（正版） CMOS及其他先導技術：特大規模集成電路設計 9787111593911 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[美] 劉金Tsu-Jae King Liu 科林· 著

圖書標籤:

• CMOS
• 集成電路
• VLSI
• 數字電路
• 模擬電路
• 半導體
• 電子工程
• 微電子學
• 電路設計
• 計算機硬件

店鋪： 竹雲風圖書專營店

齣版社： 機械工業齣版社

ISBN：9787111593911

商品編碼：29829975534

包裝：平裝-膠訂

齣版時間：2018-04-01

基本信息

書名：CMOS及其他先導技術：特大規模集成電路設計

定價：99.00元

作者：劉金(Tsu-Jae King Liu) 科林·庫恩(Ke

齣版社：機械工業齣版社

齣版日期：2018-04-01

ISBN：9787111593911

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝-膠訂

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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本書概述現代CMOS晶體管的技術發展，提齣新的設計方法來改善晶體管性能存在的局限性。本書共四部分。一部分迴顧瞭芯片設計的注意事項並且基準化瞭許多替代性的開關器件，重點論述瞭具有更陡峭亞閾值擺幅的器件。第二部分涵蓋瞭利用量子力學隧道效應作為開關原理來實現更陡峭亞閾值擺幅的各種器件設計。第三部分涵蓋瞭利用替代方法實現更高效開關性能的器件。第四部分涵蓋瞭利用磁效應或電子自鏇攜帶信息的器件。本書適閤作為電子信息類專業與工程等專業的教材，也可作為相關專業人士的參考書。

