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内容简介

　　《凝聚态物理学丛书·典藏版：半导体物理学》介绍近代半导体物理学中比较活跃的几个领域的基本成就和新的发展。
　　《凝聚态物理学丛书·典藏版：半导体物理学》共五章：第1章论述完整晶体的能带理论，其中包括LCAO方法，赝势方法，k·p方法和自旋轨道耦合；第二章论述半导体中的缺陷态，重点介绍深能级的理论和实验；第三章介绍半导体的光学性质，包括光吸收、激子、发光和拉曼散射；第四章论述半导体表面，重点讨论清洁的外表面；第五章简单介绍异质结、量子阱、超晶格及Hall效应。每章末尾均附有参考文献，书末还附有读者必备的基础知识和常用数据等三个附录。
　　《凝聚态物理学丛书·典藏版：半导体物理学》是一部大专院校半导体物理专业研究生和高年级学生的教科书，同时也是凝聚态物理及其他有关领域的科研人员及研究生的参考书。

内页插图

目录

序言

第一章 完整晶体的能带理论
§1．1 预备知识
§1．2 正交化平面波（OPW）和赝势（pseudopotential）方法
§1．3 赝势方法进一步讨论
1．3．1 密度泛函理论
1．3．2 自洽赝势计算和规范保持（norm-conserving）赝势
1．3．3 交换和关联作用局域密度近似（LDA）和准粒子
1．3．4 晶体系统总能量和结构参数
§1．4 紧束缚近似或原子轨道线性组合近似（LCAO）
§1．5 k·p方法及有效质量
§1．6 自旋轨道耦合和由此引起的简并态的分裂
参考文献

第二章 半导体中的缺陷态
§2．1 引言
§2．2 对具有点缺陷的非理想晶体中的电子态的一般讨论
§2．3 浅能级的有效质量近似（EMT）
§2．4 深能级的集团模型（cluster）方法、Koster-Slater格林函数方法和负U中心
§2．5 载流子通过深能级间接复合动力学
§2．6 利用瞬态方法研究缺陷能级
2．6．1 半导体结势垒区（空间电荷区）的瞬变分析
2．6．2 等温条件下的瞬态分析
2．6．3 深能级瞬态谱（DLTS）方法
§2．7 磁共振方法研究深能级（EPR，ENDOR和ODMR）
2．7．1 缺陷电子与磁场的相互作用
2．7．2 超精细作用
2．7．3 电子顺磁共振实验
2．7．4 g张量
2．7．5 双共振（ENDOR）
2．7．6 光测磁共振（ODMR）
§2．8 深能级对载流子的复合机构——多声子无辐射复合
参考文献

第三章 半导体的光学性质
§3．1 固体宏观光学响应函数
3．1．1 光的传播
3．1．2 光的反射
3．1．3 光的透射
3．1．4 Kramers-Kronig色散关系
§3．2 靠近吸收边的本征吸收
3．2．1 直接跃迁吸收边
3．2．2 非直接跃迁吸收边
§3．3 激子（excitons）和激子效应
3．3．1 激子
3．3．2 激子效应对直接跃迁吸收边谱的影响
3．3．3 激子效应对非直接跃迁吸收边谱的影响
S 3．4 高能量跃迁
3．4．1 联合态密度和临界点
3．4．2 反射谱
3．4．3 调制反射谱
§3．5 缺陷态对应的光电离谱
§3．6 自由载流子吸收
3．6．1 带内跃迁
3．6．2 带间跃迁
§3．7 晶格吸收
§3．8 光发射
3．8．1 光场态密度及有关定义
3．8．2 受激吸收和发射，自发发射
3．8．3 各种发光过程（弱的自发辐射）
3．8．4 光吸收和光发射之间的关系，推广的Van Roosbroeck Shockley关系，光放大（强的发射）
§3．9 光的非弹性散射——拉曼散射
3．9．1 有关名词和经典图象
3．9．2 拉曼散射的量子力学图象
3．9．3 共振拉曼散射
3．9．4 受激拉曼散射
3．9．5 极化激元
参考文献

第四章 半导体表面
§4．1 引言
§4．2 表面晶格结构
4．2．1 二维周期性
4．2．2 表面重构
§4．3 表面电子态
4．3．1 一般讨论
4．3．2 自洽赝势方法
4．3．3 LCAO方法
4．3．4 格林函数方法
§4．4 对表面重构的进一步讨论
4．4．1 Si{100}2×1表面
4．4．2 Si{111}2×1表面
4．4．3 Si{111}7×7表面
§4．5 表面的实验研究方法
4．5．1 综述
4．5．2 光电子谱（PS）
4．5．3 低能电子衍射（LEED）
参考文献

第五章 异质结，量子阱，超晶格和量子Hall效应
§5．1 异质结的能带失调
§5．2 量子阱
5．2．1 量子阱中的束缚量子态
5．2．2 量子阱中的能态密度
5．2．3 量子阱中光跃迁对应的光吸收和发射
§5．3 超晶格
5．3．1 一般概念
5．3．2 利用LCAO方法、有效质量方法和赝势方法对超晶格能带结构作进一步讨论
§5．4 量子Hall效应
参考文献

附录A 群论知识备忘录
附录B 光和电子相互作用的量子理论
附录C 半导体物理研究中常用数据和图表
附录的参考文献

后记

前言/序言

　　随着我国半导体研究工作日益深入的发展，我越来越感到十分需要有一部能切实有助于我国研究人员加强理论基础、提高科学水平的半导体物理书籍。为此，大约在十年前，我曾答应科学出版社的编辑，我将努力在半导体研究所讲课的基础上，尝试写出一部适应这种需要的专著。但是，由于我当时担负一定的行政工作，又必须花较多的精力才能把自己的研究工作抓起来，以致已经开始的讲课也停顿了下来，尝试写书的打算自然也就落空了，后来，我有幸看到李名復教授在中国科技大学研究生院的一部分半导体物理讲义，读后，它给我留下深刻的印象，我深感讲义中所写的题材和讲解的风格，都有不同于已出版的几种半导体物理教学用书的特色，更加切合研究工作的需要，我当时曾表示，希望这本讲义能够成书出版。
　　现在我高兴地看到，李名復教授已在他讲课的基础上，经过几年的努力，在繁重的教学和科研工作之余，完成了本书的写作。我认为该书最大的特色是着眼于当代半导体物理研究发展的前沿。书中各章包括了大部分近年来研究最活跃的领域。本书对各个领域中研究工作所依据的主要理论以及采用的研究方法，都作了相当全面、具体的介绍。鉴于半导体研究发展特别迅速的特点，李名後教授还尽力使全书内容能反映各领域的最新进展。
　　由于本书在相当广的面上，涉及许多深入的、专门的问题，所以不可能像一般教科书那样，对所有问题都作详尽的讲解。李名後教授为此特别提供了可以作进一步了解和钻研的文献。
　　我深切希望科学出版社能克服困难，使本书早日出版，我相信，该书的出版必将受到广大半导体研究人员的欢迎，并对我国培养青年科技人才和半导体事业的发展作出重要的贡献。
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