9787560345130 半导体物理性能手册 卷 哈尔滨工业大学出版社 (日)足立贞夫 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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日足立贞夫 著

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• 哈尔滨工业大学出版社
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出版社： 哈尔滨工业大学出版社

ISBN：9787560345130

商品编码：29540105652

包装：平装

出版时间：2014-04-01

基本信息

书名：半导体物理性能手册 卷

定价：198.00元

作者：(日)足立贞夫

出版社：哈尔滨工业大学出版社

出版日期：2014-04-01

ISBN：9787560345130

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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《半导体物理性能手册(卷)(英文版)》系Springer手册精选原版系列。《半导体物理性能手册(卷)(英文版)》主要包括Diamond（C）、Silicon（Si）、Germanium（C）、Gray Tin（a—Sn）、Cubic Silicon Carbide（3C—SiC）、Hexagonal Silicon Carbide（2H—，4H—，6H—SiC，etc.）、Rhombohedral Silicon Carbide（15R—，21R—，24R—SiC，etc.）等内容。

目录

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Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
1 Diamond （C）
1.1 Structural Properties
1.1.1 Ionicity
1.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
1.1.3 Crystal Structure and Space Group
1.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
1.1.5 Structural Phase Transition
1.1.6 Cleavage Plane
1.2 Thermal Properties
1.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
1.2.2 Specific Heat
1.2.3 Debye Temperature
1.2.4 Thermal Expansion Coefficient
1.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
1.3 Elastic Properties
1.3.1 Elastic Constant
1.3.2 Third—Order Elastic Constant
1.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
1.3.4 Microhardness
1.3.5 Sound Velocity
1.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
1.4.1 Phonon Dispersion Relation
1.4.2 Phonon Frequency
1.4.3 Mode Gruneisen Parameter
1.4.4 Phonon Deformation Potential
1.5 Collective Effects and Related Properties
1.5.1 Piezoelectric Constant
1.5.2 Frohlich Coupling Constant
1.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
1.6.1 Basic Properties
1.6.2 E0—Gap Region
1.6.3 Higher—Lying Direct Gap
1.6.4 Lowest Indirect Gap
1.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
1.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
1.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
1.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley
1.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
1.7.3 Hole Effective Mass
1.8 Electronic Deformation Potential
1.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
1.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
1.8.3 Intervalley Deformation Potential
1.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
1.9.1 Electron Affinity
1.9.2 Schottky Barrier Height
1.10 Optical Properties
1.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
1.10.2 The Reststrahlen Region
1.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
1.10.4 The Interband Transition Region
1.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
1.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
1.11.1 Elastooptic Effect
1.11.2 Linear Electrooptic Constant
1.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
1.11.4 Franz—Keldysh Effect
1.11.5 Nonlinear Optical Constant
1.12 Carrier Transport Properties
1.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
1.12.2 Low—Field Mobility： Holes
1.12.3 High—Field Transport： Electrons
1.12.4 High—Field Transport： Holes
1.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in ρ—Type Materials
1.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
1.12.7 Impact Ionization Coefficient

2 Silicon （Si）
2.1 Structural Properties
2.1.1 Ionicity
2.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
2.1.3 Crystal Structure and Space Group
2.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
2.1.5 Structural Phase Transition
2.1.6 Cleavage Plane
2.2 Thermal Properties
2.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
2.2.2 Specific Heat
2.2.3 Debye Temperature
2.2.4 Thermal Expansion Coefficient
2.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
2.3 Elastic Properties
2.3.1 Elastic Constant
2.3.2 Third—Order Elastic Constant
2.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
2.3.4 Microhardness
2.3.5 Sound Velocity
2.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
2.4.1 Phonon Dispersion Relation
2.4.2 Phonon Frequency
2.4.3 Mode Gruneisen Parameter
2.4.4 Phonon Deformation Potential
2.5 Collective Effects and Related Properties
2.5.1 Piezoelectric Constant
2.5.2 Frohlich Coupling Constant
2.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
2.6.1 Basic Properties
2.6.2 E0—Gap Region
2.6.3 Higher—Lying Direct Gap
2.6.4 Lowest Indirect Gap
2.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
2.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
2.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
2.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley
2.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
2.7.3 Hole Effective Mass
2.8 Electronic Deformation Potential
2.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
2.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
2.8.3 Intervalley Deformation Potential
2.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
2.9.1 Electron Affinity
2.9.2 Schottky Barrier Height
2.10 Optical Properties
2.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
2.10.2 The Reststrahlen Region
2.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
2.10.4 The Interband Transition Region
2.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
2.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
2.11.1 Elastooptic Effect
2.11.2 Linear Electrooptic Constant
2.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
2.11.4 Franz—Keldysh Effect
2.11.5 Nonlinear Optical Constant
2.12 Carrier Transport Properties
2.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
2.12.2 Low—Field Mobility： Holes
2.12.3 High—Field Transport： Electrons
2.12.4 High—Field Transport： Holes
2.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials
2.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
2.12.7 Impact Ionization Coefficient