目錄

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Contents目　錄
譯者序
前言
部分　CMOS電路和工藝限製
章　CMOS數字電路的能效限製2
　1.1　概述2
　1.2　數字電路中的能量性能摺中3
　1.3　能效設計技術6
　1.4　能量限製和總結8
　參考文獻9
第2章　先導工藝晶體管等比例縮放：特大規模領域可替代器件結構10
　2.1　引言10
　2.2　可替代器件結構10
　2.3　總結22
　參考文獻23
第3章　基準化特大規模領域可替代器件結構30
　3.1　引言30
　3.2　可替代器件等比例縮放潛力30
　3.3　可比器件的縮放潛力33
　3.4　評價指標35
　3.5　基準測試結果37
　3.6　總結38
　參考文獻39
第4章　帶負電容的擴展CMOS44
　4.1　引言44
　4.2　直觀展示45
　4.3　理論體係47
　4.4　實驗工作51
　4.5　負電容晶體管54
　4.6　總結56
　緻謝57
　參考文獻57
第二部分　隧道器件
第5章　設計低壓高電流隧穿晶體管62
　5.1　引言62
　5.2　隧穿勢壘厚度調製陡峭度63
　5.3　能量濾波切換機製65
　5.4　測量電子輸運帶邊陡度66
　5.5　空間非均勻性校正68
　5.6　pn結維度68
　5.7　建立一個完整的隧穿場效應晶體管80
　5.8　柵極效率大化84
　5.9　避免其他的設計問題88
　5.10　總結88
　緻謝89
　參考文獻89
第6章　隧道晶體管92
　6.1　引言92
　6.2　隧道晶體管概述93
　6.3　材料與摻雜的摺中95
　6.4　幾何尺寸因素和柵極靜電99
　6.5　非理想性103
　6.6　實驗結果106
　6.7　總結108
　緻謝108
　參考文獻108
第7章　石墨烯和二維晶體隧道晶體管115
　7.1　什麼是低功耗開關115
　7.2　二維晶體材料和器件的概述116
　7.3　碳納米管和石墨烯納米帶116
　7.4　原子級薄體晶體管124
　7.5　層間隧穿晶體管130
　7.6　內部電荷與電壓增益陡峭器件137
　7.7　總結137
　參考文獻137
第8章　雙層僞自鏇場效應晶體管…140
　8.1　引言140
　8.2　概述141
　8.3　基礎物理145
　8.4　BiSFET設計和集約模型152
　8.5　BiSFET邏輯電路和仿真結果157
　8.6　工藝161
　8.7　總結162
　緻謝163
　參考文獻163
第三部分　可替代場效應器件
第9章　關於相關氧化物中金屬絕緣體轉變與相位突變的計算與學習166
　9.1　引言166
　9.2　二氧化釩中的金屬絕緣體轉變168
　9.3　相變場效應器件172
　9.4　相變兩端器件178
　9.5　神經電路181
　9.6　總結182
　參考文獻182
0章　壓電晶體管187
　10.1　概述187
　10.2　工作方式188
　10.3　PET材料的物理特性190
　10.4　PET動力學193
　10.5　材料與器件製造200
　10.6　性能評價203
　10.7　討論205
　緻謝206
　參考文獻206
1章　機械開關209
　11.1　引言209
　11.2　繼電器結構和操作210
　11.3　繼電器工藝技術214
　11.4　數字邏輯用繼電器設計優化220
　11.5　繼電器組閤邏輯電路227
　11.6　繼電器等比例縮放展望232
　參考文獻234
第四部分　自鏇器件
2章　納米磁邏輯：從磁有序到磁計算240
　12.1　引言與動機240
　12.2　作為二進製開關單元的單域納米磁體242
　12.3　耦閤納米磁體特性244
　12.4　工程耦閤：邏輯門與級聯門246
　12.5　磁有序中的錯誤248
　12.6　控製磁有序：同步納米磁體250
　12.7　NML計算係統252
　12.8　垂直磁介質中的納米磁體邏輯255
　12.9　兩個關於電路的案例研究259
　12.10　NML電路建模260
　12.11　展望：NML電路的未來261
　緻謝261
　參考文獻262
3章　自鏇轉矩多數邏輯門邏輯267
　13.1　引言267
　13.2　麵內磁化的SMG268
　13.3　仿真模型270
　13.4　麵內磁化開關的模式272
　13.5　垂直磁化SMG276
　13.6　垂直磁化開關模式278
　13.7　總結283
　參考文獻284
4章　自鏇波相位邏輯286
　14.1　引言286
　14.2　自鏇波的計算287
　14.3　實驗驗證的自鏇波元件及器件287
　14.4　相位邏輯器件290
　14.5　自鏇波邏輯電路與結構292
　14.6　與CMOS的比較297
　14.7　總結299
　參考文獻300
第五部分　關於互連的思考
5章　互連304
　15.1　引言304
　15.2　互連問題305
　15.3　新興的電荷器件技術的互連選項307
　15.4　自鏇電路中的互連思考312
　15.5　自鏇弛豫機製315
　15.6　自鏇注入與輸運效率318
　15.7　電氣互連與半導體自鏇電子互連的比較320
　15.8　總結與展望324
　參考文獻324

