模拟电子技术（第二版）（英文版） [Electronic Devices and Circuit Theory, Eleventh Ed] pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[美] Robert L. Boylestad（罗伯特. L.博伊斯坦），Louis Nashelsky（路易斯·纳什斯凯） 著，李立华 译

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• 模拟电子技术
• 电子器件
• 电路理论
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• 高等教育
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• 电路分析
• 半导体
• 模拟电路
• 电子技术基础

出版社： 电子工业出版社

ISBN：9787121289156

版次：2

商品编码：11999058

包装：平装

丛书名： 国外电子与通信教材系列

外文名称：Electronic Devices and Circuit Theory, Eleventh Ed

开本：16开

出版时间：2016-07-01

用纸：胶版纸

页数：608

内容简介

本书包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。

作者简介

Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授，在电子电路学科领域出版了多部优秀教材，受到很高的评价。 Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授，在电子电路学科领域出版了多部优秀教材，受到很高的评价。

目录

Chapter 1 Semiconductor Diodes
1．1 Introduction
1．2 Semiconductor Materials： Ge， Si， and GaAs
1．3 Covalent Bonding and Intrinsic Materials
1．4 Extrinsic Materials： n-Type and p-Type Materials
1．5 Semiconductor Diode
1．6 Ideal Versus Practical
1．7 Resistance Levels
1．8 Diode Equivalent Circuits
1．9 Transition and Diffusion Capacitance
1．10 Reverse Recovery Time
1．11 Diode Specification Sheets
1．12 Semiconductor Diode Notation
1．13 Zener Diodes
1．14 Light-Emitting Diodes
1．15 Summary
1．16 Computer Analysis
Problems

Chapter 2 Diode Applications
2．1 Introduction
2．2 Load-Line Analysis
2．3 Equivalent Model Analysis
2．4 AND/OR Gates
2．5 Sinusoidal Inputs; Half-Wave Rectification
2．6 Full-Wave Rectification
2．7 Clippers
2．8 Clampers
2．9 Zener Diodes
2．10 Summary
Problems

Chapter 3 Bipolar Junction Transistors
3．1 Introduction
3．2 Transistor Construction
3．3 Transistor Operation
3．4 Common-Base Configuration
3．5 Transistor Amplifying Action
3．6 Common-Emitter Configuration
3．7 Common-Collector Configuration
3．8 Limits of Operation
3．9 Transistor Specification Sheet
3．10 Transistor Casing and Terminal Identification
3．11 Summary
Problems

Chapter 4 DC Biasing ― BJTs
4．1 Introduction
4．2 Operating Point
4．3 Fixed-Bias Circuit
4．4 Emitter Bias
4．5 Voltage-Divider Bias
4．6 DC Bias with Voltage Feedback
4．7 Miscellaneous Bias Configurations
4．8 Transistor Switching Networks
4．9 pnp Transistors
4．10 Bias Stabilization
4．11 Summary
Problems

Chapter 5 BJT AC Analysis
5．1 Introduction
5．2 Amplification in the AC Domain
5．3 BJT Transistor Modeling
5．4 The re Transistor Model
5．5 The Hybrid Equivalent Model
5．6 Hybrid Model
5．7 Variations of Transistor Parameters
5．8 Common-Emitter Fixed-Bias Configuration
5．9 Voltage-Divider Bias
5．10 CE Emitter-Bias Configuration
5．11 Emitter-Follower Configuration
5．12 Common-Base Configuration
5．13 Collector Feedback Configuration
5．14 Collector DC Feedback Configuration
5．15 Determining the Current Gain
5．16 Effect of RL and Rs
5．17 Two-Port Systems Approach
5．18 Summary Table
5．19 Cascaded Systems
5．20 Darlington Connection
5．21 Feedback Pair
5．22 Current Mirror Circuits
5．23 Current Source Circuits
5．24 Approximate Hybrid Equivalent Circuit
5．25 Summary
Problems

Chapter 6 Field-Effect Transistors
6．1 Introduction
6．2 Construction and Characteristics of JFETs
6．3 Transfer Characteristics
6．4 Specification Sheets (JFETs)
6．5 Important Relationships
6．6 Depletion-Type MOSFET
6．7 Enhancement-Type MOSFET
6．8 CMOS
6．9 Summary Table
6．10 Summary
Problems

