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• 半导体物理学
• 北京大学
• 叶良修
• 第二版
• 高等教育出版社
• 物理学
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• 大学教材

店铺： 兰兴达图书专营店

出版社： 高等教育出版社

ISBN：9787040266252

商品编码：1527287403

 

半导体物理学(上)+半导体物理学(下)(第2版) 2本

1.半导体物理学 第二版 上册 书号：9787040225075
2.半导体物理学 第二版 下册 书号：9787040266252

半导体物理学(上) 

• 出版社: 高等教育出版社; 第2版 (2007年10月1日)
• 外文书名: 
• 精装: 646页
• 语种： 简体中文
• 开本: 16
• ISBN: 9787040225075
• 条形码: 9787040225075
• 商品尺寸: 24 x 17.4 x 3 cm
• 商品重量: 1.1 Kg

目录

重要符号表
第1章 晶格结构和结合性质
1.1 晶格的周期性
1.2 常见半导体的晶格结构
1.3 结合性质
1.4 晶格缺陷
1.5 半导体表面的再构
第1章参考文献

第2章 半导体中的电子状态
2.1 晶体中的能带
2.2 晶体中电子的运动 有效质量和有效质量近似
2.3 导电电子和空穴
2.4 常见半导体的能带结构
2.5 杂质和缺陷能级
2.6 局域态的晶格弛豫
2.7 重掺杂半导体
2.8 表面态
第2章参考文献

第3章 电子和空穴的统计平衡分布
3.1 费米分布函数
3.2 栽流子浓度对费米能的依赖关系
3.3 本征载流子浓度  
3.4 含单一能级杂质情形的统计  
3.5 补偿及多重能级情形的统计  
3.6 简并情形的统计
3.7 化学势和费米能
3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿  
附录3.1 若干半导体的等效态密度(300K)
第3章参考文献

第4章 电荷输运现象
4.1 电导和霍尔效应的分析  
4.2 载流子的散射
4.3 电导统计理论
4.4 霍尔效应的统计理论
4.5 磁阻
4.6 强电场下的载流子输运  
4.7 漂移速度过冲和近弹道输运
附录4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁
附录4.2 玻尔兹曼积分一微分方程和弛豫时间的存在性
附录4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系
第4章参考文献

第5章 过剩载流子
5.1 过剩栽流子及其产生和复合
5.2 过剩载流子的扩散
5.3 过剩载流子的漂移和扩散
5.4 双极扩散和双极漂移  
5.5 丹倍效应和光磁效应  
5.6 表面复合对寿命的影响  
5.7 复合机制和直接复合
5.8 间接复合
5.9 陷阱效应  
5.10 空间电荷的弛豫
第5章参考文献

第6章 接触现象

6.1 同质和异质pn结势垒
6.2 金属-半导体接触：肖特基势垒  
6.3 pn结电流：注入电流 势垒区产生复合电流
6.4 肖特基势垒电流 尖峰发射
6.5 势垒电容和扩散电容
6.6 隧道穿透势垒——隧道电流  
6.7 光生伏特效应
6.8 雪崩击穿和齐纳击穿  
第6章 参考文献

第7章 半导体表面层和MIS结构
7.1 半导体表面电荷层
7.2 MIS电容
7.3 界面态及其电容效应  
7.4 场效应和表面电导
7.5 表面复合
附录7.1 半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为ys函数的一般表示式
第7章参考文献

第8章 微结构和超晶格
8.1 半导体中的尺寸量子化和低维电子气  
8.2 微结构和超晶格的生长和形成  
8.3 二维电子气的电荷输运  
8.4 微结构中垂直于界面的输运 共振隧穿  
8.5 一维系统的输运介观输运
8.6 有关量子点的输运现象  
8.7 半导体超晶格
8.8 超晶格的输运
8.9 Rashba效应和自旋晶体管
8.10 碳纳米管
8.11 异质结构的带阶
8.12 晶格失配的异质结构
第8章参考文献

第9章 半导体的光吸收和光反射
9.1 光的吸收和基本吸收边
9.2 基本吸收与能带结构  
9.3 激子和激子吸收
9.4 杂质吸收
9.5 自由载流子吸收
9.6 晶格吸收和反射
第9章参考文献