作者介紹

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文摘

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序言

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深入洞悉現代集成電路設計的精髓：從CMOS到前沿技術 在瞬息萬變的電子技術浪潮中，集成電路（Integrated Circuit, IC）扮演著舉足輕重的角色，它們是現代電子設備的心髒和大腦，驅動著從智能手機、高性能計算機到尖端醫療設備和航天科技的每一個進步。要理解和駕馭這些微小的奇跡，深入掌握其背後的設計理念、製造工藝和技術演進至關重要。本書並非簡單羅列技術名詞，而是旨在為讀者提供一個全麵、深入且富有洞察力的視角，揭示現代集成電路設計，特彆是以CMOS為代錶的主流技術，以及那些正在塑造未來格局的前沿技術。 CMOS：現代集成電路設計的基石與演進 本書的基石，也是當今絕大多數數字集成電路設計所采用的核心技術，無疑是CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）。CMOS技術之所以能夠占據主導地位，源於其卓越的低功耗特性、高開關速度以及齣色的噪聲容限。它通過互補的P型和N型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）晶體管的組閤，實現瞭在靜態工作時幾乎不消耗靜態電流，極大地延長瞭電池壽命，並降低瞭運行成本。 本書將詳細闡述CMOS的工作原理，從最基本的CMOS反相器開始，逐步深入到更復雜的邏輯門、時序邏輯電路、存儲單元以及數據通路的設計。讀者將學習如何利用CMOS的特性，構建高效、可靠且滿足特定性能要求的數字電路。我們將探索各種CMOS設計風格，包括靜態CMOS（Static CMOS）、動態CMOS（Dynamic CMOS）以及其他的改進技術，分析它們在功耗、速度、麵積和可靠性等方麵的優劣，並提供實際的設計指南和優化策略。 除瞭基本原理，本書還將重點關注CMOS技術的演進曆程及其對集成電路設計帶來的深遠影響。從早期的NMOS技術到占據統治地位的CMOS，再到如今不斷朝著更小幾何尺寸、更高集成度和更低功耗邁進的先進CMOS工藝，每一次技術的飛躍都伴隨著設計理念和方法的革新。讀者將瞭解到，隨著晶體管尺寸的不斷縮小，諸如量子效應、漏電流、短溝道效應等新問題層齣不窮，對設計者提齣瞭更高的挑戰。因此，本書將深入探討這些物理效應如何影響CMOS電路的性能，以及設計者如何通過先進的電路技術和設計自動化工具來剋服這些挑戰。 特大規模集成電路（VLSI）設計的核心要素 “特大規模集成電路”（Very Large Scale Integration, VLSI）是現代集成電路設計的核心所在，它意味著在單個芯片上集成數百萬甚至數十億個晶體管。這種前所未有的集成度帶來瞭巨大的性能提升和功能擴展，但同時也對設計流程、工具鏈以及設計方法學提齣瞭嚴峻的考驗。 本書將係統性地介紹VLSI設計的整個流程，從概念驗證、邏輯設計、電路仿真、物理設計，到製造、測試和封裝。我們將詳細解析每個階段的關鍵技術和挑戰。 邏輯設計與驗證： 學習如何將高層次的係統需求轉化為可實現的邏輯電路，並掌握各種邏輯綜閤工具的使用。重點關注如何進行高效的仿真和驗證，確保設計的正確性和魯棒性。 電路實現與布局布綫： 深入理解如何將邏輯電路映射到物理版圖，包括標準單元庫的使用、門級網錶的生成、門控時鍾（Clock Gating）、功率門控（Power Gating）等低功耗設計技術。我們將詳細探討布局（Placement）和布綫（Routing）策略，以及它們對電路性能、功耗和時序收斂的影響。 時序分析與功耗分析： 在VLSI設計中，時序（Timing）和功耗（Power）是兩個至關重要的約束。本書將深入講解靜態時序分析（Static Timing Analysis, STA）的原理和方法，幫助讀者理解如何識彆和解決時序違例。同時，我們也將探討各種功耗分析技術，包括動態功耗和靜態功耗的計算與優化，以及為滿足日益增長的移動和便攜設備對低功耗的需求而設計的各種技術。 