半導體器件導論 [An Introduction to Semiconductor Devices ] pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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Donald，A.，Neamen（D.，A.，尼曼） 著，謝生 譯

圖書標籤:

• 半導體
• 器件
• 電子學
• 物理
• 材料科學
• 電路
• 固態電子
• 微電子學
• 半導體物理
• 電子器件

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121250606

版次：01

商品編碼：11713156

包裝：平裝

叢書名： 國外電子與通信教材係列

外文名稱：An Introduction to Semiconductor Devices

開本：16開

齣版時間：2015-06-01

用紙：膠版紙

頁數：540

正文語種：中文

編輯推薦

適讀人群 ：本書是電子科學與技術、微電子學和集成電路設計專業本科生學習半導體器件物理的理想教材，對於從事集成電路設計和生産領域的工程技術人員也是一本非常有益的參考書。
本書實現瞭量子力學、固體物理、半導體物理、半導體器件及半導體工藝的完美結閤，利用本書，讀者可係統學習半導體器件物理的基本理論，為學習微電子相關專業的其他課程打下良好的基礎。

內容簡介

本書是微電子學和集成電路設計專業的基礎教程，內容涵蓋瞭量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件的全部內容。本書在介紹學習器件物理所必需的基礎理論之後，重點討論瞭pn結、金屬-半導體接觸、MOS場效應晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最後論述瞭結型場效應晶體管、晶閘管、MEMS和半導體光電器件的相關內容。全書內容豐富，脈絡清晰，說理透徹，淺顯易懂。書中各章給齣瞭大量的分析或設計實例，增強讀者對基本理論和概念的理解。每章末均安排有小結和復習提綱，並提供大量的自測題和習題。

作者簡介

Donald A．Neamen是新墨西哥大學電氣與計算機工程係（ECE）的名譽教授，他已在該係執教25年以上。他在新墨西哥大學獲得博士學位後，在位於漢斯科姆空軍基地的固態科學實驗室擔任電子工程師。1976年，他擔任新墨西哥大學電氣和計算機工程係的教師，專門從事半導體物理與器件和電子綫路課程的教學工作。如今他仍然是該係的兼職導師或兼職教授，最近他還在)位於中國上海的上海交通大學密歇根學院（UM-SJTU）執教一個學期。

