半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677523

商品编码：29727963715

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名：半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册

定价：230.00元

作者：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

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GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法 硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、A1受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

作者介绍

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文摘

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序言

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《电子材料标准精粹：2014版方法标准（国标分册）》 前言 在现代科技飞速发展的浪潮中，电子信息产业已成为国民经济的重要支柱。而电子信息产业的基石，无疑是种类繁多、性能各异的电子材料。从微小的集成电路到庞大的显示面板，从高性能的通信设备到精密的光学器件，一切电子产品的实现都离不开高质量、高可靠性的电子材料。为确保电子材料的生产、检测、应用能够遵循统一、科学、严谨的标准，从而保障产品质量、促进产业健康发展，《电子材料标准精粹：2014版方法标准（国标分册）》应运而生。 本书汇集了2014年度中国国家标准中关于电子材料方法标准的精华，重点聚焦于材料的检测、评价和验证方法，旨在为从事电子材料研发、生产、检验、采购、应用以及相关科研的专业人士提供一套权威、实用、全面的技术指导。本书不包含材料的通用技术条件、命名原则、安全规范等内容，而是专注于“如何科学地测量和评价”这些至关重要的环节，确保材料的性能指标能够被准确、可靠地获取和理解。 本书内容概览 本书共包含若干个部分，每个部分都围绕着特定类型电子材料的测量方法展开，力求涵盖当前电子材料领域中最具代表性和普遍性的检测技术。 第一部分：半导体材料通用检测方法 本部分集中了针对各类半导体材料共有的、基础性的检测方法。这些方法是理解和评价半导体材料性能的起点，为后续更深入的专项检测奠定基础。 微观结构分析方法： X射线衍射（XRD）分析： 详细介绍了利用X射线衍射技术测定半导体材料晶体结构、晶格常数、晶粒尺寸、织构以及相组成的方法。内容涵盖样品制备、衍射谱采集、峰拟合与解析、以及如何从衍射图谱中提取关键结构信息。例如，针对硅、锗、化合物半导体（如GaAs, GaN）等不同晶体结构材料的特定谱线分析技巧，以及对多晶材料织构强度和取向的量化评估。 扫描电子显微镜（SEM）与透射电子显微镜（TEM）观察： 阐述了如何利用SEM和TEM观察半导体材料的表面形貌、截面微观结构、晶界、位错、夹杂物等缺陷。重点在于样品制备的技术要点（如抛光、减薄、离子刻蚀等），不同成像模式（如二次电子、背散射电子、透射电子成像）的原理与应用，以及如何结合能谱分析（EDS/WDS）进行元素成分的定性与定量分析。例如，如何通过SEM观察晶圆表面的划痕、微粒，通过TEM解析晶体缺陷的类型和密度。 原子力显微镜（AFM）测量： 介绍了AFM在纳米尺度下测量材料表面形貌、粗糙度、三维形貌以及表面电学特性（如导电AFM, KPFM）的方法。详细阐述了不同扫描模式（接触模式、非接触模式、振动模式）的适用性，以及如何解读AFM图像，量化表面粗糙度参数（如Ra, Rms），并分析其对器件性能的影响。 宏观性能表征方法： 电阻率与霍尔效应测量： 详细介绍了四探针法、范德堡法等测量半导体材料电阻率的方法，以及如何通过霍尔效应测量确定载流子类型、载流子浓度、迁移率等关键电学参数。内容包括探针间距的选取、电流注入与电压测量、温度对测量的影响，以及如何通过软件进行数据处理和参数计算。例如，针对不同导电类型的半导体材料（N型，P型），如何正确设置测量参数以获得准确结果。 载流子寿命测量： 介绍了光电导衰减法（PC A）、瞬态光电导衰减法（TPC A）、后向散射光谱法（SPV）等测量少数载流子寿命的方法。重点在于理解不同测量原理，以及如何通过实验条件（如光强、温度、注入水平）来优化测量结果，并解释载流子寿命对器件性能（如光电器件效率、开关速度）的重要性。 掺杂浓度与分布测量： 介绍了二次离子质谱（SIMS）等高灵敏度、高空间分辨率的掺杂分析技术。详细阐述了SIMS的工作原理，样品制备要求，以及如何通过标准样品进行定量分析，绘制掺杂浓度深度分布曲线。例如，如何精确测量硅中硼、磷等掺杂元素的浓度梯度。 第二部分：特定半导体材料的测量方法 本部分将针对当前电子信息产业中广泛应用、具有代表性的半导体材料，列举其特有的、重要的检测方法。 