本书还将重点关注CMOS技术的演进历程及其对集成电路设计带来的深远影响。从早期的NMOS技术到占据统治地位的CMOS，再到如今不断朝着更小几何尺寸、更高集成度和更低功耗迈进的先进CMOS工艺，每一次技术的飞跃都伴随着设计理念和方法的革新。读者将了解到，随着晶体管尺寸的不断缩小，诸如量子效应、漏电流、短沟道效应等新问题层出不穷，对设计者提出了更高的挑战。因此，本书将深入探讨这些物理效应如何影响CMOS电路的性能，以及设计者如何通过先进的电路技术和设计自动化工具来克服这些挑战。 特大规模集成电路（VLSI）设计的核心要素 “特大规模集成电路”（Very Large Scale Integration, VLSI）是现代集成电路设计的核心所在，它意味着在单个芯片上集成数百万甚至数十亿个晶体管。这种前所未有的集成度带来了巨大的性能提升和功能扩展，但同时也对设计流程、工具链以及设计方法学提出了严峻的考验。 本书将系统性地介绍VLSI设计的整个流程，从概念验证、逻辑设计、电路仿真、物理设计，到制造、测试和封装。我们将详细解析每个阶段的关键技术和挑战。 逻辑设计与验证： 学习如何将高层次的系统需求转化为可实现的逻辑电路，并掌握各种逻辑综合工具的使用。重点关注如何进行高效的仿真和验证，确保设计的正确性和鲁棒性。 电路实现与布局布线： 深入理解如何将逻辑电路映射到物理版图，包括标准单元库的使用、门级网表的生成、门控时钟（Clock Gating）、功率门控（Power Gating）等低功耗设计技术。我们将详细探讨布局（Placement）和布线（Routing）策略，以及它们对电路性能、功耗和时序收敛的影响。 时序分析与功耗分析： 在VLSI设计中，时序（Timing）和功耗（Power）是两个至关重要的约束。本书将深入讲解静态时序分析（Static Timing Analysis, STA）的原理和方法，帮助读者理解如何识别和解决时序违例。同时，我们也将探讨各种功耗分析技术，包括动态功耗和静态功耗的计算与优化，以及为满足日益增长的移动和便携设备对低功耗的需求而设计的各种技术。 设计自动化（EDA）工具： VLSI设计离不开强大的电子设计自动化（Electronic Design Automation, EDA）工具。本书将介绍各类EDA工具在设计流程中的作用，如逻辑综合工具、布局布线工具、仿真器、STA工具、功耗分析工具等，并可能提及一些行业主流的EDA工具及其应用场景。 可靠性设计： 随着集成电路规模的不断扩大和工作频率的提升，电路的可靠性问题变得愈发突出。本书将探讨诸如IR Drop（电源电压下降）、EM（电迁移）以及ESD（静电放电）等影响电路可靠性的关键因素，并介绍相关的设计和防护策略。 前沿技术：塑造集成电路的未来 除了对CMOS和VLSI设计核心技术的深入剖析，本书还将目光投向那些正在引领集成电路技术下一轮革命的前沿领域。这些技术代表着集成电路设计的未来方向，对提升性能、降低功耗、实现全新功能至关重要。 新材料与新结构： 随着传统硅基CMOS技术的物理极限逼近，科学家们正积极探索新材料和新晶体管结构。本书将介绍诸如III-V族化合物半导体（如GaAs）、二维材料（如石墨烯、MoS2）、三维晶体管（如FinFET、GAAFET）等前沿研究方向。读者将了解到这些新材料和新结构如何克服传统硅基CMOS的瓶颈，为实现更高性能和更低功耗提供可能。 异构集成与三维堆叠： 单纯依靠微缩CMOS已经难以满足所有应用的需求。异构集成（Heterogeneous Integration）和三维（3D）堆叠技术应运而生，它们允许将不同功能的芯片（如CPU、GPU、内存、射频模块等）在封装层面进行集成，甚至在垂直方向上堆叠，从而实现更高的性能、更低的功耗和更小的体积。本书将探讨这些新兴的封装和互连技术，以及它们为系统设计带来的机遇和挑战。 先进的低功耗与电源管理技术： 在功耗日益受到重视的今天，高效的电源管理和低功耗设计已成为所有集成电路设计的关键。本书将进一步拓展关于动态电压频率调节（DVFS）、动态功耗分配、超低功耗设计方法以及先进的电源管理单元（PMU）等内容，为读者提供更全面的低功耗设计解决方案。 人工智能与机器学习在芯片设计中的应用： 人工智能（AI）和机器学习（ML）不仅是集成电路的应用领域，也正在深刻地改变着芯片设计本身。本书将探讨AI/ML技术如何应用于逻辑综合、布局布线、时序预测、故障诊断等EDA领域，从而提高设计效率和设计质量。同时，也将介绍专为AI/ML应用设计的专用集成电路（ASIC）和片上系统（SoC）的设计挑战和解决方案。 量子计算与新兴计算范式： 尽管尚处于早期发展阶段，量子计算等新兴计算范式为未来集成电路的发展提供了全新的想象空间。本书将对这些颠覆性技术进行前瞻性的介绍，探讨它们可能对未来集成电路设计带来的影响。 本书的价值与读者受益 本书的编写旨在成为集成电路设计领域一本既具深度又富广度的参考。无论您是正在攻读集成电路设计相关专业的学生，还是希望在职场上不断精进的工程师，亦或是对现代电子技术背后的奥秘充满好奇的技术爱好者，都能从本书中获得宝贵的知识和启迪。 本书的特点在于： 理论与实践相结合： 在阐述核心概念和原理的同时，融入大量的实际设计案例、电路图和流程图，帮助读者理解理论如何在实际设计中落地。 循序渐进的教学方法： 从基础的CMOS原理出发，逐步深入到复杂的VLSI设计流程和前沿技术，确保读者能够逐步建立起完整的知识体系。 前瞻性的视野： 不仅关注当前的主流技术，更将目光投向未来的发展趋势，帮助读者把握集成电路技术的脉搏。 对设计挑战的深入剖析： 充分认识到集成电路设计的复杂性和挑战性，并提供应对这些挑战的策略和方法。 通过研读本书，您将能够： 深入理解CMOS电路的内部工作机制，并能灵活运用于实际电路设计。 掌握VLSI设计的完整流程，并熟悉每个阶段的关键技术和工具。 培养解决复杂设计问题的能力，尤其是在时序、功耗和可靠性方面。 对集成电路的未来发展方向形成清晰的认识，并为迎接新的技术挑战做好准备。 提升在集成电路设计、验证、测试等相关领域的专业技能和理论素养。 在电子信息技术日新月异的今天，掌握集成电路设计的精髓，就如同掌握了开启未来之门的钥匙。本书将是您在这条探索之路上的得力伙伴。

