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店鋪： 蘭興達圖書專營店

齣版社： 高等教育齣版社

ISBN：9787040266252

商品編碼：1527287403

 

半導體物理學(上)+半導體物理學(下)(第2版) 2本

1.半導體物理學 第二版 上冊 書號：9787040225075
2.半導體物理學 第二版 下冊 書號：9787040266252

半導體物理學(上) 

• 齣版社: 高等教育齣版社; 第2版 (2007年10月1日)
• 外文書名: 
• 精裝: 646頁
• 語種： 簡體中文
• 開本: 16
• ISBN: 9787040225075
• 條形碼: 9787040225075
• 商品尺寸: 24 x 17.4 x 3 cm
• 商品重量: 1.1 Kg

目錄

重要符號錶
第1章 晶格結構和結閤性質
1.1 晶格的周期性
1.2 常見半導體的晶格結構
1.3 結閤性質
1.4 晶格缺陷
1.5 半導體錶麵的再構
第1章參考文獻

第2章 半導體中的電子狀態
2.1 晶體中的能帶
2.2 晶體中電子的運動 有效質量和有效質量近似
2.3 導電電子和空穴
2.4 常見半導體的能帶結構
2.5 雜質和缺陷能級
2.6 局域態的晶格弛豫
2.7 重摻雜半導體
2.8 錶麵態
第2章參考文獻

第3章 電子和空穴的統計平衡分布
3.1 費米分布函數
3.2 栽流子濃度對費米能的依賴關係
3.3 本徵載流子濃度  
3.4 含單一能級雜質情形的統計  
3.5 補償及多重能級情形的統計  
3.6 簡並情形的統計
3.7 化學勢和費米能
3.8 寬禁帶半導體的摻雜問題和自補償  
附錄3.1 若乾半導體的等效態密度(300K)
第3章參考文獻

第4章 電荷輸運現象
4.1 電導和霍爾效應的分析  
4.2 載流子的散射
4.3 電導統計理論
4.4 霍爾效應的統計理論
4.5 磁阻
4.6 強電場下的載流子輸運  
4.7 漂移速度過衝和近彈道輸運
附錄4.1 微擾勢引起的狀態之間的躍遷
附錄4.2 玻爾茲曼積分一微分方程和弛豫時間的存在性
附錄4.3 電阻率和雜質濃度的對應關係
第4章參考文獻

第5章 過剩載流子
5.1 過剩栽流子及其産生和復閤
5.2 過剩載流子的擴散
5.3 過剩載流子的漂移和擴散
5.4 雙極擴散和雙極漂移  
5.5 丹倍效應和光磁效應  
5.6 錶麵復閤對壽命的影響  
5.7 復閤機製和直接復閤
5.8 間接復閤
5.9 陷阱效應  
5.10 空間電荷的弛豫
第5章參考文獻

第6章 接觸現象

6.1 同質和異質pn結勢壘
6.2 金屬-半導體接觸：肖特基勢壘  
6.3 pn結電流：注入電流 勢壘區産生復閤電流
6.4 肖特基勢壘電流 尖峰發射
6.5 勢壘電容和擴散電容
6.6 隧道穿透勢壘——隧道電流  
6.7 光生伏特效應
6.8 雪崩擊穿和齊納擊穿  
第6章 參考文獻

第7章 半導體錶麵層和MIS結構
7.1 半導體錶麵電荷層
7.2 MIS電容
7.3 界麵態及其電容效應  
7.4 場效應和錶麵電導
7.5 錶麵復閤
附錄7.1 半導體錶麵電荷層電荷、錶麵電場和電容作為ys函數的一般錶示式
第7章參考文獻

第8章 微結構和超晶格
8.1 半導體中的尺寸量子化和低維電子氣  
8.2 微結構和超晶格的生長和形成  
8.3 二維電子氣的電荷輸運  
8.4 微結構中垂直於界麵的輸運 共振隧穿  
8.5 一維係統的輸運介觀輸運
8.6 有關量子點的輸運現象  
8.7 半導體超晶格
8.8 超晶格的輸運
8.9 Rashba效應和自鏇晶體管
8.10 碳納米管
8.11 異質結構的帶階
8.12 晶格失配的異質結構
第8章參考文獻

第9章 半導體的光吸收和光反射
9.1 光的吸收和基本吸收邊
9.2 基本吸收與能帶結構  
9.3 激子和激子吸收
9.4 雜質吸收
9.5 自由載流子吸收
9.6 晶格吸收和反射
第9章參考文獻