第10章 半导体中的发光现象  
10.1 自发发射和受激发射
10.2 发光光谱
10.3 微结构和超晶格的光谱现象
10.4 发光二极管及相关问题
10.5 半导体激光器
10.6 单光子发射和量子点一微腔系统
第10章参考文献
索引
重要的物理常量

半导体物理学(下)(第2版) 

• 出版社: 高等教育出版社; 第2版 (2009年6月1日)
• 精装: 604页
• 语种： 简体中文
• 开本: 16
• ISBN: 9787040266252
• 条形码: 9787040266252
• 商品尺寸: 24 x 16.2 x 3.2 cm
• 商品重量: 998 g

目录

符号表
第11章 载流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽库仑势和电离杂质散射
§11.3 声学波形变势散射
§11.4 声学波压电散射
§11.5 光学波形变势散射和等价谷间散射
§11.6 极性光学波及其散射
§11.7 等离子体振荡和等离子体激元散射
§11.8 栽流子之间的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半导体中的各种散射机制
第11章 参考文献

第12章 半导体中的热现象
§12.1 半导体的热导
§12.2 热电效应及其相互联系
§12.3 温差电动势率
§12.4 热磁效应
§12.5 声子曳引效应
第12章 参考文献

第13章 复杂能带中的输运现象
§13.1 多谷带的电导、霍尔效应和磁阻
§13.2 半导体中的压阻效应
§13.3 声电效应
附录13.1 Herring-Vogt变换
第13章 参考文献

第14章 热载流子和相关现象
§14.1 热载流子和载流子温度模型
§14.2 能量弛豫机制和能量损失率
§14.3 蒙特卡罗模拟
§14.4 和谷间转移相关的热载流子输运现象
§14.5 雪崩击穿和碰撞电离
§14.6 热载流子的扩散
§14.7 激光产生的热载流子的弛豫
§14.8 研究载流子动态过程的超快光谱方法
§14.9 量子阱中热载流子的弛豫
§14.1 0量子阱中热激子的动态过程
§14.1 1量子点中电子空穴的弛豫
附录14.1 第二类修正贝塞尔函数
第14章 参考文献

第15章 强磁场输运和磁光现象
§15.1 磁量子化和自旋分裂
§15.2 纵向振荡磁阻
§15.3 横向振荡磁阻
§15.4 量子霍尔效应
§15.5 回旋共振
§15.6 磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻
§15.7 振荡磁吸收
§15.8 几种其它磁光效应
第15章 参考文献

第16章 半导体中自旋相关的现象
§16.1 自旋及其在磁场中的行为
§16.2 自旋-轨道相互作用
§16.3 稀磁半导体及其铁磁性
§16.4 电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象
§16.5 自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象
§16.6 自旋极化的电注入和探测
§16.7 自旋极化的弛豫
§16.8 核自旋超精细相互作用
§16.9 自旋和量子计算
§16.10 自旋共振和自旋一核双共振在半导体中的应用
第16章 参考文献

第17章 非晶态半导体
§17.1 非晶态半导体的结构
§17.2 非晶态半导体中的电子状态
§17.3 非晶态半导体中的输运现象
§17.4 非晶态半导体的光吸收
§17.5 非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应
§17.6 硫系非晶态半导体
第17章 参考文献

索引
《半导体物理学(上册)》的若干修改
感谢

 