Chapter 7 FET Biasing
7．1 Introduction
7．2 Fixed-Bias Configuration
7．3 Self-Bias Configuration
7．4 Voltage-Divider Biasing
7．5 Depletion-Type MOSFETs
7．6 Enhancement-Type MOSFETs
7．7 Summary Table
7．8 Combination Networks
7．9 p-Channel Fets
7．10 Summary
Problems

Chapter 8 FET Amplifiers
8．1 Introduction
8．2 FET Small-Signal Model
8．3 JFET Fixed-Bias Configuration
8．4 JFET Self-Bias Configuration
8．5 JFET Voltage-Divider Configuration
8．6 JFET Source-Follower(Common-Drain) Configuration
8．7 JFET Common-Gate Configuration
8．8 Depletion-Type MOSFETs
8．9 Enhancement-Type MOSFETs
8．10 E-MOSFET Drain-Feedback Configuration
8．11 E-MOSFET Voltage-Divider Configuration
8．12 Summary Table
8．13 Effect of RL and Rsig
8．14 Cascade Configuration
8．15 Summary
Problems

Chapter 9 BJT and FET Frequency Response
9．1 Introduction
9．2 General Frequency Considerations
9．3 Low-Frequency Analysis Bode Plot
9．4 Low-Frequency Response BJT Amplifier
9．5 Low-Frequency Response FET Amplifier
9．6 Miller Effect Capacitance
9．7 High-Frequency Response BJT Amplifier
9．8 High-Frequency Response FET Amplifier
9．9 Multistage Frequency Effects
9．10 Summary
Problems

Chapter 10 Operational Amplifiers
10．1 Introduction
10．2 Differential Amplifier Circuit
10．3 Differential and Common-Mode Operation
10．4 BIFET， BIMOS， and CMOS Differential Amplifier Circuits
10．5 Op-Amp Basics
10．6 Op-Amp SpecificationsDC Offset Parameters
10．7 Op-Amp SpecificationsFrequency Parameters
10．8 Op-Amp Unit Specifications
10．9 Summary
Problems

Chapter 11 Op-Amp Applications
11．1 Operation Circuits
11．2 Active Filters
11．3 Comparator Unit Operation
11．4 Schmitt Trigger
11．5 Summary
Problems

Chapter 12 Power Amplifiers
12．1 IntroductionDefinitions and Amplifier Types
12．2 Series-Fed Class A Amplifier
12．3 Transformer-Coupled Class A Amplifier
12．4 Class B Amplifier Operation
12．5 Class B Amplifier Circuits
12．6 Class C and Class D Amplifiers
12．7 Summary
Problems

Chapter 13 Feedback Circuits
13．1 Feedback Concepts
13．2 Feedback Connection Types
13．3 Practical Feedback Circuits
13．4 Feedback AmplifierPhase and Frequency Considerations
13．5 Summary
Problems

前言/序言

本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础，两位作者都是从事多年相关教学工作的教授，并已出版多本教材。本书自1972年首次出版至今已经修订至第十一版，涵盖了更广泛和新颖的内容，成为流行30多年的优秀经典教材。本改编版在原版内容的基础上，结合国内高等教育中模拟电子电路课程开展英语或双语教学的特点，进行了部分内容的调整，涵盖如下知识点：

● 半导体二极管

● 二极管应用电路

● 双极型晶体管BJT基础

● BJT放大电路的直流偏置电路分析

● BJT放大电路的交流分析

● 场效应晶体管FET基础

● FET放大电路的直流偏置电路分析

● FET放大电路的交流分析

● BJT和FET放大电路的频率响应分析

● 模拟集成运算放大器基础

● 运算放大器和比较器的应用电路

● 功率放大电路

● 反馈放大电路

当您拿起这本书的时候一定会感到非常厚重，不过请不要担心，这是由于本书中有大量的例题和详尽的解释所致，而这也是本书的特色和非常适合作为电子电路基础入门教材的原因。下面让我们一起开启电子电路基础的入门之旅，直到您完成这本书的学习，奠定自己在电子电路领域的知识基础，掌握开启电子工程、信息与通信工程专业相关专业知识学习的钥匙。