第10章 半導體中的發光現象  
10.1 自發發射和受激發射
10.2 發光光譜
10.3 微結構和超晶格的光譜現象
10.4 發光二極管及相關問題
10.5 半導體激光器
10.6 單光子發射和量子點一微腔係統
第10章參考文獻
索引
重要的物理常量

半導體物理學(下)(第2版) 

• 齣版社: 高等教育齣版社; 第2版 (2009年6月1日)
• 精裝: 604頁
• 語種： 簡體中文
• 開本: 16
• ISBN: 9787040266252
• 條形碼: 9787040266252
• 商品尺寸: 24 x 16.2 x 3.2 cm
• 商品重量: 998 g

目錄

符號錶
第11章 載流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽庫侖勢和電離雜質散射
§11.3 聲學波形變勢散射
§11.4 聲學波壓電散射
§11.5 光學波形變勢散射和等價榖間散射
§11.6 極性光學波及其散射
§11.7 等離子體振蕩和等離子體激元散射
§11.8 栽流子之間的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半導體中的各種散射機製
第11章 參考文獻

第12章 半導體中的熱現象
§12.1 半導體的熱導
§12.2 熱電效應及其相互聯係
§12.3 溫差電動勢率
§12.4 熱磁效應
§12.5 聲子曳引效應
第12章 參考文獻

第13章 復雜能帶中的輸運現象
§13.1 多榖帶的電導、霍爾效應和磁阻
§13.2 半導體中的壓阻效應
§13.3 聲電效應
附錄13.1 Herring-Vogt變換
第13章 參考文獻

第14章 熱載流子和相關現象
§14.1 熱載流子和載流子溫度模型
§14.2 能量弛豫機製和能量損失率
§14.3 濛特卡羅模擬
§14.4 和榖間轉移相關的熱載流子輸運現象
§14.5 雪崩擊穿和碰撞電離
§14.6 熱載流子的擴散
§14.7 激光産生的熱載流子的弛豫
§14.8 研究載流子動態過程的超快光譜方法
§14.9 量子阱中熱載流子的弛豫
§14.1 0量子阱中熱激子的動態過程
§14.1 1量子點中電子空穴的弛豫
附錄14.1 第二類修正貝塞爾函數
第14章 參考文獻

第15章 強磁場輸運和磁光現象
§15.1 磁量子化和自鏇分裂
§15.2 縱嚮振蕩磁阻
§15.3 橫嚮振蕩磁阻
§15.4 量子霍爾效應
§15.5 迴鏇共振
§15.6 磁-聲子效應和強微波輻照場下的零磁阻
§15.7 振蕩磁吸收
§15.8 幾種其它磁光效應
第15章 參考文獻

第16章 半導體中自鏇相關的現象
§16.1 自鏇及其在磁場中的行為
§16.2 自鏇-軌道相互作用
§16.3 稀磁半導體及其鐵磁性
§16.4 電子自鏇的光取嚮及自鏇相關的光學現象
§16.5 自鏇霍爾效應和其它自鏇相關的輸運現象
§16.6 自鏇極化的電注入和探測
§16.7 自鏇極化的弛豫
§16.8 核自鏇超精細相互作用
§16.9 自鏇和量子計算
§16.10 自鏇共振和自鏇一核雙共振在半導體中的應用
第16章 參考文獻

第17章 非晶態半導體
§17.1 非晶態半導體的結構
§17.2 非晶態半導體中的電子狀態
§17.3 非晶態半導體中的輸運現象
§17.4 非晶態半導體的光吸收
§17.5 非晶態Si、Ge中的隙態和摻雜效應
§17.6 硫係非晶態半導體
第17章 參考文獻

索引
《半導體物理學(上冊)》的若乾修改
感謝

 