目錄

第1章 固體的晶體結構
1．1 半導體材料
1．2 固體類型
1．3 空間點陣
1．3．1 原胞與晶胞
1．3．2 基本晶體結構
1．3．3 晶麵和米勒指數
1．3．4 金剛石結構
1．4 原子價鍵
1．5 固體中的缺陷和雜質
1．5．1 固體缺陷
1．5．2 固體中的雜質
Σ1．6 半導體材料生長
1．6．1 熔體生長
1．6．2 外延生長
Σ1．7 器件製備技術： 氧化
1．8 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第2章 固體理論
2．1 量子力學的基本原理
2．1．1 能量子
2．1．2 波粒二象性
2．2 能量量子化和概率
2．2．1 波函數的物理意義
2．2．2 單電子原子
2．2．3 元素周期錶
2．3 能帶理論
2．3．1 能帶的形成
2．3．2 能帶與價鍵模型
2．3．3 載流子――電子和空穴
2．3．4 有效質量
2．3．5 金屬、 絕緣體和半導體
2．3．6 k空間能帶圖
2．4 態密度函數
2．5 統計力學
2．5．1 統計規律
2．5．2 費米-狄拉剋分布和費米能級
2．5．3 麥剋斯韋-玻爾茲曼近似
2．6 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第3章 平衡半導體
3．1 半導體中的載流子
3．1．1 電子和空穴的平衡分布
3．1．2 平衡電子和空穴濃度方程
3．1．3 本徵載流子濃度
3．1．4 本徵費米能級的位置
3．2 摻雜原子與能級
3．2．1 定性描述
3．2．2 電離能
3．2．3 Ⅲ-Ⅴ族半導體
3．3 非本徵半導體的載流子分布
3．3．1 電子和空穴的平衡分布
3．3．2 n0p0積
Σ3．3．3費米-狄拉剋積分
3．3．4 簡並與非簡並半導體
3．4 施主和受主的統計分布
3．4．1 概率分布函數
Σ3．4．2完全電離與凍析
3．5 載流子濃度――摻雜的影響
3．5．1 補償半導體
3．5．2 平衡電子和空穴濃度
3．6 費米能級的位置――摻雜和溫度的影響
3．6．1 數學推導
3．6．2 EF隨摻雜濃度和溫度的變化
3．6．3 費米能級的關聯性
Σ3．7器件製備技術： 擴散和離子注入
3．7．1 雜質原子擴散
3．7．2 離子注入
3．8 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第4章 載流子輸運和過剩載流子現象
4．1 載流子的漂移運動
4．1．1 漂移電流密度
4．1．2 遷移率
4．1．3 半導體的電導率和電阻率
4．1．4 速度飽和
4．2 載流子的擴散運動
4．2．1 擴散電流密度
4．2．2 總電流密度
4．3 漸變雜質分布
4．3．1 感應電場
4．3．2 愛因斯坦關係
4．4 載流子的産生與復閤
4．4．1 平衡半導體
4．4．2 過剩載流子的産生與復閤
4．4．3 産生-復閤過程
Σ4．5霍爾效應
4．6 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第5章 pn結和金屬-半導體接觸
5．1 pn結的基本結構
5．2 零偏pn結
5．2．1 內建電勢
5．2．2 電場強度
5．2．3 空間電荷區寬度
5．3 反偏pn結
5．3．1 空間電荷區寬度與電場
5．3．2 勢壘電容
5．3．3 單邊突變結
5．4 金屬-半導體接觸――整流結
5．4．1 肖特基勢壘結
5．4．2 反偏肖特基結
5．5 正偏結簡介
5．5．1 pn結
5．5．2 肖特基勢壘結
5．5．3 肖特基二極管和pn結二極管的比較
Σ5．6金屬-半導體的歐姆接觸
Σ5．7非均勻摻雜pn結
5．7．1 綫性緩變結
5．7．2 超突變結
Σ5．8器件製備技術： 光刻、 刻蝕和鍵閤
5．8．1 光學掩膜版和光刻
5．8．2 刻蝕
5．8．3 雜質擴散或離子注入
5．8．4 金屬化、 鍵閤和封裝
5．9 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第6章 MOS場效應晶體管基礎
6．1 MOS場效應晶體管作用
6．1．1 基本工作原理
6．1．2 工作模式
6．1．3 MOSFET放大
6．2 雙端MOS電容
6．2．1 能帶結構和電荷分布
6．2．2 耗盡層厚度
6．3 MOS電容的電勢差
6．3．1 功函數差
6．3．2 氧化層電荷
6．3．3 平帶電壓
6．3．4 閾值電壓
Σ6．3．5電場分布
6．4 電容-電壓特性
6．4．1 理想C-V特性
Σ6．4．2頻率影響
Σ6．4．3氧化層固定電荷和界麵電荷的影響
6．5 MOSFET基本工作原理
6．5．1 MOSFET結構
6．5．2 電流-電壓關係――基本概念
Σ6．5．3電流-電壓關係――數學推導
6．5．4 襯底偏置效應
6．6 小信號等效電路及頻率限製因素
6．6．1 跨導
6．6．2 小信號等效電路
6．6．3 頻率限製因素與截止頻率
Σ6．7器件製備技術
6．7．1 NMOS晶體管的製備
6．7．2 CMOS技術
6．8 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第7章 MOS場效應晶體管的其他概念
7．1 MOSFET按比例縮小法則
7．1．1 恒電場按比例縮小法則
7．1．2 閾值電壓――一級近似
7．1．3 一般按比例縮小法則
7．2 非理想效應
7．2．1 亞閾值電導
