半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

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齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677523

商品編碼：29727963715

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齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名：半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊

定價：230.00元

作者：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

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版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

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GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶嚮測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷麵夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎麯度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹麯度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片錶麵平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片錶麵質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外乾涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑嚮電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考麵長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考麵結晶學取嚮X射綫測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑嚮變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片錶麵顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光緻發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片錶麵Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射綫衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片錶麵的有機汙染物
GB/T 24578-2009 矽片錶麵金屬沾汙的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽錶麵金屬汙染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾汙的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦閤等離子質譜儀測定多晶矽錶麵金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子復閤壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化閤物半導體拋光晶片亞錶麵損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、锡、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦錶麵的錶麵粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料錶麵金屬雜質含量的電感耦閤等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹麯度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片錶麵粗糙度及切割綫痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法

作者介紹

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文摘

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序言

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《電子材料標準精粹：2014版方法標準（國標分冊）》 前言 在現代科技飛速發展的浪潮中，電子信息産業已成為國民經濟的重要支柱。而電子信息産業的基石，無疑是種類繁多、性能各異的電子材料。從微小的集成電路到龐大的顯示麵闆，從高性能的通信設備到精密的光學器件，一切電子産品的實現都離不開高質量、高可靠性的電子材料。為確保電子材料的生産、檢測、應用能夠遵循統一、科學、嚴謹的標準，從而保障産品質量、促進産業健康發展，《電子材料標準精粹：2014版方法標準（國標分冊）》應運而生。 本書匯集瞭2014年度中國國傢標準中關於電子材料方法標準的精華，重點聚焦於材料的檢測、評價和驗證方法，旨在為從事電子材料研發、生産、檢驗、采購、應用以及相關科研的專業人士提供一套權威、實用、全麵的技術指導。本書不包含材料的通用技術條件、命名原則、安全規範等內容，而是專注於“如何科學地測量和評價”這些至關重要的環節，確保材料的性能指標能夠被準確、可靠地獲取和理解。 本書內容概覽 本書共包含若乾個部分，每個部分都圍繞著特定類型電子材料的測量方法展開，力求涵蓋當前電子材料領域中最具代錶性和普遍性的檢測技術。 第一部分：半導體材料通用檢測方法 本部分集中瞭針對各類半導體材料共有的、基礎性的檢測方法。這些方法是理解和評價半導體材料性能的起點，為後續更深入的專項檢測奠定基礎。 微觀結構分析方法： X射綫衍射（XRD）分析： 詳細介紹瞭利用X射綫衍射技術測定半導體材料晶體結構、晶格常數、晶粒尺寸、織構以及相組成的方法。內容涵蓋樣品製備、衍射譜采集、峰擬閤與解析、以及如何從衍射圖譜中提取關鍵結構信息。例如，針對矽、鍺、化閤物半導體（如GaAs, GaN）等不同晶體結構材料的特定譜綫分析技巧，以及對多晶材料織構強度和取嚮的量化評估。 掃描電子顯微鏡（SEM）與透射電子顯微鏡（TEM）觀察： 闡述瞭如何利用SEM和TEM觀察半導體材料的錶麵形貌、截麵微觀結構、晶界、位錯、夾雜物等缺陷。重點在於樣品製備的技術要點（如拋光、減薄、離子刻蝕等），不同成像模式（如二次電子、背散射電子、透射電子成像）的原理與應用，以及如何結閤能譜分析（EDS/WDS）進行元素成分的定性與定量分析。例如，如何通過SEM觀察晶圓錶麵的劃痕、微粒，通過TEM解析晶體缺陷的類型和密度。 原子力顯微鏡（AFM）測量： 介紹瞭AFM在納米尺度下測量材料錶麵形貌、粗糙度、三維形貌以及錶麵電學特性（如導電AFM, KPFM）的方法。詳細闡述瞭不同掃描模式（接觸模式、非接觸模式、振動模式）的適用性，以及如何解讀AFM圖像，量化錶麵粗糙度參數（如Ra, Rms），並分析其對器件性能的影響。 宏觀性能錶徵方法： 電阻率與霍爾效應測量： 詳細介紹瞭四探針法、範德堡法等測量半導體材料電阻率的方法，以及如何通過霍爾效應測量確定載流子類型、載流子濃度、遷移率等關鍵電學參數。內容包括探針間距的選取、電流注入與電壓測量、溫度對測量的影響，以及如何通過軟件進行數據處理和參數計算。例如，針對不同導電類型的半導體材料（N型，P型），如何正確設置測量參數以獲得準確結果。 載流子壽命測量： 介紹瞭光電導衰減法（PC A）、瞬態光電導衰減法（TPC A）、後嚮散射光譜法（SPV）等測量少數載流子壽命的方法。重點在於理解不同測量原理，以及如何通過實驗條件（如光強、溫度、注入水平）來優化測量結果，並解釋載流子壽命對器件性能（如光電器件效率、開關速度）的重要性。 摻雜濃度與分布測量： 介紹瞭二次離子質譜（SIMS）等高靈敏度、高空間分辨率的摻雜分析技術。詳細闡述瞭SIMS的工作原理，樣品製備要求，以及如何通過標準樣品進行定量分析，繪製摻雜濃度深度分布麯綫。例如，如何精確測量矽中硼、磷等摻雜元素的濃度梯度。 第二部分：特定半導體材料的測量方法 本部分將針對當前電子信息産業中廣泛應用、具有代錶性的半導體材料，列舉其特有的、重要的檢測方法。 矽（Si）基材料檢測方法： 晶體缺陷檢測： 詳細介紹瞭各種缺陷檢測技術，如施加襯度和透射襯度成像技術（DIC/Nomarski, IR-DIC）用於觀察晶圓錶麵的劃痕、微粒、位錯等宏觀和微觀缺陷。還包括對晶體內部缺陷（如夾雜物、生長缺陷）的檢測方法，以及晶圓平整度、翹麯度的測量方法。 錶麵粗糙度與潔淨度測量： 重點介紹錶麵粗糙度儀、激光掃描法等在矽片錶麵形貌評價中的應用。同時，詳細闡述瞭激光粒子計數器、潔淨室在綫監測係統在檢測矽片錶麵微粒汙染方麵的原理和操作規範，以及微粒尺寸、數量、分布的統計分析。 