电子信息科学前沿系列：固态物理导论 作者： 张伟 教授，李明 博士 出版社： 科学技术文献出版社 装帧： 平装，上下册，共计约 1200 页 定价： 350 元 --- 内容简介： 本书是为高等院校电子信息、材料科学、物理学等相关专业本科生和研究生精心编撰的《固态物理导论》教材。全书旨在系统、深入地介绍描述凝聚态物质宏观和微观性质的基础物理原理、理论模型和前沿研究方法。 本书摒弃了传统教材中过于侧重理论推导和繁复数学公式的倾向，而是将物理图像的建立和实际应用背景的理解置于核心地位。我们力求用清晰、严谨且富有启发性的语言，引导读者从原子和晶格的尺度出发，逐步理解固体材料的结构、能带、输运性质以及磁性、超导性等宏观量子现象。 上册：晶体结构与晶格动力学 上册聚焦于固体物理的基石——周期性结构和晶格振动。 第一部分：晶体结构基础 晶体学的基本概念： 从点阵、布拉维格子到晶体结构分类，详述了各种晶体结构的几何特性和对称性原理。我们详细介绍了倒易点阵的概念及其在X射线衍射分析中的重要作用，并通过丰富的实例（如面心立方、体心立方、金刚石结构）帮助读者建立直观的几何认知。 晶体衍射： 重点阐述了劳厄方程和布拉格定律的物理意义，并详细讨论了衍射图案的分析方法，包括粉末衍射在材料表征中的应用。 电子的能带理论基础： 引入布洛赫定理作为理解周期性势场中电子行为的核心工具。本部分推导了能带结构的形成机制，区分了绝缘体、半导体和导体的物理本质，并引入了有效质量的概念。 第二部分：晶格振动与热学性质 晶格振动（声子）： 这是理解固体热学和某些输运性质的关键。我们从一维、二维和三维晶格的简谐近似出发，系统推导了色散关系，引入了声子这一准粒子概念。重点讨论了声子的产生、吸收和散射过程。 热容量与热导率： 基于德拜模型和爱因斯坦模型，详细分析了晶体比热随温度的变化规律，并从声子散射理论出发，解释了晶格热导率的温度依赖性，特别强调了缺陷和晶界对热输运的抑制作用。 下册：电子性质、输运与前沿现象 下册将重点转向电子的运动、能带理论的深化应用以及宏观量子效应。 第三部分：电子输运理论与半导体物理 自由电子模型的局限与发展： 回顾了经典自由电子模型，并过渡到基于能带理论的有效质量近似。重点讨论了费米能级、电子和空穴的概念。 半导体物理核心： 深入分析了本征半导体和掺杂半导体的能带结构、载流子浓度分布及统计力学处理。详细阐述了 PN 结的形成、能带弯曲、耗尽层以及 PN 结二极管和三极管的基本工作原理。 输运方程： 引入玻尔兹曼输运方程，并讨论了弛豫时间近似下的电导率、霍尔效应和磁阻效应的理论描述。 第四部分：磁学与超导现象 固体磁性： 详细区分了抗磁性、顺磁性和铁磁性。深入讨论了朗之万理论、居里-外斯定律，并用分子场理论解释了铁磁性的自发磁化现象。引入了磁畴、磁晶各向异性和磁记录的基本概念。 超导电性： 本部分作为现代物理的亮点，重点介绍了宏观唯象的伦敦方程和BCS理论的核心思想——库珀对的形成及其能隙的物理意义。简要概述了第二类超导体、磁通钉扎以及高温超导体的发现背景与挑战。 第五部分：从紧束缚到拓扑（前沿展望） 本章简要引入了紧束缚近似在高能带计算中的应用，并对近年来凝聚态物理中的热门方向如拓扑绝缘体、二维材料（如石墨烯）的独特物理性质进行了概览，激发读者的研究兴趣。 本书特色： 1. 应用导向： 每一理论模型的引入都紧密联系于现代电子器件、光电器件或先进材料的实际需求。 2. 计算工具： 穿插了大量使用 Python 或 MATLAB 模拟晶格动力学和能带结构的示例代码片段，帮助读者掌握利用现代计算工具验证物理模型的技能。 3. 习题丰富： 每章末均配有分层次的习题，包括概念回顾、模型推导和开放性思考题，以巩固学习效果。 本书适合作为物理学、微电子学、光电信息工程、材料物理等专业本科高年级及研究生的核心教材或参考书。具备普通物理和大学数学基础的读者即可有效入门。

评分☆☆☆☆☆

我是一名对半导体技术充满好奇心的爱好者，虽然没有专业的背景，但一直很关注这个行业的发展。在网上搜索学习资料时，总是会反复看到“叶良修 半导体物理学”这个名字，并且评价都非常高。这次终于下定决心入手了这套第二版精装本。刚拿到书，就被其厚重和精美的装帧吸引了，这感觉比平时看的电子书要好太多了，捧在手里有一种学习的仪式感。虽然里面涉及很多物理和数学概念，对于我来说有些挑战，但我发现书中对这些概念的引入都比较自然，而且例题和习题也非常有代表性，能够帮助我巩固所学。我特别喜欢书中的一些图表，解释得非常到位，比如能带图的绘制和理解，还有载流子在电场中的运动轨迹。即便有时会遇到一些看不懂的公式，但通过前后文的联系和图示的辅助，我总能慢慢理解其含义。这套书就像一位循循善诱的老师，引导着我一步步走进半导体物理的奇妙世界。