7．2．2 溝道長度調製效應
7．2．3 溝道遷移率變化
7．2．4 速度飽和
7．3 閾值電壓修正
7．3．1 短溝道效應
7．3．2 窄溝道效應
7．3．3 襯底偏置效應
7．4 其他電學特性
7．4．1 氧化層擊穿
7．4．2 臨界穿通或漏緻勢壘降低(DIBL)
7．4．3 熱電子效應
7．4．4 離子注入調整閾值電壓
7．5 器件製備技術： 特種器件
7．5．1 輕摻雜漏晶體管
7．5．2 絕緣體上MOSFET
7．5．3 功率MOSFET
7．5．4 MOS存儲器
7．6 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第8章 半導體中的非平衡過剩載流子
8．1 載流子的産生與復閤
8．2 過剩載流子的分析
8．2．1 連續性方程
8．2．2 時間相關的擴散方程
8．3 雙極輸運
8．3．1 雙極輸運方程的推導
8．3．2 非本徵摻雜和小注入限製
8．3．3 雙極輸運方程的應用
8．3．4 介電弛豫時間常數
8．3．5 海恩斯-肖剋利實驗
8．4 準費米能級
8．5 過剩載流子的壽命
8．5．1 肖剋利-裏德-霍爾(SRH)復閤理論
8．5．2 非本徵摻雜和小注入限製
8．6 錶麵效應
8．6．1 錶麵態
8．6．2 錶麵復閤速度
8．7 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第9章 pn結二極管與肖特基二極管
9．1 pn結和肖特基勢壘結的迴顧
9．1．1 pn結
9．1．2 肖特基勢壘結
9．2 pn結――理想電流-電壓特性
9．2．1 邊界條件
9．2．2 少子分布
9．2．3 理想pn結電流
9．2．4 物理小結
9．2．5 溫度效應
9．2．6 短二極管
9．2．7 本節小結
9．3 肖特基二極管――理想電流-電壓關係
9．3．1 肖特基二極管
9．3．2 肖特基二極管與pn結二極管的比較
9．4 pn結二極管的小信號模型
9．4．1 擴散電阻
9．4．2 小信號導納
9．4．3 等效電路
9．5 産生-復閤電流
9．5．1 反偏産生電流
9．5．2 正偏復閤電流
9．5．3 總正偏電流
9．6 結擊穿
9．7 電荷存儲與二極管瞬態
9．7．1 關瞬態
9．7．2 開瞬態
9．8 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第10章 雙極型晶體管
10．1 雙極型晶體管的工作原理
10．1．1 基本工作原理
10．1．2 簡化的晶體管電流關係
10．1．3 工作模式
10．1．4 雙極型晶體管放大電路
10．2 少子分布
10．2．1 正嚮有源模式
10．2．2 其他工作模式
10．3 低頻共基極電流增益
10．3．1 貢獻因子
10．3．2 電流增益係數的數學推導
10．3．3 本節小結
10．3．4 增益係數的計算實例
10．4 非理想效應
10．4．1 基區寬度調製
10．4．2 大注入效應
10．4．3 發射區帶隙變窄
10．4．4 電流集邊效應
Σ10．4．5非均勻基區摻雜
10．4．6 擊穿電壓
10．5 混閤π型等效電路模型
10．6 頻率限製
10．6．1 時延因子
10．6．2 晶體管的截止頻率
Σ10．7大信號開關特性
Σ10．8器件製備技術
10．8．1 多晶矽發射極雙極型晶體管
10．8．2 雙多晶矽npn晶體管的製備
10．8．3 SiGe基區晶體管
10．8．4 功率雙極型晶體管
10．9 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第11章 其他半導體器件及器件概念
11．1 結型場效應晶體管
11．1．1 pn JFET
11．1．2 MESFET
11．1．3 電學特性
11．2 異質結
11．2．1 異質結簡介
11．2．2 異質結雙極型晶體管
11．2．3 高電子遷移率晶體管（HEMT）
11．3 晶閘管
11．3．1 基本特性
11．3．2 SCR的觸發機理
11．3．3 器件結構
11．4 MOSFET的其他概念
11．4．1 閂鎖效應
11．4．2 擊穿效應
11．5 微機電係統
11．5．1 加速度計
11．5．2 噴墨打印機
11．5．3 生物醫學傳感器
11．6 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
第12章 光子器件
12．1 光吸收
12．1．1 光吸收係數
12．1．2 電子-空穴對的産生率
12．2 太陽能電池
12．2．1 pn結太陽能電池
12．2．2 轉換效率與太陽光聚集
12．2．3 異質結太陽能電池
12．2．4 非晶矽太陽能電池
12．3 光電探測器
12．3．1 光電導探測器
12．3．2 光電二極管
12．3．3 PIN光電二極管
12．3．4 雪崩光電二極管
12．3．5 光電晶體管
12．4 發光二極管
12．4．1 光産生
12．4．2 內量子效率
12．4．3 外量子效率
12．4．4 LED器件
12．5 激光二極管
12．5．1 受激輻射與粒子數反轉
12．5．2 光學諧振腔
12．5．3 閾值電流
12．5．4 器件結構與特性
12．6 小結
知識點
復習題
習題
參考文獻
附錄A 部分參數符號列錶
附錄B 單位製、 單位換算和通用常數
附錄C 元素周期錶
附錄D 能量單位――電子伏特
附錄E 薛定諤方程的“推導”和應用
附錄F 部分習題答案
中英文術語對照錶

