基本信息
書名:光電集成電路設計與器件建模(英文版)
定價:59.00元
作者:高建軍
齣版社:高等教育齣版社
齣版日期:2011-01-01
ISBN:9787040313260
字數:
頁碼:262
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.740kg
編輯推薦
內容提要
《光電集成電路設計與器件建模(英文版)》主要介紹微波技術在光電子集成電路設計領域的應用,內容涵蓋先進的半導體光電子器件建模技術、高速光發射和接收電路設計技術,器件涉及半導體激光器、半導體探測器以及多種高速半導體器件,特彆是對於雙極晶體管和場效應晶體管在超高速光電子集成電路中的應用進行瞭詳細的討論。
n 《光電集成電路設計與器件建模(英文版)》在微波器件建模技術和光電子集成電路設計之間架起瞭一座學科貫通的橋梁,非常適閤微波射頻領域和光電子領域的高年級本科生、研究生和科研工作人員入門學習。
目錄
Preface
nAbout the Author
n1 Nomenclature
nIntroduction
n1.1 Optical CommunicatioSystem
n1.2 Optoelectronic Integrated Circuit Computer-Aided Design
n1.3 Organizatioof This Book
nReferences
n2 Basic Concept of Semiconductor Laser Diodes
n2.1 Introduction
n2.2 Basic Concept
n2.2.1 Atom Energy
n2.2.2 Emissioand Absorption
n2.2.3 PopulatioInversion
n2.3 Structures and Types
n2.3.1 Homojunctioand Heterojunction
n2.3.2 Index Guiding and GaiGuiding
n2.3.3 Fabry-Perot Cavity Lasers
n2.3.4 Quantum-Well Lasers
n2.3.5 Distributed Feedback Lasers
n2.3.6 Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers
n2.4 Laser Characteristics
n2.4.1 Single-Mode Rate Equations
n2.4.2 Multimode Rate Equations
n2.4.3 Small-Signal Intensity Modulation
n2.4.4 Small-Signal Frequency Modulation
n2.4.5 Large-Signal Transit Response
n2.4.6 Second Harmonic Distortion
n2.4.7 Relative Intensity Noise
n2.4.8 Measurement Technique
n2.5 Summary
nReferences
n3 Modeling and Parameter ExtractioTechniques of Lasers
n3.1 Introduction
n3.2 Standard Double HeterojunctioSemiconductor Lasers
n3.2.1 Large-Signal Model
n3.2.2 Small-Signal Model
n3.2.3 Noise Model
n3.3 Quantum-Well Lasers
n3.3.1 One-Level Equivalent Circuit Model
n3.3.2 Two-Level Equivalent Circuit Model
n3.3.3 Three-Level Equivalent Circuit Model
n3.4 Parameter ExtractioMethods
n3.4.1 Direct-ExtractioMethod
n3.4.2 Semi-Analytical Method
n3.5 Summary
nReferences
n4 Microwave Modeling Techniques of Photodiodes
n4.1 Introduction
n4.2 Physical Principles
n4.3 Figures of Merit
n4.3.1 Responsivity
n4.3.2 Quantum Efficiency
n4.3.3 AbsorptioCoefficient
n4.3.4 Dark Current
n4.3.5 Rise Time and Bandwidth
n4.3.6 Noise Currents
n4.4 Microwave Modeling Techniques
n4.4.1 PIN PD
n4.4.2 APD
n4.5 Summary
nReferences
n5 High-Speed Electronic Semiconductor Devices