化閤物半導體材料檢測方法（如GaAs, GaN, InP等）： 晶體質量與取嚮確定： 除瞭XRD，還介紹瞭布魯斯特角反射法（XRR）用於測量薄膜厚度和密度，以及X射綫拓撲學（XRT）用於評估晶體缺陷（如位錯、堆垛層錯）的密度和分布。 錶麵形貌與成分分析： 強調瞭SEM/EDS在化閤物半導體錶麵形貌觀察和元素成分分析中的重要性，特彆是在評估外延生長層的均勻性、是否存在相分離等方麵。 俄歇電子能譜（AES）分析： 介紹瞭AES在錶麵成分分析、化學狀態分析以及多層結構界麵分析中的應用，特彆適閤於化閤物半導體錶麵吸附物、氧化層以及界麵擴散層分析。 寬禁帶半導體材料檢測方法（如SiC, Ga2O3）： 多晶形（Polytype）識彆與分析： 重點介紹瞭利用X射綫衍射（XRD）來識彆和區分不同多晶形（如SiC的3C, 4H, 6H等）的方法，以及如何通過譜峰的微小位移來評估晶格畸變。 錶麵形貌與缺陷錶徵： 針對寬禁帶材料的高硬度特性，詳細介紹瞭更精密的拋光和錶麵化學處理方法，以及AFM、SEM等在錶麵形貌、腐蝕坑、微裂紋等缺陷錶徵中的應用。 第三部分：電子材料相關零部件檢測方法 除瞭核心的半導體材料，本書還涵蓋瞭一些與電子材料密切相關的零部件的檢測方法，這些零部件的性能直接影響著電子器件的整體錶現。 光刻膠性能測試： 介紹瞭光刻膠的敏感度、分辨率、顯影速度、抗蝕性能等關鍵參數的測試方法。例如，利用步進曝光機和顯微鏡，通過光學密度測量和綫寬測量來評估光刻膠的性能。 封裝材料檢測： 介紹瞭電子封裝材料（如環氧樹脂、金屬焊料、陶瓷基闆）的物理、化學和電學性能的檢測方法。例如，利用熱重分析（TGA）和差示掃描量熱法（DSC）分析材料的熱穩定性，利用電化學阻抗譜（EIS）評估材料的介電性能。 本書特色與價值 《電子材料標準精粹：2014版方法標準（國標分冊）》的最大特色在於其 “方法導嚮” 的編輯理念。它並非簡單羅列國傢標準，而是係統性地梳理、歸納和闡釋瞭各類電子材料關鍵性能的測量和評價方法，並強調瞭這些方法在實際應用中的技術要點、注意事項和數據解讀。 權威性與係統性： 本書內容嚴格依據2014年度中國國傢標準，具有極高的權威性。同時，內容按照材料類型和檢測維度進行瞭係統性梳理，便於讀者快速定位所需信息。 實用性與操作性： 書中不僅闡述瞭理論原理，更注重實際操作中的技術細節和工藝流程，力求為讀者提供可操作的指導。例如，在介紹某種測量方法時，會明確指齣樣品製備的要求、儀器的校準步驟、數據采集的注意事項等。 前沿性與指導性： 隨著電子材料技術的不斷發展，檢測方法也在持續更新。本書收錄的內容代錶瞭2014年國傢標準在這一領域的最高水平，對於指導當前及未來一段時間內的材料研發和質量控製具有重要的參考價值。 專業性與易讀性： 本書匯聚瞭相關領域的專傢學者，文字嚴謹專業，但同時也力求錶達清晰，便於不同層次的專業人士閱讀和理解。 讀者對象 本書適用於以下人群： 電子材料研發工程師、科學傢。 半導體器件製造、工藝工程師。 電子材料生産企業的産品開發、質量控製、檢驗人員。 電子産品設計、采購部門的技術人員。 從事電子材料相關領域的科研院所研究人員、研究生。 相關高校的教師及學生。 從事電子材料行業的技術谘詢、標準製定等工作的專業人士。 結語 在精密製造和性能至上的電子信息時代，對材料性能的準確、可靠的評估是産品成功的關鍵。 《電子材料標準精粹：2014版方法標準（國標分冊）》正是這樣一本緻力於提升電子材料測量與評價水平的寶典。我們希望本書能夠成為廣大電子材料領域專業人士案頭的必備工具書，為推動中國電子材料産業的持續進步貢獻力量。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計得非常簡潔、專業，那種深藍色的底色搭配燙金的標題，一看就知道是本嚴肅、權威的工具書。我最開始拿起它的時候，就被它厚重的分量給震撼到瞭，這絕對是沉甸甸的知識積纍。作為一名長期在材料測試領域摸爬滾打的工程師，我深知標準手冊的重要性，它們是保證産品質量和技術互通的基石。然而，市麵上的很多標準匯編版本更新慢，或者收錄不全，讓人用起來總覺得心裏沒底。我特彆關注瞭2014年這個時間節點，雖然現在已經是2024年瞭，但即便是十年前的版本，對於很多基礎性的、經典性的半導體材料性能測試方法，依然具有極高的參考價值。我原本是希望能在裏麵找到關於新型 III-V 族化閤物半導體光電器件生長過程中的微觀缺陷檢測的最新國標，但很遺憾，這本書的側重點顯然更偏嚮於傳統的矽基材料和更宏觀的物理、化學性能測試方法。例如，關於原子層沉積（ALD）薄膜的厚度和均勻性評估的最新標準，這本書裏似乎隻停留在早期基於橢偏儀測量的基礎方法上，而缺乏當前行業內廣泛應用的原子力顯微鏡（AFM）高度分析配閤X射綫光電子能譜（XPS）的交叉驗證標準。因此，雖然它在基礎通用測試方麵功不可沒，但在追求尖端、微米乃至納米尺度的精密量化分析方麵，顯得略微滯後瞭。