前言/序言

《電子元器件的奧秘》 本書將帶領讀者踏上一段探索電子世界基石的旅程。我們將從最基礎的物質屬性齣發，深入理解原子結構、電子的運動規律，以及這些微觀世界的規律如何影響宏觀世界的電子器件運作。 第一章：物質的微觀世界 在這一章，我們將詳細剖析構成一切物質的原子。我們會瞭解原子核的組成，質子和中子的作用，以及電子圍繞原子核的奇妙軌道。我們將探討元素周期錶，理解不同元素的電子排布如何決定它們的化學性質，從而為理解半導體材料的獨特性奠定基礎。此外，我們將引入量子力學的概念，簡要介紹電子的波粒二象性以及能量的量子化，這些對於理解電子在固體材料中的行為至關重要。 第二章：電的本質與流動 電荷的由來、正負電荷的相互作用，以及電場和電勢的概念將被清晰地闡述。我們將重點討論導體、絕緣體和半導體之間的根本區彆，這不僅僅是電阻率的差異，更是電子行為模式的根本差異。導體中自由電子的活躍，絕緣體中電子的束縛，以及半導體中電子在特定條件下的“半自由”狀態，將通過直觀的比喻和嚴謹的理論進行解釋。 第三章：連接世界的電路基礎 學習電路，我們離不開歐姆定律——理解電壓、電流和電阻之間最基本的關係。我們將通過豐富的實例，解析串聯電路和並聯電路的特性，計算它們的總電阻、總電流和各部分電壓。同時，我們將觸及基爾霍夫定律，為分析更復雜的電路提供工具。電阻的類型、作用以及在電路中的重要性也將貫穿其中。 第四章：開關的智慧——二極管的原理 本章將聚焦於電子世界中最基礎的“開關”——二極管。我們將從PN結的形成原理入手，詳細解釋其單嚮導電性。正嚮偏置和反嚮偏置下PN結的載流子行為將被深入剖析。我們將探討不同類型的二極管，如整流二極管、穩壓二極管（齊納管）以及發光二極管（LED）的工作原理和應用，揭示它們如何在電子設備中扮演著至關重要的角色。 第五章：放大的藝術——晶體管的奧秘 晶體管，被譽為電子工業的“心髒”，在本章將得到詳盡的介紹。我們將區分雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）兩大類。對於BJT，我們會深入理解其NPN和PNP結構，以及基極電流控製集電極電流的工作原理，掌握其放大和開關特性。對於FET，特彆是MOSFET，我們將闡述其柵極電壓控製溝道導電性的機製，並討論其在現代集成電路中的廣泛應用。 第六章：集成之光——芯片的誕生 現代電子設備離不開集成電路（IC），本章將揭示集成電路的誕生與發展。我們將瞭解什麼是集成電路，以及它如何將成韆上萬甚至數十億個元器件集成在一塊微小的芯片上。我們將簡要介紹集成電路的設計、製造流程，以及其對電子技術革命的深遠影響。從簡單的邏輯門到復雜的微處理器，集成電路的微觀世界展現瞭人類智慧的結晶。 第七章：感知世界——傳感器的多樣性 電子器件不僅用於處理信息，更重要的是能夠與物理世界進行交互。本章將介紹各種類型的傳感器，它們能夠將溫度、光照、壓力、位移等物理量轉化為電信號。我們將探討熱敏電阻、光敏電阻、壓電傳感器、霍爾傳感器等不同原理的傳感器，以及它們在日常生活和工業生産中的廣泛應用。 第八章：能量的儲存與轉換 除瞭邏輯運算和信號處理，電子器件在能量的儲存和轉換方麵也發揮著關鍵作用。本章將介紹電容器和電感器的基本原理，理解它們在電路中儲存電能和磁能的功能，以及它們在濾波、振蕩等電路中的應用。我們將還會初步探討電池等能量存儲器件的原理。 第九章：通信的橋梁——信號的傳遞 現代社會信息高度發達，離不開電子通信技術。本章將簡要介紹信號的産生、調製、解調以及傳輸的基本原理，讓讀者理解電子器件如何在無綫電、電視、手機等通信係統中發揮作用。我們將觸及信號的頻率、帶寬等概念。 第十章：電子器件的未來展望 最後，我們將目光投嚮電子器件的未來。我們將探討當前的研究熱點，如納米電子學、量子計算、柔性電子等新興領域，以及它們可能為我們帶來的顛覆性變革。從微觀的材料科學到宏觀的應用創新，電子器件的發展永無止境，將持續塑造著我們的生活和世界。 本書旨在為讀者構建一個全麵而深入的電子元器件知識體係，從最基本的物理原理到最前沿的技術發展，力求用清晰易懂的語言，結閤生動的實例，讓讀者領略電子世界的無窮魅力。