設計自動化（EDA）工具： VLSI設計離不開強大的電子設計自動化（Electronic Design Automation, EDA）工具。本書將介紹各類EDA工具在設計流程中的作用，如邏輯綜閤工具、布局布綫工具、仿真器、STA工具、功耗分析工具等，並可能提及一些行業主流的EDA工具及其應用場景。 可靠性設計： 隨著集成電路規模的不斷擴大和工作頻率的提升，電路的可靠性問題變得愈發突齣。本書將探討諸如IR Drop（電源電壓下降）、EM（電遷移）以及ESD（靜電放電）等影響電路可靠性的關鍵因素，並介紹相關的設計和防護策略。 前沿技術：塑造集成電路的未來 除瞭對CMOS和VLSI設計核心技術的深入剖析，本書還將目光投嚮那些正在引領集成電路技術下一輪革命的前沿領域。這些技術代錶著集成電路設計的未來方嚮，對提升性能、降低功耗、實現全新功能至關重要。 新材料與新結構： 隨著傳統矽基CMOS技術的物理極限逼近，科學傢們正積極探索新材料和新晶體管結構。本書將介紹諸如III-V族化閤物半導體（如GaAs）、二維材料（如石墨烯、MoS2）、三維晶體管（如FinFET、GAAFET）等前沿研究方嚮。讀者將瞭解到這些新材料和新結構如何剋服傳統矽基CMOS的瓶頸，為實現更高性能和更低功耗提供可能。 異構集成與三維堆疊： 單純依靠微縮CMOS已經難以滿足所有應用的需求。異構集成（Heterogeneous Integration）和三維（3D）堆疊技術應運而生，它們允許將不同功能的芯片（如CPU、GPU、內存、射頻模塊等）在封裝層麵進行集成，甚至在垂直方嚮上堆疊，從而實現更高的性能、更低的功耗和更小的體積。本書將探討這些新興的封裝和互連技術，以及它們為係統設計帶來的機遇和挑戰。 先進的低功耗與電源管理技術： 在功耗日益受到重視的今天，高效的電源管理和低功耗設計已成為所有集成電路設計的關鍵。本書將進一步拓展關於動態電壓頻率調節（DVFS）、動態功耗分配、超低功耗設計方法以及先進的電源管理單元（PMU）等內容，為讀者提供更全麵的低功耗設計解決方案。 人工智能與機器學習在芯片設計中的應用： 人工智能（AI）和機器學習（ML）不僅是集成電路的應用領域，也正在深刻地改變著芯片設計本身。本書將探討AI/ML技術如何應用於邏輯綜閤、布局布綫、時序預測、故障診斷等EDA領域，從而提高設計效率和設計質量。同時，也將介紹專為AI/ML應用設計的專用集成電路（ASIC）和片上係統（SoC）的設計挑戰和解決方案。 量子計算與新興計算範式： 盡管尚處於早期發展階段，量子計算等新興計算範式為未來集成電路的發展提供瞭全新的想象空間。本書將對這些顛覆性技術進行前瞻性的介紹，探討它們可能對未來集成電路設計帶來的影響。 本書的價值與讀者受益 本書的編寫旨在成為集成電路設計領域一本既具深度又富廣度的參考。無論您是正在攻讀集成電路設計相關專業的學生，還是希望在職場上不斷精進的工程師，亦或是對現代電子技術背後的奧秘充滿好奇的技術愛好者，都能從本書中獲得寶貴的知識和啓迪。 本書的特點在於： 理論與實踐相結閤： 在闡述核心概念和原理的同時，融入大量的實際設計案例、電路圖和流程圖，幫助讀者理解理論如何在實際設計中落地。 循序漸進的教學方法： 從基礎的CMOS原理齣發，逐步深入到復雜的VLSI設計流程和前沿技術，確保讀者能夠逐步建立起完整的知識體係。 前瞻性的視野： 不僅關注當前的主流技術，更將目光投嚮未來的發展趨勢，幫助讀者把握集成電路技術的脈搏。 對設計挑戰的深入剖析： 充分認識到集成電路設計的復雜性和挑戰性，並提供應對這些挑戰的策略和方法。 通過研讀本書，您將能夠： 深入理解CMOS電路的內部工作機製，並能靈活運用於實際電路設計。 掌握VLSI設計的完整流程，並熟悉每個階段的關鍵技術和工具。 培養解決復雜設計問題的能力，尤其是在時序、功耗和可靠性方麵。 對集成電路的未來發展方嚮形成清晰的認識，並為迎接新的技術挑戰做好準備。 提升在集成電路設計、驗證、測試等相關領域的專業技能和理論素養。 在電子信息技術日新月異的今天，掌握集成電路設計的精髓，就如同掌握瞭開啓未來之門的鑰匙。本書將是您在這條探索之路上的得力夥伴。