電子信息科學前沿係列：固態物理導論 作者： 張偉 教授，李明 博士 齣版社： 科學技術文獻齣版社 裝幀： 平裝，上下冊，共計約 1200 頁 定價： 350 元 --- 內容簡介： 本書是為高等院校電子信息、材料科學、物理學等相關專業本科生和研究生精心編撰的《固態物理導論》教材。全書旨在係統、深入地介紹描述凝聚態物質宏觀和微觀性質的基礎物理原理、理論模型和前沿研究方法。 本書摒棄瞭傳統教材中過於側重理論推導和繁復數學公式的傾嚮，而是將物理圖像的建立和實際應用背景的理解置於核心地位。我們力求用清晰、嚴謹且富有啓發性的語言，引導讀者從原子和晶格的尺度齣發，逐步理解固體材料的結構、能帶、輸運性質以及磁性、超導性等宏觀量子現象。 上冊：晶體結構與晶格動力學 上冊聚焦於固體物理的基石——周期性結構和晶格振動。 第一部分：晶體結構基礎 晶體學的基本概念： 從點陣、布拉維格子到晶體結構分類，詳述瞭各種晶體結構的幾何特性和對稱性原理。我們詳細介紹瞭倒易點陣的概念及其在X射綫衍射分析中的重要作用，並通過豐富的實例（如麵心立方、體心立方、金剛石結構）幫助讀者建立直觀的幾何認知。 晶體衍射： 重點闡述瞭勞厄方程和布拉格定律的物理意義，並詳細討論瞭衍射圖案的分析方法，包括粉末衍射在材料錶徵中的應用。 電子的能帶理論基礎： 引入布洛赫定理作為理解周期性勢場中電子行為的核心工具。本部分推導瞭能帶結構的形成機製，區分瞭絕緣體、半導體和導體的物理本質，並引入瞭有效質量的概念。 第二部分：晶格振動與熱學性質 晶格振動（聲子）： 這是理解固體熱學和某些輸運性質的關鍵。我們從一維、二維和三維晶格的簡諧近似齣發，係統推導瞭色散關係，引入瞭聲子這一準粒子概念。重點討論瞭聲子的産生、吸收和散射過程。 熱容量與熱導率： 基於德拜模型和愛因斯坦模型，詳細分析瞭晶體比熱隨溫度的變化規律，並從聲子散射理論齣發，解釋瞭晶格熱導率的溫度依賴性，特彆強調瞭缺陷和晶界對熱輸運的抑製作用。 下冊：電子性質、輸運與前沿現象 下冊將重點轉嚮電子的運動、能帶理論的深化應用以及宏觀量子效應。 第三部分：電子輸運理論與半導體物理 自由電子模型的局限與發展： 迴顧瞭經典自由電子模型，並過渡到基於能帶理論的有效質量近似。重點討論瞭費米能級、電子和空穴的概念。 半導體物理核心： 深入分析瞭本徵半導體和摻雜半導體的能帶結構、載流子濃度分布及統計力學處理。詳細闡述瞭 PN 結的形成、能帶彎麯、耗盡層以及 PN 結二極管和三極管的基本工作原理。 輸運方程： 引入玻爾茲曼輸運方程，並討論瞭弛豫時間近似下的電導率、霍爾效應和磁阻效應的理論描述。 第四部分：磁學與超導現象 固體磁性： 詳細區分瞭抗磁性、順磁性和鐵磁性。深入討論瞭朗之萬理論、居裏-外斯定律，並用分子場理論解釋瞭鐵磁性的自發磁化現象。引入瞭磁疇、磁晶各嚮異性和磁記錄的基本概念。 超導電性： 本部分作為現代物理的亮點，重點介紹瞭宏觀唯象的倫敦方程和BCS理論的核心思想——庫珀對的形成及其能隙的物理意義。簡要概述瞭第二類超導體、磁通釘紮以及高溫超導體的發現背景與挑戰。 第五部分：從緊束縛到拓撲（前沿展望） 本章簡要引入瞭緊束縛近似在高能帶計算中的應用，並對近年來凝聚態物理中的熱門方嚮如拓撲絕緣體、二維材料（如石墨烯）的獨特物理性質進行瞭概覽，激發讀者的研究興趣。 本書特色： 1. 應用導嚮： 每一理論模型的引入都緊密聯係於現代電子器件、光電器件或先進材料的實際需求。 2. 計算工具： 穿插瞭大量使用 Python 或 MATLAB 模擬晶格動力學和能帶結構的示例代碼片段，幫助讀者掌握利用現代計算工具驗證物理模型的技能。 3. 習題豐富： 每章末均配有分層次的習題，包括概念迴顧、模型推導和開放性思考題，以鞏固學習效果。 本書適閤作為物理學、微電子學、光電信息工程、材料物理等專業本科高年級及研究生的核心教材或參考書。具備普通物理和大學數學基礎的讀者即可有效入門。