評分☆☆☆☆☆

我對這本書的初印象是，它打破瞭我對傳統半導體器件教材的刻闆印象。以往接觸到的這類書籍，往往充滿瞭密密麻麻的公式和艱澀的術語，讀起來就像在啃一本天書。而這本書，卻以一種更為平易近人的姿態，將復雜的半導體世界呈現在讀者麵前。作者在內容編排上，非常注重理論與實踐的結閤。它不像某些教科書那樣，隻講解孤立的理論公式，而是會將每一個器件的原理、特性、以及在實際應用中的注意事項，都進行詳細的闡述。我尤其贊賞書中關於“器件的寄生效應”和“開關瞬態特性”的章節。這些內容對於設計高性能的電子係統至關重要，但在很多基礎教材中卻鮮有涉及。書中通過大量的圖錶和實例，生動地展示瞭這些寄生效應是如何影響電路性能的，以及如何通過閤理的器件選擇和電路設計來規避這些問題。例如，在講解MOSFET的柵極電容時，作者不僅解釋瞭電容的來源，還分析瞭它對高速開關電路的限製，並給齣瞭優化建議。這種“知其然，更知其所以然”的講解方式，讓我受益匪淺。此外，這本書還對一些前沿的半導體器件，如MEMS器件和功率半導體器件，進行瞭簡要的介紹，這讓我能夠對半導體技術的發展趨勢有一個初步的瞭解，拓展瞭我的視野。可以說，這本書是一本集理論深度、實踐指導和前瞻性於一體的優秀讀物。

評分☆☆☆☆☆

我之所以對這本書情有獨鍾，是因為它在講解半導體器件原理的同時，非常注重對“實際應用”的闡述。很多時候，我們在學習理論知識時，常常會脫離實際，不知道這些知識在現實生活中到底有什麼用。這本書則很好的解決瞭這一問題。作者在講解每一個器件的物理原理時，都會緊密地聯係其在各種實際電路中的應用場景。我尤其喜歡書中關於“功率半導體器件”的章節，例如IGBT和MOSFET在電力電子領域的應用。作者不僅詳細介紹瞭這些器件的工作原理，還深入分析瞭它們在變頻器、開關電源等典型應用中的關鍵設計考慮因素，比如開關損耗、導通壓降、熱管理等。這些內容對於我從事電力電子産品開發非常有指導意義。書中還對不同器件的優缺點進行瞭對比分析，幫助我更好地選擇適閤特定應用的器件。例如，在講解MOSFET和BJT的選擇時，作者從開關速度、驅動要求、導通電阻等方麵進行瞭詳細的比較，並給齣瞭相應的選型建議。這種“接地氣”的講解方式，讓我感覺自己學到的知識是能夠直接應用到工作中的，而不是停留在理論層麵。總而言之，這本書是一本理論與實踐相結閤的優秀教材，為工程師提供瞭切實可行的技術指導。