3 Germanium （C）
3.1 Structural Properties
3.1.1 Ionicity
3.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
3.1.3 Crystal Structure and Space Group
3.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
3.1.5 Structural Phase Transition
3.1.6 Cleavage Plane
3.2 Thermal Properties
3.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
3.2.2 Specific Heat
3.2.3 Debye Temperature
3.2.4 Thermal Expansion Coefficient
3.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
3.3 Elastic Properties
3.3，1 Elastic Constant
3.3.2 Third—Order Elastic Constant
3.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
3.3.4 Microhardness
3.3.5 Sound Velocity
3.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
3.4.1 Phonon Dispersion Relation
3.4.2 Phonon Frequency
3.4.3 Mode Gruneisen Parameter
3.4.4 Phonon Deformation Potential
3.5 Collective Effects and Related Properties
3.5.1 Piezoelectric Constant
3.5.2 Frohlich Coupling Constant
3.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
3.6.1 Basic Properties
3.6.2 Eo—Gap Region
3.6.3 Higher—Lying Direct Gap
3.6.4 Lowest Indirect Gap
3.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
3.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
3.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
3.7.1 Electron Effective Mass： F Valiey
3.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
3.7.3 Hole Effective Mass
3.8 Electronic Deformation Potential
3.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
3.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
3.8.3 Intervalley Deformation Potential
3.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
3.9.1 Electron Affinity
3.9.2 Schottky Barrier Height
3.10 Optical Properties
3.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
3.10.2 The Reststrahlen Region
3.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
3.10.4 The Interband Transition Region
3.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
3.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
3.11.1 Elastooptic Effect
3.11.2 Linear Electrooptic Constant
3.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
3.11.4 Franz—Keldysh Effect
3.11.5 Nonlinear Optical Constant
3.12 Carrier Transport Properties
3.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
3.12.2 Low—Field Mobility： Holes
3.12.3 High—Field Transport： Electrons
3.12.4 High—Field Transport： Holes
3.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials
3.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
3.12.7 Impact Ionization Coefficient