现代几乎所有电子系统的构成基础都是半导体材料，因此首先了解一些半导体材料的基本知识，对于理解半导体元器件的工作原理很有帮助。这些知识包括原子结构、本征半导体、掺杂半导体、载流子（一种能够携带电荷的粒子）、PN结等。这部分是微电子知识，如果只关注半导体器件的使用以及外围电路的分析设计，也可以忽略这部分内容（1.1节至1.5节）。本书第1章至第8章主要讨论三种半导体电子器件及其单元电路：二极管、双极性结型晶体管（BJT）和场效应管（FET）。

二极管

二极管的内部核心是PN结，1.6节至1.14节介绍了二极管的基本工作原理及其等效电路模型，包括基本二极管和几种特殊二极管，例如齐纳二极管和发光二极管等。而二极管的应用电路在第2章详细阐述，并有丰富的例题分析，包括半波整流电路、全波整流电路、削波电路、钳位电路、利用齐纳二极管的稳幅电路等。在分析方法上，第2章介绍了负载线分析方法和等效模型分析方法。如果您的学习重点是晶体管放大器，而不是二极管，那么第1章和第2章可以作为了解和自学内容。但是需要注意，PN结也是晶体管的构成基础，因此若要研究晶体管构成并深入了解其工作原理，也需要首先掌握PN结工作原理。

双极性结型晶体管（BJT）

双极性结型晶体管是一种广泛使用的基本晶体管，第3章主要描述其内部结构、类型及3种基本组态的运用。晶体管内部结构特点及工作机理导致了其外在特性具有放大电压或者放大电流的能力，但是如果只关心晶体管的应用，也可以忽略晶体管的内部结构和微电子工作机理。晶体管的应用主要从学习3种基本组态出发，掌握各种组态的特点以及晶体管的工作区。晶体管是一种有源器件，需要设置直流工作点才能正常工作（例如，放大交流信号时，晶体管需要通过设计直流工作点使其工作在线性放大区，才能无失真地放大交流小信号）。因此，当初学者开始学习由单个晶体管构成的基本放大电路时，需要从两个方面入手。一方面是晶体管的直流偏置电路，目的是设置合适的直流工作点，使其工作在合适的工作区（详细分析见第4章）；另一方面是晶体管交流小信号放大电路，目的是分析晶体管放大输入交流小信号的能力，例如增益、输入/输出特性等（见第5章）。值得说明的是，晶体管对于直流和交流的响应是不同的，因此第4章主要分析直流偏置电路，需要首先画出原电路的直流等效电路，再进行分析；而第5章主要分析交流小信号放大电路，需要首先画出原电路的交流等效电路再进行分析。同时，虽然晶体管是非线性器件，分析非常困难，但是当输入为交流小信号时，其变化范围很小，晶体管的非线性特性可以等效为线性特性，因此晶体管可以用其小信号微变等效模型来替代，这样获得的等效电路可以采用基本的电路分析方法进行分析，例如基尔霍夫定律等。通过学习第4章和第5章，读者将掌握单个BJT构成的基本放大电路的工作原理和性能分析。

场效应晶体管（FET）

场效应晶体管由于具有稳定性佳等优势，正逐渐取代BJT而被人们广泛应用。FET有多种类型，掌握其结构和不同类型FET的特点，例如输入特性、输出特性和转移特性，就成为学习FET的首要内容（见第6章）。建议采用与BJT相对比的方法学习FET。作为晶体管的一种，FET和BJT一样主要用于放大小信号，也是一种非线性有源器件，需要设置直流工作点，使其工作在饱和区（BJT是工作在线性放大区），才能无失真地放大交流小信号。同样，需要首先学习FET的直流偏置电路（见第7章），然后需要用小信号微变等效模型方法分析其对交流小信号的放大特性（见第8章）。但是FET从内部结构、工作区、转移特性、3种基本组态、直流偏置电路、小信号微变等效模型等方面与BJT都是不同的。通过学习第7章和第8章，读者将掌握单个FET构成的基本放大电路的工作原理和性能分析。