評分☆☆☆☆☆

這本書的齣現，對我這個在電子工程領域摸爬滾打多年的老兵來說，無疑是一股清流。我之前閱讀過不少關於半導體器件的教材，它們大多側重於理論推導的嚴謹性，或者過於強調某一類器件的細節，讀起來常常感到晦澀難懂，或者抓不住整體脈絡。然而，這本書卻以一種極為人性化的方式，將復雜深奧的半導體物理和器件原理娓娓道來。作者在內容的組織上，並沒有一開始就拋齣大量的數學公式和復雜的能帶圖，而是從最基本、最直觀的物理概念入手，比如載流子的運動，PN結的形成，以及晶體管的開關特性。我尤其欣賞的是，書中對每一類器件的講解，都充滿瞭豐富的類比和形象的比喻，這對於我這種非理論齣身的工程師來說，實在是太友好瞭。當我讀到關於MOSFET工作原理的章節時，作者用一個“水龍頭”的比喻，生動地描繪瞭柵極電壓如何控製溝道電導，瞬間就打通瞭我理解的“任督二脈”。這種由淺入深，循序漸進的講解方式，讓我感覺自己不再是被動地接受知識，而是主動地去探索和理解，這種學習體驗是前所未有的。更重要的是，書中並沒有因為“導論”的定位就敷衍瞭事，而是對每一類重要器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT等）的物理模型、電學特性、以及典型的應用場景都進行瞭詳盡的闡述，並且在關鍵的地方還引入瞭最新的研究動態和技術發展趨勢，這讓我在迴顧經典的同時，也能夠緊跟時代步伐，不至於被技術革新拋在後麵。整本書讀下來，我感覺自己對半導體器件的理解，從“知其然”提升到瞭“知其所以然”，這對於我今後的項目開發和技術選型，無疑具有重大的指導意義。

評分☆☆☆☆☆

閱讀這本書的過程，對我來說是一次非常愉快的學習體驗。我一直覺得，學習半導體器件是一件比較枯燥的事情，但這本書卻用一種非常生動和吸引人的方式，將這個領域展現在我麵前。作者在寫作風格上，非常注重語言的通俗易懂，避免使用過於生僻的專業術語，即使是對於一些復雜的物理現象，也能夠用清晰的語言進行解釋。我尤其喜歡書中在講解PN結和晶體管特性時，所使用的圖示。這些圖示不僅清晰地展示瞭電流和電壓的關係，還直觀地錶現瞭器件內部的電荷分布和載流子運動，這比乾巴巴的公式要直觀得多。而且，書中還引入瞭一些曆史發展的脈絡，例如，在講解MOSFET時，作者會簡要迴顧其發展曆程，這讓我對這項技術的演進有一個更宏觀的認識。這一點對於我理解一項技術的價值和未來發展方嚮很有幫助。此外，書中還穿插瞭一些“思考題”和“拓展閱讀”的建議，這鼓勵我去主動思考，而不是被動接受。我通過這些思考題，加深瞭對相關概念的理解，也激發瞭我進一步學習的興趣。總而言之，這本書不僅僅是一本技術書籍，更像是一位耐心細緻的老師，引導我一步步地走進半導體器件的奇妙世界。

評分☆☆☆☆☆

說實話，在拿到這本書之前，我對“半導體器件導論”這類書籍的期待並不高。大多數同類書籍要麼是枯燥的教科書，要麼是過於學術化的論文集，很難真正觸及到實際應用的核心。但這本書，完全顛覆瞭我的認知。它不僅僅是一本講解半導體器件原理的書，更像是一本“教科書般的工程師手冊”。作者在理論闡述的基礎上，非常注重與實際工程應用的結閤。我尤其喜歡書中關於不同器件的“失效模式與對策”的章節，這部分內容在很多教科書中都付諸闕聞。通過對各種失效機製的深入剖析，以及相應的防護措施和設計建議，讓我深刻認識到，理論的掌握固然重要，但工程實踐中的細節和經驗同樣不可忽視。書中列舉瞭大量的實際案例，例如在高速電路設計中，如何選擇閤適的MOSFET以減小寄生參數帶來的信號完整性問題；或者在電源管理芯片中，如何根據不同的工作條件，精確計算二極管的功率損耗和散熱要求。這些生動的案例，讓我仿佛置身於一個真實的實驗室或生産綫，能夠直接感受到理論知識在實際工程中的應用價值。而且，書中對於器件參數的選取和評估，也給齣瞭非常清晰的指導，這對於初學者來說，可以避免走很多彎路。我個人認為，這本書最大的亮點在於其“落地性”。它不是僅僅停留在象牙塔裏的理論講解，而是將半導體器件的知識與工程實踐緊密地聯係起來，為工程師提供瞭一套行之有效的解決問題的思路和方法。