評分☆☆☆☆☆

本書對“特大規模集成電路設計”的探討，在我看來，不僅僅是理論層麵的介紹，更重要的是其設計理念和工程實踐的傳遞。我希望它能夠深入講解如何在大規模係統中實現高效的信號處理和數據傳輸，如何進行功耗和熱量的管理，以及如何確保設計的可靠性和魯棒性。我非常好奇書中是否會涉及高級驗證技術，例如形式驗證、門級仿真、混閤信號仿真等，以及如何構建完善的驗證平颱來確保設計質量。對於大規模IC設計的復雜性，我希望本書能夠提供一些有效的管理和協同方法，幫助團隊有效地完成從概念到最終産品的整個設計周期。如果書中能夠包含一些關於“Chiplet”技術或片上係統（SoC）設計的案例，說明如何將多個功能模塊集成到一個芯片上，並解決它們之間的通信和協作問題，那將對我理解現代復雜芯片的設計思路非常有啓發。

評分☆☆☆☆☆

讓我感到驚喜的是，這本書的語言風格似乎非常專業而又嚴謹。雖然我還沒有深入閱讀，但從其標題和內容介紹來看，它應該是在技術細節上毫不妥協。我期待它能夠準確地運用各種工程術語，並且對每個概念都有清晰、無歧義的定義。在描述技術原理時，我希望作者能夠提供嚴謹的數學推導和物理模型，這樣纔能讓讀者真正理解其背後的科學依據。我曾讀過一些技術書籍，有的雖然內容不錯，但講解過於口語化，缺乏深度，最終反而讓人覺得不夠專業。這本書在這方麵應該會做得很好，它會像一位經驗豐富的工程師在娓娓道來，但每句話都充滿分量。我特彆期待它能夠解釋清楚CMOS器件的各項關鍵參數，比如閾值電壓、柵極電容、遷移率等等，並且能夠說明這些參數是如何影響電路性能的。此外，對於先導技術部分，我希望它能夠詳細介紹這些新技術的物理原理、製造工藝以及與傳統CMOS技術的區彆和優勢，這樣纔能讓我跟上行業發展的最新步伐。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對CMOS技術及其在現代電子産品中應用充滿興趣的讀者。我非常關注CMOS技術在不斷縮小尺寸、提高性能、降低功耗方麵的進展。這本書如果能深入講解CMOS器件的物理機製，包括電荷輸運、閾值電壓的調控、短溝道效應等，並在此基礎上分析不同工藝節點的特點和演進趨勢，那將對我非常有幫助。我希望它能解釋清楚CMOS技術如何支持日益增長的計算需求，以及在各種應用場景下的錶現，例如高性能計算、移動通信、物聯網設備等。對於書中提到的“其他先導技術”，我希望它能與CMOS技術進行對比分析，闡述它們各自的優劣勢，以及在特定領域的互補性或替代性。例如，如果書中能夠探討CMOS與新興存儲技術（如相變存儲、鐵電存儲）或新興邏輯器件（如碳納米管晶體管）的結閤，那將是非常具有前瞻性的內容。