复杂电路和特性

通过对第1章至第8章的学习，恭喜您入门了，掌握了二极管和晶体管的基本器件知识，学会了分析基本单管放大电路，掌握了画图法、负载线分析法及等效电路分析方法。下一步，读者将进入更复杂电路和特性的学习。首先，通过学习第9章的内容，认识到晶体管（无论是BJT还是FET）对不同频率的输入信号有不同的响应，通过学习其频率响应特性加深对晶体管放大电路的认识，学会分析其频率响应以及扩展带宽的方法。这部分一般属于难点知识，重点在于对晶体管放大电路频率响应概念的理解，例如带宽、截止频率等，定量分析是比较困难的。在掌握了单个晶体管放大电路的基础上，第10章介绍多级放大电路和差分放大电路，这些单元电路是构成集成电路的基础。其中，差分放大电路的分析既是重点也是教学中的难点。同时，第10章以集成运算放大器为例介绍集成电路知识，包括其内部结构和外部特性等。运算放大器的应用电路见第11章，运算放大器的线性运用包括有源滤波器和运算单元，非线性运用包括比较器和施密特触发器。

本书讲解晶体管放大器主要是以放大交流小信号为主，分析方法以小信号微变等效模型分析方法为主，但是第12章则不同，主要介绍基于大信号的功率放大器，因此小信号微变等效模型分析方法在此就不能使用了。这一章主要以大信号分析为主，学习功率的计算，掌握不同类型功率放大器电路的特征和分析方法。

电路在实际应用中可能存在很多问题，例如工作点不稳定而发生漂移，输出电压不稳定等等，因此改善电路性能是至关重要的，在放大电路中引入负反馈就是改善电路性能的一种重要方法，在第13章中进行阐述。在了解反馈的构成基础上，需要掌握瞬时极性法来分析反馈的类型。不同类型的反馈作用是不同的，正反馈产生自激，负反馈具有稳定电路的作用，此章主要讲述负反馈放大电路及其分析方法。负反馈有4种类型，对电路进行分析并判断是否存在反馈以及存在何种反馈是一项重要的技能。通过为放大电路引入深度负反馈来改善电路性能，例如阻抗特性、输出特性等，是电路分析和设计的重要内容。值得注意的是，当电路中引入了深度负反馈时，宜采用工程近似估算方法，而非小信号微变等效模型分析方法。

至此，通过本书的学习，读者已经掌握了电子电路的基本知识、理论和分析方法，为从事相关电路分析和设计工作以及相关专业的后续课程学习打下了扎实的基础。回顾本书的知识结构和章节构成，不难看出本书主要以半导体器件晶体管为主，以基本晶体管放大电路为基础和重点，以差分放大电路、多级放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大电路为桥梁，逐步深入地展开电子电路基础原理和应用电路分析，同时贯穿了多种电路分析方法：画图法、小信号分析方法、大信号功率计算方法、工程近似分析方法等。值得注意的是，在学习中要勤于画各种等效电路，逐步简化电路和分析，灵活运用工程近似。

在北京邮电大学国际学院的“电子电路基础”课程中，我们采用了本书作为教材。通过几年的教学反馈，笔者深有体会，书中丰富的例题和详细的讲解，对于初学者的理解和自主学习都大有裨益。采用本书作为教材的授课教师，可联系te_service@phei.com.cn获取教学用PPT等相关资料。

Preface

The preparation of the preface for the 11th edition resulted in a bit of reflection on the 40 years since the first edition was published in 1972 by two young educators eager to test their ability to improve on the available literature on electronic devices. Although one may prefer the term semiconductor devices rather than electronic devices, the first edition was almost exclusively a survey of vacuum-tube devices—a subject without a single section in the new Table of Contents. The change from tubes to predominantly semiconductor devices took almost five editions, but today it is simply referenced in some sections. It is interesting, however, that when field-effect transistor (FET) devices surfac