评分☆☆☆☆☆

我个人非常看重技术书籍的实用性和可操作性。这本书的题目表明它涵盖了CMOS技术和集成电路设计，我希望它能够提供切实可行的设计指南和工程建议，而不仅仅是概念的堆砌。我希望它能够详细介绍各种设计约束，例如时序、功耗、面积和可制造性，以及如何在满足这些约束的前提下进行优化。对于初学者而言，如果书中能够提供一些入门级的实践案例，或者指导读者如何使用相关的EDA工具进行仿真和验证，那就更有价值了。我尤其希望书中能够对不同设计流程中的关键步骤进行详细的说明，比如逻辑综合、布局布线、时钟树综合、电源完整性分析等，并给出一些最佳实践。如果作者能够分享一些在实际工程项目中遇到的典型问题及其解决方案，那就更能体现出这本书的经验价值。

评分☆☆☆☆☆

让我感到惊喜的是，这本书的语言风格似乎非常专业而又严谨。虽然我还没有深入阅读，但从其标题和内容介绍来看，它应该是在技术细节上毫不妥协。我期待它能够准确地运用各种工程术语，并且对每个概念都有清晰、无歧义的定义。在描述技术原理时，我希望作者能够提供严谨的数学推导和物理模型，这样才能让读者真正理解其背后的科学依据。我曾读过一些技术书籍，有的虽然内容不错，但讲解过于口语化，缺乏深度，最终反而让人觉得不够专业。这本书在这方面应该会做得很好，它会像一位经验丰富的工程师在娓娓道来，但每句话都充满分量。我特别期待它能够解释清楚CMOS器件的各项关键参数，比如阈值电压、栅极电容、迁移率等等，并且能够说明这些参数是如何影响电路性能的。此外，对于先导技术部分，我希望它能够详细介绍这些新技术的物理原理、制造工艺以及与传统CMOS技术的区别和优势，这样才能让我跟上行业发展的最新步伐。