評分☆☆☆☆☆

我對這本書的結構設計印象深刻。它似乎遵循瞭一種由淺入深、由宏觀到微觀的邏輯順序。開篇可能先是介紹整個集成電路設計領域的大背景，然後逐步聚焦到CMOS技術的核心概念，再深入到各種先導技術以及具體的特大規模集成電路設計方法。這樣的結構安排，對於初學者來說，能夠建立起一個整體的認知框架，理解各個技術點之間的關聯性，而對於有一定基礎的讀者，則可以快速找到自己需要的深入信息。我特彆注意到，每個章節的開頭都可能包含一個簡要的概述，列齣本章將要討論的主要內容，這讓我能夠提前對即將接觸到的知識有一個預期的把握。而章節的結尾，似乎又會有一個小結，總結本章的關鍵要點，或者提齣一些思考題，這有助於鞏固學習效果。此外，書中齣現的各種概念和術語，我推測應該都配有詳細的解釋，或者在附錄中有專門的術語錶，這樣可以避免讀者在閱讀過程中因為不理解個彆詞匯而産生睏惑。我曾經在閱讀其他技術書籍時遇到過這種情況，一個不認識的術語就可能打斷整個閱讀思路。這本書在這一點上做得比較到位，應該能大大降低閱讀的門檻。

評分☆☆☆☆☆

我個人非常看重技術書籍的實用性和可操作性。這本書的題目錶明它涵蓋瞭CMOS技術和集成電路設計，我希望它能夠提供切實可行的設計指南和工程建議，而不僅僅是概念的堆砌。我希望它能夠詳細介紹各種設計約束，例如時序、功耗、麵積和可製造性，以及如何在滿足這些約束的前提下進行優化。對於初學者而言，如果書中能夠提供一些入門級的實踐案例，或者指導讀者如何使用相關的EDA工具進行仿真和驗證，那就更有價值瞭。我尤其希望書中能夠對不同設計流程中的關鍵步驟進行詳細的說明，比如邏輯綜閤、布局布綫、時鍾樹綜閤、電源完整性分析等，並給齣一些最佳實踐。如果作者能夠分享一些在實際工程項目中遇到的典型問題及其解決方案，那就更能體現齣這本書的經驗價值。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計非常簡潔，色彩搭配偏嚮於科技感，深藍色和銀色的組閤給人一種嚴謹、專業的感覺。封麵上印刷的字體大小適中，標題“CMOS及其他先導技術：特大規模集成電路設計”非常醒目，副標題也清晰地錶明瞭書籍的內容重點。整體而言，這樣的封麵風格很符閤一本技術類書籍的定位，能夠吸引到目標讀者，讓人覺得內容會比較紮實。在書的側邊，齣版社的信息和書號也印刷得清晰可見，方便查找和管理。拿到手裏，書的紙張觸感很好，厚實而有質感，翻閱的時候沒有廉價感，這對於一本需要經常查閱的技術書籍來說，是很重要的考量。我特彆留意瞭書的裝幀方式，采用的是鎖綫膠裝，這樣的裝訂方式比純膠裝要牢固得多，書頁不容易脫落，可以更好地應對長時間的使用和反復翻閱。印刷的質量也非常高，文字清晰銳利，沒有齣現模糊或者錯印的情況，即使是圖錶中的細小綫條也能夠清晰呈現，這一點對於理解復雜的電路圖和技術細節至關重要。我甚至還仔細看瞭書的目錄頁，排版非常閤理，章節劃分清晰，讓我能夠快速地找到我感興趣的部分。總的來說，從外在的包裝和印刷質量上，這本書就已經給我留下瞭非常好的第一印象，讓人充滿期待去深入瞭解其內在的內容。

評分☆☆☆☆☆

在我看來，一本優秀的CMOS及先導技術設計書籍，除瞭深厚的理論基礎，還應該具備前瞻性和行業視野。我期待這本書能夠不僅僅停留在現有技術的介紹，更能對未來的技術發展趨勢進行預測和分析。例如，在CMOS技術方麵，它是否會討論超越摩爾定律的挑戰，以及下一代材料和器件的研發方嚮？在先導技術方麵，它是否會探討量子計算、人工智能硬件加速、生物電子學等領域對集成電路設計提齣的新需求和新機遇？我希望這本書能夠提供對這些前沿領域的基本概念、技術瓶頸和發展前景的介紹，並分析集成電路設計在其中扮演的角色。此外，我特彆關注書中是否會對不同國傢和地區在集成電路領域的研發投入和産業布局進行一定的梳理和分析，這對於瞭解全球半導體産業的格局非常有益。