n5.1 Overview of Microwave Transistors
n5.2 FET Modeling Technique
n5.2.1 FET Small-Signal Modeling
n5.2.2 FET Large-Signal Modeling
n5.2.3 FET Noise Modeling
n5.3 GaAs/InP HBT Modeling Technique
n5.3.1 GaAs/InP HBT Nonlinear Model
n5.3.2 GaAs/InP HBT Linear Model
n5.3.3 GaAs/InP HBT Noise Model
n5.3.4 Parameter ExtractioMethods
n5.4 SiGe HBT Modeling Technique
n5.5 MOSFET Modeling Technique
n5.5.1 MOSFET Small-Signal Model
n5.5.2 MOSFET Noise Model
n5.5.3 Parameter ExtractioMethods
n5.6 Summary
nReferences
n6 Semiconductor Laser and Modulator Driver Circuit Design
n6.1 Basic Concepts
n6.1.1 NRZ and RZ Data
n6.1.2 Optical Modulation
n6.1.3 Optical External Modulator
n6.2 Optoelectronic IntegratioTechnology
n6.2.1 Monofithic Optoelectronic Integrated Circuits
n6.2.2 Hybrid Optoelectronic Integrated Circuits
n6.3 Laser Driver Circuit Design
n6.4 Modulator Driver Circuit Design
n6.4.1 FET-Based Driver Circuit
n6.4.2 Bipolar Transistor-Based Driver Integrated Circuit
n6.4.3 MOSFET-Based Driver Integrated Circuit
n6.5 Distributed Driver Circuit Design
n6.6 Passive Peaking Techniques
n6.6.1 Capacitive Peaking Techniques
n6.6.2 Inductive Peaking Techniques
n6.7 Summary
nReferences
n7 Optical Receiver Front-End, Integrated Circuit Design
n7.1 Basic Concepts of the Optical Receiver
n7.1.1 Signal-to-Noise Ratio
n7.1.2 Bit Error Ratio
n7.1.3 Sensitivity
n7.1.4 Eye Diagram
n7.1.5 Signal Bandwidth
n7.1.6 Dynamic Range
n7.2 Front-End Circuit Design
n7.2.1 Hybrid and Monolithic OEIC
n7.2.2 High-Impedance Front-End
n7.2.3 Transimpedance Front-End
n7.3 Transi-mpedance Gaiand Equivalent Input Noise Current
n7.3.1 S Parameters of a Two-Port Network
n7.3.2 Noise Figure of a Two-Port Network
n7.3.3 Transimpedance Gain
n7.3.4 Equivalent Input Noise Current
n7.3.5 Simulatioand Measurement of Transimpedance Gaiand Equivalent Input Noise Current
n7.4 Transimpedance Amplifier Circuit Design
n7.4.1 BJT-Based Circuit Design
n7.4.2 HBT-Based Circuit Design
n7.4.3 FET-Based Circuit Design
n7.4.4 MOSFET-Based Circuit Design
n7.4.5 Distributed Circuit Design
n7.5 Passive Peaking Techniques
n7.5.1 Inductive Peaking Techniques
n7.5.2 Capacitive Peaking Techniques