评分☆☆☆☆☆

我是一名对CMOS技术及其在现代电子产品中应用充满兴趣的读者。我非常关注CMOS技术在不断缩小尺寸、提高性能、降低功耗方面的进展。这本书如果能深入讲解CMOS器件的物理机制，包括电荷输运、阈值电压的调控、短沟道效应等，并在此基础上分析不同工艺节点的特点和演进趋势，那将对我非常有帮助。我希望它能解释清楚CMOS技术如何支持日益增长的计算需求，以及在各种应用场景下的表现，例如高性能计算、移动通信、物联网设备等。对于书中提到的“其他先导技术”，我希望它能与CMOS技术进行对比分析，阐述它们各自的优劣势，以及在特定领域的互补性或替代性。例如，如果书中能够探讨CMOS与新兴存储技术（如相变存储、铁电存储）或新兴逻辑器件（如碳纳米管晶体管）的结合，那将是非常具有前瞻性的内容。

评分☆☆☆☆☆

在翻阅过程中，我最直观的感受是这本书的排版和字体选择。它采用了比较经典的排版方式，行距适中，段落之间有清晰的区分，使得阅读起来不会感到拥挤或者压抑。字体的大小也恰到好处，既不会太小导致眼部疲劳，也不会太大显得冗余。我特别喜欢它在引用公式或者技术术语时所使用的字体样式，通常会采用一种稍有区别的字体，这样能够有效地将正文内容和专业术语区分开来，增强了文本的可读性。而且，书中大量的图表和示意图，其线条流畅，标注清晰，色彩运用也很得当，没有出现那种让人眼花缭乱或者难以辨认的情况。对于我这种需要通过图示来理解复杂概念的读者来说，这一点至关重要。即使是那些复杂的集成电路结构图，也能够被分解成易于理解的部分，并配以详细的文字说明。我注意到，在一些关键的技术点上，作者还特别使用了加粗或者不同颜色的文字来强调，这种细致的处理方式有助于读者快速抓住核心信息，避免遗漏重要知识点。另外，我还有一个小小的习惯，就是会留意书中的页眉和页脚。这本书的页眉清晰地标注了章节标题，而页脚则标记了页码，这使得我在阅读过程中可以随时了解自己的阅读进度，并能快速地在不同章节之间跳转。这种人性化的设计，在一定程度上提升了阅读体验。

评分☆☆☆☆☆

我对这本书的结构设计印象深刻。它似乎遵循了一种由浅入深、由宏观到微观的逻辑顺序。开篇可能先是介绍整个集成电路设计领域的大背景，然后逐步聚焦到CMOS技术的核心概念，再深入到各种先导技术以及具体的特大规模集成电路设计方法。这样的结构安排，对于初学者来说，能够建立起一个整体的认知框架，理解各个技术点之间的关联性，而对于有一定基础的读者，则可以快速找到自己需要的深入信息。我特别注意到，每个章节的开头都可能包含一个简要的概述，列出本章将要讨论的主要内容，这让我能够提前对即将接触到的知识有一个预期的把握。而章节的结尾，似乎又会有一个小结，总结本章的关键要点，或者提出一些思考题，这有助于巩固学习效果。此外，书中出现的各种概念和术语，我推测应该都配有详细的解释，或者在附录中有专门的术语表，这样可以避免读者在阅读过程中因为不理解个别词汇而产生困惑。我曾经在阅读其他技术书籍时遇到过这种情况，一个不认识的术语就可能打断整个阅读思路。这本书在这一点上做得比较到位，应该能大大降低阅读的门槛。

评分☆☆☆☆☆

在我看来，一本优秀的CMOS及先导技术设计书籍，除了深厚的理论基础，还应该具备前瞻性和行业视野。我期待这本书能够不仅仅停留在现有技术的介绍，更能对未来的技术发展趋势进行预测和分析。例如，在CMOS技术方面，它是否会讨论超越摩尔定律的挑战，以及下一代材料和器件的研发方向？在先导技术方面，它是否会探讨量子计算、人工智能硬件加速、生物电子学等领域对集成电路设计提出的新需求和新机遇？我希望这本书能够提供对这些前沿领域的基本概念、技术瓶颈和发展前景的介绍，并分析集成电路设计在其中扮演的角色。此外，我特别关注书中是否会对不同国家和地区在集成电路领域的研发投入和产业布局进行一定的梳理和分析，这对于了解全球半导体产业的格局非常有益。