評分☆☆☆☆☆

讀完這本書，我最大的感受是，它極大地拓寬瞭我對半導體器件的認知邊界。在過去，我所接觸到的半導體器件知識，大多局限於傳統的二極管和三極管。然而，這本書卻將我帶入瞭一個更廣闊的世界，讓我瞭解瞭更多前沿的、具有顛覆性的半導體器件。作者在內容的安排上，既保留瞭對經典器件的深入講解，又引入瞭許多新興的器件類型，比如化閤物半導體器件（如GaN和SiC）、光電器件（如LED和激光器），以及微機電係統（MEMS）器件等。我尤其對書中關於“化閤物半導體器件”的介紹印象深刻。作者詳細闡述瞭GaN和SiC材料的優越性能，以及它們在高溫、高頻、大功率應用中的巨大潛力。這讓我對下一代電力電子和微波通信技術有瞭更清晰的認識。此外，書中還對這些新材料、新器件的製備工藝和器件結構進行瞭簡要的介紹，這對於我瞭解技術發展的內在驅動力非常有幫助。總而言之，這本書不僅僅是一本“導論”，更像是一扇窗戶，讓我窺見瞭半導體技術波瀾壯闊的未來。

評分☆☆☆☆☆

作為一名在科研領域摸索多年的學生，我一直在尋找一本能夠幫助我建立起半導體器件完整知識體係的書籍。之前閱讀過不少教材，但總感覺它們要麼過於碎片化，要麼邏輯跳躍性太大，很難形成一個連貫的認識。這本書的齣現，為我解決這一難題提供瞭絕佳的方案。首先，它的結構設計非常閤理。從最基礎的半導體材料特性講起，逐步過渡到PN結，再到各種類型的晶體管，最後涉及一些先進的器件和集成電路。這種由點到麵，由淺入深的講解方式，讓我能夠循序漸進地掌握知識。其次，在理論深度和廣度上，這本書找到瞭一個非常巧妙的平衡點。它既保證瞭必要的理論深度，不會流於錶麵，又避免瞭過度復雜的數學推導，不會讓讀者望而卻步。在一些關鍵的物理模型和工作原理的講解上，作者也運用瞭非常精妙的圖示和錶格，這極大地幫助我理解瞭抽象的概念。我特彆喜歡書中對“載流子復閤與産生”以及“陷阱態”等概念的解釋，這些通常是比較難以理解的物理過程，但通過書中的講解，我豁然開朗。此外，這本書的寫作風格也十分引人入勝，語言流暢，邏輯清晰，即使是對於一些具有挑戰性的內容，作者也能夠用生動形象的語言將其解釋清楚，讓我感覺閱讀過程充滿瞭樂趣，而不是一種負擔。總而言之，這本書為我構建瞭一個紮實的半導體器件知識框架，極大地提升瞭我對該領域的認知水平。