现代社会中无处不在的“电子之魂”：一份深入的探索 从指尖轻触的智能手机，到驱动工业巨擘的复杂控制系统，再到守护我们健康的精密医疗设备，电子技术早已渗透到现代社会的每一个角落，成为推动文明进步的强大引擎。它们以无形的方式塑造着我们的生活，让我们得以高效沟通、便捷获取信息、享受丰富娱乐，并以前所未有的方式认识和改造世界。然而，在这看似神奇的背后，是无数工程师和科学家们辛勤耕耘的成果，是那些看似普通却至关重要的电子元器件和电路构成的精妙体系。 电子技术的核心，在于对电信号的精确控制和处理。这其中，电子器件扮演着基础性的角色，它们是能够对电信号进行放大、开关、整流、振荡等基本操作的“积木块”。从最基本的电阻、电容、电感，到更为复杂和核心的二极管、晶体管、集成电路，每一种器件都蕴含着深刻的物理原理和精巧的设计。 电阻器，作为电路中最普遍的元件之一，其主要功能是限制电流的流动。想象一下水管中的阀门，电阻器就如同电子世界中的“节流阀”，通过其阻值的大小，精确地控制着电流的大小，从而影响着电路的功率消耗和信号的强度。不同的应用场景需要不同精度、功率和特性的电阻，从精密测量仪器的毫欧级电阻，到大功率电路中的瓦级甚至千瓦级电阻，它们默默地承载着电流的压力。 电容器则如同电子世界中的“蓄水池”或“滤波器”。它们能够储存电荷，并在需要时释放出来，从而在电路中起到平滑电压、滤波噪声、耦合信号等作用。电容器的性能很大程度上取决于其介质材料和结构，陶瓷电容、电解电容、薄膜电容等等，各自拥有独特的优势，适用于不同的频率和电压要求。在数字电路中，电容器是保持信号稳定、防止电压跌落不可或缺的助手；在模拟电路中，它们则是塑造频率响应、实现滤波功能的关键。 电感器，与电容器类似，也属于储能元件，但它们储存的是磁场能。电感器对变化的电流产生阻碍作用，常用于构建滤波器、振荡器和能量转换电路。电感器的核心在于其线圈的匝数、磁芯材料以及几何形状，这些因素共同决定了电感的感值大小。在开关电源中，电感器是实现能量存储和传递的关键，负责将电能高效地转换为不同电压和电流的需求。 而二极管，则是电子世界中最早实现“单向导通”的神奇器件。它允许电流从一个方向流过，而阻碍另一个方向的电流。这种单向性使得二极管在整流电路中发挥着至关重要的作用，将交流电转换为直流电，为各种电子设备提供稳定的电源。此外，二极管还广泛应用于保护电路、信号检波和发光（LED）等领域，虽然结构简单，但其作用却不可替代。 晶体管的出现，无疑是电子技术发展史上的一个里程碑。它具备了“开关”和“放大”两大核心功能。作为一种半导体器件，晶体管通过控制较小的输入信号，能够操纵较大的输出信号，从而实现信号的放大。这使得电子设备能够处理微弱的信号，并将其转化为有用的信息。晶体管的出现，为电子电路的设计带来了革命性的变化，使得复杂的功能得以集成，并为微电子技术的飞速发展奠定了基础。从早期的点接触晶体管，到后来的结型晶体管（BJT），再到场效应晶体管（FET），晶体管的技术不断演进，性能日益强大。 当大量晶体管和其他电子元器件被集成到一块小小的芯片上时，集成电路（IC）便应运而生。集成电路是现代电子设备的心脏，它们将过去需要庞大电路板才能实现的复杂功能，浓缩到指甲盖大小的芯片中。微处理器、存储器、逻辑门阵列等各种集成电路，使得电子设备的功能日益强大、体积日益微小、功耗日益降低。从简单的运算放大器到复杂的人工智能芯片，集成电路的飞速发展，正是信息技术革命的直接驱动力。 理解了这些基本电子器件的工作原理和特性，我们便能进一步探讨电子电路的设计和分析。电路是将这些电子器件按照特定的逻辑和功能连接起来的“网络”。电路的设计，就好比工程师们在为电子信号绘制一张张精密的“交通图”，规划着信号的“行进路线”，确保它们能够准确无误地到达目的地，并完成预期的任务。 模拟电路处理的是连续变化的信号，这些信号的幅度、频率或相位能够反映物理世界的真实情况，例如声音、温度、压力等。模拟电路的设计需要对信号的微小变化保持高度敏感，并尽可能地减少信号在传输和处理过程中的失真。例如，音频放大器就需要精确地放大微弱的音频信号，同时保持音质的真实还原。滤波器在模拟电路中扮演着重要的角色，它们能够选择性地通过特定频率的信号，而抑制其他频率的信号，这在信号处理、通信系统和医疗设备等领域都至关重要。 数字电路则处理的是离散的、只有两种状态（通常表示为0和1）的信号。这些信号通过逻辑门（AND、OR、NOT等）进行组合和运算，实现复杂的计算和逻辑控制。数字电路的特点是其高精度和抗干扰能力强，这使得它们在计算机、通信设备和各种控制系统中得到了广泛应用。例如，计算机的中央处理器（CPU）就是由数十亿个逻辑门构成的复杂数字电路组成的。 在电子技术的世界里，电源是所有电子设备的“生命之源”。它们负责将来自电网或其他能源的电能，转换为电子设备所需的稳定、适宜的电压和电流。从简单的线性电源到高效的开关电源，电源技术的发展直接关系到电子设备的效率、可靠性和体积。 信号的传输和处理是电子电路的核心任务之一。这包括如何将信号从一个地方准确地传递到另一个地方，如何对信号进行放大、衰减、滤波、调制、解调等操作，以满足特定的应用需求。在通信系统中，信号的传输和处理是实现远程信息传递的基础；在仪器仪表中，它们是精确测量和分析物理量的关键。 电子技术的应用领域几乎涵盖了现代社会的方方面面。在通信领域，从手机信号的传输到互联网数据的交换，都离不开复杂的电子电路。在计算机领域，微处理器、存储器、图形处理器等核心组件，更是电子技术的集大成者。在工业控制领域，电子技术实现了生产过程的自动化和智能化，大大提高了生产效率和产品质量。在医疗健康领域，从心电图仪到核磁共振成像设备，都依赖于精密的电子测量和信号处理技术。在消费电子领域，智能手机、电视、家用电器等产品，更是将电子技术带入了千家万户。 电路的仿真和测试是电子设计过程中不可或缺的环节。通过计算机仿真软件，工程师可以在设计初期对电路进行虚拟的测试和优化，从而大大缩短研发周期，降低开发成本。而实际的电路测试，则是验证设计是否成功的关键步骤，通过各种测试仪器，对电路的性能指标进行全面评估。 总而言之，电子技术是一个庞大而精深的领域，它以电子器件为基石，以电路为骨架，以各种应用为载体，不断推动着科技的进步和社会的发展。理解电子技术的原理，掌握电子电路的设计方法，是应对未来科技挑战、抓住发展机遇的重要能力。这是一场关于电信号的智慧与创造的旅程，它影响着我们的现在，更塑造着我们的未来。