4 Gray Tin （a—Sn）
4.1 Structural Properties
4.1.1 lonicity
4.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight
4.1.3 Crystal Structure and Space Group
4.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters
4.1.5 Structural Phase Transition
4.1.6 Cleavage Plane
4.2 Thermal Properties
4.2.1 Melting Point and Its Related Parameters
4.2.2 Specific Heat
4.2.3 Debye Temperature
4.2.4 Thermal Expansion Coefficient
4.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity
4.3 Elastic Properties
4.3.1 Elastic Constant
4.3.2 Third—Order Elastic Constant
4.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
4.3.4 Microhardness
4.3.5 Sound Velocity
4.4 Phonons and Lattice Vibronic Properties
4.4.1 Phonon Dispersion Relation
4.4.2 Phonon Frequency
4.4.3 Mode Gruneisen Parameter
4.4.4 Phonon Deformation Potential
4.5 Collective Effects and Related Properties
4.5.1 Piezoelectric Constant
4.5.2 Frohlich Coupling Constant
4.6 Energy—Band Structure： Energy—Band Gaps
4.6.1 Basic Properties
4.6.2 Eo—Gap Region
4.6.3 Higher—Lying Direct Gap
4.6.4 Lowest Indirect Gap
4.6.5 Conduction—Valley Energy Separation
4.6.6 Direct—Indirect—Gap Transition Pressure
4.7 Energy—Band Structure： Electron and Hole Effective Masses
4.7.1 Electron Effective Mass： Γ Valley
4.7.2 Electron Effective Mass： Satellite Valley
4.7.3 Hole Effective Mass
4.8 Electronic Deformation Potential
4.8.1 Intravalley Deformation Potential： Γ Point
4.8.2 Intravalley Deformation Potential： High—Symmetry Points
4.8.3 Intervalley Deformation Potential
4.9 Electron Affinity and Schottky Barrier Height
4.9.1 Electron Affinity
4.9.2 Schottky Barrier Height
4.10 Optical Properties
4.10.1 Summary of Optical Dispersion Relations
4.10.2 The Reststrahlen Region
4.10.3 At or Near the Fundamental Absorption Edge
4.10.4 The Interband Transition Region
4.10.5 Free—Carrier Absorption and Related Phenomena
4.11 Elastooptic， Electrooptic， and Nonlinear Optical Properties
4.11.1 Elastooptic Effect
4.11.2 Linear Electrooptic Constant
4.11.3 Quadratic Electrooptic Constant
4.11.4 Franz—Keldysh Effect
4.11.5 Nonlinear Optical Constant
4.12 Carrier Transport Properties
4.12.1 Low—Field Mobility： Electrons
4.12.2 Low—Field Mobility： Holes
4.12.3 High—Field Transport： Electrons
4.12.4 High—Field Transport： Holes
4.12.5 Minority—Carrier Transport： Electrons in p—Type Materials
4.12.6 Minority—Carrier Transport： Holes in n—Type Materials
4.12.7 Impact Ionization Coefficient
……
5 Cubic Silicon Carbide （3C—SiC）
6 Hexagonal Silicon Carbide （2H—， 4H—， 6H—SiC， etc.）
7 Rhombohedral Silicon Carbide （15R—， 21R—， 24R—SiC， etc.）