硅（Si）基材料检测方法： 晶体缺陷检测： 详细介绍了各种缺陷检测技术，如施加衬度和透射衬度成像技术（DIC/Nomarski, IR-DIC）用于观察晶圆表面的划痕、微粒、位错等宏观和微观缺陷。还包括对晶体内部缺陷（如夹杂物、生长缺陷）的检测方法，以及晶圆平整度、翘曲度的测量方法。 表面粗糙度与洁净度测量： 重点介绍表面粗糙度仪、激光扫描法等在硅片表面形貌评价中的应用。同时，详细阐述了激光粒子计数器、洁净室在线监测系统在检测硅片表面微粒污染方面的原理和操作规范，以及微粒尺寸、数量、分布的统计分析。 化合物半导体材料检测方法（如GaAs, GaN, InP等）： 晶体质量与取向确定： 除了XRD，还介绍了布鲁斯特角反射法（XRR）用于测量薄膜厚度和密度，以及X射线拓扑学（XRT）用于评估晶体缺陷（如位错、堆垛层错）的密度和分布。 表面形貌与成分分析： 强调了SEM/EDS在化合物半导体表面形貌观察和元素成分分析中的重要性，特别是在评估外延生长层的均匀性、是否存在相分离等方面。 俄歇电子能谱（AES）分析： 介绍了AES在表面成分分析、化学状态分析以及多层结构界面分析中的应用，特别适合于化合物半导体表面吸附物、氧化层以及界面扩散层分析。 宽禁带半导体材料检测方法（如SiC, Ga2O3）： 多晶形（Polytype）识别与分析： 重点介绍了利用X射线衍射（XRD）来识别和区分不同多晶形（如SiC的3C, 4H, 6H等）的方法，以及如何通过谱峰的微小位移来评估晶格畸变。 表面形貌与缺陷表征： 针对宽禁带材料的高硬度特性，详细介绍了更精密的抛光和表面化学处理方法，以及AFM、SEM等在表面形貌、腐蚀坑、微裂纹等缺陷表征中的应用。 第三部分：电子材料相关零部件检测方法 除了核心的半导体材料，本书还涵盖了一些与电子材料密切相关的零部件的检测方法，这些零部件的性能直接影响着电子器件的整体表现。 光刻胶性能测试： 介绍了光刻胶的敏感度、分辨率、显影速度、抗蚀性能等关键参数的测试方法。例如，利用步进曝光机和显微镜，通过光学密度测量和线宽测量来评估光刻胶的性能。 封装材料检测： 介绍了电子封装材料（如环氧树脂、金属焊料、陶瓷基板）的物理、化学和电学性能的检测方法。例如，利用热重分析（TGA）和差示扫描量热法（DSC）分析材料的热稳定性，利用电化学阻抗谱（EIS）评估材料的介电性能。 本书特色与价值 《电子材料标准精粹：2014版方法标准（国标分册）》的最大特色在于其 “方法导向” 的编辑理念。它并非简单罗列国家标准，而是系统性地梳理、归纳和阐释了各类电子材料关键性能的测量和评价方法，并强调了这些方法在实际应用中的技术要点、注意事项和数据解读。 权威性与系统性： 本书内容严格依据2014年度中国国家标准，具有极高的权威性。同时，内容按照材料类型和检测维度进行了系统性梳理，便于读者快速定位所需信息。 实用性与操作性： 书中不仅阐述了理论原理，更注重实际操作中的技术细节和工艺流程，力求为读者提供可操作的指导。例如，在介绍某种测量方法时，会明确指出样品制备的要求、仪器的校准步骤、数据采集的注意事项等。 前沿性与指导性： 随着电子材料技术的不断发展，检测方法也在持续更新。本书收录的内容代表了2014年国家标准在这一领域的最高水平，对于指导当前及未来一段时间内的材料研发和质量控制具有重要的参考价值。 专业性与易读性： 本书汇聚了相关领域的专家学者，文字严谨专业，但同时也力求表达清晰，便于不同层次的专业人士阅读和理解。 读者对象 本书适用于以下人群： 电子材料研发工程师、科学家。 半导体器件制造、工艺工程师。 电子材料生产企业的产品开发、质量控制、检验人员。 电子产品设计、采购部门的技术人员。 从事电子材料相关领域的科研院所研究人员、研究生。 相关高校的教师及学生。 从事电子材料行业的技术咨询、标准制定等工作的专业人士。 结语 在精密制造和性能至上的电子信息时代，对材料性能的准确、可靠的评估是产品成功的关键。 《电子材料标准精粹：2014版方法标准（国标分册）》正是这样一本致力于提升电子材料测量与评价水平的宝典。我们希望本书能够成为广大电子材料领域专业人士案头的必备工具书，为推动中国电子材料产业的持续进步贡献力量。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计得非常简洁、专业，那种深蓝色的底色搭配烫金的标题，一看就知道是本严肃、权威的工具书。我最开始拿起它的时候，就被它厚重的分量给震撼到了，这绝对是沉甸甸的知识积累。作为一名长期在材料测试领域摸爬滚打的工程师，我深知标准手册的重要性，它们是保证产品质量和技术互通的基石。然而，市面上的很多标准汇编版本更新慢，或者收录不全，让人用起来总觉得心里没底。我特别关注了2014年这个时间节点，虽然现在已经是2024年了，但即便是十年前的版本，对于很多基础性的、经典性的半导体材料性能测试方法，依然具有极高的参考价值。我原本是希望能在里面找到关于新型 III-V 族化合物半导体光电器件生长过程中的微观缺陷检测的最新国标，但很遗憾，这本书的侧重点显然更偏向于传统的硅基材料和更宏观的物理、化学性能测试方法。例如，关于原子层沉积（ALD）薄膜的厚度和均匀性评估的最新标准，这本书里似乎只停留在早期基于椭偏仪测量的基础方法上，而缺乏当前行业内广泛应用的原子力显微镜（AFM）高度分析配合X射线光电子能谱（XPS）的交叉验证标准。因此，虽然它在基础通用测试方面功不可没，但在追求尖端、微米乃至纳米尺度的精密量化分析方面，显得略微滞后了。