评分☆☆☆☆☆

说实话，刚开始接触这本《模拟电子技术》（英文版）时，我是有点畏难情绪的。毕竟，模拟电路一直是我觉得比较抽象和难以掌握的领域。但是，这本书打破了我的刻板印象。它以一种非常人性化的方式，将复杂的概念拆解开来，让每一步的学习都显得顺理成章。我特别赞赏作者在讲解半导体器件时，并没有仅仅给出参数和模型，而是花了大量篇幅去解释这些参数背后的物理意义，以及它们如何影响器件的宏观特性。这种深入的剖析，让我对二极管、三极管、场效应管等有了更本质的理解。书中对各种不同类型的放大电路的分析，也是我学习的重点。它不仅仅是告诉你这些电路的结构，更重要的是，它详细讲解了这些结构是如何实现特定的功能，以及它们各自的优缺点。例如，它对射极跟随器的分析，清晰地展示了它如何作为一个缓冲器，实现阻抗匹配，以及它在信号传输中的重要作用。这本书就像一位循循善诱的老师，总是能在我遇到困难的时候，提供最恰当的解释和引导，让我逐渐克服对模拟电路的恐惧，并对其产生了浓厚的兴趣。

评分☆☆☆☆☆

对于很多致力于深入理解电子系统核心的同学来说，这本《模拟电子技术》（英文版）绝对是“必备神器”。它并非那种流于表面的介绍性读物，而是真正钻研进去，让你能够理解模拟电路的“灵魂”所在。我特别欣赏它在引入各种电路概念时，总是能将理论与实际应用紧密结合。例如，在讲解负反馈稳定电路时，它不仅给出了数学上的推导，还结合了实际的元器件噪声和非线性效应，解释了为什么负反馈在实际应用中如此重要，以及如何通过合理的反馈设计来优化电路性能。书中关于直流电源和稳压电路的章节，对我来说尤其具有启发性。它详细分析了不同类型稳压电路的工作原理，以及它们在实际应用中的各种考量，例如效率、噪声、负载调整率等。这让我明白了，设计一个稳定可靠的电源，不仅仅是选择合适的元件，更需要对整体电路有深刻的理解。此外，书中关于信号完整性、瞬态响应等方面的讲解，更是为我打开了新的视野，让我意识到，在高速电路设计中，模拟电路的理解深度仍然至关重要。这本书的价值在于，它能够让你在掌握基本知识的同时，培养出对模拟电路更深层次的洞察力。

