基本信息
书名:电力半导体新器件及其制造技术
定价:99.00元
作者:王彩琳著
出版社:机械工业出版社
出版日期:2015-06-01
ISBN:9787111475729
字数:
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.4kg
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内容提要
本书介绍了电力半导体器件的结构、原理、特性、设计、制造工艺、可靠性与失效机理、应用共性技术及数值模拟方法。内容涉及功率二极管、晶闸管及其集成器件(包括GTO、IGCT、ETO及MTO)、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)以及电力半导体器件的功率集成技术、结终端技术、制造技术、共性应用技术、数值分析与仿真技术。重点对功率二极管的快软恢复控制、GTO的门极硬驱动、IGCT的透明阳极和波状基区、功率MOSFET的超结及IGBT的电子注入增强(IE)等新技术进行了详细介绍。
本书可作为电子科学与技术、电力电子与电气传动等学科的本科生、研究生专业课程的参考书,也可供从事电力半导体器件制造及应用的工程技术人员和有关科技管理人员参考。
目录
电力电子新技术系列图书序言
前言
章绪论
1.1 电力半导体器件概述
1.1.1 与电力电子技术关系
1.1.2 定义与分类
1.2 发展概况
1.2.1 电力半导体器件的发展
1.2.2 制造技术的发展
参考文献
第2章 功率二极管
2.1 普通功率二极管
2.1.1 结构类型
2.1.2 工作原理与I-U特性
2.1.3 静态与动态特性
2.2 快速软恢复二极管
2.2.1 结构类型
2.2.2 软恢复的机理及控制
2.3 功率肖特基二极管
2.3.1 结构类型与制作工艺
2.3.2 工作原理与I-U特性
2.3.3 静态特性
2.4 功率二极管的设计
2.4.1 普通功率二极管的设计
2.4.2 快速软恢复二极管的设计
2.4.3 功率肖特基二极管的设计
2.5 功率二极管的应用与失效分析
2.5.1 安全工作区及其限制因素
2.5.2 失效分析
2.5.3 特点与应用范围
参考文献
第3章 晶闸管及其集成器件
……
第4章 功率MOSFET
第5章 绝缘栅双极型晶体管
第6章 功率集成技术
第7章 电力半导体器件的结终端技术
第8章 电力半导体器件的制造技术
第9章 电力半导体器件的应用共性技术
0章 电力半导体器件的数值分析与仿真技术
作者介绍
文摘
序言
说实话,这本书的封面设计和排版略显传统,初看之下可能会被归入那些厚重的专业参考书一类,但一旦你沉浸其中,那种知识的密度和广度是令人震撼的。它成功地搭建了一座连接基础半导体物理与尖端电力电子应用的桥梁。我特别喜欢书中对未来集成趋势的预测,例如“功率集成模块”(PIM)的下一代封装技术,作者不仅展示了当前的解决方案,还大胆地推演了未来多功能芯片互联的可能性,这为我们进行五年以上的技术储备规划提供了坚实的理论基础。这本书的深度已经超出了一个“新器件介绍”的范畴,它更像是一本关于半导体器件“进化论”的著作,深刻剖析了每一次技术飞跃背后的驱动力和约束条件。对于需要紧跟国际最新技术动态的管理者和技术人员来说,这本书的参考价值是无可替代的。
评分坦白说,我刚翻开这本书时,内心是有些抗拒的,因为我对“新器件”这个概念总是抱持着一种审慎的怀疑态度——很多新东西往往是炒作大于实质。然而,这本书的结构安排和内容层次感,很快就扭转了我的看法。它不是那种堆砌最新术语的浮夸之作,而是非常扎实地从物理基础出发,层层递进到器件结构优化,再到大规模量产所面临的工艺瓶颈。特别是对于功率MOSFET和IGBT之外的新型器件,例如超级结技术(Superjunction)的演进路线,作者给出的分析非常清晰,避免了复杂的数学推导陷阱,而是着重讲解了结构改变如何从根本上重塑了器件的电流承载能力和开关损耗之间的平衡点。这本书的价值在于,它提供了一个清晰的“技术路线图”,让我能够快速定位当前行业的技术瓶颈点,并理解为什么某些看似微小的材料或工艺改进,能带来性能的指数级飞跃。
评分这本书的文字风格相当“硬核”,一点也不拖泥带水,可以说是将科研论文的精准性和工程手册的实用性完美地融合在了一起。我最欣赏它在描述新材料特性时,那种不回避矛盾、直面挑战的态度。比如,在讨论碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)的制造时,它坦率地指出了当前表面钝化技术仍是限制其高压可靠性的主要短板,并且详细对比了不同钝化层材料的优劣。这种坦诚的分析,让读者能清醒地认识到技术成熟度,而不是盲目乐观。对于那些渴望将实验室成果转化为实际生产力的研发人员来说,书中详细列举的几种关键制造流程中的“关键控制点”(KCPs),简直是如同精确的GPS导航,指明了攻克工艺难关的方向。它不是告诉你“怎么做”,而是告诉你“为什么这么做”以及“在哪里容易出错”。
评分从一个侧重于电源系统集成的角度来看,这本书的实用价值体现在它对“可靠性”的强调上。我们都知道,再好的器件性能,如果不能在苛刻的工作环境下长期稳定运行,一切都是空谈。作者在这方面着墨甚多,书中专门辟出一个章节来讨论瞬态过电压(SOA)的测试方法和新型器件的耐受极限,这一点非常关键。许多教科书往往忽略了这些在工程实践中至关重要的“边界条件”。我发现,书中对不同制造批次间参数漂移的统计分析方法非常具有启发性,这直接指导了我如何为接下来的产品设计更合理的安全裕度。此外,关于光耦和隔离驱动电路与新型高频器件的匹配问题,这本书也给出了非常前瞻性的建议,说明作者不仅仅关注半导体本身,更是将目光投向了整个电力电子模块的“生态系统”建设,这正是现代工程设计所必须具备的全局观。
评分收到您的要求,我将以一个读者的身份,为您撰写关于您提到的书《电力半导体新器件及其制造技术》的五段详细、风格各异的图书评价。 --- 这本《电力半导体新器件及其制造技术》简直是为我们这些深耕电力电子行业多年的工程师准备的“武功秘籍”。我花了整整一个月的时间来消化其中的核心章节,尤其是关于宽禁带半导体材料(如SiC和GaN)在新型功率模块中的应用那一部分,简直是醍醐灌顶。书中的理论深度和技术前沿的结合非常到位,不像市面上很多教材那样只停留在概念层面。作者似乎真的深入一线参与了研发工作,对当前主流器件的局限性以及未来替代方案的挑战性描述得入木三分。举个例子,它详细拆解了第三代半导体器件在高温工作环境下的可靠性评估流程,并对比了不同封装技术对热阻的实际影响,这种实操层面的细节,对于我们设计高功率密度电源系统来说,具有不可替代的指导价值。我特别欣赏作者在描述制造工艺时那种严谨的态度,从外延层生长到离子注入的每一个关键步骤,都伴随着对材料缺陷控制的深度剖析,这远超出了普通器件手册的范畴,更像是一本高级工艺工程师的案头工具书。
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