評分☆☆☆☆☆

這本書給我帶來的最大價值，在於它幫助我建立起瞭一種“從微觀到宏觀”的係統性思維。在學習半導體器件時，我過去常常陷入對某個具體器件的細節理解，而忽略瞭其背後更深層次的物理機製和宏觀的係統影響。這本書的寫作特點在於，它總是能夠將具體的器件特性與其所處的更宏觀的物理環境和係統應用聯係起來。例如，在講解MOSFET的漏極電流時，作者不僅闡述瞭柵極電壓和漏極電壓如何影響電流，還分析瞭溝道長度調製效應、亞閾值區行為等，並最終將其與電路的直流偏置、交流增益等宏觀特性聯係起來。這種從微觀粒子運動到宏觀電路行為的講解方式，讓我能夠更全麵、更深入地理解半導體器件的功能和限製。我特彆喜歡書中對“器件的尺度效應”的討論，作者通過分析納米尺度下半導體器件的行為變化，讓我意識到，隨著技術的進步，傳統的器件模型和理論需要不斷地更新和發展。這種對“尺度”這一關鍵因素的關注，對於理解現代半導體技術的進步方嚮至關重要。總而言之，這本書不僅傳授瞭知識，更重要的是，它培養瞭我一種從不同尺度、不同角度分析問題的思維方式。

評分☆☆☆☆☆

這本書的齣現，對於我這樣對半導體器件抱有濃厚興趣但又缺乏係統性學習機會的讀者來說，無疑是雪中送炭。我之前在網絡上零散地學習過一些關於半導體器件的知識，但總感覺缺乏一個清晰的體係，知識點之間也難以建立起有效的聯係。這本書的齣現，恰好填補瞭我在這方麵的空白。作者在內容的組織上，采取瞭一種非常係統化的方法。它從最基礎的半導體材料的晶體結構和能帶理論講起，然後逐步深入到PN結的形成和特性，再到各種類型的二極管和三極管，最後還涉及瞭一些先進的器件和集成電路。這種由基礎到應用，由宏觀到微觀的講解方式，讓我能夠逐步建立起對整個半導體器件領域的完整認知。我尤其欣賞書中對“載流子輸運機製”的講解，作者從擴散和漂移兩個基本機製入手，詳細闡述瞭它們是如何影響器件的電學特性的。這讓我對電流的産生和流動有瞭更深刻的理解。而且，書中還引用瞭大量的實驗數據和仿真結果，這使得理論講解更加具有說服力。我記得在講到BJT的輸齣特性麯綫時，書中給齣瞭非常精細的麯綫圖，並對不同區域的特性進行瞭詳細的分析，這對於我理解BJT的工作模式非常有幫助。總而言之，這本書為我提供瞭一個全麵而深入的半導體器件知識體係，極大地提升瞭我對該領域的學習效率和認知深度。

評分☆☆☆☆☆

在我看來，這本書最 remarkable 的地方在於其對半導體器件的“工程化”講解。很多關於半導體器件的書籍，往往過於強調物理學的理論基礎，而忽略瞭工程師在實際工作中更需要關注的實用性問題。這本書則不然，它在講解每一個器件的物理原理時，都會緊密地聯係其在實際電路中的行為和應用。我特彆欣賞書中對於“器件模型”的講解。它不僅僅羅列瞭各種模型方程，更重要的是解釋瞭不同模型適用於哪種工作場景，以及在進行電路仿真時，如何選擇閤適的模型參數以獲得準確的結果。這對於我進行電路設計和參數優化非常有幫助。書中還花瞭相當大的篇幅討論瞭“器件的可靠性”問題，包括熱失效、電遷移、擊穿等，並給齣瞭相應的評估方法和設計建議。這些內容，對於我確保産品在實際環境中穩定運行至關重要。我記得有一章專門講瞭“二極管的浪湧電流能力”，作者通過詳細的計算和圖錶，清晰地展示瞭在不同脈衝寬度下，二極管所能承受的最大電流，這對於我們在設計防雷擊電路時，提供瞭寶貴的參考依據。總而言之，這本書讓我覺得，它不僅僅是在教授知識，更像是在傳授一種“工程師思維”，一種從物理原理齣發，兼顧工程實現和可靠性保障的完整思路。

評分☆☆☆☆☆

趕上618買瞭很多書，彆的時候買不閤適。

評分☆☆☆☆☆

目前看起來還不錯，待長時間驗證

評分☆☆☆☆☆

不錯不錯，一直支持京東，售後好，東西好，以後會一直支持京東

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不錯的東西。不錯的東西。

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可以

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不錯

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趕上618買瞭很多書，彆的時候買不閤適。

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感覺不錯，很期待閱讀！

評分☆☆☆☆☆

看著不錯，應該是正版