n7.6 Matching Techniques
n7.7 Summary
nReferences
nIndex
作者介紹
文摘
序言
這本書給我的最深刻印象是它在嚴謹性與實用性之間找到瞭一個近乎完美的平衡點。它沒有為瞭追求學術上的“高深莫測”而刻意使用晦澀的術語,相反,它傾嚮於用清晰的物理圖像來構建復雜的係統認知。例如,在描述光子陷阱效應時,作者配上的插圖不僅美觀,而且信息密度極高,一眼就能看齣不同幾何參數如何影響光束的限製能力。此外,書中對設計流程中常見陷阱的警示性描述也極為寶貴。它不像教科書那樣隻展示成功的案例,而是著重分析瞭為什麼某些看似閤理的器件設計在實際製造中會遭遇失敗,這種“反麵教材”的分享,對於規避項目風險具有不可估量的價值。閱讀過程中,我發現自己開始用一種更係統、更整體的眼光去看待光電器件的性能指標,不再是孤立地看待光電轉換效率或響應速度,而是將其置於整個集成係統的功耗、帶寬和尺寸的製約下進行綜閤考量。這本書的閱讀體驗,更像是一次係統的、高強度的專業訓練,而不是輕鬆的知識獲取過程。
評分這本書的閱讀體驗,很大程度上取決於讀者自身的背景知識儲備。對於一個有紮實微波電子背景的人來說,理解起來會相對順暢,因為書中某些電磁場分析的部分會不自覺地藉鑒射頻電路的分析範式。然而,即便是對於我這樣有一定的光學基礎的讀者,也必須承認,某些涉及薄膜光學和耦閤模理論的章節需要反復研讀。我嘗試將書中的一些核心算法(比如有限元法在波導損耗計算中的應用)在自己的軟件環境中進行復現驗證,發現作者提供的模型框架非常健壯,幾乎可以直接用於工程仿真。這錶明這本書的編寫目的不僅僅是為瞭學術探討,更是為瞭指導實際的芯片製造和測試流程。從排版上看,它的注釋和參考文獻引用做得非常規範,每一條關鍵公式的來源都可以追溯到具體的經典文獻或開創性的論文,這使得讀者可以根據興趣點深入挖掘,進行個性化的學習。總而言之,這是一部需要沉下心來,甚至需要配閤計算軟件一同“操作”的工具書,它的價值隨著閱讀的深入和實踐的結閤而不斷倍增。
評分這本厚重的專業書籍擺在桌麵上,立刻散發齣一種嚴謹而深邃的氣息。我花瞭整整一個下午纔勉強翻閱完前幾章,感覺自己像是踏入瞭一個布滿復雜電路圖和數學公式的迷宮。書中的理論推導非常紮實,每一個步驟都力求精確無誤,看得齣作者在學術功底上投入瞭巨大的心血。尤其是關於新型光電轉換材料特性的分析部分,簡直是教科書級彆的深度,它不像有些浮於錶麵的科普讀物,而是直擊核心,把底層物理原理和實際工程應用之間的聯係剖析得淋灕盡緻。盡管對於初學者來說,初次接觸可能會感到有些吃力,但如果你是研究生或者在一綫從事相關研發工作,這本書無疑是一座寶庫。它不僅僅是知識的堆砌,更像是一位經驗豐富的前輩在手把手地指導你如何構建一個穩定、高效的光電器件。我尤其欣賞作者在論述中穿插的那些巧妙的比喻,它們就像黑暗中的火把,瞬間點亮瞭那些原本晦澀難懂的概念。這本書的排版和圖示質量也值得稱贊,復雜的結構圖和波導示意圖清晰明瞭,極大地減輕瞭閱讀的負擔。它絕對不是一本可以輕鬆讀完的書,但其提供的知識深度和廣度,足以支撐起一個小型研發項目的前期理論準備工作。
評分我是在準備一次重要的技術匯報時偶然接觸到這本專著的。坦率地說,我原本對“器件建模”這類內容抱有一定程度的畏懼,總覺得那是一堆枯燥的微分方程和邊界條件。然而,這本書的敘述方式卻徹底顛覆瞭我的認知。作者似乎深諳如何將抽象的數學語言轉化為直觀的工程語言。例如,在講解半導體異質結中的載流子傳輸機製時,它沒有陷入純粹的量子力學糾纏,而是巧妙地引入瞭等效電路模型,使得工程師能夠快速地對器件性能進行初步評估和參數調整。這種“自頂嚮下”的構建思路非常符閤實際研發的流程。我發現書中很多章節的結構都非常新穎,比如它將光傳輸與電學特性分析在同一框架下進行耦閤討論,這在其他同類書籍中是很少見的。每次當我感覺快要迷失在復雜的數學符號中時,總能找到一小段話,用極其簡潔的文字概括瞭當前模型的物理意義,讓人醍醐灌頂。這本書的價值在於,它提供瞭一個完整的、可操作的理論框架,而不是零散的知識點集閤。對於希望從理論設計環節就把握主動權的技術人員來說,這無疑是一份極具戰略意義的參考資料。
評分翻閱這本書,給我的感覺是,作者對整個光電子領域的前沿動態有著極其敏銳的嗅覺。它不僅僅停留在對經典結構(如PIN光電二極管、LED等)的傳統描述上,而是大膽地引入瞭許多新興的研究熱點,比如二維材料在光電集成中的應用潛力,以及如何利用機器學習方法優化光柵結構的參數空間。這些內容更新得非常及時,甚至比一些最新的期刊綜述都要更具係統性。閱讀這些前沿章節時,我能強烈感受到一種驅動未來的緊迫感和興奮感。書中對不同工作原理器件的性能極限分析也做得非常透徹,它不會一味地鼓吹“完美器件”的可能性,而是坦誠地指齣瞭當前技術麵臨的根本性物理限製,這對於製定閤理的研發目標至關重要。我特彆喜歡它在討論新型材料時,會對比分析其在不同工作波段下的優勢與劣勢,這種橫嚮的比較分析,讓讀者能夠更全麵地評估每一種選擇的工程可行性。這本書就像是一份高精度的路綫圖,標明瞭通往下一代光電子技術的各個岔路口和它們的復雜程度。
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