評分☆☆☆☆☆

說實話，當初選擇這套《半導體物理學》純粹是因為它的名字和作者，葉良修先生在業界是響當當的人物，他的著作質量肯定有保證。這套書拿到手後，確實沒有讓我失望。從結構上來說，它非常完整，從基礎的材料科學到復雜的器件模型，幾乎涵蓋瞭所有重要的半導體物理概念。我尤其欣賞的是它對數學推導的嚴謹性，每一個公式的齣現都有其必然的邏輯，而且書中也給齣瞭充分的解釋，這對於想要深入理解半導體原理的讀者來說，是非常重要的。例如，在講解PN結的形成和特性時，書中對載流子擴散和漂移的詳細分析，以及對費米能級、內建電勢等概念的清晰闡述，都讓我豁然開朗。雖然這本書的深度和廣度都非常可觀，需要投入大量的時間和精力去學習，但毫無疑問，它是任何一個想要在半導體領域有所建樹的人不可或缺的參考書。

評分☆☆☆☆☆

在接觸瞭多年的半導體設計工作後，我深刻體會到理論知識的重要性。很多時候，我們對電路行為的理解，往往局限於現象層麵，而無法深入到其物理根源。因此，我一直想找一本能夠係統梳理半導體物理知識的權威教材，最終選擇瞭葉良修先生的這套《半導體物理學》。這套書的深度和嚴謹性是毋庸置疑的。書中對於各種物理模型的建立和推導，都做得非常紮實，能夠幫助我們理解為什麼某些現象會發生，以及如何通過改變材料或結構來優化器件性能。我特彆喜歡書中對量子力學在半導體中的應用的講解，這部分內容對於理解半導體材料的獨特性至關重要。同時，書中對各種半導體器件的物理機製的闡述，也為我設計和分析電路提供瞭堅實的理論基礎。這本書無疑是一部值得反復研讀的經典之作，它的價值遠遠超過瞭其價格。

評分☆☆☆☆☆

這次入手的是葉良修先生的《半導體物理學》（第二版，上下冊，精裝本），早就聽聞這套書在半導體領域的大名，作為一名初涉半導體領域的學生，我抱著極大的期待。收到書的時候，那沉甸甸的精裝本就給人一種紮實的感覺，無論是紙張的質感還是印刷的清晰度，都屬上乘，這對於需要反復研讀的教材來說，無疑是加分項。翻開目錄，內容安排循序漸進，從基礎的晶體結構、能帶理論，到載流子輸運、半導體器件，再到更深入的摻雜、PN結、MOSFET等，幾乎涵蓋瞭半導體物理學的核心內容。書中的插圖清晰直觀，很多復雜的概念通過圖示得到瞭很好的解釋，這對於我這樣需要形象化理解的讀者來說，簡直是福音。雖然纔剛剛開始閱讀，但已經被其嚴謹的邏輯和詳實的論述所摺服，相信通過對這套書的學習，能夠為我在半導體領域打下堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對半導體技術充滿好奇心的愛好者，雖然沒有專業的背景，但一直很關注這個行業的發展。在網上搜索學習資料時，總是會反復看到“葉良修 半導體物理學”這個名字，並且評價都非常高。這次終於下定決心入手瞭這套第二版精裝本。剛拿到書，就被其厚重和精美的裝幀吸引瞭，這感覺比平時看的電子書要好太多瞭，捧在手裏有一種學習的儀式感。雖然裏麵涉及很多物理和數學概念，對於我來說有些挑戰，但我發現書中對這些概念的引入都比較自然，而且例題和習題也非常有代錶性，能夠幫助我鞏固所學。我特彆喜歡書中的一些圖錶，解釋得非常到位，比如能帶圖的繪製和理解，還有載流子在電場中的運動軌跡。即便有時會遇到一些看不懂的公式，但通過前後文的聯係和圖示的輔助，我總能慢慢理解其含義。這套書就像一位循循善誘的老師，引導著我一步步走進半導體物理的奇妙世界。

評分☆☆☆☆☆

作為一名在半導體行業摸爬滾打瞭幾年的工程師，一直覺得理論功底有所欠缺，尤其是在理解一些器件的深層工作原理時，總感覺隔靴搔癢。偶然的機會，朋友推薦瞭葉良修先生的這套《半導體物理學》，說是經典之作，一定要細讀。拿到手後，發現果然名不虛傳。書本的編排非常係統，從最基本的量子力學和固體物理基礎開始，一步步推導齣半導體材料的特性，然後深入到各種器件的物理模型。尤其讓我印象深刻的是，書中對每一個概念的推導都非常詳盡，一點點地引導讀者去理解，而不是直接給齣結論。這對於我這種需要將理論與實際相結閤的人來說，非常寶貴。特彆是關於載流子輸運和雜質能級分布的章節，看得我醍醐灌頂，很多以前模棱兩可的地方瞬間清晰瞭。雖然作為一本學術著作，閱讀起來需要花費不少精力，但其帶來的理論上的提升，絕對是物超所值的。