评分☆☆☆☆☆

这次借阅的目的是为了比对不同年代半导体晶圆表面粗糙度标准的演变轨迹。我手头有一份更早期的版本，想看看从那时起到2014年，国家标准在如何应对集成电路制程节点的不断缩小化。我特别留意了关于表面形貌分析的章节，期望能看到针对先进的化学机械抛光（CMP）后晶圆的 Ra、Rq 等参数的更严格的测量规范。然而，这本书在这一块的侧重点似乎更多地放在了硅片衬底的初始状态检测上，比如少子寿命、电阻率等宏观电学特性。对于CMP后的精细度要求，例如对不同扫描区域进行统计学分析的必要性，以及如何排除测量仪器本身带来的振动噪声影响的标准化处理流程，书中并未给予足够的篇幅进行深入探讨。这让我感觉，这本书的“时效性”与半导体行业“摩尔定律”式的快速迭代之间，存在一个明显的代沟。它为我们勾勒出了一个相对扎实的2014年左右的行业标准图景，但对于处理当代超高密度芯片制造中那些苛刻到令人发指的表面洁净度和均匀性要求时，它的指导意义就显得有些力不从心了。

评分☆☆☆☆☆

作为一个主要负责研发部门质量控制的管理者，我更看重的是标准的可追溯性和不同测试方法之间的交叉验证机制。这本书的优势在于它将多个领域的标准——从晶体生长到器件封装——整合在了一本册子里，这在查找特定材料的通用标准时非常方便。但当我试图查找针对特定失效分析（Failure Analysis, FA）方法的标准时，比如如何规范化地进行扫描声学显微镜（SAM）测试以确定分层缺陷的严重程度，这本书就显得力不从心了。SAM测试结果的图像解释和缺陷面积的量化计算，不同厂家间的差异很大，非常需要一个权威的国家标准来统一口径。我翻遍了“可靠性与失效分析”部分，发现大多是关于加速老化测试（如高低温循环、热冲击）的宏观指标要求，对于微观成像分析技术的标准化描述，几乎没有涉及。这使得在处理跨公司、跨项目的FA报告时，我们缺乏一个统一的“度量衡”来判断一个缺陷是否达到了“不可接受”的阈值。

评分☆☆☆☆☆

从收藏和资料储备的角度来看，这本《半导体材料标准汇编(2014版)》绝对是值得拥有的。它代表了特定历史时期内，国家在半导体材料基础研究和工业化生产规范化方面所达成的共识。它的价值在于其历史参考性和其对基础物理化学量测方法的权威界定。但是，如果把它当作一本“活的”工具书来应对当前实验室的日常高精度需求，那么它的局限性就非常明显了。例如，在提到半导体材料的红外透射率测试时，书中给出的标准测试温度和环境要求，与目前为了提高测量精度而普遍采用的低温或真空环境下的测试要求存在显著差异。对于那些需要精确到小数点后三位，并且需要考虑温度漂移效应的测试项目，这本书提供的基础参数和方法论，需要我们自己额外投入大量精力去进行“现代化”的修正和参数调整，这无形中增加了工作量。它更像是一部“教科书式”的标准集合，而非一份与时俱进的“操作手册”。

评分☆☆☆☆☆

这本书的排版布局，说实话，初看之下有些古板，完全是典型的政府或行业标准汇编风格——密密麻麻的文字，配合着大量表格和流程图，没有丝毫的“用户友好”设计。我花了很长时间才适应这种阅读节奏。我当时最需要查阅的是关于半导体级气体纯度和杂质含量的痕量分析方法，特别是对特定挥发性有机物（VOCs）的检测限和重复性要求。我翻遍了“化学分析方法”那一章节，发现确实收录了ICP-MS（电感耦合等离子体质谱法）的通用流程，但对于半导体行业对 PPT（万亿分之一）级别金属杂质的控制标准，其详尽的操作步骤和校准曲线的拟合要求，描述得比较笼统，更像是一个基础教程而非可直接用于实验室认证的细则。如果一个新人拿着这个手册去尝试建立一个符合最新ISO或IEC认证的测试流程，他很可能会在细节上卡住，需要对照其他更专业、更细分的行业规范手册进行补充。它更像是一个“纲领性”的汇编，而非一份“操作手册”。那种手把手教你如何搭建一个符合最新工艺要求的测试平台的期望，在这里是无法完全满足的。