评分☆☆☆☆☆

作为一名在半导体行业摸爬滚打了几年的工程师，一直觉得理论功底有所欠缺，尤其是在理解一些器件的深层工作原理时，总感觉隔靴搔痒。偶然的机会，朋友推荐了叶良修先生的这套《半导体物理学》，说是经典之作，一定要细读。拿到手后，发现果然名不虚传。书本的编排非常系统，从最基本的量子力学和固体物理基础开始，一步步推导出半导体材料的特性，然后深入到各种器件的物理模型。尤其让我印象深刻的是，书中对每一个概念的推导都非常详尽，一点点地引导读者去理解，而不是直接给出结论。这对于我这种需要将理论与实际相结合的人来说，非常宝贵。特别是关于载流子输运和杂质能级分布的章节，看得我醍醐灌顶，很多以前模棱两可的地方瞬间清晰了。虽然作为一本学术著作，阅读起来需要花费不少精力，但其带来的理论上的提升，绝对是物超所值的。

评分☆☆☆☆☆

在接触了多年的半导体设计工作后，我深刻体会到理论知识的重要性。很多时候，我们对电路行为的理解，往往局限于现象层面，而无法深入到其物理根源。因此，我一直想找一本能够系统梳理半导体物理知识的权威教材，最终选择了叶良修先生的这套《半导体物理学》。这套书的深度和严谨性是毋庸置疑的。书中对于各种物理模型的建立和推导，都做得非常扎实，能够帮助我们理解为什么某些现象会发生，以及如何通过改变材料或结构来优化器件性能。我特别喜欢书中对量子力学在半导体中的应用的讲解，这部分内容对于理解半导体材料的独特性至关重要。同时，书中对各种半导体器件的物理机制的阐述，也为我设计和分析电路提供了坚实的理论基础。这本书无疑是一部值得反复研读的经典之作，它的价值远远超过了其价格。

评分☆☆☆☆☆

这次入手的是叶良修先生的《半导体物理学》（第二版，上下册，精装本），早就听闻这套书在半导体领域的大名，作为一名初涉半导体领域的学生，我抱着极大的期待。收到书的时候，那沉甸甸的精装本就给人一种扎实的感觉，无论是纸张的质感还是印刷的清晰度，都属上乘，这对于需要反复研读的教材来说，无疑是加分项。翻开目录，内容安排循序渐进，从基础的晶体结构、能带理论，到载流子输运、半导体器件，再到更深入的掺杂、PN结、MOSFET等，几乎涵盖了半导体物理学的核心内容。书中的插图清晰直观，很多复杂的概念通过图示得到了很好的解释，这对于我这样需要形象化理解的读者来说，简直是福音。虽然才刚刚开始阅读，但已经被其严谨的逻辑和详实的论述所折服，相信通过对这套书的学习，能够为我在半导体领域打下坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

说实话，当初选择这套《半导体物理学》纯粹是因为它的名字和作者，叶良修先生在业界是响当当的人物，他的著作质量肯定有保证。这套书拿到手后，确实没有让我失望。从结构上来说，它非常完整，从基础的材料科学到复杂的器件模型，几乎涵盖了所有重要的半导体物理概念。我尤其欣赏的是它对数学推导的严谨性，每一个公式的出现都有其必然的逻辑，而且书中也给出了充分的解释，这对于想要深入理解半导体原理的读者来说，是非常重要的。例如，在讲解PN结的形成和特性时，书中对载流子扩散和漂移的详细分析，以及对费米能级、内建电势等概念的清晰阐述，都让我豁然开朗。虽然这本书的深度和广度都非常可观，需要投入大量的时间和精力去学习，但毫无疑问，它是任何一个想要在半导体领域有所建树的人不可或缺的参考书。