評分☆☆☆☆☆

在內容方麵，我最期待的是它對“先導技術”的深入剖析。在集成電路領域，技術的迭代速度非常快，瞭解最新的先導技術對於保持競爭力至關重要。我希望這本書能夠詳細介紹例如FinFET、GAAFET等先進的晶體管結構，解釋它們的工作原理、製造工藝的挑戰以及對器件性能的提升。同時，我也希望它能夠涵蓋更廣泛的先導技術，比如新型互連材料、先進的封裝技術，甚至是量子計算和憶阻器等前沿領域。如果書中能夠提供這些技術的最新發展動態、潛在的應用前景以及相關的研究方嚮，那就太有價值瞭。我對書中的圖示部分也寄予厚望，尤其是那些展示先進器件結構的剖麵圖或者示意圖，希望能夠清晰地展現齣納米級彆的器件特徵。此外，我非常看重技術的可行性和實用性，如果書中能夠提及這些先導技術在實際産品中的應用案例，或者分析其商業化前景，那就更能讓我感受到這本書的實際價值。

評分☆☆☆☆☆

對於“特大規模集成電路設計”這個部分，我充滿瞭好奇。這不僅僅是設計一個簡單的芯片，而是要處理數億甚至數十億個晶體管的復雜係統。我希望這本書能夠詳細闡述在如此龐大的設計規模下，所麵臨的各種挑戰，比如功耗、信號完整性、時序收斂、可製造性設計（DFM）等等。我期待它能夠介紹先進的設計流程和方法論，包括如何有效地進行模塊劃分、接口定義、層次化設計以及驗證。對於具體的EDA（電子設計自動化）工具，我希望書中能夠給齣一些指導性的說明，比如常用的工具鏈、關鍵的設計選項以及如何利用這些工具來優化設計。我尤其關心書中是否會涉及芯片的物理設計階段，例如版圖規劃、布綫策略、時鍾樹綜閤（CTS）以及功耗優化等細節。如果能夠提供一些實際的設計案例分析，或者展示一些復雜芯片的內部結構和設計思路，那就更能讓我領略到特大規模集成電路設計的精妙之處。

評分☆☆☆☆☆

在翻閱過程中，我最直觀的感受是這本書的排版和字體選擇。它采用瞭比較經典的排版方式，行距適中，段落之間有清晰的區分，使得閱讀起來不會感到擁擠或者壓抑。字體的大小也恰到好處，既不會太小導緻眼部疲勞，也不會太大顯得冗餘。我特彆喜歡它在引用公式或者技術術語時所使用的字體樣式，通常會采用一種稍有區彆的字體，這樣能夠有效地將正文內容和專業術語區分開來，增強瞭文本的可讀性。而且，書中大量的圖錶和示意圖，其綫條流暢，標注清晰，色彩運用也很得當，沒有齣現那種讓人眼花繚亂或者難以辨認的情況。對於我這種需要通過圖示來理解復雜概念的讀者來說，這一點至關重要。即使是那些復雜的集成電路結構圖，也能夠被分解成易於理解的部分，並配以詳細的文字說明。我注意到，在一些關鍵的技術點上，作者還特彆使用瞭加粗或者不同顔色的文字來強調，這種細緻的處理方式有助於讀者快速抓住核心信息，避免遺漏重要知識點。另外，我還有一個小小的習慣，就是會留意書中的頁眉和頁腳。這本書的頁眉清晰地標注瞭章節標題，而頁腳則標記瞭頁碼，這使得我在閱讀過程中可以隨時瞭解自己的閱讀進度，並能快速地在不同章節之間跳轉。這種人性化的設計，在一定程度上提升瞭閱讀體驗。