评分☆☆☆☆☆

这本《模拟电子技术》（英文版）在我学习电子工程的道路上，绝对是不可或缺的宝藏。初次拿到这本书时，就被它厚实的分量和严谨的排版所吸引。我一直认为，真正好的教材，不仅仅是知识的搬运工，更是引领读者深入思考的引路人。这本书恰恰做到了这一点。它从最基础的半导体器件原理讲起，深入浅出地剖析了各种模拟电路的工作机制。书中大量的插图和清晰的图示，将抽象的电路概念具象化，让原本枯燥的理论变得生动易懂。我尤其喜欢它在讲解复杂电路时，循序渐进的逻辑推导，以及每一个关键步骤后的详细解释，这让我能够真正理解“为什么”，而不是死记硬背。每章末尾的习题设计也十分巧妙，既有巩固基础的练习，也有挑战思维的综合题，能够有效地检验学习成果，并发现自己知识的薄弱环节。这本书的语言风格严谨而不失可读性，即使是对于初学者，也不会感到过于晦涩。我记得有一次，我在理解一个比较复杂的反馈放大器时遇到了困难，翻阅了这本书的相关章节，作者用一种非常直观的方式解释了负反馈对电路稳定性和增益的影响，并结合实际的晶体管模型进行了详细的分析，让我茅塞顿开，醍醐灌顶。这本书不仅仅是理论的堆砌，更蕴含了丰富的实践指导思想，为我日后的实验和项目设计打下了坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

作为一名有着几年从业经验的工程师，我时常需要回顾和更新我的模拟电路知识。而这本《模拟电子技术》（英文版）在我看来，是为数不多的，能够在我这个阶段依然提供深刻见解的教材。它不仅仅停留在基础概念的讲解，更深入到了一些高级的应用和设计原则。我特别喜欢书中关于滤波电路和振荡器设计部分的分析，作者并没有简单地罗列公式，而是从信号的频率特性、噪声抑制以及稳定性等角度，深入阐述了不同电路结构的优劣。例如，在讲解巴特沃斯滤波和切比雪夫滤波时，它不仅给出了数学模型，还详细分析了它们在通带和阻带的频率响应差异，以及各自的实际应用场景，让我对滤波器设计有了更全面的认识。此外，书中对运算放大器（Op-amp）的深入探讨，从理想模型到实际非理想特性的分析，再到各种经典应用电路（如积分器、微分器、比较器）的详细讲解，都让我受益匪浅。它帮助我更清晰地理解了实际运放器件的局限性，以及如何在电路设计中规避这些问题。这本书的价值在于，它能够让你在基础之上，进一步提升对模拟电路的理解深度和工程实践能力。

评分☆☆☆☆☆

老实说，我当初选择这本《模拟电子技术》（英文版）纯粹是因为它是推荐教材，原本没抱太大期望，觉得无非就是一本堆砌公式和图表的教科书。然而，事实证明我大错特错了。这本书的魅力在于它对“理解”的极致追求。它不像某些教材那样，上来就抛出一堆公式，让你去套用。而是从物理本质出发，一步步引导你构建起对电子器件和电路的深刻认知。我尤其欣赏作者在解释各种晶体管（BJT和MOSFET）特性曲线时，那种抽丝剥茧般的分析，让你不仅知道“是什么”，更明白“为什么会这样”。它不是那种让你读完之后感觉自己掌握了一堆“秘籍”，却不知道如何运用的书。相反，它鼓励你去思考，去探究，去尝试。书中提供的例题，不仅仅是答案的展示，更是一种思考过程的演示，让你学会如何从问题出发，分析电路，最终得出解决方案。我对书中关于各种放大器（如共射、共集、共基）的分析方法印象深刻，它不仅仅是列出它们的增益、输入阻抗和输出阻抗，更详细地讲解了它们各自的优缺点以及适用场景，这对于我理解不同电路设计的权衡至关重要。这本书就像一位经验丰富的导师，在你迷茫时，耐心地为你指点迷津，让你在每一次的阅读中都能获得新的启发和进步。

评分☆☆☆☆☆

不错啊！！！！！！！！！

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书还是可以的，当作参考书了。。。。

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给力

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好，非常好!

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