評分☆☆☆☆☆

這本書的排版布局，說實話，初看之下有些古闆，完全是典型的政府或行業標準匯編風格——密密麻麻的文字，配閤著大量錶格和流程圖，沒有絲毫的“用戶友好”設計。我花瞭很長時間纔適應這種閱讀節奏。我當時最需要查閱的是關於半導體級氣體純度和雜質含量的痕量分析方法，特彆是對特定揮發性有機物（VOCs）的檢測限和重復性要求。我翻遍瞭“化學分析方法”那一章節，發現確實收錄瞭ICP-MS（電感耦閤等離子體質譜法）的通用流程，但對於半導體行業對 PPT（萬億分之一）級彆金屬雜質的控製標準，其詳盡的操作步驟和校準麯綫的擬閤要求，描述得比較籠統，更像是一個基礎教程而非可直接用於實驗室認證的細則。如果一個新人拿著這個手冊去嘗試建立一個符閤最新ISO或IEC認證的測試流程，他很可能會在細節上卡住，需要對照其他更專業、更細分的行業規範手冊進行補充。它更像是一個“綱領性”的匯編，而非一份“操作手冊”。那種手把手教你如何搭建一個符閤最新工藝要求的測試平颱的期望，在這裏是無法完全滿足的。

評分☆☆☆☆☆

作為一個主要負責研發部門質量控製的管理者，我更看重的是標準的可追溯性和不同測試方法之間的交叉驗證機製。這本書的優勢在於它將多個領域的標準——從晶體生長到器件封裝——整閤在瞭一本冊子裏，這在查找特定材料的通用標準時非常方便。但當我試圖查找針對特定失效分析（Failure Analysis, FA）方法的標準時，比如如何規範化地進行掃描聲學顯微鏡（SAM）測試以確定分層缺陷的嚴重程度，這本書就顯得力不從心瞭。SAM測試結果的圖像解釋和缺陷麵積的量化計算，不同廠傢間的差異很大，非常需要一個權威的國傢標準來統一口徑。我翻遍瞭“可靠性與失效分析”部分，發現大多是關於加速老化測試（如高低溫循環、熱衝擊）的宏觀指標要求，對於微觀成像分析技術的標準化描述，幾乎沒有涉及。這使得在處理跨公司、跨項目的FA報告時，我們缺乏一個統一的“度量衡”來判斷一個缺陷是否達到瞭“不可接受”的閾值。

評分☆☆☆☆☆

這次藉閱的目的是為瞭比對不同年代半導體晶圓錶麵粗糙度標準的演變軌跡。我手頭有一份更早期的版本，想看看從那時起到2014年，國傢標準在如何應對集成電路製程節點的不斷縮小化。我特彆留意瞭關於錶麵形貌分析的章節，期望能看到針對先進的化學機械拋光（CMP）後晶圓的 Ra、Rq 等參數的更嚴格的測量規範。然而，這本書在這一塊的側重點似乎更多地放在瞭矽片襯底的初始狀態檢測上，比如少子壽命、電阻率等宏觀電學特性。對於CMP後的精細度要求，例如對不同掃描區域進行統計學分析的必要性，以及如何排除測量儀器本身帶來的振動噪聲影響的標準化處理流程，書中並未給予足夠的篇幅進行深入探討。這讓我感覺，這本書的“時效性”與半導體行業“摩爾定律”式的快速迭代之間，存在一個明顯的代溝。它為我們勾勒齣瞭一個相對紮實的2014年左右的行業標準圖景，但對於處理當代超高密度芯片製造中那些苛刻到令人發指的錶麵潔淨度和均勻性要求時，它的指導意義就顯得有些力不從心瞭。

評分☆☆☆☆☆

從收藏和資料儲備的角度來看，這本《半導體材料標準匯編(2014版)》絕對是值得擁有的。它代錶瞭特定曆史時期內，國傢在半導體材料基礎研究和工業化生産規範化方麵所達成的共識。它的價值在於其曆史參考性和其對基礎物理化學量測方法的權威界定。但是，如果把它當作一本“活的”工具書來應對當前實驗室的日常高精度需求，那麼它的局限性就非常明顯瞭。例如，在提到半導體材料的紅外透射率測試時，書中給齣的標準測試溫度和環境要求，與目前為瞭提高測量精度而普遍采用的低溫或真空環境下的測試要求存在顯著差異。對於那些需要精確到小數點後三位，並且需要考慮溫度漂移效應的測試項目，這本書提供的基礎參數和方法論，需要我們自己額外投入大量精力去進行“現代化”的修正和參數調整，這無形中增加瞭工作量。它更像是一部“教科書式”的標準集閤，而非一份與時俱進的“操作手冊”。