作者介绍

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文摘

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序言

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《光学成像原理与技术》 内容概要 本书深入探讨了光学成像的基本原理、核心技术及其在各个领域的广泛应用。全书共分十二章，以清晰的逻辑结构，从基础概念到前沿技术，层层递进，旨在为读者构建一个全面而系统的光学成像知识体系。 第一章 光的波动性与几何光学基础 本章首先回顾了光的波动理论，重点阐述了衍射和干涉现象，为理解光学成像中的分辨率和成像质量奠定理论基础。随后，着重介绍了几何光学的基本定律，包括光的直线传播、反射和折射定律。在此基础上，详细讲解了透镜和反射镜的成像原理，如焦距、物距、像距之间的关系，以及实像和虚像的形成。通过对各种理想光学元件的分析，为后续章节的复杂成像系统搭建了基础框架。 第二章 像差与成像质量评价 光学系统并非完美，各种像差的存在会严重影响成像质量。本章系统地介绍了光学系统中常见的五种基本像差，包括球差、慧差、像散、场曲和畸变。对于每一种像差，都详细阐述了其产生的原因、在成像过程中的具体表现以及如何通过设计和校正来减小其影响。此外，本章还引入了 MTF（调制传递函数）和 PSF（点扩散函数）等现代成像质量评价方法，让读者了解如何定量地评估光学系统的成像性能。 第三章 常见的成像光学系统 基于前两章的理论基础，本章将目光投向了实际应用中常见的各种成像光学系统。这包括了显微镜系统，从简单的复式显微镜到复杂的电子显微镜，介绍了其放大原理、分辨率极限以及不同类型的显微技术。接着，详细讲解了望远镜系统，包括折射望远镜和反射望远镜的结构与成像原理，以及其在天文观测和地面观测中的应用。此外，还讨论了相机镜头（包括单反相机、手机摄像头等）的设计原理、光圈、快门等关键参数对成像的影响。 第四章 数字图像的形成与处理 随着数字技术的飞速发展，光学成像与数字处理的结合日益紧密。本章介绍了数字图像的形成过程，包括图像的采样和量化，以及数字图像的基本表示方法。随后，深入探讨了数字图像处理的基础技术，例如图像增强（对比度拉伸、直方图均衡化）、图像复原（去噪、去模糊）以及图像分割等。这些技术是后续章节中各种先进成像技术的基础。 第五章 衍射成像原理 衍射是光波的重要特性，也是限制光学分辨率的根本因素。本章深入剖析了衍射成像的原理，详细介绍了夫琅禾费衍射和菲涅耳衍射在成像中的作用。通过对瑞利判据的讨论，进一步阐述了光学分辨率的极限。本章还介绍了全息术，包括全息图的记录和再现原理，以及全息成像的独特优势，如三维成像和信息存储。 第六章 相干光成像 相干光（如激光）因其高度的单色性和方向性，在成像技术中扮演着越来越重要的角色。本章详细介绍了相干光成像的特点和优势，包括相干成像的原理、干涉条纹的形成以及如何利用相干光进行高分辨率成像。本章还探讨了干涉测量技术在精密测量和形貌检测中的应用，例如激光干涉仪的工作原理。 第七章 传感器技术与成像 现代光学成像离不开高性能的图像传感器。本章详细介绍了目前主流的图像传感器技术，包括 CCD（电荷耦合器件）和 CMOS（互补金属氧化物半导体）传感器的结构、工作原理、性能指标（如量子效率、噪声、动态范围）以及它们在不同应用场景下的优劣势。此外，还介绍了其他新兴的传感器技术，如 SPAD（单光子雪崩二极管）等。 第八章 光学成像系统的设计与优化 设计一个高性能的光学成像系统是一个复杂而精密的工程。本章系统地介绍了光学系统设计的基本流程，包括需求分析、初步设计、像差校正以及系统优化。通过对光学设计软件（如 ZEMAX, Code V 等）的介绍，让读者了解现代光学设计工具的应用。本章还将重点讲解如何根据不同的应用需求，选择合适的透镜组合、优化元件参数，以实现最佳的成像效果。 第九章 特殊成像技术 除了传统的光学成像，本章还介绍了一些具有特殊功能的成像技术。这包括了远红外成像、紫外成像、X射线成像等，阐述了它们的基本原理、成像机制以及在医学诊断、工业检测、安全监控等领域的应用。此外，还介绍了微透镜阵列成像、超材料成像等前沿技术，为读者展示光学成像的无限可能。 第十章 计算成像 计算成像技术将光学系统与强大的计算能力相结合，突破了传统成像的物理限制。本章详细介绍了计算成像的原理，包括如何通过采集多幅受控的图像，然后利用算法重构出高质量的图像。这包括了光场成像、超分辨率成像、计算摄影学等内容。读者将了解如何通过算法的设计，实现传统光学系统难以达到的成像效果。 第十一章 医学成像技术 光学成像在医学领域的应用至关重要。本章将重点介绍医学成像中的重要技术，如内窥镜成像、共聚焦显微成像、光学相干层析成像（OCT）以及各种生物成像技术。详细阐述了这些技术如何用于疾病的诊断、治疗和研究。 第十二章 光学成像技术的未来发展趋势 展望未来，光学成像技术将继续朝着更高分辨率、更高灵敏度、更强功能化和更智能化方向发展。本章将探讨一些新兴的成像技术和发展趋势，如深度学习在图像处理中的应用、生物启发式成像、集成式成像系统以及光子计数成像等。通过对这些前沿技术的介绍，激发读者对光学成像领域未来发展的思考和探索。 总结 《光学成像原理与技术》以其严谨的学术性、系统的知识结构和丰富的实例，力求为读者提供一个深入理解光学成像世界的平台。本书适合光学、物理、电子工程、仪器科学、生物医学工程等相关专业的学生、科研人员和工程师阅读。通过学习本书，读者将能够掌握光学成像的核心原理，理解各种成像技术的优缺点，并能将其应用于实际问题的解决和创新。