评分☆☆☆☆☆

本书对“特大规模集成电路设计”的探讨，在我看来，不仅仅是理论层面的介绍，更重要的是其设计理念和工程实践的传递。我希望它能够深入讲解如何在大规模系统中实现高效的信号处理和数据传输，如何进行功耗和热量的管理，以及如何确保设计的可靠性和鲁棒性。我非常好奇书中是否会涉及高级验证技术，例如形式验证、门级仿真、混合信号仿真等，以及如何构建完善的验证平台来确保设计质量。对于大规模IC设计的复杂性，我希望本书能够提供一些有效的管理和协同方法，帮助团队有效地完成从概念到最终产品的整个设计周期。如果书中能够包含一些关于“Chiplet”技术或片上系统（SoC）设计的案例，说明如何将多个功能模块集成到一个芯片上，并解决它们之间的通信和协作问题，那将对我理解现代复杂芯片的设计思路非常有启发。

评分☆☆☆☆☆

在内容方面，我最期待的是它对“先导技术”的深入剖析。在集成电路领域，技术的迭代速度非常快，了解最新的先导技术对于保持竞争力至关重要。我希望这本书能够详细介绍例如FinFET、GAAFET等先进的晶体管结构，解释它们的工作原理、制造工艺的挑战以及对器件性能的提升。同时，我也希望它能够涵盖更广泛的先导技术，比如新型互连材料、先进的封装技术，甚至是量子计算和忆阻器等前沿领域。如果书中能够提供这些技术的最新发展动态、潜在的应用前景以及相关的研究方向，那就太有价值了。我对书中的图示部分也寄予厚望，尤其是那些展示先进器件结构的剖面图或者示意图，希望能够清晰地展现出纳米级别的器件特征。此外，我非常看重技术的可行性和实用性，如果书中能够提及这些先导技术在实际产品中的应用案例，或者分析其商业化前景，那就更能让我感受到这本书的实际价值。

评分☆☆☆☆☆

对于“特大规模集成电路设计”这个部分，我充满了好奇。这不仅仅是设计一个简单的芯片，而是要处理数亿甚至数十亿个晶体管的复杂系统。我希望这本书能够详细阐述在如此庞大的设计规模下，所面临的各种挑战，比如功耗、信号完整性、时序收敛、可制造性设计（DFM）等等。我期待它能够介绍先进的设计流程和方法论，包括如何有效地进行模块划分、接口定义、层次化设计以及验证。对于具体的EDA（电子设计自动化）工具，我希望书中能够给出一些指导性的说明，比如常用的工具链、关键的设计选项以及如何利用这些工具来优化设计。我尤其关心书中是否会涉及芯片的物理设计阶段，例如版图规划、布线策略、时钟树综合（CTS）以及功耗优化等细节。如果能够提供一些实际的设计案例分析，或者展示一些复杂芯片的内部结构和设计思路，那就更能让我领略到特大规模集成电路设计的精妙之处。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计非常简洁，色彩搭配偏向于科技感，深蓝色和银色的组合给人一种严谨、专业的感觉。封面上印刷的字体大小适中，标题“CMOS及其他先导技术：特大规模集成电路设计”非常醒目，副标题也清晰地表明了书籍的内容重点。整体而言，这样的封面风格很符合一本技术类书籍的定位，能够吸引到目标读者，让人觉得内容会比较扎实。在书的侧边，出版社的信息和书号也印刷得清晰可见，方便查找和管理。拿到手里，书的纸张触感很好，厚实而有质感，翻阅的时候没有廉价感，这对于一本需要经常查阅的技术书籍来说，是很重要的考量。我特别留意了书的装帧方式，采用的是锁线胶装，这样的装订方式比纯胶装要牢固得多，书页不容易脱落，可以更好地应对长时间的使用和反复翻阅。印刷的质量也非常高，文字清晰锐利，没有出现模糊或者错印的情况，即使是图表中的细小线条也能够清晰呈现，这一点对于理解复杂的电路图和技术细节至关重要。我甚至还仔细看了书的目录页，排版非常合理，章节划分清晰，让我能够快速地找到我感兴趣的部分。总的来说，从外在的包装和印刷质量上，这本书就已经给我留下了非常好的第一印象，让人充满期待去深入了解其内在的内容。