评分☆☆☆☆☆

作为一个长期在项目一线摸爬滚打的工程师，我发现这本书的实用性远超我的预期。它不仅仅是一本理论参考书，更像是一本高级的“故障排除指南”。在描述完材料特性之后，紧接着的章节往往会深入到实际器件工作中的关键瓶颈和限制因素。比如，当讨论到MOSFET的阈值电压不理想时，书中会立刻引导读者回顾材料掺杂的均匀性、界面态密度以及栅氧的缺陷这些实际制造中极易出现问题的环节。这种将理论与工程实践紧密结合的写作风格，使得这本书的每一页都充满了解决实际问题的智慧。它不像某些学术著作那样高悬于理论的云端，而是牢牢地扎根于半导体工艺的现实土壤之中，让我感觉手中的这本书，随时都能指导我解决生产线上遇到的棘手难题。

评分☆☆☆☆☆

这本书的整体阅读体验，给我带来了一种久违的“学术的深度感”。在现今这个信息碎片化的时代，我们很少能接触到如此结构完整、内容详实的系统性著作。作者在组织材料时，不仅关注了横向的广度——涵盖了从基础半导体到器件物理的各个层面，更注重了纵向的深度——对每一个核心概念都进行了多角度、多层次的剖析。读完一章，我总有一种意犹未尽的感觉，不是因为内容不足，而是因为作者引导我看到了更深层次的问题和未来的研究方向。这种启发性，是任何网络搜索或速查手册都无法比拟的。它不仅告诉我“是什么”，更重要的是，它教会了我“为什么是这样”，从而真正提升了我对整个半导体领域的底层认知框架。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计简直是一场视觉的盛宴，色彩搭配得恰到好处，那种深邃的蓝色调，混合着一些科技感的线条和光斑，让人一眼就能感受到它蕴含的专业性。我特别喜欢封面上那种略带磨砂质感的处理，拿在手里沉甸甸的，很有分量感，这让我对里面的内容充满了期待。装帧质量也是一流的，纸张的厚度和光洁度都非常适中，印刷清晰锐利，即便是复杂的图表和公式，看起来也毫无压力。我已经翻阅了前几页的目录和前言，那种严谨的学术态度扑面而来，能感受到作者在组织结构上的匠心独运，每一个章节的逻辑衔接都仿佛经过了千锤百炼，旨在为读者构建一个扎实且无懈可击的知识体系。对于我们这种需要频繁查阅权威资料的研究人员来说，一本实体书的物理质感和排版带来的阅读体验，是任何电子文档都无法替代的，它不仅仅是一本工具书，更像是一件值得珍藏的艺术品。

评分☆☆☆☆☆

这本书的细节处理上，体现出了出版方和作者对于专业读者的深刻理解。我注意到，在涉及关键参数和实验数据的部分，作者非常慷慨地提供了大量的图表和原始数据来源的引用，这极大地增强了内容的可靠性和可验证性。很多其他手册级别的书籍往往只是给出结论，而这本书却致力于展示“如何得出这个结论”的过程。随便翻开一页，里面关于半导体材料在不同温度和电场强度下的响应曲线，绘制得细致入微，标注详尽，即便是最微小的变化趋势也被清晰地捕捉并呈现在读者面前。这种对数据准确性的执着，让我对书中所有结论都深信不疑。对于需要进行精确器件建模和仿真工作的人来说，这种详尽的数据支持简直是如虎添翼，省去了我们大量自己去拟合或推算的时间，可以直接将这些经过验证的数据整合到自己的工作中去。

评分☆☆☆☆☆

初读这本书的章节安排，我立刻被它那近乎苛刻的系统性所折服。它并没有急于展示那些光怪陆离的前沿技术，而是选择从最基础的晶体结构和电子能带理论入手，层层递进，如同在攀登一座知识的高塔。这种循序渐进的教学方式，对于那些希望真正掌握半导体领域“内功心法”的读者来说，简直是福音。特别是其中对各种复杂物理现象的描述，作者似乎总能找到一个最直观、最贴近物理本质的角度去阐释，避免了过多晦涩难懂的数学推导堆砌，这一点非常难得。我个人尤其欣赏作者在引入新概念时所采用的类比手法，比如对载流子迁移率的解释，那种将抽象概念具象化的能力，极大地降低了学习曲线，让我这个非科班出身的工程师也能很快抓住核心要领。这本书更像是请了一位经验极其丰富的大师在你耳边耐心讲解，而不是冷冰冰地丢给你一堆数据。